子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 181 | 石墨烯纳米窄带的制备方法 | CN201210096855.X | 2012-04-05 | CN103359718B | 2015-07-01 | 林晓阳; 姜开利; 范守善 |
| 本发明涉及一种石墨烯纳米窄带的制备方法，包括以下步骤：提供一基底，设置一石墨烯膜于该基底的上表面，设置两个条形电极于该石墨烯膜的上表面，且与该石墨烯膜电绝缘；提供一碳纳米管拉膜复合结构，覆盖于该石墨烯膜的上表面，且与所述两个条形电极电接触，该碳纳米管拉膜复合结构由一碳纳米管拉膜结构与一高分子材料复合而成，该碳纳米管拉膜结构包括多个定向排列的碳纳米管束以及分布于其间的带状间隙；通过所述两个条形电极给该碳纳米管拉膜复合结构通电，加热并去除所述多个碳纳米管束周围部分的高分子材料，从而露出该多个碳纳米管束；利用反应离子刻蚀该多个碳纳米管束及位于其下方的石墨烯膜，获得多个定向排列的石墨烯纳米窄带。本发明还涉及一种高分子掩膜的制备方法。 | ||||||
| 182 | 金属树脂复合体和金属树脂复合体的制造方法 | CN201380054093.X | 2013-10-09 | CN104736337A | 2015-06-24 | 小泉浩二; 渡边佑典; 泷花吉广; 山本晋也 |
| 本发明的金属树脂复合体(100)的树脂构件(101)与金属构件(102)接合，是通过将树脂构件(101)与金属构件(102)接合而得到的。树脂构件(101)由含有热固性树脂(A)作为树脂成分的热固性树脂组合物(P)构成。金属构件(102)至少与树脂构件(101)接合的接合面(103)的光泽度为0.1～30。这里，光泽度表示按照ASTM-D523测定的测定角度60°的值。 | ||||||
| 183 | 用于配电柜柜体和柜门的板材及配电柜 | CN201510085740.4 | 2015-02-17 | CN104734028A | 2015-06-24 | 郭伟萍 |
| 本发明公开了一种用于配电柜柜体和柜门的板材，属于电力设备领域。包括夹层，所述夹层内从外向内设有屏蔽层、保温层，所述夹层内侧设有防火层。在传统的夹层中设置屏蔽层可以避免强电磁环境下，电磁对配电柜内精密电力设备的影响，保证其正常运行；在屏蔽层内侧设置保温层，可以减缓板材将柜体外的高温导入到柜体内，保持柜体温度正常稳定；在夹层内侧设有防火层在柜体内发生火灾时，可以防止火灾的扩散。本发明还公开了一种采用上述板材的配电柜。 | ||||||
| 184 | 电光部件及其制造方法 | CN201380048584.3 | 2013-08-16 | CN104718637A | 2015-06-17 | 爱德华·威廉·艾伯特·扬; 多萝特·克丽丝婷·赫尔墨斯; 莱昂纳德斯·玛丽亚·图宁; 赫贝特·利夫卡 |
| 一种电光部件，包括：负载有导电材料的导电结构(20)的基板(10)，该导电结构(20)被埋置在阻挡结构(30)中，该阻挡结构(30)具有第一无机层(32)、第二无机层(34)、以及在无机层之间的有机层(36)，第二无机层和有机层通过导电结构划分成有机层部分(36a)；电光部件还包括电光元件(40)，该电光元件(40)具有第一半透明导电层(42)、第二导电层(44)、以及布置在第一导电层与第二导电层之间的电光层(46)，其中半透明导电层为阴极并且第二导电层为阳极，或者半透明导电层为阳极并且第二导电层为阴极；并且其中电光部件还包括保护层(50)，该保护层(50)结合阻挡结构封闭电光元件(40)，其特征在于：导电结构包括封闭网格(24)和至少一个导电元件(22a)，其中所述至少一个导电元件(22a)被布置在通过封闭网格(24)封闭的区域(26a)中，并且其中第一半透明导电层(42)被施加在封闭网格(24)的背对基板(10)的表面处，并且其中第二导电层(44)在侧向超出第一半透明导电层(42)和电光层(46)的位置处物理接触并且电接触所述至少一个导电元件(22a)。 | ||||||
| 185 | 粘合剂组合物及粘合片 | CN201380053800.3 | 2013-10-28 | CN104718263A | 2015-06-17 | 中山秀一; 上村和惠; 小野义友; 西岛健太 |
