| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 保护膜形成用膜 | CN201480010200.3 | 2014-03-18 | CN105009277B | 2017-10-27 | 山本大辅; 高野健 |
| 本发明涉及一种保护膜形成用膜，其由树脂层α和树脂层β叠层而成，所述树脂层α含有(A1)丙烯酸类聚合物和(B1)环氧类固化性成分，所述树脂层β含有(A2)聚合物、(B2)环氧类固化性成分、(D2)着色剂和(E2)填充材料，所述(A2)聚合物是不同于(A1)丙烯酸类聚合物的聚合物，构成(A1)丙烯酸类聚合物的单体不含含有环氧基团的单体或者以全部单体的8质量％以下的比例包含含有环氧基团的单体，并且(A1)丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度为‑3℃以上，按照JIS Z 8741测定的所述树脂层β的表面固化后的光泽值为20以上。 | ||||||
| 2 | 脱模片及使用其的背衬片叠层体 | CN201480043497.3 | 2014-09-04 | CN105451989B | 2017-10-13 | 酒井贤司; 松井梨绘 |
| 本发明提供一种脱模片，其对背衬片叠层体赋予硬挺度，可以提高背衬片叠层体的适用性，且在背衬片叠层体进行卷绕时，不会在背衬片的表面产生背衬片叠层体的卷绕始端引起的凹陷。本发明的脱模片可剥离地配置在叠层一体化于背衬片上的粘合剂层上而使用，所述背衬片介于被研磨物和台板之间而使用，其特征在于，所述脱模片为矩形且宽度为2.4m以上，整体的厚度为190μm以下，其包含：片材主体、和叠层一体化于所述片材主体的两个表面的脱模剂层，所述片材主体包含厚度为10～60μm的聚酯类树脂膜及叠层一体化于所述聚酯类树脂膜上的纸基材。 | ||||||
| 3 | 保护膜形成用复合片 | CN201480041620.8 | 2014-07-16 | CN105408105B | 2017-08-25 | 米山裕之; 佐伯尚哉 |
| 本发明提供保护膜形成用复合片(1)，其具备在基材(21)的一面侧叠层粘合剂层(22)而成的粘合片(2)、和叠层于粘合片(2)的粘合剂层(22)侧的保护膜形成膜(3)，粘合片(2)不具有沿厚度方向贯穿该粘合片(2)的通孔，使用积分球测定的粘合片(2)在波长532nm下的透光率为75～85％。根据该保护膜形成用复合片(1)，即使使用不具有通孔的粘合片，也能够在对保护膜形成膜(保护膜)进行激光打印时抑制在粘合片与保护膜形成膜(保护膜)之间产生气体积存。 | ||||||
| 4 | 用于压缩模制或层合的热熔型固化性有机硅组合物 | CN201380066857.7 | 2013-12-20 | CN104870585B | 2017-06-20 | 吉田真宗; 吉武诚; 山崎春菜; 尼子雅章; S·斯维尔; 中田稔树 |
| 本发明涉及一种用于压缩模制或层合的可热熔的固化性有机硅组合物和具有包含所述组合物的至少一个层的层合体，以及使用这些的半导体器件及其制造方法。根据本发明，可有效地制造具有半球形透镜或圆顶形密封体的半导体器件。在本发明中，易于控制所述密封体的形状，并且所述密封体不含任何气泡。在本发明中，还易于与所述密封体分开地控制所述半导体器件的涂层的厚度。 | ||||||
| 5 | 带固化性树脂膜形成层的片材以及使用了该片材的半导体装置的制造方法 | CN201380062060.X | 2013-11-29 | CN104797423B | 2017-06-13 | 小曾根雄一; 古馆正启; 市川功 |
| [课题]其目的在于，提高作为粘接膜、保护膜的前体而发挥功能的树脂膜形成层或其固化后的树脂膜与作为被粘物的半导体芯片、半导体晶片的粘接性。[解决方案]本发明所述的带固化性树脂膜形成层的片材的特征在于，其具有支撑片材、以及以可剥离的方式形成在该支撑片材上的固化性树脂膜形成层，该固化性树脂膜形成层包含固化性粘结剂成分和硅烷偶联剂（C），且在固化性树脂膜形成层的固化后的树脂膜中，树脂膜的至少1个表面的源自硅烷偶联剂（C）的表面硅元素浓度（X）为在深度方向上距离该表面40~60nm、60~80nm、80~100nm的各深度范围处至少各1点、合计3点以上测定的源自硅烷偶联剂（C）的内部硅元素浓度的平均值（Y）的3.4倍以上。 | ||||||
| 6 | 用于临时接合超薄晶片的方法和装置 | CN201380012296.2 | 2013-03-09 | CN104145330B | 2017-05-17 | G·乔治; S·卢特尔 |
| 一种用于临时接合第一晶片和第二晶片的方法，包括将第一粘合剂层涂覆在第一晶片的第一表面上，然后固化的第一粘合剂层。接着，将第二粘合剂层涂覆在第二晶片的第一表面上。接着，将第一晶片插入接合器模组内并由一个上卡盘组件保持住第一晶片，使带有固化的第一粘合剂层的第一表面朝下。接着，将第二晶片插入接合器模组内并放置在一个下卡盘组件上，使第二粘合剂层面朝上并与第一粘合剂层相对。接着，向上移动下卡盘组件，使第二粘合剂层与固化的第一粘合剂层相接触，然后固化第二粘合剂层。 | ||||||
