子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 281 | 不具有背板的双隔膜MEMS麦克风 | CN201510098301.7 | 2015-03-05 | CN104891423A | 2015-09-09 | A·德厄; M·F·M·巴斯塔劳斯 |
| 本发明涉及不具有背板的双隔膜MEMS麦克风，具体公开了一种传感器结构。该传感器结构包括第一悬置结构和被配置为与第一悬置结构分离以形成空间的第二悬置结构。第一悬置结构和第二悬置结构可相对于彼此配置，使得接收的进入第一悬置结构和第二悬置结构之间的空间的压力波生成第一悬置结构朝第一方向的位移和第二悬置结构朝不同于第一方向的第二方向的位移，并且位移可生成可测量的信号。 | ||||||
| 282 | 在注油过程期间防止玻璃粒子注入 | CN201380068506.X | 2013-12-16 | CN104884991A | 2015-09-02 | E·E·菲克三世; T·J·布洛斯妮汉 |
| 本发明提供用于防止粒子进入机电系统EMS显示装置的系统、方法和设备。在一方面中，一种设备包含：板；衬底，其支撑至少一EMS装置；密封件，其接合所述板和所述衬底以在其间界定腔和用于接收流体的至少一端口；以及过滤器，其安置于所述端口与所述EMS装置之间。所述过滤器包含形成于所述衬底的表面和所述板的表面的至少一者上的元件，从而界定间隙，所述间隙经设定大小以容许所述所接收的流体通过且抑制所述流体中所载送的非流体粒子进入所述EMS装置。 | ||||||
| 283 | 图案化的结构化转印带 | CN201380066654.8 | 2013-12-12 | CN104870198A | 2015-08-26 | 马丁·B·沃克; 迈克尔·本顿·弗里; 玛格丽特·M·沃格尔-马丁; 埃文·L·施瓦茨; 米奇斯瓦夫·H·马祖雷克; 特里·O·科利尔 |
| 本发明公开了一种转印带，该转印带包括载体；模板层，该模板层具有施加到所述载体的第一表面并且具有与所述第一表面相对的第二表面，其中第二表面包括非平面结构化表面；隔离涂层，该隔离涂层设置在所述模板层的非平面结构化表面上；和回填层，该回填层设置在所述隔离涂层的非平面结构化表面上并且适形于所述隔离涂层的非平面结构化表面。在一些实施例中，回填层包含硅倍半氧烷，例如聚乙烯基硅倍半氧烷。本发明所公开的转印带能够用于将复制结构转印到受体基底。 | ||||||
| 284 | 微机电芯片封装及其制造方法 | CN201410325061.5 | 2014-07-09 | CN104843632A | 2015-08-19 | 周世文 |
| 本发明提供一种微机电芯片封装及其制造方法，该微机电芯片封装包括：一封装基板、一围阻环、一微机电芯片、以及一封装材料。封装基板具有一内表面及对应的一外表面，并具有一信号开口，穿透内表面及外表面。封装基板具有至少一内接点，外表面上具有至少一外接点，内接点与外接点电性连接。围阻环配置于内表面，并环绕信号开口；微机电芯片具有一有源表面，有源表面具有至少一感应元件及至少一芯片接点。有源表面贴附于围阻环，使得感应元件位于围阻环内，芯片接点与内接点电性连接。封装材料包覆微机电芯片、围阻环外侧及内接点。 | ||||||
| 285 | 传感器以及用于制造传感器的方法 | CN201510087121.9 | 2015-02-25 | CN104843630A | 2015-08-19 | J·赖因穆特 |
| 提出一种传感器，其具有衬底、微机电结构和脱耦合结构，其中所述脱耦合结构固定在所述衬底上，其中所述微机电结构固定在所述脱耦合结构上，其中所述微机电结构和所述脱耦合结构能够相对于所述衬底移动，其中所述脱耦合结构设置在所述微机电结构和所述衬底之间。 | ||||||
