| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 41 | 磁性复合材料的合成 | CN201180065984.6 | 2011-11-29 | CN103329221A | 2013-09-25 | A.维尔德; K.克莱内哈肯坎普; J.根兹勒; J.里森; U.艾泽勒 |
| 本发明涉及磁性复合材料的制备方法，其包括将硬磁性颗粒和软磁性颗粒从悬浮液中通过电泳沉积到电极上，以及涉及使用该方法制备的复合材料和其在制备永磁体方面的应用。 | ||||||
| 42 | 磁传感器 | CN201180064769.4 | 2011-12-28 | CN103299202A | 2013-09-11 | 尾花雅之; 安藤秀人 |
| 本发明的目的在于，提供一种能够使强磁场抗性提高的磁传感器。本实施方式的磁传感器具有：多个元件部(9)；配置在各元件部的两侧的偏压层(10)；与各元件部及各偏压层非接触的软磁性体(12)。元件部(9)的灵敏度轴向(P1)及偏压层(10)的磁化方向为Y1-Y2方向。各偏压层(10)构成为对元件部(9)沿着X1-X2方向供给偏压磁场。各软磁性体构成为，在作用有X1-X2方向的外部磁场时能够将磁场变换为大致Y1-Y2方向并向元件部(9)供给。在俯视观察下在元件部(9)与软磁性体(12)之间设有间隔(T1)，并且偏压层(10)在俯视观察下未重叠在将各软磁性体(12)间的距离最短的缘部(12d)间呈直线状连结的虚拟线(E)上。另外，在元件连设体(17)的各软磁性体(12)之间不存在偏压层(10)。 | ||||||
| 43 | 磁传感器以及磁传感器的制造方法 | CN201180059287.X | 2011-11-25 | CN103262276A | 2013-08-21 | 小池文人; 朝妻浩太; 斋藤正路; 高桥彰; 井出洋介 |
| 提供能降低磁阻效应元件的自由磁性层的磁化方向的分散、且跨宽范围测量精度高的磁传感器以及磁传感器的制造方法。本发明的磁传感器(1)是具备在特定的方向有灵敏度轴的磁阻效应元件(11)的磁传感器，磁阻效应元件(11)的特征在于，具有层叠构造，该层叠构造包含固定了磁化方向的铁磁性固定层(30)、非磁性中间层(26)、磁化方向相对于外部磁场变动的自由磁性层(27)、以及对自由磁性层(27)施加交换耦合磁场的反铁磁性层(28)。 | ||||||
| 44 | 集成磁阻传感器,特别是三轴磁阻传感器及其制造方法 | CN201180059749.8 | 2011-12-23 | CN103261905A | 2013-08-21 | D·帕西; M·莫雷利; C·里瓦 |
| 一种集成磁阻装置，其中绝缘层(18)在第一表面(19)上覆盖半导体材料的衬底(17)。铁磁材料的第一磁控电阻(26)在所述绝缘层中延伸并且限定所述传感器的传感平面。铁磁材料的集中器(34)包括至少一个臂件(34a)，该臂件在与所述传感平面的横向方向上延伸并且与所述磁控电阻(26)竖直偏移。以这种方式，使垂直于所述传感平面指向的磁通线集中并转向，以便生成与所述传感平面平行的方向上指向的磁场分量。 | ||||||
| 45 | 磁场检测元件及信号传递元件 | CN200980132270.5 | 2009-09-29 | CN102132168B | 2013-07-24 | 今谷浩史; 山元政昭; 仲真美子; 金田安司; 白川究 |
| 一种磁场检测元件及信号传递元件，为提高具有由磁致电阻效果材料构成的磁致电阻效果部(10a)、和连接配设于磁致电阻效果部(10a)的两侧且向磁致电阻效果部(10a)供给磁通的由软磁性材料构成的一对磁轭部(11a、12a)的磁场检测元件(7a)的线形性，设置由软磁性材料构成的旁通部(13a)，该旁通部感应在磁轭部(11a、12a)产生的磁通的一部分，使磁致电阻效果部(10a)迂回，以比磁轭部(11a、12a)更低的磁场强度使磁通饱和。 | ||||||
