| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 81 | 包括用于热辅助的光源单元的头的制造方法 | CN201110310014.X | 2011-10-13 | CN102456355A | 2012-05-16 | 岛泽幸司; 高山清市; 森信幸; 土屋芳弘; 原晋治 |
| 本发明提供了一种热辅助磁性记录头的制造方法，热辅助磁性记录头包括具有光源的光源单元和具有光学系统的滑块。所述制造方法包括以下步骤：通过抽吸，将单元单元与后保持模具粘合；移动后保持模具，然后在滑块后表面内的方向上，将光源的光发射中心与光学系统的光接收端面对准；使光源单元与滑块后表面相接触，其中，后保持模具的抽吸表面相对于滑块后表面的法线而倾斜；利用加负荷装置向单元基板的负荷施加表面施加负荷，以使光源单元的联接表面与滑块后表面一致；以及将光源单元和滑块接合。该方法可以提高一致性，从而实现充分强的联接以及充分高的位置精度。 | ||||||
| 82 | 磁性材料和天线器件 | CN200780018738.9 | 2007-04-18 | CN101449344B | 2012-05-02 | 米津麻纪; 中川直之; 末永诚一; 末纲伦浩; 樱田新哉 |
| 本发明提供一种具备复合磁性膜的磁性材料，所述复合磁性膜中，含有磁性金属或磁性合金的柱状体的体积百分率高，并且导磁率实部(μ’)与导磁率虚部(μ”)之比(μ’/μ”)大。本发明的磁性材料，其具备基板和复合磁性膜，所述复合磁性膜具备形成于该基板上、纵向朝向相对于上述基板的表面垂直的方向的含有从Fe、Co和Ni的至少一种中选出的磁性金属或磁性合金的多个柱状体、和形成于上述柱状体之间的选自金属的氧化物、氮化物、碳化物和氟化物中的至少一种的无机绝缘体，并且与上述基板表面平行的表面内的最小各向异性磁场Hk1和与上述基板的表面平行的表面的最大各向异性磁场Hk2之比Hk2/Hk1大于1。 | ||||||
| 83 | 用于减小性能下降的CPP磁头的传感器形状及刻蚀工艺 | CN200810008606.4 | 2008-01-29 | CN101241705B | 2012-04-25 | 芳田伸雄; 渡边克朗; 片田裕之; 冈本悟; 冈崎幸司; 小岛修一 |
| 本申请涉及用于减小性能下降的CPP磁头的传感器形状及刻蚀工艺。防止性能被刻蚀传感器膜时发生的再沉积物或损坏降低，磁道宽度被减窄以及性能被稳定。当假定空气支承面上的传感器膜的厚度是T，以及被插入构成传感器膜的自由层和固定层之间的中间层的端部和传感器膜最低部分的端部之间的距离是X时，那么满足1.2×T≤X≤2.5×T的关系，以及从自由层端部向磁道中心部分中不存在在磁道-宽度方向上通过绝缘体与两侧接触的一对磁膜的端部。在刻蚀束的入射角被改变的同时，传感器膜被刻蚀，以及当假定传感器膜表面的法线方向是0的入射角，那么该刻蚀在刻蚀束的入射角随时间变小的条件下进行。 | ||||||
| 84 | 具有辅助层的磁性叠层 | CN201080019289.1 | 2010-04-27 | CN102414756A | 2012-04-11 | Y·郑; 习海文; 丁元俊; X·冯; X·娄; Z·高 |
| 一种磁性存储器单元，它具有铁磁自由层和铁磁被钉扎参考层，每个层具有平面外的磁各向异性和平面外的磁化方向并可经由自旋力矩切换。该单元包括接近自由层的铁磁辅助层，该辅助层具有小于约500Oe的低磁各向异性。该辅助层可具有平面内或平面外各向异性。 | ||||||
| 85 | 存储元件和存储设备 | CN201110249775.9 | 2011-08-26 | CN102385923A | 2012-03-21 | 别所和宏; 细见政功; 大森广之; 肥后丰; 山根一阳; 内田裕行 |