| 286 | 图案形成方法和聚合物合金基材 | CN201180035598.2 | 2011-07-15 | CN103003918B | 2015-08-12 | 服部繁树; 浅川钢儿; 中村裕子; 北川良太; 清野由里子; 菅野正洋; 比嘉百夏 |
| 本发明提供一种图案形成方法，其能短时间内形成高取向的图案以及在聚合物合金上的相分离结构；还提供聚合物合金基材。提供图案形成方法，该方法包括：将自组装单层和聚合物膜层压在基质上；用能量射线照射所得层压材料以将聚合物膜与自组装单层化学键合，从而在自组装单层膜上形成聚合物表面层；和在聚合物表面层上形成具有在其上形成的相分离结构图案的聚合物合金。 | ||||||
| 287 | 集成互补金属氧化物半导体-微型机电系统器件的制造方法 | CN201210248287.0 | 2010-04-22 | CN102757015B | 2015-08-12 | 梁凯智; 吴华书; 彭利群; 黃琮诚; 刘醇明; 沈育民; 张华伦 |
| 本发明提供了一种集成互补金属氧化物半导体-微型机电系统器件的制造方法，包括提供具有正面和背面的衬底。在所述衬底上形成有CMOS器件。MEMS器件也形成在所述衬底上。形成MEMS器件包括在所述衬底的正面上形成MEMS机械结构。然后释放所述MEMS机械结构。保护层形成在所述衬底的正面。保护层设置在释放的MEMS机械结构上(例如保护MEMS结构)。在将保护层设置到所述MEMS机械结构上的同时处理所述衬底的背面。 | ||||||
| 288 | 具有侧壁泄露保护的MEMS器件封装 | CN200980144743.3 | 2009-11-10 | CN102209683B | 2015-08-05 | 格雷亚·J·A·费尔海登; 格哈德·库普斯 |
| 一种制造MEMS器件的方法包括形成MEMS器件元件(14)。在所述器件元件上提供牺牲层(20)并在牺牲层上提供封装覆盖层(24)。在牺牲层的上方形成分隔层(13)，并被刻蚀来限定邻近牺牲层外侧壁的分隔部分。这些改进了覆盖层(24)侧壁的密封。 | ||||||
| 289 | 微细图案转印用模具的制造方法及使用该模具的衍射光栅的制造方法、以及具有该衍射光栅的有机EL元件的制造方法 | CN201280005430.1 | 2012-01-13 | CN103328176B | 2015-07-29 | 增山聪; 福岛麻登香; 西村凉; 福田真林; 关隆史 |
| 一种模具的制造方法，包括：在基材10上涂布包含第一聚合物和第二聚合物的嵌段共聚物溶液30，使涂膜干燥后，在比嵌段共聚物的玻璃化转变温度高的温度下进行第一退火处理，通过蚀刻处理将第二聚合物除去而在基材上形成凹凸结构36，将凹凸结构36在比第一聚合物的玻璃化转变温度高的温度下进行第二退火处理，接着，在凹凸结构上形成种子层40，通过电铸在种子层40上层叠金属层50，将金属层50从基材上剥离。通过第二退火处理，将基材上的凹凸结构70良好地转印到金属层上。本发明提供适合制造衍射光栅等光学部件的微细图案转印用模具。 | ||||||
| 290 | 芯片封装体及其形成方法 | CN201010574051.7 | 2010-11-30 | CN102157512B | 2015-07-22 | 彭宝庆; 温英男; 张恕铭 |
| 本发明公开了一种芯片封装体及其形成方法。该芯片封装体包括基底，具有上表面及下表面，基底包括至少一第一接垫；非光学感测芯片，设置于基底之上表面上，非光学感测芯片包括至少一第二接垫，非光学感测芯片具有第一长度；保护盖，设置于非光学芯片上，保护盖具有第二长度，第二长度的延伸方向大抵平行于第一长度的延伸方向，且第二长度小于第一长度；集成电路芯片，设置于保护盖上，集成电路芯片包括至少一第三接垫，集成电路芯片具有第三长度，第三长度的延伸方向大抵平行于第一长度的延伸方向；多条焊线，形成基底、非光学感测芯片、及集成电路芯片之间的电性连接。 | ||||||
