子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 241 | 一种在金刚石压砧上制备金属电极的方法 | CN201510542911.1 | 2015-08-28 | CN105261555A | 2016-01-20 | 刘静; 伊福廷; 李延春; 张天冲; 王波; 张新帅; 孙钢杰; 王雨婷 |
| 本发明公开了一种在金刚石压砧上制备金属电极的方法，该方法是在直径为300微米的圆形金刚石压砧面上制备出10微米宽的电极结构，该方法包括：制备带有电极图形结构的镂空金属掩膜版；将该镂空金属掩膜版与金刚石压砧面对准和固定，使该镂空金属掩膜覆盖在金刚石压砧面的表面，然后在具有镂空金属掩膜版的金刚石压砧面的表面溅射一层金属电极；摘除镂空金属掩膜版。本发明利用紫外光刻技术、套刻及离子束溅射镀膜技术完成在金刚石压砧上制备金属电极，能够在金刚石直径为300微米的圆形砧面上制备10微米宽的电极结构，该方法操作简单，避开了传统工艺中在金刚石砧面上的光刻过程，过程简单，易于操作。 | ||||||
| 242 | MEMS器件的制造方法 | CN201410010413.8 | 2014-01-09 | CN103738914B | 2016-01-20 | 张振兴; 奚裴; 熊磊 |
| 本发明提供了一种MEMS器件的制造方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成氮化钽层和硬掩膜层；在所述硬掩膜层上涂布光刻胶并对所述硬掩膜层进行第一次刻蚀，形成刻蚀窗口，所述刻蚀窗口下保留部分硬掩膜层；去除所述硬掩膜层上的光刻胶并对所述刻蚀窗口下的硬掩膜层和氮化钽层进行第二次刻蚀，形成沟槽。在本发明提供的MEMS器件的制造方法中，通过两次刻蚀形成沟槽，其中第一次刻蚀保留部分硬掩膜层用以隔离氮化钽层和光刻胶，第二次刻蚀通过硬掩膜层对氮化钽层进行刻蚀，从而避免了氮化钽层刻蚀过程中由于直接以光刻胶为掩膜层而产生的含钽类聚合物残留问题。 | ||||||
| 243 | 用于三层芯片级MEMS器件的系统和方法 | CN201110462085.1 | 2011-11-23 | CN102556939B | 2016-01-20 | R·D·霍尔宁; R·苏皮诺 |
| 本发明涉及用于三层芯片级MEMS器件的系统和方法。提供了一种用于微机电系统(MEMS)器件的系统和方法。在一实施例中，系统包括第一外部层和包括第一组MEMS器件的第一器件层，其中第一器件层接合到第一外部层。系统还包括第二外部层和包括第二组MEMS器件的第二器件层，其中第二器件层接合到第二外部层。此外，系统包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的中央层，其中第一侧接合到第一器件层且第二侧接合到第二器件层。 | ||||||
| 244 | MEMS器件、半导体器件及其制造方法 | CN201510608392.4 | 2015-09-22 | CN105236345A | 2016-01-13 | 季锋; 闻永祥; 刘琛; 周浩 |
| 本发明提供了一种MEMS器件、半导体器件及其制造方法，所述MEMS器件具有密闭的腔体，所述腔体具有在第一平面内延伸的内壁，所述内壁包括用于淀积吸气剂薄膜的薄膜淀积区域，所述薄膜淀积区域形成有一个或多个凹槽，所述凹槽的侧壁与所述第一平面的夹角大于0°且小于180°，所述吸气剂薄膜覆盖所述凹槽的侧壁。本发明能够在常规的蒸发、溅射设备上以较小的入射角度形成吸气剂薄膜，即形成多孔性、高粗糙度的吸气剂薄膜。 | ||||||
| 245 | 碳纳米管连接的石墨烯片膜和其制造方法及使用其的石墨烯片电容器 | CN201180057845.9 | 2011-11-30 | CN103237755B | 2016-01-13 | 唐捷; 程骞; 新谷纪雄; 张晗; 秦禄昌 |
