子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 261 | 用于制造集成的微流体系统的方法以及集成的微流体系统 | CN201180033628.6 | 2011-06-01 | CN102958827B | 2015-11-25 | U.沙夫; J.霍夫曼; F.孙德梅尔; J.梅 |
| 本发明涉及一种集成的微流体系统的制造及所述集成的微流体系统本身。将电子基片尤其半导体芯片以倒装布置与微流体基片连接起来。为此用第一胶粘剂来连接所述两种基片的有待彼此连接的流体的连接元件并且用第二胶粘剂来连接所述两种基片的电气的触点。所述胶粘剂得到硬化，其中所述第二胶粘剂首先硬化。 | ||||||
| 262 | 微机电系统 | CN201180025545.2 | 2011-06-15 | CN102906008B | 2015-11-25 | A.斯坦珀; C.V.扬斯 |
| 一种形成微机电系统（MEMS）的方法包括在MEMS的腔体内的第一绝缘体层上形成下电极。该方法还包括在下电极的顶部上的另一绝缘材料之上形成上电极，上电极与下电极至少部分地接触。下电极和上电极的形成包括调整下电极和上电极的金属体积以修改梁弯曲。 | ||||||
| 263 | 用于微机电系统的化学机械研磨处理流程 | CN201180020735.5 | 2011-02-25 | CN102858681B | 2015-11-25 | 约瑟夫·达米安·戈登·拉西; 托马斯·L·麦圭尔; 维克拉姆·乔希; 丹尼斯·J·约斯特 |
| 本发明大体而言涉及互补式金属氧化物半导体(CMOS)后段(BEOL)处理中微机电系统(MEMS)悬臂式开关(cantilever switch)的形成。所述悬臂式开关经形成为与所述结构中的下电极电气交流。所述下电极可全覆沉积并图案化或仅沉积在下层结构的介层洞(via)或沟槽内。然后利用化学机械研磨或平坦化(CMP)处理将用于所述下电极的过量材料平坦化。接下来在所述平坦化的下电极上形成所述悬臂式开关。 | ||||||
| 264 | 半导体器件 | CN201110391090.8 | 2011-11-25 | CN102815658B | 2015-11-25 | 邱义勋; 简廷颖; 苏钦豪; 倪其聪 |
| 本发明涉及集成电路制造，而更具体地涉及的是带有金属合金的半导体器件。用于器件的示例性结构包括第一硅衬底；第二硅衬底；以及连接第一硅衬底和第二硅衬底中的每个的触点，其中，该触点包括与第一硅衬底邻近的Ge层、与第二硅衬底邻近的Cu层以及处在Ge层和Cu层之间的金属合金。 | ||||||
| 265 | 生产具有结构化表面的薄的、独立式固态材料层的方法 | CN200980157357.8 | 2009-12-18 | CN102325717B | 2015-11-25 | L.利希滕斯泰格 |
| 公开了一种印刷方法，其包括步骤：提供具有至少一个曝露表面的固态材料；施加辅助层到该曝露表面上来形成复合结构，该辅助层具有应力图案；使得该复合结构经历这样的条件，该条件促进了该固态材料沿着其中某深度的平面断裂；和除去该辅助层，以及随之一起除去在断裂深度处终止的固体材料层，所除去的固态材料层的曝露表面具有对应于所述应力图案的表面拓扑。 | ||||||
| 266 | 传感器及其制造方法 | CN201110175536.3 | 2011-06-17 | CN102285632B | 2015-11-25 | S·K·加米奇; N·V·曼特拉瓦迪; M·克利茨克; T·L·库克森 |
| 本发明名称为传感器及其制造方法。公开传感器和用于制造传感器的方法，在一个实施例中将蚀刻的半导体衬底晶片(300)接合到包括绝缘体上硅晶片的蚀刻的器件晶片(100)以形成悬置结构，该悬置结构的挠曲由嵌入的感测元件(140)确定以测量绝对压力。嵌入该传感器中的互连通道(400)便于器件的流水线化封装同时满足与其他装置的互连性。 | ||||||