| 本发明公开了存储元件和存储设备。该存储元件包括存储层，通过磁性材料的磁化状态保持信息；磁化固定层，具有作为存储在存储层中信息的基准的磁化；以及中间层，由非磁性材料形成并设在存储层和磁化固定层之间。利用根据在具有存储层、中间层和磁化固定层的层结构的层压方向上流动的电流产生的自旋矩磁化反转对存储层的磁化进行反转以执行信息存储，存储层包括含有Fe和Co中至少一种的合金区域，以及存储层在其磁化反转期间接收的有效反磁场的大小小于存储层的饱和磁化量。 | ||||||
| 86 | 旋转磁场传感器 | CN201110252342.9 | 2011-08-30 | CN102384758A | 2012-03-21 | 猿木俊司; 平林启; 驹崎洋亮 |
| 本发明涉及旋转磁场传感器。第1检测部具有第1和第2检测电路，第2检测部具有第3和第4检测电路。第2和第4检测电路的输出信号的相位分别相对于第1和第3检测电路的输出信号的相位，相差信号周期的1/4的奇数倍。第3检测电路的输出信号的相位相对于第1检测电路的输出信号的相位，相差除了信号周期的1/2的整数倍之外的信号周期的1/6的整数倍。旋转磁场传感器基于第1和第3检测电路的输出信号生成第1信号，基于第2和第4检测电路的输出信号生成第2信号，基于第1和第2信号计算角度检测值。 | ||||||
| 87 | 磁性检测装置 | CN200780032229.1 | 2007-02-07 | CN101512369B | 2012-02-01 | 佐佐木义人; 菊入胜也; 佐藤清 |
| 本发明提供一种磁性检测装置，其中，由固定电阻元件(31、32)构成第2串联电路(34)的电阻元件，该第2串联电路(34)与具有第1磁阻效应元件(23)的第1串联电路(26)以及具有第2磁阻效应元件(27)的第3串联电路(30)双方并联连接，使上述固定电阻元件(31、32)的元件电阻大于构成传感器部(21)的各电阻元件(23、24、27、28)的元件电阻。从而，与现有相比能够降低消耗电流。 | ||||||
| 88 | 具有提高了的面积分辨率的磁性元件 | CN201110128410.0 | 2011-03-30 | CN102290092A | 2011-12-21 | V·B·萨波日尼科夫; E·W·辛格尔顿; 高凯中; D·V·季米特洛夫 |
| 具有提高了的面积分辨率的磁性元件，用于能够检测磁性状态方面变化的磁性元件的装置和对应的方法。本发明各个实施例一般涉及：具有对磁场灵敏的第一面积延伸的自由层，以及毗邻该自由层并具有第二面积延伸的合成反铁磁性层(SAF)，第二面积延伸大于第一面积延伸。 | ||||||
| 89 | 软磁性合金薄带及其制造方法以及具有软磁性合金薄带的磁性部件 | CN201080004519.7 | 2010-01-20 | CN102282633A | 2011-12-14 | 太田元基; 吉泽克仁 |
| 一种制造软磁性合金薄带的方法，该软磁性合金薄带具有由Fe100-x-y-zAxByXz(A为Cu和/或Au，X为选自Si、S、C、P、Al、Ge、Ga和Be中的至少一种元素，x、y和z分别为以原子％计满足0＜x≤5、10≤y≤22、1≤z≤10和x+y+z≤25的条件的数)表示的组成，具有平均粒径为60nm以下的微细晶粒以50％以上的体积分率分散的母相，表面形成的氧化被膜的一部分是B浓度比上述母相的平均B浓度低的层，该方法中，(1)通过将具有上述组成的合金的熔液喷出到旋转的冷却辊上而急冷，形成具有在非晶相中平均粒径30nm以下的微细结晶核以大于0％且小于30％的体积分率分散的母相的初始微结晶合金薄带，接着(2)对上述初始微结晶合金薄带在具有6～18％的氧浓度的气氛中实施热处理。 | ||||||
| 90 | 用于芯片上柔性电路的结构和方法 | CN201110137916.8 | 2011-04-21 | CN102280576A | 2011-12-14 | R·D·霍尔宁; J·A·赖利; B·潘特 |
