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| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 201 | MEMS开关 | CN201180073883.3 | 2011-10-06 | CN103843100B | 2016-04-27 | 豊田治; 岛内岳明 |
| 提供一种容易制造并且能够有效抑制粘连的MEMS开关。MEMS开关具有：固定支撑部；板状挠性梁，至少一端被固定支撑在固定支撑部上，具有延伸的活动表面；活动电气触点，配置在挠性梁的活动表面上；固定电气触点，位置相对于固定支撑部固定，与活动电气触点相对置；第一压电驱动元件，从固定支撑部朝向活动电气触点而在挠性梁的活动表面的上方延伸，能够通过电压驱动使活动电气触点向固定电气触点发生位移；以及第二压电驱动元件，至少配置在挠性梁的活动表面上，通过电压驱动，向活动电气触点远离固定电气触点的方向驱动挠性梁的活动部。 | ||||||
| 202 | 一种半导体器件及其制作方法和电子装置 | CN201410505263.8 | 2014-09-26 | CN105513945A | 2016-04-20 | 倪梁; 汪新学 |
| 本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，所述制作方法包括：提供半导体衬底，刻蚀所述半导体衬底以形成凹槽；在所述凹槽中形成牺牲层；在所述半导体衬底和牺牲层的表面上形成悬臂梁结构层，刻蚀所述悬臂梁结构层，暴露所述牺牲层，以形成悬臂梁结构和开口；去除所述牺牲层，以释放所述悬臂梁结构。根据本发明的制作方法，形成的悬臂梁结构形貌优良，在悬臂梁结构下方无硅衬底材料的残留，有利于之后有机聚合物的填充，另外，即使预定形成的悬臂梁结构的尺寸很大，采用本发明的制作方法也能很好的实现悬臂梁的悬浮。 | ||||||
| 203 | 一种微型气相色谱柱芯片及其制备方法 | CN201510888973.8 | 2015-12-05 | CN105510490A | 2016-04-20 | 汪小知; 王涛; 张润州 |
| 本发明公开了一种微型气相色谱柱芯片，该芯片包括硅基底，在硅基底上具有依次连通的平行沟道，在沟道内具有规则排列的硅基圆柱体，圆柱体高度与沟道深度一致，在硅基底上还开有进气口和出气口，硅基底上设有密封层，二者通过密封胶密封，使得进气口、沟道和出气口形成一条密闭的气流通道，在气体通道内沟道与圆柱体表面上具有双层固定相结构。本发明的芯片通过圆柱体结构可以增加固定相的接触面积，同时采用双层固定相结构，不仅能够增强色谱柱芯片的分离能力，同时还能够增加芯片对样品的分离种类。 | ||||||
| 204 | 一种MEMS湿度传感器的制造方法 | CN201510854729.X | 2015-11-30 | CN105502282A | 2016-04-20 | 左青云; 康晓旭; 李铭 |
| 本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，公开了一种MEMS湿度传感器的制造方法，包括以下步骤：首先提供一具有绝缘层的衬底，在绝缘层内形成金属连接线、在绝缘层上表面形成金属叉指电极层、金属焊盘以及钝化层；接着对钝化层以及绝缘层进行图案化，并暴露出金属连接线以及金属焊盘的上表面；最后在金属叉指电极层之间以及钝化层上表面形成湿敏材料层，完成MEMS湿度传感器的制备。本发明在湿度传感器的制备过程中仅需要两张掩膜版即可完成湿度传感器的制备，相比现有的叉指电极型湿度传感器制造工艺，本发明无需额外增加传感器制造成本，制造工艺简单，降低了生产成本，且制备方法与传统的CMOS工艺完全兼容。 | ||||||
| 205 | MEMS器件的形成方法 | CN201410491246.3 | 2014-09-24 | CN105502280A | 2016-04-20 | 徐伟 |