| 267 | 具有贯穿衬底通孔（TSV）衬底插塞的电容式微机械超声换能器（CMUT） | CN201480009849.3 | 2014-02-27 | CN105073280A | 2015-11-18 | P·B·约翰逊; I·O·伍感特 |
| 一种电容式微机械超声换能器(CMUT)装置100包括至少一个CMUT单元100a，其包括：单晶材料的第一衬底101，第一衬底101具有包括在其上的图形化介电层的顶侧，图形化介电层包括厚介电区域106和薄介电区域107；和延伸第一衬底的整个厚度的贯穿衬底通孔(TSV)111。TSV由单晶材料形成、并且由单晶材料中的隔离区域131电气隔离，而且位于第一衬底的顶侧接触区域102a下方。膜层120b接合到厚介电区域并且在薄介电区域上方，以在微机电系统(MEMS)腔体114上方提供可移动膜。金属层161在顶侧衬底接触区域上方并且在可移动膜上方，其包括顶侧衬底接触区域到可移动膜的耦合件。 | ||||||
| 268 | 一种快速聚合物微结构等温平板热压印工艺 | CN201510552556.6 | 2015-09-01 | CN105058770A | 2015-11-18 | 吴大鸣; 刘颖; 郑秀婷; 杨振洲; 许红; 赵中里; 孙靖尧; 敬鹏生 |
| 本发明涉及一种快速聚合物微结构等温平板热压印工艺，微结构的模具在温度为热压印的无定型型聚合物玻璃化转变温度Tg以下5℃～20℃或者在温度为热压印的结晶型聚合物的结晶熔点Tm以下10℃～50℃的条件下，对聚合物基片进行热压印，在热压印结束后，保持模具温度不变的情况下直接脱模，得到表面具有微结构的聚合物器件。该工艺通过利用聚合物固态下玻璃化转变温度(Tg)附近或结晶熔点(Tm)以下的塑性变形进行微结构成型，热压印过程中保持模具温度恒定避免反复加热冷却造成的耗时，以此实现微结构平板热压印的快速完成；并通过温度控制使其塑性变形在应变流动阶段进行，避免塑性变形进入应变硬化阶段，保证微结构有较高的复制率。 | ||||||
| 269 | 用于通过嵌段共聚物的自组装在衬底上设置光刻特征的方法 | CN201480015196.X | 2014-02-26 | CN105051863A | 2015-11-11 | S·伍伊斯特尔; E·皮特斯 |
| 使得具有第一和第二嵌段的可自组装的嵌段共聚物(BCP)从围绕所述衬底的光刻凹陷和衬底上的伪凹陷的区域移动到所述光刻凹陷和所述伪凹陷中，使所述光刻凹陷中的嵌段共聚物自组装成有序层，所述层包括第一嵌段域和第二嵌段域，以及选择性地去除第一域，以在所述光刻凹陷中形成包括所述第二域的光刻特征，其中所述伪凹陷的宽度小于嵌段共聚物进行自组装所需要的最小宽度，且其中所述伪凹陷处于所述衬底的围绕所述光刻凹陷的区域中，嵌段共聚物被从所述衬底的围绕所述光刻凹陷的区域移动，光刻凹陷的侧壁的多个部分之间的宽度大于伪凹陷的侧壁的多个部分之间的宽度。 | ||||||
| 270 | 面外电磁式半球形微陀螺仪及其制备方法 | CN201510290056.X | 2015-05-29 | CN105004334A | 2015-10-28 | 张卫平; 唐健; 刘亚东; 汪濙海; 邢亚亮; 孙殿竣; 陈文元 |
| 本发明提供了一种面外电磁式半球形微陀螺仪及其制备方法，包括：设有半球形凹槽的单晶硅基底、微型半球形谐振子、中心固定支撑柱、均匀分布式平面线圈、均匀分布式永磁体、凹形支架，本发明采用面外驱动和检测方法，可实现面外力与面内位移之间的相互转换，便于检测垂直于基底方向的科氏效应；本发明采用电磁式驱动和检测方法，无需制作静电式所需的微小电容间隙，同时可避免寄生电容、静电吸附等问题；本发明采用平面线圈和永磁体的方式进行电磁驱动和电磁检测，便于制作和实现；本发明体积小，成本低，工艺简单，可实现批量化生产。 | ||||||