| 一种石墨烯片膜，其是两张以上的石墨烯片(11)～(25)被集成，将集成体制成膜状，通过使用所述石墨烯片集成体(101)，可提供涉及能量密度及功率密度的电容器特性高的石墨烯片膜和其制造方法及使用其的石墨烯片电容器。所述石墨烯片集成体(101)具有将石墨烯片(11)～(25)之间接合、且形成以各石墨烯片(11)～(25)的面平行的方式层叠而成的石墨烯片层叠体(61)～(65)的第1碳纳米管(31)～(48)，和连接所述石墨烯片层叠体(61)～(65)之间的第2碳纳米管(51)～(56)。 | ||||||
| 246 | 一种纳米级谐振光子器件硅衬底刻蚀集成制备工艺 | CN201510533190.8 | 2015-08-27 | CN105217561A | 2016-01-06 | 王国建 |
| 本发明公开了一种纳米级谐振光子器件硅衬底刻蚀集成制备工艺，选用硅衬底晶片为实现载体，在顶层硅器件层的上表面沉积一层复合氧化物薄膜层；在复合氧化物薄膜层上表面旋涂一层电子束光刻胶层；采用电子束曝光技术在电子束光刻胶层上定义纳米光子器件结构；采用离子束轰击技术将纳米光子器件结构转移到复合氧化物薄膜层；将复合氧化物薄膜层按照纳米光子结构刻穿至硅衬底晶片的上表面；采用各项同性硅刻蚀技术，从硅衬底晶片的下表面向上剥离硅衬底晶片，形成一个凹形空腔结构；采用氧气等离子灰化方法去除残余的电子束光刻胶层；在第一环状层及第二环状层的各表面沉积一层薄膜即完成该制备工艺。 | ||||||
| 247 | 微机械系统和用于制造微机械系统的方法 | CN201510359084.2 | 2015-06-25 | CN105217560A | 2016-01-06 | T·考茨施; H·弗雷利施; M·福格特; M·施特格曼; B·宾德 |
| 本公开的实施例涉及一种微机械系统和用于制造微机械系统的方法，该方法包括：在前道制程(FEOL)工艺中在晶体管区域中形成晶体管；在FEOL工艺之后，形成牺牲层；对牺牲层进行结构化以形成经结构化的牺牲层；形成至少部分地覆盖经结构化的牺牲层的功能层；以及去除牺牲层以创建空腔。 | ||||||
| 248 | 晶圆的处理方法 | CN201410308855.0 | 2014-06-30 | CN105206506A | 2015-12-30 | 郑超; 王伟; 马军德 |
| 一种晶圆的处理方法，包括：提供覆盖基底和待处理基底，待处理基底的第一表面具有若干器件区、以及位于器件区之间的切割道区；将覆盖基底的第一表面与待处理基底的第一表面键合，待处理基底和覆盖基底的边缘重合，待处理基底的切割道区与覆盖基底的第一表面形成空腔；对待处理基底进行修边工艺，使待处理基底的半径小于覆盖基底的半径；对覆盖基底的第二表面进行减薄；之后，对覆盖基底的第二表面进行清洗；之后，刻蚀部分覆盖基底，直至暴露出待处理基底第一表面的切割道区。待处理晶圆受到的损伤较少，对待处理晶圆进行检测的结果更准确。 | ||||||
| 249 | 一种MEMS压力传感器的制造方法和电子装置 | CN201410276142.0 | 2014-06-19 | CN105203235A | 2015-12-30 | 伏广才; 倪海勇 |
| 本发明提供一种MEMS压力传感器的制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的MEMS压力传感器的制造方法，包括在压力传感膜上与拟形成的压力沟槽相对应的位置形成蚀刻停止组件的步骤以及去除蚀刻停止组件的步骤，因此可以避免在对覆盖层进行刻蚀以形成压力沟槽的过程中对压力传感膜造成不当刻蚀，并且可以防止覆盖层以及压力传感膜发生形变，因而可以提高MEMS压力传感器的可靠性和敏感度，避免压力传感器漂移。本发明的电子装置，使用了根据该MEMS压力传感器的制造方法制造的MEMS压力传感器，因而同样具有上述优点。 | ||||||
| 250 | 制造复合补偿游丝的方法 | CN201510294325.X | 2015-06-02 | CN105182721A | 2015-12-23 | T·黑塞勒 |