| 46 | 醇系溶液及烧结磁铁 | CN201210461627.8 | 2012-11-16 | CN103123837A | 2013-05-29 | 阿部信雄; 佐通祐一; 小室又洋; 神田乔之 |
| 本发明涉及醇系溶液及烧结磁铁，提供改善了作为软磁性材料的FeCo系粒子的醇系溶液及使用其制造的烧结磁铁，所述醇系溶剂用于提高未使用重稀土类元素的磁性材料的特性。混合了FeCo系粒子和氟化物溶液的浆料在醇溶液中含有FeCo系粒子1~50wt%、稀土类氟化物粒子0.001~10wt%，FeCo系粒子的粒径为20~200nm，稀土类氟化物粒子的粒径为1~50nm。将本浆料与Nd2Fe14B系粉末进行混合，在磁场中成形后进行烧结来制造烧结磁铁。 | ||||||
| 47 | 用于提供具有层叠的自由层的磁隧穿结元件的方法和系统以及使用这样的磁性元件的存储器 | CN201180044650.0 | 2011-07-08 | CN103109322A | 2013-05-15 | D.洛蒂斯; E.Y.陈; 唐学体; S.M.沃茨 |
| 本发明描述了一种用于提供可用于磁性器件中的磁子结构的方法和系统以及使用该子结构的磁性元件和存储器。该磁子结构包括多个铁磁层和多个非磁性层。多个铁磁层与多个非磁性层交替。多个铁磁层是与多个非磁性层不能混合的，并且相对于多个非磁性层在化学上稳定。多个铁磁层实质上没有与多个非磁性层产生相互作用的磁死层。此外，多个非磁性层在多个铁磁层中引起垂直各向异性。磁子结构配置为当写电流流过磁子结构时可在多个稳定的磁状态之间转换。 | ||||||
| 48 | Fe基软磁性合金和使用了所述Fe基软磁性合金的压粉磁芯 | CN201080003649.9 | 2010-01-21 | CN102264938B | 2013-05-15 | 土屋景子; 小柴寿人; 冈本淳; 水岛隆夫 |
| 本发明的目的在于，提供一种可以得到低铁损和高直流叠加特性的Fe基软磁性合金，和使用所述Fe基软磁性合金的压粉磁芯。本发明的Fe基软磁性合金，其特征在于，具有Fe和元素R，元素R含有P、C、B和Si之中的至少任意一种，在α-Fe晶相的析出温度和Fe化合物的析出温度之间有20℃以上的温差，且以非晶相和α-Fe晶相的多相组织形成，所述α-Fe晶相的微晶的直径在50nm以下，并且所述α-Fe晶相的体积分率为整体的40％以下。另外在本发明中，组成式以Fe100-x-uJxRu表示，元素J由Cr、Co、Ni和Nb中的至少任意一种构成，0at％≤x≤6at％，17at％≤u≤25at％，17at％≤x+u≤27.1at％。 | ||||||
| 49 | 基板台、包括该基板台的溅射装置以及成膜方法 | CN200980102039.1 | 2009-01-15 | CN101910455B | 2013-04-17 | 菊地幸男; 沈国华 |
| 一种基板台，被配置在真空容器内并具有载置基板的基板载置面，包括对所述基板施加磁场的第一磁场施加单元，所述第一磁场施加单元内部的磁化方向与所述基板的厚度方向一致。 | ||||||
| 50 | 磁性体检测装置 | CN201180037392.3 | 2011-05-12 | CN103038659A | 2013-04-10 | 武舍武史; 井上甚; 西泽博志; 仲岛一; 尾込智和 |
| 本发明的磁性体检测装置具备配置于磁性体的移动路径的途中的磁阻传感器、沿磁性体的移动方向排列了S极以及N极的下侧磁铁、以及沿磁性体的移动方向排列了N极以及S极的上侧磁铁等。下侧磁铁以及上侧磁铁隔着磁性体的移动路径而被配置成使下侧磁铁的S极与上侧磁铁的N极相向，并使下侧磁铁的N极与上侧磁铁的S极相向。通过这样的结构，能够高精度地检测磁性体。 | ||||||
