子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 141 | 具有除气屏蔽件的MEMS设备 | CN201480058060.7 | 2014-10-20 | CN105980292A | 2016-09-28 | 陈立; T·K·努南; 杨光隆 |
| 罩式微机械设备具有位于第一气密室内的可动微机械结构以及在第二气密室内的一个以上的互连，所述第二气密室气密地隔离于所述第一气密室，以及在其罩上的屏障层，其中罩面向第一气密室，使得第一气密室隔离于来自罩的除气。 | ||||||
| 142 | 可拉伸半导体元件、可拉伸电路及其制造方法 | CN201310436116.5 | 2005-06-02 | CN103633099B | 2016-09-28 | R·G·纳佐; J·A·罗杰斯; E·梅纳德; 李建宰; 姜达荣; 孙玉刚; M·梅尔特; 朱正涛 |
| 本发明提供用于制造可印刷半导体元件并将可印刷半导体元件组装至基片表面上的方法。本发明的方法和设备组件能在含有聚合物材料的基片上产生多种柔性电子和光电子器件以及器件阵列。本发明还提供能在拉伸状态下具有良好性能的可拉伸半导体元件及可拉伸电子器件。 | ||||||
| 143 | 包括嵌入式MEMS器件的装置和用于制造嵌入式MEMS器件的方法 | CN201310345497.6 | 2013-08-09 | CN103569941B | 2016-09-28 | E.菲尔古特; R.洛伊施纳; H.托伊斯 |
| 本发明涉及包括嵌入式MEMS器件的装置和用于制造嵌入式MEMS器件的方法。公开了用于形成封装的MEMS器件的系统和方法。在一个实施例中，封装的MEMS器件包括：具有第一主表面的MEMS器件，所述第一主表面具有沿第一方向和第二方向的第一区域；部署在MEMS器件的第一主表面上的膜；以及与膜相邻的背板。封装的MEMS器件进一步包括灌封MEMS器件并限定背面容积的灌封材料，而背面容积具有沿第一方向和第二方向的第二区域，其中第一区域小于第二区域。 | ||||||
| 144 | 一种铁磁性纳米线阵列的制备方法 | CN201610356733.8 | 2016-05-26 | CN105947971A | 2016-09-21 | 杨诚; 徐超 |
| 本发明提供一种铁磁性纳米线阵列的制备方法，其包含以下步骤：提供一基底，对基底进行活化处理；配置用于沉积铁磁性纳米线阵列的反应前驱体溶液，反应前驱体溶液包括浓度大于0且小于等于1mol/L的盐溶液以及浓度大于0且小于等于1mol/L的还原剂溶液，其中盐溶液包括铁磁性金属盐、络合剂以及贵金属盐或酸；提供一反应容器，将经活化处理的基底置于反应容器中；施加平行磁场，其中平行磁场的磁场方向与基底所在的平面相垂直；将反应前驱体溶液加入到反应容器中，并加热发生反应，以于基底上制备形成铁磁性纳米线阵列。本发明提供一种新颖的非模板制备方法，由磁场控制铁磁性纳米颗粒排布以及其金属盐被还原的过程同步进行以制备形成铁磁性纳米线阵列。 | ||||||
| 145 | MEMS装置 | CN201510535440.1 | 2015-08-27 | CN105936498A | 2016-09-14 | 山田雅基 |
| 本发明涉及MEMS装置，具有：MEMS元件，设置于基板上；第一保护膜，设置于基板上及MEMS元件上，形成对MEMS元件进行收容的空洞；密封层，以覆盖保护膜的方式设置；以及第二保护膜，设置于密封层上。并且，保护膜上的密封层的外侧端部设定为基板上的空洞的端部靠外侧，从密封层的外侧端部起至空洞的端部为止的距离A与保护膜的厚度B之比B/A为0.25～0.52的范围。 | ||||||
| 146 | 研磨方法 | CN201380013722.4 | 2013-03-12 | CN104170065B | 2016-09-07 | 三岛公二; 深泽正人; 西山雅也 |