| 本发明涉及用于芯片上柔性电路的结构和方法。提供一种制备多轴传感器的方法，该方法包括形成覆盖衬底的牺牲材料的图案，以及在牺牲材料和衬底的锚定表面上覆盖柔性材料。柔性材料包括传感器区域，锚定区域，以及至少一个铰接区域。该方法进一步包括由覆盖柔性材料的相应传感器区域的可定向传感器材料形成传感器元件；沿着锚定区域和邻近的传感器区域之间的边界，在柔性材料中形成至少一个相应的锚定铰链；在柔性材料中形成传感器区域，锚定区域，以及至少一个铰接区域；训练传感器元件，以形成在相同的方向上被定向的相应定向传感器元件；蚀刻牺牲材料；以及与锚定表面成一角度地蚀刻衬底。 | ||||||
| 91 | 具有可控空隙尺寸的自支撑的纳米微粒网络/骨架 | CN200980150549.6 | 2009-12-15 | CN102245528A | 2011-11-16 | G·库玛拉斯瓦米; K·P·沙玛 |
| 本发明公开了具有500nm至1mm的可控变化的目径、具有0.5至50％的微粒体积分数的纳米微粒的自支撑网络或骨架。该网络包含纳米微粒、能够形成有序结构化的相的表面活性剂和交联剂，其中表面活性剂被洗去以留下自支撑的骨架。本发明还公开了制备自支撑的骨架的方法及其用途。 | ||||||
| 92 | 磁性膜加工室的清洁方法、磁性器件的制造方法及基板处理设备 | CN201080003271.2 | 2010-01-21 | CN102224610A | 2011-10-19 | 长田智明; F·恩努特 |
| 本发明提供能够缩短清洁步骤的时间的多层膜的制造方法、磁致电阻效应器件的制造方法以及基板处理设备。在本发明的一个实施方式中，在加工之间，可以用含有氢气和氧气的混合气体的等离子体清洁蚀刻设备的内部。这缩短了清洁时间，从而提高了生产性。 | ||||||
| 93 | 用于无定形或微晶MgO隧道势垒的铁磁性优先晶粒生长促进籽晶层 | CN200980143796.3 | 2009-05-01 | CN102203971A | 2011-09-28 | 崔永硕; 大谷裕一 |
| 一种MgO类磁性隧道结(MTJ)器件，其大体上包括铁磁性参照层、MgO隧道势垒和铁磁性自由层。MgO隧道势垒的微结构是无定形或具有不良(001)面外织构的微晶，所述MgO隧道势垒是通过其后为氧化处理的金属Mg沉积或反应性溅射制备的。在本发明中提出至少仅铁磁性参照层或铁磁性参照层和自由层两者为具有与所述隧道势垒邻接的结晶的优先晶粒生长促进(PGGP)籽晶层的双层结构。该结晶PGGP籽晶层在后沉积退火时包括MgO隧道势垒的结晶和优先晶粒生长。 | ||||||
| 94 | 包含形成在同一基板上且具有各自不同磁化方向的磁性结构的一装置的制造 | CN201010596073.3 | 2010-12-20 | CN102183793A | 2011-09-14 | 奥利维尔·雷东 |
| 本发明涉及一种用于制造包含置于一基板上且在不同方向上被磁化的磁性块(111、112、113)的一装置的方法，所述方法包含以下步骤：a)在置于一基板上的由至少一种反铁磁性材料构成的一个或多个层体(1041，1042，1043)及由至少一种铁磁性材料构成的一个或多个层体(1051，1052)的一堆叠(108)中形成至少一个第一块体及至少一个第二块体，块体为长型且是分开的并且分别沿着一第一主要方向及一第二主要方向延伸，第一主要方向及第二主要方向之间形成一第一非零角度α；b)在大于反铁磁性材料的有序化温度或大于所述反铁磁性材料的阻隔温度或尼尔温度的一温度下对块体进行退火。 | ||||||
| 95 | 离子注入机的法拉第杯的磁性监控 | CN200780050053.2 | 2007-12-03 | CN101584019B | 2011-09-14 | 约瑟·P·迪宰桔雷斯契; 摩根·D·艾文斯; 杰·汤玛斯·舒尔; 亚瑟温·谢帝; 肯尼士·史温森 |