| 一种MEMS器件的形成方法。采用第一支撑板的支撑，对第一晶圆与第二晶圆中的一个进行减薄，并在减薄面上做对准标记，后在减薄面上粘合第二支撑板；去除第一支撑板，利用对准标记将第三晶圆与未减薄的另一个晶圆形成的双层堆叠结构与该减薄后的晶圆键合形成三层堆叠结构，第二支撑板能提高上述键合过程中已减薄的晶圆的支撑力；去除第二支撑板，对具有对准标记的该个已减薄晶圆进行切割，后在减薄面上粘合第三支撑板，以提高已切割晶圆的支撑力，使得对三层堆叠结构中未减薄的该个晶圆进行减薄过程中，三层堆叠晶圆不易发生破碎；最后切割三层堆叠结构形成各个MEMS器件。采用了第一至第三支撑板，获得了完整且体积小的MEMS器件。 | ||||||
| 206 | 空腔薄膜及其制造方法 | CN201510990451.9 | 2015-12-24 | CN105502278A | 2016-04-20 | 季锋; 闻永祥; 刘琛; 孙伟 |
| 本发明提供了一种空腔薄膜及其制造方法，其中，所述空腔薄膜的制造方法包括：提供第一掺杂浓度的P型硅片；在所述第一掺杂浓度的P型硅片表面形成第二掺杂浓度的第一P型层，所述第二掺杂浓度高于所述第一掺杂浓度；通过电化学腐蚀工艺使第二掺杂浓度的第一P型层变成中孔硅层，在第一掺杂浓度的P型硅片中形成纳米孔硅层；通过退火工艺使纳米孔硅层迁移形成空腔，中孔硅层在纳米孔硅层的迁移下变成种子层。本发明提供的空腔薄膜及其制造方法，与CMOS工艺兼容，可实现SON(silicon on nothing)器件与薄膜传感器的集成；制造工艺相对简单，对设备要求低。 | ||||||
| 207 | 一种微颗粒上制备测试电极的方法 | CN201610008779.0 | 2016-01-06 | CN105502276A | 2016-04-20 | 顾长志; 李无瑕; 金爱子; 李俊杰 |
| 本发明提供了一种微颗粒上制备测试电极的方法，涉及新型材料与器件的加工制备领域。本发明通过聚焦离子束/电子束双束系统在微颗粒的表面制备测试电极，具体步骤包括：选取支撑衬底在所述支撑衬底上分散排布所述微颗粒；将分散排布后的微颗粒固定在所述支撑衬底上；在固定的微颗粒的表面加工电极条并将所述电极条延伸到所述支撑衬底上，在所述支撑衬底上沉积加工电极接触块，以实现所述测试电极的制备。本发明的微颗粒上制备测试电极的方法，通过聚焦离子束/电子束双束系统在微颗粒的表面制备测试电极，工艺步骤简单、难度低、耗时少、且具有较高的灵活性。本发明的方法，适用于一些非常规微尺寸器件。 | ||||||
| 208 | 形成凸出结构的方法 | CN201110340066.1 | 2011-11-01 | CN102779841B | 2016-04-20 | 郭锦德; 陈逸男; 刘献文 |
| 本发明公开了一种形成凸出结构的方法，其特征包含提供一基材与位于基材上的多个具有一第一材料与一预定底角的倾斜结构，其中倾斜结构具有一倒梯形的形状，之后于倾斜结构之间形成具有一第二材料的目标层以覆盖基材，其中第一材料与第二材料各不相同，接下来完全移除倾斜结构，并进行一修整步骤以部分移除目标层，而形成位于基材上的多个具有一顶面、一底面与一倾斜侧壁的凸出物。 | ||||||
| 209 | 制造带波纹的挠曲隔膜的方法 | CN201480036535.2 | 2014-06-27 | CN105492372A | 2016-04-13 | C·庞; J·什; F·蒋; C·刘; S·卡菲; A·乌拉扎基 |
| 一种可移除的材料用对应于在膜例如挠曲隔膜中的期望波纹的图案被沉积或以其它方式被施加至平坦的基底表面。所施加的材料充当施加在其上并且随后固化或硬化的聚合物材料的座，该聚合物材料被移除以形成成品波纹膜。 | ||||||
| 210 | 晶片封装体及其制造方法 | CN201510641258.4 | 2015-09-30 | CN105489659A | 2016-04-13 | 黃玉龙 |