| 本发明涉及一种研磨方法，其具有以下工序：准备基板的工序，该基板具有(1)作为阻止层的氮化硅、和位于比该阻止层更靠近被研磨面侧位置的至少一部分(2)布线金属及至少一部分(3)绝缘材料；研磨工序，供给化学机械研磨液，对上述被研磨面侧的(2)布线金属及(3)绝缘材料进行研磨；以及停止研磨的工序，在(1)氮化硅露出且被完全除去之前停止研磨，其中，上述化学机械研磨液包含(A)(a)阴离子性且不包含疏水性取代基的单体与(b)包含疏水性取代基的单体的共聚物、(B)磨粒、(C)酸、(D)氧化剂及(E)液状介质，(B)成分具有在化学机械研磨液中为+10mV以上的ζ电位，(A)成分的共聚比(a)∶(b)以摩尔比计为25∶75～75∶25，且该化学机械研磨液的pH值为5.0以下。由此，能够以高研磨速度除去金属和层间绝缘膜，并且能够以高选择比对层间绝缘膜和阻止层进行研磨，从而制造尺寸精度高的半导体设备。 | ||||||
| 147 | 具有嵌套激振体质量块的惯性传感器和用于制造这样的传感器的方法 | CN201480073695.4 | 2014-10-21 | CN105917193A | 2016-08-31 | A·金洛伊; P·恩夫罗伊 |
| 本发明涉及一种惯性传感器，包括框架和换能器，至少两个激振体通过弹性装置被连接到该框架以便在悬挂平面中是可移动的，所述换能器保持激振体振动并确定激振体相对于彼此的相对移动，其特征在于，所述激振体具有单一形状和单一质量，并且所述激振体包括互锁部件，这样激振体在彼此内部嵌套，同时在悬挂平面中相对于其他激振体是可移动的，同时激振体具有彼此重合的重心。本发明还涉及一种用于制造这种传感器的方法。 | ||||||
| 148 | 用于MEMS器件的薄盖 | CN201480058712.7 | 2014-08-26 | CN105916801A | 2016-08-31 | E·凯尔维斯滕; T·埃贝福斯; N·斯维丁 |
| 本发明涉及一种器件，所述器件包括：基体基板(700)，所述基体基板具有安装于所述基体基板的微型的部件(702)。合适地所述器件设置有引线元件(704)，其用于向所述部件(702)传导信号和从所述部件(702)传导信号。所述器件还包括间隔构件(706)，其也能够用作用于上下传导信号的传导结构。还有玻璃材料的盖结构(708)，其设置在所述基体基板(700)的上方并优选地通过共晶接合经由所述间隔构件(706)与所述基体基板(700)接合，其中所述盖结构(708)包括通孔(710)，所述通孔(710)包括用于提供贯穿所述盖结构的电连接的金属。可以在将玻璃加热至软化且施加压力下，通过涉及将针压至玻璃中的预定深度的冲/压方法来制备通孔。然而，例如钻孔、蚀刻、喷丸的其它方法也是可行的。 | ||||||
| 149 | 一种三维表面顺形或共形图案的制备方法 | CN201610257442.3 | 2016-04-25 | CN105905867A | 2016-08-31 | 吴志刚; 彭鹏; 张硕 |
| 本发明公开了一种三维表面顺形或共形图案的制备方法，属于微制造领域。其包括：S1将薄膜粘附在辅助基底上；S2采用激光、切割或者蚀刻方式将薄膜加工成预定的图案，获得图案化薄膜辅助基底；S3在塑料薄膜上添加缓冲层；S4使图案化薄膜接触并粘结在所述缓冲层上；S5分离出辅助基底；S6对图案化薄膜目标基底加热，待塑料薄膜塑性增大至可在压力下变形后，将图案化薄膜目标基底移至三维模具上，利用真空压力吸附或高压，使图案化薄膜目标基底变形后贴附在三维模具表面，成为与三维模具表面形貌相同的三维表面顺形或共形图案系统。本发明方法提高了三维表面顺形或共形图案的生产效率、降低了其生产成本。 | ||||||
| 150 | 一种复合传感器及制造方法 | CN201610316602.7 | 2016-05-12 | CN105905866A | 2016-08-31 | 朱二辉; 周志健; 陈磊; 杨力建; 邝国华 |
| 本发明涉及传感器加工技术领域，尤其涉及复合传感器及制造方法，复合传感器，包括，硅衬底，硅衬底中的至少一个第一预定空腔、至少一个第二预定空腔、至少一个第三预定空腔；在硅衬底表面预定位置形成有若干个用以形成加速度传感器、压力传感器、温度传感器的半导体掺杂电阻，半导体掺杂电阻与导电线电连接；于至少一个第一预定空腔上方的悬空硅膜形成第一释放槽，于至少一个第三预定空腔上方的悬空硅膜中形成第二释放槽，第一释放槽结合第二释放槽形成一悬空释放结构；加速度传感器可动结构外部设置有限位挡板，该限位挡板具有精确的过载限位保护作用，另外其过载限位装置的结构简单，制作过程相对较容易掌握，有利于产品的批量生产。 | ||||||