| 本发明涉及一种粘合片，其具有由粘合剂组合物形成的粘合剂层，所述粘合剂组合物含有重均分子量为2万以上的聚异丁烯类树脂(A)、苯乙烯类共聚物(B)、和软化点为135℃以下的增粘剂(C)，所述成分(B)为选自苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物(SBS)、苯乙烯-嵌-(乙烯-共-丁烯)-嵌-苯乙烯三嵌段共聚物(SEBS)、苯乙烯-异丁烯二嵌段共聚物(SIB)、及苯乙烯-异丁烯-苯乙烯三嵌段共聚物(SIBS)中的一种以上。该粘合片具有优异的粘合力、抑制水分侵入的效果优异、且透明性良好。 | ||||||
| 186 | 物品和层叠体 | CN201380051803.3 | 2013-09-02 | CN104703790A | 2015-06-10 | 八月朔日猛; 河口竜巳; 木村康孝 |
| 根据本发明，提供一种物品，其具备：由含有纤维填料和树脂的材料组合物构成且通过抄造法得到的主体部(10)、以及被覆上述主体部(10)的功能层(20)。 | ||||||
| 187 | 含有双向拉伸聚对苯二甲酸丁二醇酯膜的冷成形电池壳包材 | CN201180055416.8 | 2011-12-22 | CN103222083B | 2015-06-10 | 永江修一; 浜田和宏; 本田翼; 村上武典 |
| 在冷成形电池壳包材中，通过使用双向拉伸聚对苯二甲酸丁二醇酯膜作为基材层和/或阻隔材强化层，不损害耐酸性和防潮性，确保优异的冷成形性，从而获得防潮性、耐酸性和冷成形性优异的含有双向拉伸聚对苯二甲酸丁二醇酯膜的冷成形包材，特别是锂离子二次电池等电池用的包材。在依次层压基材层、阻隔层、密封层或基材层、阻隔层、阻隔材强化层、密封层的冷成形电池壳包材中，使用双向拉伸聚对苯二甲酸丁二醇酯膜作为基材层和/或阻隔材强化层。 | ||||||
| 188 | 一种陶瓷-金属复合体及其制备方法 | CN201410715338.5 | 2015-03-23 | CN104669719A | 2015-06-03 | 不公告发明人 |
| 一种陶瓷-金属复合体，包括陶瓷层和镁金属层，陶瓷层与镁金属层之间在不经过中间结合层的情况下直接结合；其中，镁金属层的镁含量≥80wt.％，陶瓷层是氧化锆或氧化铝。该陶瓷-金属复合体的制备方法为：将陶瓷与镁金属在惰性气体的保护下，在420℃以上的温度下，施加0.1MPa以上的压力使陶瓷与镁金属相互接触，在接触时镁金属保持熔融的状态。本发明所得到的陶瓷-金属复合体，具有高强度和高热稳定性，可以用在钟表、电子器材等的外壳材料上。 | ||||||
| 189 | 封装设备和封装方法 | CN201510053620.6 | 2015-02-02 | CN104637843A | 2015-05-20 | 王伟; 孙中元 |
| 本发明公开了一种封装设备和封装方法，所述封装设备包括相对设置的第一平台和第二平台，所述第一平台能够朝向或远离所述第二平台作往复移动，所述第一平台上设置有第一电磁装置，所述封装设备还包括至少一个能够被所述第一电磁装置吸附的磁性贴片，所述磁性贴片的一侧用于与所述第一平台相贴附，所述磁性贴片的另一侧用于与待封装的基板相贴附，且所述基板能够可分离地固定在所述第一平台上。本发明能够实现基板在高真空环境下进行封装，并且可确保基板在释放时不发生偏移，提高了对位封装的精度。 | ||||||
| 190 | 各向异性导电膜、各向异性导电膜的制造方法、连接体的制造方法及连接方法 | CN201380048543.4 | 2013-09-17 | CN104619799A | 2015-05-13 | 佐藤宏一; 阿久津恭志 |
| 本发明目的在于在利用各向异性导电膜的连接中，谋求降低连接后的基板翘曲。各向异性导电膜（23）包括：第1绝缘性粘接剂层（30）；第2绝缘性粘接剂层（31）；以及被第1绝缘性粘接剂层（30）及第2绝缘性粘接剂层（31）挟持并在绝缘性粘接剂（33）含有导电性粒子（32）的含导电性粒子层（34），在含导电性粒子层（34）与第1绝缘性粘接剂层（30）之间含有气泡（41），含导电性粒子层（34）中，与第2绝缘性粘接剂层（31）相接的导电性粒子（32）的下部的硬化度低于其他部位的硬化度。 | ||||||