| 本发明揭露一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括：一第一基底，具有一上表面、一下表面及一侧壁，其中一感测区或元件区及一导电垫邻近于上表面；一通孔，贯穿第一基底；以及一重布线层，自下表面延伸至通孔内，且与导电垫电性连接，其中重布线层还自下表面横向延伸而突出于第一基底的侧壁。本发明不仅能够提升晶片封装体的感测敏感度，还可缩小晶片封装体的尺寸。 | ||||||
| 211 | 用于测距和成像的微电容超声波换能器及其制备方法 | CN201510956913.5 | 2015-12-21 | CN105486399A | 2016-04-13 | 何常德; 张国军; 张文栋; 薛晨阳; 宋金龙; 王红亮 |
| 本发明为一种用于测距和成像的微电容超声波换能器及其制备方法，本发明在微电容超声波换能器图形化上电极与振动薄膜之间增加了一层二氧化硅隔离层，防止上电极与振动薄膜之间形成欧姆接触，使微电容超声波换能器的上电极面积增大，提高了微电容超声波换能器的带宽和发射声压。本发明具有结构简单、工艺可控性好、成本低和适于大批量生产等优点。 | ||||||
| 212 | 用于制造腔结构、制造用于半导体结构的腔结构的方法和使用该方法制造的半导体传声器 | CN201110443674.5 | 2011-12-27 | CN102556936B | 2016-04-13 | C.阿伦斯; W.弗里扎; T.格里勒; K.米姆勒; G.齐格 |
| 实施例示出了用于制造腔结构、半导体结构、用于半导体结构的腔结构的方法和使用该方法制造的半导体传声器。在一些实施例中，用于制造腔结构的方法包括：提供第一层；在第一层上沉积碳层；使用第二层至少部分地覆盖碳层以限定腔；借助于干法蚀刻去除第一和第二层之间的碳层，从而形成腔结构。 | ||||||
| 213 | 一种多孔硅基热敏薄膜及其制备方法 | CN201510810814.6 | 2015-11-23 | CN105460881A | 2016-04-06 | 陈桂兴 |
| 本发明涉及一种多孔硅基热敏薄膜及其制备方法，属于热敏薄膜制备技术领域；其中原料的各组分的重量份为硅片80~85份、氢氟酸100~120份、乙醇100~120份、氧化钒3~5份、铜1~3份、聚甲基丙烯酸酯1~2份，其制备方法为将氢氟酸和乙醇混合，然后将硅片浸泡在混合液中，电解腐蚀20~25min得多孔硅基片；将氧化钒磁控溅射在基片表面，厚度为0.15~0.25cm；在两端镀一层铜金属，溅射本底真空为0.15~0.25MPa，溅射功率为80~100W，时间为15~20min；最后再外表面镀上一层0.5~0.6mm的聚甲基丙烯酸酯薄膜，即得成品；提供一种多孔硅基热敏薄膜，该热敏薄膜孔隙率高，绝热性能佳，且生产工艺简单，制备成本较低，可适于工业化的大规模生产。 | ||||||
| 214 | 有机纳米结构阵列的形成 | CN200780050882.0 | 2007-12-04 | CN101652382B | 2016-04-06 | E·加兹特; M·雷彻斯 |
| 本发明公开一种纳米结构阵列。所述纳米结构阵列包括一般垂直于平面安排的许多伸长的有机纳米结构。 | ||||||
| 215 | 并入有延伸高度致动器的微机电系统显示器 | CN201480043879.6 | 2014-07-28 | CN105452934A | 2016-03-30 | 泰勒·A·杜恩; 蒂莫西·J·布罗斯尼汉 |
| 本发明提供用于并入有延伸高度致动器的MEMS显示器的系统、方法及设备。光调制组件可定位于衬底与耦合到所述衬底的相对表面之间。悬置电极可耦合到所述光调制组件且悬置于所述衬底与所述相对表面之间。延伸高度电极可定位成紧邻于所述悬置电极，且可从所述衬底向上延伸到超过所述悬置电极的高度的高度。所述悬置电极及所述延伸高度电极可经配置以相对于所述衬底横向移动所述光调制组件。 | ||||||
| 216 | 将材料层相互粘结到一起的方法以及所得到的装置 | CN201380011510.2 | 2013-02-27 | CN105452154A | 2016-03-30 | J·G·库亚德; C·P·戴格勒; 冯江蔚; Y·孙; 田丽莉; I·D·特雷西 |