| 151 | 交指型共挤设备及用于沉积包括交指型材料的结构的方法 | CN201110425122.1 | 2011-12-16 | CN102646752B | 2016-08-31 | D·K·福克; K·A·利陶 |
| 共挤设备，具有：至少一个第一入口，接收第一材料；至少一个第二入口，接收第二材料；第一组合通道，接收第一材料和第二材料并将它们组合成在第一方向上流动的第一组合流；分裂通道，接收第一组合流并将它分裂成至少部分地正交于第一方向的第二方向上的至少两个分裂流，每个分裂流由第一材料和第二材料组成；第二组合通道，接收分裂流并将它组合成第一方向上的第二组合流；及至少一个出口，布置为允许材料作为单个流流出该设备。用于沉积包括交指型材料的结构的方法，包括：将至少两个材料的流合并成第一方向上的第一组合流；在第二方向上分割第一组合流以产生至少两个分离流，其中该第二方向垂直于该第一方向；将两个分离流合并成第二组合流。 | ||||||
| 152 | 具有核壳结构的聚苯胺纳米微球的制备方法 | CN201610288808.3 | 2016-05-04 | CN105885043A | 2016-08-24 | 胡成龙; 王圆; 程欢; 陈韶云 |
| 本发明公开了一种具有核壳结构的聚苯胺纳米微球的制备方法，其步骤包括：制备单分散性的聚苯乙烯微球；将聚苯乙烯微球硝化得到硝化聚苯乙烯微球；将硝化聚苯乙烯微球还原后得到氨基化聚苯乙烯微球；将苯胺溶解在非极性有机溶剂中得到苯胺溶液后，再将氨基化聚苯乙烯微球和引发剂的酸性水溶液滴加到上述苯胺溶液中，反应得到具有核壳结构的聚苯胺纳米微球。本发明制备方法得到的核壳结构聚苯胺纳米微球不仅形貌好，尺寸均一，而且具有良好的单分散性，在水中分散性好，不易团聚。本发明制备方法简单，条件温和，无金属离子干扰，重现性好，具有很强的实用性。 | ||||||
| 153 | 微型传感器本体及其制造方法、微型传感器 | CN201410601932.1 | 2014-10-30 | CN104296799B | 2016-08-24 | 季春燕; 杨添 |
| 本发明涉及传感器制造技术领域，公开了一种微型传感器本体及其制造方法，包括以下步骤：S1：在基板上涂布湿润胶体材料形成胶体层，在胶体层的表面覆盖一层一维纳米线膜，形成传感器胚体；S2：干燥传感器胚体的胶体层，使胶体层开裂形成多个胶体岛，一维纳米线膜一部分收缩形成粘附在胶体岛表面的收缩膜片，另一部分拉伸形成连接在相邻收缩膜片之间的连接结构。本发明的传感器本体中，收缩膜片与连接结构由一维纳米线膜抻拉而成，两者连接稳定性好，提高传感器件的稳定性；使用裂化的方法，容易获得大规模稳定悬浮的连接结构阵列传感器本体。本发明还提供一种传感器。 | ||||||
| 154 | 平面度自补偿的大面积微加工用多针尖阵列制备方法 | CN201610207578.3 | 2016-04-06 | CN105858595A | 2016-08-17 | 钱林茂; 陈家良; 余丙军; 张超杰; 金晨宁; 汪洪波; 陈诚 |
| 一种平面度自补偿的大面积微加工用多针尖阵列制备方法，其作法是：在载玻片(4)上镀一层蜡片薄膜(3)，并在蜡片薄膜(3)上形成均匀排列的凹槽(2)；将微球(6)逐个置于各个凹槽(2)中，再用玻片(7)将微球(6)压入蜡片薄膜使所有的微球(6)均接触到载玻片(3)；将弹性材料片(10)粘接在平整的针尖板(8)上，再涂一层紫外胶(11)。将针尖板(8)的紫外胶面平压在微球(6)上，同时紫外照射紫外胶，使紫外胶固化，微球(6)粘接在针尖板(8)上；最后将蜡片薄膜融化，取走载玻片(4)，清洗掉微球(6)表面残留的蜡，即得。该法加工出的多针尖阵列平面度好，各针尖的高度一致；且其制备简单、成本低、易于实施。 | ||||||
| 155 | 用于高灵敏生化检测的微型双端固支梁传感器的制作方法 | CN201610206744.8 | 2016-04-05 | CN105858593A | 2016-08-17 | 王晶晶; 杨晋玲; 朱银芳; 张金英; 杨富华 |
| 一种用于高灵敏生化检测的微型双端固支梁传感器的制作方法，包括：对SOI片进行清洗；淀积二氧化硅层；形成两个压阻以及电学连接线；光刻和刻蚀，形成窗口；刻蚀出局域修饰区，在双端固支梁的表面生长金属薄膜；生长掩膜层；在窗口内掩膜层的表面刻蚀；刻蚀，得到双端固支梁的悬空结构；刻蚀，去除双端固支梁上的掩膜层；选用一封装盖片，将封装盖片扣置键合在双端固支梁器件的上面，形成反应液体的微流道以及反应腔；对双端固支梁局域修饰区硅表面采用硅烷化处理。本发明可以提高双端固支梁器件的成品率以及质量灵敏度，降低生产成本。 | ||||||
