| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 具有调谐的各向异性和磁矩的薄膜 | CN201310625298.0 | 2013-11-28 | CN103855298B | 2017-12-22 | V·R·印图瑞; 田伟; J·芒德纳 |
| 一种装置和方法一般被描述为表现出经调谐的各向异性和磁矩的薄膜。各实施例可形成一磁性层，该磁性层通过在被冷却至预定衬底温度的衬底上沉积材料而被调谐至预定的各向异性和磁矩。 | ||||||
| 2 | 自旋转移矩存储器中的减小的切换电流 | CN201380045054.3 | 2013-06-10 | CN104737233B | 2017-11-07 | E·V·卡尔波夫; B·S·多伊尔; K·奥乌兹; S·苏里; R·S·周; C·C·郭; M·L·多齐; D·L·肯克 |
| 本发明描述了自旋转移矩存储器中的减小的切换电流。可以减小自旋转移矩存储器(STTM)中的切换电流。利用存储器单元的写入线上的第一脉冲来驱动磁存储器单元以加热所述单元。然后利用所述写入线上的第二脉冲来驱动所述单元以设定所述单元的状态。 | ||||||
| 3 | 具有垂直磁性隧道结的磁性器件 | CN201310366932.3 | 2013-08-21 | CN103633240B | 2017-07-04 | 吴世忠; 金基雄; 金英铉; 金晥均; 朴相奂 |
| 提供了具有垂直磁性隧道结的磁性存储器件。该器件包括磁性隧道结，其中磁性隧道结包括自由层结构、钉扎层结构、和它们之间的隧道势垒。钉扎层结构可以包括具有本征垂直磁化特性的第一磁性层、具有本征平面内磁化特性的第二磁性层、和插入第一磁性层与第二磁性层之间的交换耦合层。交换耦合层可以具有使第一磁性层与第二磁性层之间的反铁磁交换耦合最大化的厚度，而第二磁性层可以至少部分地因为与第一磁性层的反铁磁交换耦合而展示出垂直磁化方向。 | ||||||
| 4 | 集成磁阻传感器，特别是三轴磁阻传感器及其制造方法 | CN201180059749.8 | 2011-12-23 | CN103261905B | 2017-04-26 | D·帕西; M·莫雷利; C·里瓦 |
| 一种集成磁阻装置，其中绝缘层(18)在第一表面(19)上覆盖半导体材料的衬底(17)。铁磁材料的第一磁控电阻(26)在所述绝缘层中延伸并且限定所述传感器的传感平面。铁磁材料的集中器(34)包括至少一个臂件(34a)，该臂件在与所述传感平面的横向方向上延伸并且与所述磁控电阻(26)竖直偏移。以这种方式，使垂直于所述传感平面指向的磁通线集中并转向，以便生成与所述传感平面平行的方向上指向的磁场分量。 | ||||||
| 5 | 片状纳米金属锌粉的加工方法 | CN201610888905.6 | 2016-10-11 | CN106346009A | 2017-01-25 | 葛晨鑫; 颜颢; 葛晓陵 |
| 本发明公开了一种片状纳米金属锌粉的加工方法，包括如下步骤：(1)研磨：先将纳米锌颗粒置于卧式研磨机中，加入溶剂，在磨介的作用下研磨48小时；(2)分级处理：将研磨后形成片状的锌粉分离出来；(3)二次研磨：未形成片状的纳米锌颗粒返回卧式研磨机中，去除溶剂，加入超分散剂继续研磨24小时以上，直至在显微镜下明显发现颗粒状锌粉已经转变为片状锌粉；(4)包覆：采用表面处理剂对片状锌粉进行包覆，期间，将片状锌粉的堆积密度控制在1-2以下，得到片状纳米金属锌粉。采用本发明制得的片状纳米金属锌粉具有分散性能好，堆积密度低等特性，对电磁波和无线信号能局部屏蔽和干扰，达到在信息竞争中取得优势的作用。 | ||||||
| 6 | XMR角度传感器 | CN201110367746.2 | 2011-11-18 | CN102538659B | 2016-11-23 | J.齐默 |
| 本发明涉及XMR角度传感器。实施例涉及xMR传感器、传感器元件和结构、以及方法。在一个实施例中，传感器元件包括非细长xMR结构；以及在xMR结构上形成的多个接触区，所述多个接触区彼此间隔开使得当在所述多个接触区之间施加电压时，在xMR结构中感应非均匀电流方向和电流密度分布。 | ||||||
| 7 | 非稀土磁性纳米颗粒 | CN201380012606.0 | 2013-01-04 | CN104302476B | 2016-11-16 | E·E·卡朋特; Z·J·休芭; K·J·卡罗尔; A·法尔加利; S·N·康纳; 钱梅春; M·贝尔蒂诺 |