| 装置和用于形成所述装置的方法，所述装置包括：第一玻璃材料层；和通过粘结材料与所述第一玻璃材料层粘结的第二材料层，其中所述粘结材料是由玻璃玻璃料材料、陶瓷玻璃料材料、玻璃陶瓷玻璃料材料和金属糊料中的一种形成的，所述粘结材料经熔融和固化。 | ||||||
| 217 | 使用有源电路封装的MEMS器件中用于屏蔽与偏置的装置和方法 | CN201480036001.X | 2014-06-24 | CN105452153A | 2016-03-30 | 陈立; T·K·努南; 杨光隆; J·A·格雷戈里 |
| 在标准ASIC晶片顶部金属层中形成一个或多个导电屏蔽板，例如，用于阻止来自MEMS晶片上MEMS器件到ASIC晶片上的电路的串扰，在晶片级芯片尺寸封装中当直接使用ASIC晶片加盖MEMS器件时。一般而言，屏蔽板应该比它屏蔽的MEMS器件结构稍大(例如，可移动MEMS结构诸如加速计摆片质量或陀螺仪谐振器)，并且在晶片接合器件或之后屏蔽板不能与MEMS器件结构接触。因此，就形成凹部以确保有足够的远离MEMS器件结构的顶部表面的空腔间隔。屏蔽板式导电的并且可以偏置，例如与对面MEMS器件结构相同的电压以维持MEMS器件结构和遮蔽板之间的零静电吸引力。 | ||||||
| 218 | 空腔薄膜及其制造方法 | CN201510991895.4 | 2015-12-24 | CN105439074A | 2016-03-30 | 季锋; 闻永祥; 刘琛; 孙伟 |
| 本发明提供了一种空腔薄膜及其制造方法，所述方法包括：提供第一掺杂浓度的N型硅片；在所述第一掺杂浓度的N型硅片表面形成第二掺杂浓度的第一N型层，所述第二掺杂浓度高于第一掺杂浓度；通过电化学腐蚀工艺使第二掺杂浓度的第一N型层变成第一多孔硅层；通过外延生长工艺在所述第一掺杂浓度的N型硅片上生长单晶硅层，形成第一掺杂浓度的第一N型空腔隔膜；在所述第一掺杂浓度的第一N型空腔隔膜中形成多个通孔，所述多个通孔露出部分第一多孔硅层；通过腐蚀工艺使所述第一多孔硅层变成第一空腔；通过外延生长工艺形成单晶硅层，密闭所述多个通孔。从而与CMOS工艺兼容，可实现SON器件与薄膜传感器的集成；制造工艺简单，对设备要求低。 | ||||||
| 219 | 形成纳米结构的方法 | CN201080069720.3 | 2010-10-21 | CN103249873B | 2016-03-30 | P.马迪罗维奇; Q.韦; A.M.富勒 |
| 形成纳米结构(100,100’)的方法，包括形成多层结构(10)，多层结构(10)包括建立在基底(12)上的可氧化材料层(14)和建立在可氧化材料层(14)上的另一可氧化材料层(16)。可氧化材料层(14)为在氧化期间膨胀系数大于1的可氧化材料。由另一可氧化材料层(16)形成包括多个孔(18)的模板(16’)。氧化结构(14’)由可氧化材料层(14)生长经过每个孔(18)并在模板表面之上生长。氧化结构(14’)的生长包括在每个孔(18)内形成独立的纳米柱(20)，其在基本上垂直于基底(12)的位置取向。氧化结构(14’)在基底表面之上的生长包括合并独立的纳米柱(20)的各自的末端(21)以形成基本上连续的覆盖层(22,22’)。模板(16’)被选择性地去除以暴露纳米柱(20)。 | ||||||
| 220 | MEMS器件及其形成方法 | CN201210556596.4 | 2012-12-20 | CN103193193B | 2016-03-30 | 梁凯智; 朱家骅; 李德浩; 李久康; 林宗贤 |
| 微机电系统(MEMS)器件及其形成方法。该MEMS器件可以包括位于第一衬底上方的MEMS结构。该MEMS结构包括可移动元件。在第一衬底上方沉积第一导电材料并在第二衬底中蚀刻沟槽。用第二导电材料填充沟槽并在第二导电材料和第二衬底上方沉积第三导电材料。接合第一衬底和第二衬底并减薄第二衬底的背面，所述减薄暴露沟槽中的第二导电材料。 | ||||||
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