| 156 | 晶片封装体与其制备方法 | CN201610069667.6 | 2016-02-01 | CN105858586A | 2016-08-17 | 温英男; 姚皓然; 刘建宏 |
| 一种晶片封装体与其制备方法，该晶片封装体包含：一基板；一顶盖层，位于基板上，且具有一第一开口贯穿顶盖层；一第一腔室，位于基板与顶盖层之间；一第一微机电元件，位于第一腔室中；一第一塞件，位于第一开口中；以及一第一密封盖，位于顶盖层上以密封第一开口。本发明能整合不同的微机电元件于晶片封装体中，且密封盖还能防止腔室漏气的情事发生，进而提升晶片封装体的良率与使用寿命。 | ||||||
| 157 | 碗状金属纳米结构的制备方法 | CN201410031509.2 | 2014-01-23 | CN104803342B | 2016-08-17 | 朱振东; 李群庆; 白本锋; 范守善 |
| 本发明涉及一种碗状金属纳米结构阵列的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在所述基底的表面设置一金属层；在所述金属层远离基底的表面设置一图形化的掩模层，该图形化的掩模层包括多个间隔设置的凸块，相邻的凸块之间的金属层被暴露；对上述结构进行退火处理，使每个凸块的顶面形成多个裂纹；以及采用物理性刻蚀气体和反应性刻蚀气体同时刻蚀，对应在每个凸块的位置形成一碗状金属纳米结构。本发明还涉及一种利用上述制备方法所制备的碗状金属纳米结构阵列以及一种利用该碗状金属纳米结构阵列的检测系统。 | ||||||
| 158 | 一种导向自组装共聚物组合物及其相关方法 | CN201410043788.4 | 2014-01-29 | CN103980648B | 2016-08-17 | P·特雷福纳斯; P·赫斯塔德; 顾歆宇; E·沃格尔; V·靳兹伯格; 张诗玮; D·默里 |
| 本发明涉及一种导向自组装共聚物组合物及其相关方法，提供了一种共聚物组合物，该共聚物组合物包括具有聚（苯乙烯）嵌段和聚（丙烯酸甲硅烷基酯）嵌段的嵌段共聚物；其中所述嵌段共聚物的数均分子量MN是1?1000千克/摩尔；以及，其中所述嵌段共聚物的多分散性PD是1?2。还提供了用所述共聚物组合物处理的基材。 | ||||||
| 159 | MEMS传感器封装及其方法 | CN201280055218.6 | 2012-11-09 | CN103958393B | 2016-08-17 | 韩龙熙; 金衡原; 安美淑 |
| 本发明涉及MEMS传感器封装及其方法。一种微机电系统(MEMS)传感器封装，包括：第一晶片，其上形成有读出集成电路(ROIC)；第二晶片，其对应于第一晶片设置并在其一侧上具有凹部以及在凹部上制备的MEMS传感器；连结焊料，其沿MEMS传感器周围形成并通过连结第一和第二晶片而密封MEMS传感器；以及盘焊料，其形成为电连接第一晶片的ROIC电路和第二晶片的MEMS传感器。根据本公开，在对其上形成有ROIC的晶片和其上形成有MEMS传感器的晶片进行连结和封装时，通过在内部形成盘焊料以电连接ROIC和MEMS传感器封装件的尺寸可减小并可稳定地提供电信号。 | ||||||
| 160 | 使用分层技术形成石墨烯图案的方法和设备 | CN201280023317.6 | 2012-05-10 | CN103703543B | 2016-08-17 | 李善淑; 郑大成; 金韩善; 安基硕; 郑泽模; 金唱均; 李永国 |
| 本发明涉及一种使用分层技术应用聚合物印模的石墨烯图案形成方法。所述技术适合用于形成具有任意目标图案的石墨烯图案。根据本发明，在基质上形成的石墨烯层的一部分使用聚合物印模进行物理地、选择性地分层，以简单容易地在基质上形成具有均匀线宽的所需石墨烯图案。另外，在所述基质上形成的所述石墨烯层的一部分使用旋转体印模或者通过使用具有大面积的印模以辊对辊的方式进行物理地、选择性地分层，以简单容易地在具有大面积的基质上形成具有均匀线宽的所需石墨烯图案。 | ||||||
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