| 271 | 微机电系统（MEMS）结构和设计结构 | CN201310001397.1 | 2013-01-04 | CN103183309B | 2015-10-28 | C·V·亚恩斯; A·K·斯塔珀 |
| 本发明公开了微机电系统（MEMS）结构、制造方法和设计结构。所述方法包括在基底上形成至少一个固定电极。所述方法还包括在所述至少一个固定电极之上以从微机电系统（MEMS）梁的顶部观看的变化的宽度尺寸形成所述MEMS梁。 | ||||||
| 272 | MEMS器件及其形成方法 | CN201210082544.8 | 2012-03-26 | CN103130174B | 2015-10-28 | 李德浩; 谢元智 |
| 一种方法，包括在衬底的正面上形成微电子机械系统(MEMS)器件。在形成MEMS器件的步骤之后，在衬底中形成穿透开口，其中从衬底的背面形成穿透开口。用介电材料填充穿透开口，该介电材料使衬底的第一部分与衬底的第二部分隔离。在衬底的背面上形成电连接件。通过衬底的第一部分将电连接件电连接至MEMS器件。本发明还提供一种MEMS器件。 | ||||||
| 273 | 一种纳米图形化方法 | CN201510275200.2 | 2015-05-26 | CN104986722A | 2015-10-21 | 欧欣; 斯蒂芬·福斯柯; 贾棋; 王曦 |
| 本发明提供一种纳米图形化的方法，所制备结构单元具有周期性排列，所述纳米图形化方法包括以下步骤：提供至少由两种化学元素组成的单晶材料的衬底；对衬底或表面进行加热；利用离子束辐照衬底表面，在衬底表面产生空位。 | ||||||
| 274 | MEMS压力传感器及其制作方法 | CN201110061167.5 | 2011-03-15 | CN102183335B | 2015-10-21 | 柳连俊 |
| 本发明提供一种MEMS压力传感器，包括：第一衬底，所述第一衬底包括相对的第一表面和第二表面，在所述第一表面侧设置有电容式压力传感单元的感应薄膜、电连线层和第一衬底表面的第一粘合层；第二衬底，所述第二衬底包括相对的第三表面和第四表面，在所述第三表面侧设置有导体间介质层、位于导体间介质层中的导体连线层和第二衬底表面的第二粘合层；其中，第二衬底与第一衬底相对设置，通过第一粘合层和第二粘合层固定连接，第一粘合层与第二粘合层的图案对应并且均为导电材料。该MEMS压力传感器及其制作方法，能够与集成电路制造工艺兼容，有效地降低制作成本并减小传感器尺寸。 | ||||||
| 275 | 电容式压力传感器和方法 | CN201380061895.3 | 2013-10-01 | CN104969049A | 2015-10-07 | A·费伊; A·B·格雷厄姆 |
| 在一个实施例中，形成MEMS装置的方法包括使得硅晶片设置有基底层和在所述基底层的上表面上方的中间层。在所述中间层中限定第一电极并且在所述中间层的上表面上方设置氧化物部。在所述氧化物部的上表面上设置罩层并且在所述罩层中限定第二电极。所述方法还包括蚀刻氧化物部以形成腔以使得当所述第二电极和所述腔突出到所述中间层上时，所述突出的第二电极包围所述突出的腔。 | ||||||
| 276 | 微机电系统装置 | CN201510132149.X | 2015-03-24 | CN104944357A | 2015-09-30 | 吉泽隆彦 |