| 本发明涉及一种制造复合补偿游丝(31)的方法，所述复合补偿游丝包括由第一材料构成的第一厚度E1和由至少一种第二材料构成的至少一个第二厚度E2。 | ||||||
| 251 | 电子部件、电子设备以及移动体 | CN201510292568.X | 2015-06-01 | CN105174196A | 2015-12-23 | 衣川拓也 |
| 提供电子部件、电子设备以及移动体，电子部件提高了生产率且具有优异特性，电子设备以及移动体具有该电子部件。本发明的电子部件(1)具有：具有振动元件(5)的空腔部(S)的底部；顶部(641)，其具有孔(642)，并隔着空腔部(S)与底部相对地配置；遮挡部(621)，其在空腔部(S)内被配置在空腔部(S)的底部与顶部(641)之间，在从空腔部(S)的底部和顶部(641)排列的方向俯视观察时，遮挡部(621)与孔(642)重叠；以及密封部(662)，其经由孔(642)与顶部(641)以及遮挡部(621)这两者相连，将孔(642)密封。 | ||||||
| 252 | 等离子体辅助的玻璃或石英芯片的微结构对准及预键合方法 | CN201510598724.5 | 2015-09-18 | CN105161437A | 2015-12-16 | 郭广生; 王思雨; 蒲巧生; 汪夏燕 |
| 等离子体辅助的玻璃或石英芯片的微结构对准及预键合方法，属于芯片微加工及键合技术。其步骤如下：完全去除玻璃或石英芯片光胶层及铬层，使用洗洁精及大量超纯水充分清洗表面。利用等离子体清洗器进行表面清洗及活化，使表面具有高亲水性；无水条件下，使用显微镜观察，移动清洗后的基片及盖片，完成精确对准。在边缘缝隙滴入极少量超纯水进行粘合，充分施压挤出多余水分后，依靠等离子体清洗器的真空功能排出芯片中的全部水分，完成玻璃或石英芯片的微结构对准及预键合。进一步采用热键合的方法完成芯片的永久键合。该方法使得对准及预键合，整体操作时间可在30min内完成。快速高效、实施简便、操作安全、适用广泛。 | ||||||
| 253 | 高纵横比MEMS器件及其形成方法 | CN201210252274.0 | 2012-07-19 | CN103288043B | 2015-12-16 | 李德浩 |
| HF气相蚀刻方法蚀刻高纵横比开口以形成MEMS器件和结构之间具有0.2um气隙的其他紧密封装的半导体器件。HF气相蚀刻方法蚀刻氧化物插塞和具有空隙部分和氧化物衬里部分的间隙，并且进一步蚀刻埋置在硅和其他结构下方的氧化物层并且理想地适于释放悬臂和其他MEMS器件。在一个实施例中，在室温和大气压下进行HF气相蚀刻。提供处理序列以形成包括悬臂以及固定和抗震的横向面内电极的MEMS器件。本发明还提供了高纵横比MEMS器件及其形成方法。 | ||||||
| 254 | 用于在衬底中制造斜面的方法和具有斜面的晶片 | CN201110462165.7 | 2011-11-25 | CN102530838B | 2015-12-16 | S·平特 |
| 本发明涉及一种用于在衬底中制造斜面的方法，包括在衬底的两个主表面上构造凹槽，分别直至其总和大于衬底的厚度的深度，即直至凹槽如此深以至于衬底被两个凹槽穿透。在此，在第一面积区域中从第一主表面起制造一个凹槽，以及在第二面积区域中从第二主表面起制造另一个凹槽，使得第一面积和第二面积沿着衬底的主表面的面法线不重合。然后在主表面上在凹槽上方分别施加柔性膜片。如果随后在凹槽内相对于外部压强建立低压，则柔性膜片分别朝着凹槽的方向拱起，直至其朝向衬底的表面基本上在凹槽的中间彼此接触。 | ||||||
| 255 | 利用嵌段共聚物来形成图案的方法 | CN201080027868.0 | 2010-06-02 | CN102804336B | 2015-12-09 | 斯科特·西里斯; 丹·米尔沃德 |