| 一种连续流动合成法，用于制造不包含稀土金属的单相磁性金属合金纳米颗粒。由磁性纳米颗粒制造的软磁体和硬磁体用于各种目的，例如电动机、通讯装置等。 | ||||||
| 8 | 用于生成并检测自旋波的器件和方法 | CN201610264503.9 | 2016-04-26 | CN106100605A | 2016-11-09 | X·罗滕伯格; C·阿德尔曼 |
| 提供了用于生成自旋波的方法(500)和器件(100，200，300，400)。器件(100，200，300，400)包括：磁致伸缩薄膜(102)、响应于激励而改变物理尺寸的变形薄膜(104)及声波隔离(106)，该磁致伸缩薄膜(102)和变形薄膜(104)被连接，使得变形薄膜(104)的物理尺寸的改变导致磁致伸缩薄膜(102)中的机械应力，从而导致磁致伸缩薄膜(102)的磁化地改变。还提供了用于检测自旋波的器件(100，200，300，400)和方法(600)。 | ||||||
| 9 | 具有双磁矩的磁性元件 | CN201210122931.X | 2012-04-24 | CN102760445B | 2016-08-03 | M·W·科温顿; Q·何; T·R·布恩斯塔 |
| 本发明公开了具有双磁矩的磁性元件。可使用装置和相关联的方法来提供能检测磁状态变化的数据感测元件。本发明的各实施例一般涉及磁性响应的层的迭片和用于产生邻近空气轴承表面(ABS)的高磁矩区域和邻近硬磁体的低磁矩区域的装置。 | ||||||
| 10 | 磁敏线、磁阻抗元件及磁阻抗传感器 | CN201310317044.2 | 2009-03-25 | CN103454601B | 2016-05-18 | 本藏义信; 山本道治; 滨田典彦; 下出晃宏 |
| 本发明提供一种磁敏线、磁阻抗元件及磁阻抗传感器，该磁敏线具有涡流自旋结构，因此在其内部不存在磁畴壁，具有磁滞大致为零的优良的磁滞特性。因此，与使用了现有的磁敏线的MI传感器相比，大幅度地提高了在MI传感器的测量范围内的相对于外加磁场的输出电压特性的直线性。采用该磁敏线，能够提供一种与现有的相比更高精度的磁阻抗（MI）元件以及使用了该MI元件的传感器。 | ||||||
| 11 | 浪涌电流检测装置 | CN201210228039.X | 2012-03-09 | CN102768298B | 2016-05-04 | 大川孝幸; 佐伯英良; 大内拓也 |
| 浪涌电流检测装置30可拆卸地连接到导体11并且检测进入导体11的浪涌电流。浪涌电流检测装置30包括：保持架40，该保持架40经由彼此面对的第一保持架体40-1和第二保持架体40-2可释放地保持导体11；具有大致为U形的横截面的磁力集中构件60，磁力集中构件60固定在保持架40内，并且集中包括在由进入磁通量导体11的浪涌电流产生的磁场中的磁通量，从而使磁通量在预定检测区域达到高密度；以及磁性材料片70，其以这样的方式固定在保持架40内：使得该磁性材料片70位于在该检测区域，磁性材料片70检测浪涌电流。 | ||||||
| 12 | 有机纳米结构阵列的形成 | CN200780050882.0 | 2007-12-04 | CN101652382B | 2016-04-06 | E·加兹特; M·雷彻斯 |
| 本发明公开一种纳米结构阵列。所述纳米结构阵列包括一般垂直于平面安排的许多伸长的有机纳米结构。 | ||||||
| 13 | 具有包括磁性隧道结的顶部电极及底部电极的装置的制造与集成 | CN201080059956.9 | 2010-11-30 | CN102687298B | 2016-03-30 | 李霞; 升·H·康 |
| 本发明揭示一种电子装置制造工艺，其包括沉积底部电极层(711)。接着，在所述底部电极层上制造电子装置(721)。在制造所述电子装置之后且在与图案化顶部电极分开的工艺中执行图案化所述底部电极层。接着将第一电介质层(740)沉积于所述电子装置及所述底部电极层上，随后沉积顶部电极层(751)。接着在与所述底部电极分开的工艺中图案化所述顶部电极。分开图案化所述顶部电极与所述底部电极通过减小电子装置之间的电介质材料中的空隙改善了良率。所述制造工艺非常适合的一种电子装置为磁性隧道结MTJ。 | ||||||
| 14 | 使用两亲核-壳型纳米吸附剂对内毒素的去除 | CN201110167613.0 | 2011-06-20 | CN102363624B | 2016-03-30 | 李蓓; 何健民 |