| 191 | 表面处理铜箔，其制造方法以及覆铜层压印刷电路板 | CN201180004965.2 | 2011-01-21 | CN102713020B | 2015-05-13 | 藤泽哲; 宇野岳夫; 服部公一 |
| 本发明提供一种工业上优异的表面处理铜箔，可满足与聚酰亚胺等绝缘树脂的粘合性、耐热粘合性、耐药品性及软蚀刻性。并且提供一种表面处理铜箔的制造方法，绝缘树脂与铜箔间的粘接强度强，在形成电路时具有耐药品性，在由激光加工形成孔后也有良好的软蚀刻性。对基材铜箔进行粗化处理，使表面粗糙度Rz在1.1μm以下，在该粗化处理表面上形成Ni-Zn合金层。所述粗化处理在粗化处理面上形成宽度为0.3～0.8μm，高度为0.6～1.8μm，高宽比为1.2～3.5的前端尖细的凸部形状，使所述基材铜箔的表面粗糙度Rz在增加0.05～0.3μm的范围内实施，所述Ni-Zn合金层的Zn含量(wt％)为6～30％，Zn附着量在0.08mg/dm2以上。 | ||||||
| 192 | 层叠陶瓷电子部件的制造方法及层叠陶瓷电子部件 | CN201410513512.8 | 2014-09-29 | CN104599841A | 2015-05-06 | 堤启恭 |
| 本发明的课题在于提供内部电极与陶瓷层的分层难以发生、且安装稳定性优异的层叠陶瓷电子部件的制造方法。该层叠陶瓷电子部件的制造方法具备以下工序：准备第1母陶瓷外层(7)，在该第1母陶瓷外层(7)上，层叠多个内部电极(5)和多片母陶瓷生片(8)，进一步在形成母陶瓷内侧外层(9)后，沿层叠方向施加第1压制的工序；在上述母陶瓷内侧外层(9)上，形成母陶瓷外侧外层，从而形成第2母陶瓷外层后，沿层叠方向施加第2压制，从而形成母层叠体的工序；切割上述母层叠体，得到各个层叠体的工序；对上述各个层叠体进行烧结，得到陶瓷体的工序；在上述陶瓷体的外表面形成第1、第2外部电极的工序。 | ||||||
| 193 | 电磁波屏蔽用膜和电子部件的覆盖方法 | CN201380043490.7 | 2013-08-14 | CN104584708A | 2015-04-29 | 八束太一; 白石史广 |
| 本发明的电磁波屏蔽用膜为用于覆盖基板上的凸部的电磁波屏蔽用膜，该电磁波屏蔽用膜构成为包括基材层和叠层于该基材层的一个面侧的遮断层。上述基材层由叠层有至少2个层的叠层体构成。本发明提供一种电磁波屏蔽用膜，其提高基板的设计自由度，且实现轻量化、薄型化，并且对于具有500μm以上的凸部的电子部件，具有良好的形状追随性。另外，本发明提供使用上述电磁波屏蔽用膜的电子部件的覆盖方法。 | ||||||
| 194 | 层合聚酯膜 | CN200880117479.X | 2008-12-09 | CN101873931B | 2015-04-22 | 新沼馆浩; 桥本幸吉; 木村将弘; 仲村博门 |
| 本发明提供一种能够同时满足柔软性、耐溶剂性、印刷性、耐热性、成型性、耐经时脆化性，并且性价比优异的层合聚酯膜。所述层合聚酯膜的特征在于，在以聚酯(A)为主要成分的聚酯(A)层的至少一面上层合以聚酯(B)为主要成分的聚酯(B)层，层合膜在23℃气氛下的弹性模量在20～1000MPa的范围内，在120℃气氛下的弹性模量在10～200MPa的范围内，并且实质上无取向。 | ||||||
| 195 | 离型层、基板结构、与柔性电子元件工艺 | CN201410130994.9 | 2014-04-02 | CN104512075A | 2015-04-15 | 林志成; 吕奇明; 郭育如 |
| 本发明提供的基板结构，应用于柔性电子元件工艺，包括：支撑载体；离型层，以第一面积覆盖支撑载体，其中离型层为芳香性聚亚酰胺；以及柔性(flexible)基板，以第二面积覆盖离型层与支撑载体，其中第二面积大于第一面积，且柔性基板与支撑载体之间的密着度大于离型层与支撑载体之间的密着度。 | ||||||
| 196 | 制造具有不对称积层的基板的方法 | CN201080034121.8 | 2010-07-28 | CN102656955B | 2015-04-15 | 安德鲁·雷昂; 罗登·托帕西欧; 里安·马丁内斯; 易普森·罗 |