| 291 | 显示装置和显示装置的制造方法 | CN201210211366.4 | 2012-06-21 | CN102841444B | 2015-07-15 | 海东拓生; 栗谷川武; 坂田亮; 刈迂修; T·J·布罗斯尼汉 |
| 本发明提供一种显示装置和显示装置的制造方法，其不需要专用装置、不会使制造吞吐量降低而除去端子上的钝化膜。本发明的显示装置，包括在基板上以矩阵状配置的具有开关元件和用开关元件驱动的MEMS快门的多个像素，和在基板上配置的与外部端子连接的多个端子。MEMS快门包括：具有开口部的快门、与快门连接的第一弹簧、与第一弹簧连接的第一锚定部、第二弹簧、和与第二弹簧连接的第二锚定部，在快门、第一弹簧、第二弹簧、第一锚定部和第二锚定部的表面中的与基板的表面垂直的方向上的面具有绝缘膜，在多个端子的表面、以及快门、第一弹簧、第二弹簧、第一锚定部和第二锚定部的表面中的相对于基板的表面为平行方向且与基板相对的一侧的相反侧的面，不存在该绝缘膜。 | ||||||
| 292 | MEMS传感器制造方法、薄膜制造方法与悬臂梁的制造方法 | CN201010261039.0 | 2010-08-11 | CN102190284B | 2015-07-08 | 李刚; 胡维 |
| 本发明揭示了一种MEMS传感器及其应用于多种MEMS传感器制造的薄膜、质量块与悬臂梁的制造方法，该方法采用硅片正面刻蚀工艺结合淀积、外延工艺、湿法腐蚀、背面刻蚀等工艺形成感压单晶硅薄膜、悬臂梁、质量块、前腔、后腔及深槽通道，能够有效控制单晶硅薄膜的厚度，可取代传统的只从硅片背面腐蚀形成背腔以及单晶硅薄膜的方法。 | ||||||
| 293 | 架构包含介电粒子支撑体的纳米构造的方法 | CN201410370876.5 | 2014-07-30 | CN104733613A | 2015-06-24 | 金俊亨 |
| 本发明提供一种包括介电粒子支撑体(dielectric particle supporter)的纳米结构、其制造方法、及其应用装置。纳米结构的制造方法包括：形成多个介电粒子支撑体于一基板之上，介电粒子支撑体上包括多个连接分子(linkers)；形成多个金属离子至连接分子；以及形成一或多个金属纳米粒子于连接分子之上。 | ||||||
| 294 | 具有传感器的集成电路和制造这种集成电路的方法 | CN201210037533.8 | 2012-02-17 | CN102646644B | 2015-06-24 | 罗埃尔·达门; 罗伯特斯·沃特斯; 雷内·荣根; 尤里·波诺马廖夫 |
| 公开了一种集成电路，包括：承载多个电路元件的衬底(10)；互连所述电路元件的金属化叠层(12，14，16)，所述金属化叠层包括包含第一金属部(20)的图案化上金属化层；覆盖金属化叠层的钝化叠层(24，26，28)；和传感器，包括位于钝化叠层上的传感材料(40)，所述传感器通过延伸穿过钝化叠层的通路(34)连接至第一金属部。还公开了制造这种IC的方法。 | ||||||
| 295 | 微结构体的测试方法以及微机械 | CN200610163607.7 | 2006-12-01 | CN1975345B | 2015-06-17 | 山口真弓; 泉小波; 立石文则 |
| 微结构体的测试方法以及微机械本发明的目的在于提供一种微机械的测试方法，其中无接触地进行微机械的结构体的过程检测的测试、电特性的测试及机械特性的测试。本发明的测试方法如下：包括具有第一导电层、设置为与所述第一导电层平行的第二导电层、设置在所述第一导电层和第二导电层之间的牺牲层或具有空间部分的结构体、以及与连接到所述结构体的天线，通过所述天线向所述结构体以无线供给电力，检验出从所述天线中产生的电磁波作为所述结构体的特性。 | ||||||