| 本发明提供一种用于对离子注入机的法拉第杯进行磁性监控的方法。本发明包括：真空室及位于真空室内的法拉第杯，此法拉第杯用以在进入真空室的离子束路径内移动；磁性监控器放置于真空室周围，用以区分与法拉第杯相关联的磁场与杂散磁场。 | ||||||
| 96 | 三层磁性元件、其生产方法、使用这种元件的磁场传感器、磁性存储器和磁性逻辑门 | CN200980130700.X | 2009-06-05 | CN102119455A | 2011-07-06 | B·罗德马克; S·奥弗雷; B·迪尼; L·E·尼斯托 |
| 本发明的三层磁性元件，包括：在衬底上，第一氢化物－氧化物或氮化物－氧化物层O，在其上安装有金属磁性层M，所述金属磁性层M具有安装在其上的非铁磁性金属层M’，或第二氢化物－氧化物或氮化物－氧化物层O’。层M是连续的，具有1至5nm的厚度，并且在不存在层O和O’的情况下其磁化平行于层平面。对于等于或大于环境温度的温度范围，存在垂直于界面O/M和M/O’上的层平面的界面磁各向异性，其能够减少层M的实际消磁场或者以基本上垂直于层平面的方式定向层M的磁化。 | ||||||
| 97 | 磁性传感器和移动信息终端设备 | CN200910128525.2 | 2009-03-16 | CN101540337B | 2011-06-29 | 高太好; 布施晃广; 安住纯一 |
| 本发明公开了一种磁性传感器和移动信息终端设备，该磁性传感器包括：衬底，该衬底具有平表面和多个倾斜表面；多个软磁膜，每个所述软磁膜设置在不同一个倾斜表面上，并且根据磁场的强度被磁化；以及多个探测器件，每个探测器件设置在所述平表面上，包括自由层和被固定层，并且被构造成根据自由层和被固定层的磁化而产生探测输出。每个软磁膜与不同一个探测器件的自由层磁性耦合；且各个所述探测器件的被固定层具有彼此不同的磁化方向。 | ||||||
| 98 | 磁隧道结及包括它的存储器件 | CN200410056683.9 | 2004-08-12 | CN1591673B | 2011-06-22 | 河永寄; 李将银; 吴世忠; 裵晙洙; 金炫助; 白寅圭 |
| 本发明公开了一种磁隧道结及包括它的存储器件。该磁隧道结器件包括磁可编程自由磁性层。该自由磁性层包含至少两层铁磁层和夹在该至少两层铁磁层之间的至少一中间层的叠层。 | ||||||
| 99 | 磁记录介质制造方法、磁记录介质和信息存储装置 | CN200980128574.4 | 2009-07-16 | CN102105933A | 2011-06-22 | 佐藤贤治; 田中努; 西桥勉; 森田正; 渡边一弘 |
| 通过简单的制造方法来实现高记录密度的磁记录介质。所述磁记录介质包括：基板，形成在所述基板上的多个磁性点，以及形成在磁性点之间的点间分隔带。各磁性点具有人工格子结构，在该人工格子结构中在所述基板上交替地层叠多种类型的原子层，并且信息被磁性地记录。各点间分隔带具有与所述磁性点的人工格子结构连续的人工格子结构，所述各点间分隔带通过将离子注入到所述人工格子结构中来形成，并且具有比所述磁性点的饱和磁化强度小的饱和磁化强度。 | ||||||
| 100 | 纳米颗粒、制备纳米颗粒和使用纳米颗粒进行细胞标记的方法 | CN200980128680.2 | 2009-03-09 | CN102105175A | 2011-06-22 | 王毅翔; 梁湛辉; 秦岺 |
| 公开了多面体超顺磁性纳米颗粒及制备和使用所述纳米颗粒的方法。还公开了所述纳米颗粒的包被形式和官能化形式、使用纳米颗粒的方法和使用纳米颗粒的治疗方法。 | ||||||
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