| 一些实施例包含利用共聚物形成图案的方法。可跨越衬底形成共聚物主体，且可诱导所述共聚物的自组装以跨越所述衬底形成结构图案。可在所述自组装的所述诱导期间在整个所述共聚物的所述主体上维持均匀厚度。在一些实施例中，可通过利用环绕所述共聚物主体的壁来阻止所述共聚物从所述主体的散布来维持所述均匀厚度。在一些实施例中，可通过利用与所述共聚物主体流体连通的一定体积的共聚物来维持所述均匀厚度。 | ||||||
| 256 | 具有载体的薄的金属膜 | CN201380066938.7 | 2013-12-17 | CN105121331A | 2015-12-02 | N.巴尔托斯; O.凯特尔; L.韦伯; A.赖辛格 |
| 本发明在原则上涉及包含由至少两个彼此接合的层构成的复合材料的部件，其中a.第一层具有孔洞，b.第二层具有1至50μm的厚度，其中第一层和第二层各自包含至少一种金属，并且其中第一层的组成不同于第二层的组成。本发明的其它主题是制造包含至少两个具有上述特征的彼此接合的层的部件的方法，制造包含至少三个具有上述特征的彼此接合的层的部件的方法，以及可以通过上述方法之一获得的部件和上述部件的至少之一用于活体中或者制造用在活体中的植入物的用途。 | ||||||
| 257 | 精准集成三轴MEMS装置到基板的方法 | CN201210075851.3 | 2012-03-20 | CN103288044B | 2015-12-02 | 努尔丁·哈瓦特; 段志伟 |
| 本发明提供一种精准集成三轴MEMS装置到基板的方法，其利用表面张力使待安装到基板或引线框架上的z轴传感装置与xy平面以精确角度对齐。根据本发明，z轴传感装置的高度小于或大致等于其y维宽度，而z轴传感装置的x维纵向长度大于y维或z维尺寸。因此，不同于又薄又高的墙的形状，z轴传感装置的构造使其非常难于垂直对齐，延长了的z轴传感装置安装在短的z轴上，这样使其更容易垂直对齐并安装。 | ||||||
| 258 | MEMS质量块的制作方法 | CN201410212457.9 | 2014-05-19 | CN105084302A | 2015-11-25 | 荆二荣; 夏长奉 |
| 一种MEMS质量块的制作方法，本发明采用键合方法制备可动质量块，不需要最后的去除牺牲层工艺，避免了可动质量块与衬底的粘连的问题，提高了工艺的稳定性和产品的成品率，另外，该方法制造工艺简单、制作的可动质量块的质量大，而大质量的可动质量块将大大提高器件的灵敏度、分辨率和稳定性，同时能够降低器件的机械噪声。 | ||||||
| 259 | 新的二嵌段共聚物、其制备方法以及使用其形成纳米图案的方法 | CN201280019810.0 | 2012-03-16 | CN103562245B | 2015-11-25 | 韩阳奎; 李济权; 金水火 |
| 本发明涉及一种二嵌段共聚物、制备该共聚物的方法以及使用该共聚物形成纳米图案的方法，所述二嵌段共聚物可以有助于形成更精细的纳米图案，并可以用于制造包括纳米图案的电子器件或生物传感器等。该二嵌段共聚物包含：刚性链段，其包含至少一个特定的基于丙烯酰胺的重复单元；以及柔性链段，其包含至少一个(甲基)丙烯酸酯类重复单元。 | ||||||
| 260 | 选择性蚀刻金属氮化物的组合物及方法 | CN201180048783.5 | 2011-10-06 | CN103154321B | 2015-11-25 | 陈天牛; 尼科勒·E·托马斯; 斯蒂芬·里皮; 杰弗里·A·巴内斯; 埃马纽尔·I·库珀; 张鹏 |
| 本发明涉及用于自其上具有第一金属栅极材料(例如，氮化钛)及第二金属栅极材料(例如，氮化钽)的微电子装置，将第一金属栅极材料相对于第二金属栅极材料选择性地移除的移除组合物及方法。该移除组合物可包含氟化物或者实质上不含氟化物。该基板优选包括高k/金属栅极集成配置。 | ||||||
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