| 296 | 压差传感器及其制造方法 | CN201380052765.3 | 2013-09-24 | CN104704335A | 2015-06-10 | 伊戈尔·格特曼; 托马斯·林克; 彼得·诺门森; 拉斐尔·泰伊朋 |
| 本发明涉及压差传感器(1)，包括测量膜(10)，该测量膜(10)布置在两个平台(20)之间，并且经相应的第一绝缘层(26)与平台(20)中的每个压力紧密地连接，以便在平台与测量膜之间形成压力室。绝缘层尤其包括氧化硅。压差传感器进一步包括用于记录测量膜的压力依赖偏转的电换能器。平台(20)具有支撑位置(27)，在过载的情况下，测量膜(10)至少部分地接触支撑位置(27)。支撑位置(10)具有位置依赖高度h。压差传感器的特征在于，支撑位置(27)通过各向同性蚀刻形成在第一绝缘层(26)中，并且每个支撑位置的相应高度h是在基准平面中的支撑位置的基部的距离的函数。 | ||||||
| 297 | 微电子机械系统和使用方法 | CN201380042767.4 | 2013-05-31 | CN104684841A | 2015-06-03 | J·V·克拉克 |
| 测量微电子机械系统(MEMS)中的可移动质量的位移的方法包括抵靠着两个位移停止表面驱动所述质量以及测量诸如梳齿的感测电容器的对应差动电容。描述了具有位移停止表面的MEMS装置。在测量具有悬臂和偏转传感器的原子力显微镜(AFM)的属性的方法中、或者在具有用于感测被允许沿着位移轴振动的可移动质量的位移感测单元的温度传感器中，能够使用这种MEMS装置。运动测量装置能够包括90°异相地驱动的加速计和回转仪对。 | ||||||
| 298 | 电子器件以及电子设备 | CN201410722694.X | 2014-12-02 | CN104678474A | 2015-06-03 | 今井英生; 松野靖史 |
| 本发明提供一种具有优良特性的电子器件以及电子设备。电子器件(1)具有波长可变干涉滤波器(3)以及容纳波长可变干涉滤波器(3)的封装体(2)。封装体(2)具有具备通过光的光通过孔(29)的基底基板(21)、以及堵塞光通过孔(29)的具有透光性的基底基板侧透光性基板(24)。基底基板(21)由多层层叠的层叠体构成，光通过孔(29)形成为与位于波长可变干涉滤波器(3)一侧的第一开口(291)的面积相比，位于与波长可变干涉滤波器(3)相反一侧的第二开口(292)的面积更大。 | ||||||
| 299 | 用于释放微机电系统装置中的隔膜的方法 | CN201410168061.9 | 2014-04-24 | CN104671195A | 2015-06-03 | 谢聪敏; 李建兴; 刘志成 |
| 本发明公开一种用于释放微机电系统(MEMS)装置的隔膜的方法。所述方法包含在预润湿溶液中将所述MEMS装置预润湿，从而至少将所述MEMS装置的空腔的侧壁表面预润湿。接着，在将MEMS装置湿蚀刻的步骤之后，执行润湿工艺，从而蚀刻电介质层的电介质材料以用于固持所述隔膜，其中从所述电介质层释放所述隔膜的感测部分。 | ||||||
| 300 | 具有气隙的半导体封装 | CN201410688867.0 | 2014-11-26 | CN104671188A | 2015-06-03 | C.Y.吴 |
| 具有气隙的半导体封装。一种半导体封装包括具有第一主侧面和与所述第一主侧面相对的第二主侧面的半导体管芯，所述第一主侧面具有被外围区域包围的内部区域。该半导体封装还包括覆盖所述半导体管芯并且被粘附到所述半导体管芯的所述第一主侧面的所述外围区域的膜。所述膜具有弯曲表面，使得所述半导体管芯的所述第一主侧面的所述内部区域通过气隙与所述膜分隔开。将电导体在第一端附着到在所述半导体管芯的所述第一主侧面的外围区域处的焊盘。还提供了对应的制造方法。 | ||||||
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