| 51 | 磁传感器及其制造方法 | CN200810146195.5 | 2008-08-08 | CN101369009B | 2013-03-27 | 笠岛多闻; 庄司茂 |
| 本发明提供一种能够实现小型化和低成本化的磁传感器。该磁传感器包括：磁场检测芯片，该磁场检测芯片具有检测磁场的磁场检测元件和输出来自该磁场检测元件输出信号的输出端子；基板，该基板在搭载磁场检测芯片的同时还具有连接端子，该连接端子形成于磁场检测芯片搭载面并与磁场检测芯片的输出端子连接；该磁传感器的特征在于：将磁场检测芯片搭载在基板上，使得配置的磁场检测芯片的输出端子形成面不与基板的搭载面平行。特别是，配置的磁场检测芯片的输出端子形成面大致垂直于基板的搭载面。 | ||||||
| 52 | 含有超顺磁晶体的涂覆聚合物颗粒的制备方法 | CN200680002458.4 | 2006-01-17 | CN101107525B | 2013-03-27 | 盖尔·弗纳姆; 拉尔斯·基拉斯; 阿尔维德·特吕格弗·贝格; 汤姆-尼尔斯·尼尔森; 露特·施密德; 莫达尔·格雷特 |
| 含有超顺磁晶体的涂覆聚合物颗粒的制备方法，所述方法包括使直径在0.5μm以下、表面官能化的、含超顺磁晶体的聚合物颗粒与至少一种聚异氰酸酯和至少一种二醇反应。 | ||||||
| 53 | 磁性材料、磁性材料的制造方法及感应器元件 | CN201210320275.4 | 2012-08-31 | CN102969105A | 2013-03-13 | 末纲伦浩; 末永诚一; 高桥利英; 江口朋子; 原田耕一; 堀田康之 |
| 本发明的实施方式的磁性材料具备：含有选自由Fe、Co、Ni组成的组中的至少1种磁性金属、选自Mg、Al、Si、Ca、Zr、Ti、Hf、Zn、Mn、稀土类元素、Ba及Sr中的至少1种非磁性金属的磁性粒子；将上述磁性粒子的至少一部分被覆的第1氧化物的第1被覆层；存在于上述磁性粒子间且与第1氧化物构成共晶反应体系的第2氧化物的氧化物粒子；及存在于上述磁性粒子间且具有第1氧化物与第2氧化物的共晶组织的氧化物相。 | ||||||
| 54 | 磁性颗粒及其聚类的检测 | CN201080067561.3 | 2010-11-30 | CN102947900A | 2013-02-27 | J·B·A·D·范佐恩; M·M·奥夫扬科; T·H·埃弗斯; M·J·J·希伯尔斯 |
| 本发明涉及一种用于检测样本室（111）中的磁性颗粒（MP）的方法和关联设备（100）。该方法包括确定与第一检测区域（P，C）中的磁性颗粒（MP）的量相关的“颗粒参数”，确定与第二检测区域（P，C）中的磁性颗粒（MP）的聚类的程度相关的“聚类参数”，以及基于所述聚类参数评估所述颗粒参数。公开了可以在所述方法中应用的各种设备。在一种设备（100）中，在样本室（111）中生成磁场（B），使其在第一和第二场区域（P，C）中具有不同的倾斜和/或使其相对于至少一个场区域中的结合表面（112）倾斜。然后在持久关闭倾斜磁场之前和之后检测所述第一和第二场区域中和/或所述至少一个场区域中的磁性颗粒（MP）。所得到的检测信号彼此相关以确定聚类参数。在其他实施例中，可以在施加开关的磁场期间从光透射测量确定聚类参数。 | ||||||
| 55 | 自旋晶体管及其操作方法 | CN200880115280.3 | 2008-11-04 | CN101855727B | 2013-02-13 | 洪起夏; 李晟熏; 金钟燮; 申在光 |