| 一种使用核-壳型纳米颗粒从蛋白质制备物中去除内毒素的方法，所述核-壳型纳米颗粒具有选择性地吸附蛋白质混合物中的内毒素分子的能力。所述方法包括如下步骤：(a)制备多个核-壳型纳米颗粒；(b)将所述核-壳型纳米颗粒添加到含有内毒素的蛋白质制备物中；(c)将所述核-壳型纳米颗粒与所述蛋白质制备物一起温育一段时间；和(d)从所述蛋白质制备物中分离出纳米颗粒。 | ||||||
| 15 | 磁性结构 | CN201380060125.7 | 2013-09-17 | CN105263856A | 2016-01-20 | 罗伯特·戴维森·宾斯; 克里斯托弗·罗宾·宾斯 |
| 本发明涉及一种用于在基板(44)上形成磁性结构的方法和装置，还涉及一种通过这样的方法和装置形成的磁性结构。磁性结构包括嵌入有磁性粒子的基体。用于在基板(44)上形成磁性结构的装置(30)包括基体材料源(32)，基体材料源(32)用于将基体材料沉积到基板上以借此形成基体。用于形成磁性结构的装置(30)进一步包括磁性粒子源(34)，磁性粒子源(34)用于在基体形成期间将磁性粒子沉积到基体上以借此将磁性粒子嵌入到基体中。每个磁性粒子包括至少部分覆盖有金属层的核心，基体材料和核心中的至少一个为铁磁性材料，并且核心和金属层为不同材料。 | ||||||
| 16 | 磁场传感器 | CN201210062390.6 | 2012-03-09 | CN102680916B | 2015-10-28 | 阿明·萨茨 |
| 本发明涉及一种磁场传感器。该磁场传感器包括：磁场发生器，除测量磁场之外生成辅助磁场，其中，测量磁场指示可旋转元件的角度或旋转；至少一个XMR元件，生成XMR检测信号；以及计算单元，基于XMR检测信号和辅助磁场确定角度或旋转特性。 | ||||||
| 17 | 用于信号处理的装置和方法 | CN201080047720.3 | 2010-08-17 | CN102598506B | 2015-10-21 | E·塞帕拉; V·埃尔莫洛夫; P·帕萨南; M·奥克萨南 |
| 一种装置(10)，包括：基体(16)；多个磁性颗粒(14)，分布在该基体(16)的至少一部分中；该基体(16)被配置为使得该多个磁性颗粒(14)相对于彼此移动位置，并且该多个磁性颗粒(14)的至少一部分被配置为磁性地排斥一个或多个相邻磁性颗粒。 | ||||||
| 18 | 磁存储器件 | CN201010282801.3 | 2010-09-13 | CN102024903B | 2015-09-16 | 吴世忠; 李将银; 李济珩; 金佑填; 林佑昶; 郑峻昊; 崔锡宪 |
| 一种磁存储器件可以包括第一垂直磁性层、在第一垂直磁性层上的非磁性层、以及在非磁性层上的第一结磁性层，其中，非磁性层在第一垂直磁性层和第一结磁性层之间。隧道势垒可以在第一结磁性层上，其中，第一结磁性层在非磁性层和隧道势垒之间。第二结磁性层可以在隧道势垒上，其中，隧道势垒在第一结磁性层和第二结磁性层之间，并且第二垂直磁性层可以在第二结磁性层上，其中，第二结磁性层在隧道势垒和第二垂直磁性层之间。 | ||||||
| 19 | 在ABS处具有电流约束的三层读取器 | CN201110115828.8 | 2011-03-18 | CN102298932B | 2015-08-26 | D·V·季米特洛夫; 宋电; M·W·科温顿; J·韦塞尔 |
| 本发明公开了一种在ABS处具有电流约束的三层读取器。描述了一种敏感度和稳定性都得到改进的磁阻读取传感器。该传感器是位于两个电极之间的三层堆栈。该三层堆栈具有由非磁性层间隔的两层自由层以及位于堆栈后与空气承载表面分离距离为条带高度的偏置磁体。传感器中的电流被绝缘层约束到接近空气承载表面的区域，从而使得读取器敏感度得到增强。 | ||||||
| 20 | 具有带垂直磁化取向的基准层的磁性叠层 | CN201080032404.9 | 2010-07-08 | CN102473450B | 2015-07-08 | Z·袁凯; G·郑; Z·文忠; J·文俊; X·海文 |
| 一种磁性单元(10)包括具有自由磁化取向(MF)的铁磁性自由层(18)以及具有第一基准磁化取向(MR1)的第一铁磁性钉扎基准层(14)，该第一基准磁化取向(MR1)平行于或逆平行于自由磁化取向。第一氧化物阻挡层(16)位于铁磁性自由层和第一铁磁性钉扎基准层之间。磁性单元还包括具有第二基准磁化取向(MR2)的第二铁磁性钉扎基准层(13)，该第二基准磁化取向(MR2)垂直于第一基准磁化取向。铁磁性自由层位于第一铁磁性钉扎基准层和第二铁磁性钉扎基准层之间。 | ||||||
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