| 本发明披露了制造用于电子封装的基板的方法，该基板具有芯层、在芯层第一面上的m层积层以及在芯层第二面上的n层积层，其中m≠n。该方法包括：在第一面上形成m层积层中的(m-n)层，然后形成n对积层，该n对积层中的每对包括形成在第二面上的n层积层中的一层以及形成在第一面上的m层积层的剩余n层中的一层。每层积层包括介电层以及形成在其上的导电层。本发明披露的方法通过避免在基板制造期间对介电材料重复去钻污以保护每层积层中的介电层不被过度去钻污。 | ||||||
| 197 | 覆盖膜 | CN201180049553.0 | 2011-04-18 | CN103153811B | 2015-04-08 | 佐佐木彰; 德永久次; 藤村彻夫 |
| 本发明公开了一种与载带组合使用的覆盖膜，其至少含有基材层(A)、中间层(B)、剥离层(C)及可热封于载带的热封层(D)，中间层(B)含有使用茂金属催化剂聚合得到的、拉伸模量为200MPa以下的直链低密度聚乙烯作为主成分；剥离层(C)含有导电材料，并且含有芳香族乙烯基含量为15至35质量%的芳香族乙烯-共轭二烯共聚物的氢化树脂作为主成分。此种覆盖膜在剥离时剥离强度的偏差小，可抑制剥离时组装工序中的问题。 | ||||||
| 198 | 用于制造复合膜的嵌体的方法和装置以及具有嵌体的复合膜 | CN201080030868.6 | 2010-07-01 | CN102470688B | 2015-04-08 | O.穆特; D.多纳特; J.卡勒泽; M.哈格曼 |
| 本发明涉及用于制造复合膜的嵌体的一种方法和一种装置以及一种复合膜，所述嵌体尤其用于继续处理成例如智能卡，其中其上设置有多个且相互对应的电子部件（17，18）的载体膜（12）被输送给图像检测装置（23），通过该图像检测装置检测作为应用（16）的电子部件（17，18）的位置，其中敷设在该载体膜（12）上的激光敏感的补偿膜（14）首先被输送给激光切割装置（27），其中通过该图像检测装置（23）所检测的、关于相应电子部件（17，18）在该载体膜（12）上位置的数据被传输至该激光切割装置（27），并且该激光切割装置（27）被控制用于制造空隙（28），该空隙与电子部件（17，18）的相应位置相匹配，其中其上引入有空隙（28）的补偿膜（14）和载体膜（12）在组合站（34）中被组合，并且配合精密地相互对准地被固定成嵌体（36），其中利用激光切割装置（27）来制造空隙（28），利用另一激光切割装置或利用标记装置（30）为每个应用（16）或一组应用（16）根据相应检测的、电子部件（17，18）在载体膜（12）上的位置而将控制标志（32）敷设到补偿膜（14）上。 | ||||||
| 199 | 非晶质无机阴离子交换体、电子零件封装用树脂组合物及非晶质铋化合物的制造方法 | CN201380032643.8 | 2013-06-13 | CN104487169A | 2015-04-01 | 宫村健太郎; 饭沼知久; 大野康晴 |
| 本发明的目的在于提供一种具有优异的阴离子交换性、对金属腐蚀性少的非晶质无机阴离子交换体，并提供一种可制造具有优异的阴离子交换性、对金属腐蚀性少的非晶质铋化合物的制造方法。本发明的非晶质无机阴离子交换体的特征在于：通过电子显微镜观察的平均一次粒径为1nm以上500nm以下，NO3含量为全体的1重量％以下，由式[1]所表示。本发明的非晶质铋化合物的制造方法的特征在于包含沉淀生成步骤，在该步骤中，将含有3价铋离子的酸性水溶液以高于0℃低于20℃的温度范围，调整pH为12以上，从而使沉淀生成，得到的非晶质铋化合物为式[1]所示，且NO3含量为1重量％以下，BiO(OH)[1]。 | ||||||
| 200 | 导电光学元件、输入元件及显示元件 | CN201380037856.X | 2013-07-02 | CN104471444A | 2015-03-25 | 远藤惣铭; 和田丰; 福田智男 |
| 本发明提供一种导电光学元件。其具备基体、由基体支撑且以小于等于可见光的波长的间距配置的多个结构体、以及设于结构体的表面侧且具有与该结构体的表面形状相似的形状的透明导电层。多个结构体的各折射率x与纵横比y满足y≥-1.785x+3.238、及y≤0.686的关系式。 | ||||||
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