| 本发明公开了自旋晶体管及操作该自旋晶体管的方法。所公开的自旋晶体管包括：沟道，由磁性材料形成且使具有特定方向的自旋极化电子选择性地通过；源极，由磁性材料形成；漏极；以及栅极电极。当预定电压施加到栅极电极时，沟道使具有特定方向的自旋极化电子选择性地通过，从而自旋晶体管被选择性地开启。 | ||||||
| 56 | 磁性随机存取存储器设备和生产磁性随机存取存储器设备的方法 | CN201180025521.7 | 2011-06-08 | CN102918649A | 2013-02-06 | R·阿普伦斯帕奇; C·兹诺尼 |
| 一种磁性随机存取存储器（MRAM）设备，具有读取字线、写入字线、位线以及经由所述读取字线、写入字线和位线互连的多个存储器位单元，所述存储器位单元中的每一个具有被介电隧道势垒元件隔开的固定铁磁层元件和自由铁磁层元件，其中，所述写入字线中的每一个和对应的多个自由铁磁层元件被形成为一个单独的连续铁磁线。 | ||||||
| 57 | 微球、包含其的微球群、以及分析试验样品的方法 | CN200910159275.9 | 2006-01-19 | CN101650998B | 2013-02-06 | D·J·钱德勒; J·伯德瑞 |
| 本发明涉及微球、包含其的微球群、以及分析试验样品的方法，提供了一种微球，包括：核微球；耦联到所述核微球表面的磁性材料，其中，50％或更少的所述核微球表面被所述磁性材料覆盖，并且所述磁性材料包括粒度为10-1000纳米的颗粒或颗粒的聚集体；以及包敷所述磁性材料和所述核微球的聚合物层。本发明还提供了包含该微球的微球群、以及分析试验样品的方法。 | ||||||
| 58 | 用于自旋扭矩磁随机存取存储器中的垂直各向异性的种子层和自由磁性层 | CN201180024160.4 | 2011-05-18 | CN102893332A | 2013-01-23 | D·C·沃莱吉 |
| 一种磁性层，其包括至少包含钽的种子层和至少包含铁的自由磁性层。所述自由磁性层生长在所述种子层的顶上且所述自由磁性层为垂直磁化的。所述磁性层可包括在磁隧道结（MTJ）叠层中。 | ||||||
| 59 | 磁记录介质制造方法、磁记录介质和信息存储装置 | CN200980128574.4 | 2009-07-16 | CN102105933B | 2013-01-09 | 佐藤贤治; 田中努; 西桥勉; 森田正; 渡边一弘 |
| 通过简单的制造方法来实现高记录密度的磁记录介质。所述磁记录介质包括：基板，形成在所述基板上的多个磁性点，以及形成在磁性点之间的点间分隔带。各磁性点具有人工格子结构，在该人工格子结构中在所述基板上交替地层叠多种类型的原子层，并且信息被磁性地记录。各点间分隔带具有与所述磁性点的人工格子结构连续的人工格子结构，所述各点间分隔带通过将离子注入到所述人工格子结构中来形成，并且具有比所述磁性点的饱和磁化强度小的饱和磁化强度。 | ||||||
| 60 | 有机磁阻装置及其应用 | CN200780014682.X | 2007-04-18 | CN101427145B | 2012-12-12 | R·帕特佐尔德; G·施米德 |
| 本发明涉及一种有机磁阻装置，包括至少一个构造为晶体管的、具有至少三个层(2，3，4，5，6；3，4，7)和至少三个不同的电触头(2，5，6；7)的有机电子薄层构件以及至少一个磁场产生设备，其中，对于源极(5)和漏极(6)能够使用相同或者也不同的材料，所述有机磁阻装置设置成使所述磁场产生设备在有机电子薄层构件中产生磁阻变化，其中，作为所述源极(5)和漏极(6)的材料使用钯，或金，或铂，或铜，或钛，或铝，或樟脑磺酸掺杂的聚苯胺，或聚苯乙烯磺酸掺杂的聚噻吩。 | ||||||
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