| 本发明所涉及的MEMS装置具备：基板；功能元件，其直接或经由绝缘膜而被设置于基板的表面上；结构体，其被设置于基板或绝缘膜的表面上，并在功能元件的周围形成空腔；第一盖部，其被设置有开口，并以与功能元件之间留有间隙的方式对空腔的一部分进行覆盖；承接部，其在基板或绝缘膜的表面上且被设置于多个电极或配线之间，并具有与第一盖部的开口隔开间隙而对置的承接面；第二盖部，其包括对第一盖部的开口进行密封的导电性的密封部。 | ||||||
| 277 | 用于微机电系统设备的具有声学气道的基于引脚框的预塑模封装 | CN201080054194.3 | 2010-12-29 | CN102714200B | 2015-09-30 | J·R·哈克比; R·H·珀德姆 |
| 本发明涉及一种微机电系统（MEMS）设备（100），其具有定义空腔的凹部（117），该空腔中心开放到载体表面（111）上。导电引脚（112）在载体表面外围嵌入。包括集成电路芯片（101）的插入物（120）在凹部的顶部（114、116）内安装，并为空腔提供罩盖。电连接（130）连接芯片上端子与导电引脚。附加到载体表面的罩盖（140）包围集成电路芯片和电连接。穿过包括罩盖中通风孔（141）、插入物中第一和第二开孔（121，122）以及集成电路芯片中开孔（104）的路径，提供从环境大气经空腔到在芯片中活动箔片（105）的气道。 | ||||||
| 278 | 具有应力隔离的MEMS器件及其制造方法 | CN201080038090.3 | 2010-08-05 | CN102482072B | 2015-09-23 | 阿伦·A·盖斯贝格尔 |
| 具有应力隔离的MEMS器件(20)包括形成在第一结构层(24)中的元件(28、30、32)和形成在第二结构层(26)中的元件(68、70)，其中层(26)与第一结构层(24)隔开。制造方法(80)涉及在层(24、26)之间形成(92、94、104)连接件(72、74)。连接件(72、74)将第一层(24)的对应的元件(30、32)与第二层(26)的元件(68、70)连接。制造方法(80)还涉及从下面的衬底(22)释放结构层(24、26)，使得所有元件(30、32、68、70)都被悬置在MEMS器件(20)的衬底(22)上方，其中元件(30、32、68、70)与衬底(22)的附接仅发生在衬底(22)的中心区域处(46)。 | ||||||
| 279 | 微机电模块以及其制造方法 | CN201510099835.1 | 2015-03-06 | CN104909330A | 2015-09-16 | 罗烱成; 康育辅; 王宁远; 林炯彣 |
| 本发明提供一种微机电模块，包含：一微机电元件芯片与一微电子电路芯片，该微机电元件芯片堆叠并结合于该微电子电路芯片的上方，其中，该微电子电路芯片包含一基板，该基板内具有连接基板上下表面的至少一个硅通孔、以及至少一个微电子电路，该微电子电路包含一电路区与一讯号层，彼此电性连接，且该讯号层与硅通孔直接连接；以及至少一个引线，其一端连接该微机电元件芯片中间位置而非上方顶端，另一端连接该至少一个硅通孔，其中，于微机电元件芯片和微电子电路芯片的堆叠处，微机电元件芯片与微电子电路芯片并不在此处进行讯号沟通。本发明还提供一种微机电模块的制造方法。 | ||||||
| 280 | 半导体器件和用于制造半导体器件的方法 | CN201210057624.8 | 2012-03-06 | CN102683312B | 2015-09-16 | 倪其聪; 王乙翕; 李欣桂; 苏钦豪 |
| 本发明提供了一种制造集成电路的方法，并且更具体地制造具有金属合金的半导体器件的方法。半导体器件的示例结构包括具有第一触点的第一硅衬底，该第一触点包括在该衬底和第一金属层之间的硅化物层；具有第二触点的第二硅衬底，该第二触点包括第二金属层；以及在第一触点的第一金属层和第二触点的第二金属层之间的金属合金。 | ||||||
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