| 7 | 切割片用基材膜及切割片 | CN201480079976.0 | 2014-06-18 | CN106663616A | 2017-05-10 | 田矢直纪; 仁藤有纪; 宫武祐介 |
| 本发明涉及一种切割片用基材膜(2)，其为用于具备基材膜(2)、层叠于基材膜(2)一个面上的粘着剂层(3)的切割片(1)的切割片用基材膜(2)，至少具有与切割片(1)的粘着剂层(3)接触的第一树脂层(A)、卷取切割片用基材膜(2)时与第一树脂层(A)接触的第二树脂层(B)，第二树脂层(B)的结晶度为28～45％，第一树脂层(A)的拉伸弹性模量相对于第二树脂层(B)的拉伸弹性模量的比例为1.2～3.0，第一树脂层(A)的厚度相对于切割片用基材膜(2)的厚度的比例为20～60％。 | ||||||
| 8 | 半导体器件的制造方法 | CN201480007989.7 | 2014-03-14 | CN104981889B | 2017-03-08 | 立冈正明; 中嶋经宏 |
| 本发明提供一种利用能应用于1000℃左右的高温工艺的将支承基板与半导体晶片相粘接的方法的半导体器件的制造方法。该半导体器件的制造方法，包括如下工序：背面接合工序，在该背面接合工序中，将支承基板隔着陶瓷粘接剂层以及掩模与半导体晶片的背面相接合，以形成接合体；功能结构形成工序，在该功能结构形成工序中，在所述半导体晶片的正面形成功能结构；剥离工序，在该剥离工序中，去除所述陶瓷粘接剂层及所述掩模，将所述支承基板从所述半导体晶片剥离；以及背面处理工序，在该背面处理工序中，对所述半导体晶片的背面进行背面处理。 | ||||||
| 9 | 对临时键合的半导体晶片去键合 | CN201280060029.8 | 2012-10-29 | CN103988282B | 2016-08-17 | G·乔治; C·罗森萨尔 |
| 所描述的方法和设备提供对器件晶片和载体晶片之间粘附性键合的受控扰动。可以是机械、化学、热或辐射性的该受控扰动便于两个晶片的分离，而不损坏器件晶片。该受控扰动或者在接合两个晶片的粘附剂内、或者在粘附层内的界面(诸如释放层与粘附剂之间)处或者在晶片/粘附剂界面处引发裂纹。然后可以使用用于引发裂纹的上述方法中的任一方法或其组合来扩展裂纹。 | ||||||
| 10 | 半导体器件及其制造方法 | CN201310049942.4 | 2013-02-07 | CN103247541B | 2016-08-03 | 伊万·尼基廷; 亚历山大·海因里希; 斯特凡·兰道; 约阿希姆·马勒; 拉尔夫·沃姆巴赫尔 |
| 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，该方法包括提供转移箔。将多个半导体芯片布置在转移箔上并粘附至转移箔。将粘附至转移箔的多个半导体芯片布置在多器件载体之上。施加热以将转移箔层压在多器件载体上，从而将多个半导体芯片容纳在层压的转移箔与多器件载体之间。 | ||||||
| 11 | 层叠体及阻气膜 | CN201480065608.0 | 2014-12-11 | CN105813838A | 2016-07-27 | 堀池乔文; 佐藤尽; 高岛菜穗 |
| 层叠体(10)具有：第一基材(11)；原子层沉积膜(12)，其是配置于所述第一基材的第一面(11a)上的无机氧化物层；第二基材(14)，其配置于所述原子层沉积膜的一面上；第一粘接剂层(13)，其配置于所述原子层沉积膜和所述第二基材之间，从而粘接所述原子层沉积膜和所述第二基材。 | ||||||
| 12 | 切割片用基材膜及基材膜的制造方法 | CN201480063776.6 | 2014-11-07 | CN105765699A | 2016-07-13 | 中村润一; 宫崎健太郎; 田矢直纪 |
| 本发明提供一种抑制切割工序中切削片的产生、扩张性及复原性优异的基材膜。所述基材膜(2)具备切削片抑制层(A)上层叠的、具有多个树脂类层状体层叠结构的扩张层(B)，配置于切削片抑制层(A)最近侧的树脂类层状体(B1)在10％延伸5分钟后的应力松弛率R1(单位：％)与配置于切削片抑制层(A)最近侧的树脂类层状体(B1)以外的树脂类层状体(B2)在10％延伸5分钟的后的应力松弛率R2(单位：％)满足在下述式(i)至(iii)中表示的条件，切削片抑制层(A)含有：含环树脂(a1)，其为具有芳香族类环及脂肪族类环中的至少一种的热塑性树脂，非环烯烃类树脂(a2)，其为含环树脂(a1)以外的烯烃类热塑性树脂。R1≤30％(i)，R2≥20％(ii)，R1＜R2(iii)。 | ||||||
| 13 | 用于把半导体晶片从载体衬底分离的装置和方法 | CN201080038912.8 | 2010-08-20 | CN102612740B | 2016-05-11 | F.P.林德纳; J.布尔格拉夫 |
| 用于借助安装在薄膜框架（1）上的柔性薄膜（3）把半导体晶片（4）从通过连接层（6）与所述半导体晶片（4）相连接的载体衬底（2）分离的装置和方法，所述薄膜包含粘合层（3s）以在所述薄膜（3）的接触面片段（3k）中容纳所述半导体晶片（4），其中所述薄膜（3）在所述薄膜框架（1）上安装在薄膜（3）的围绕所述接触面片段（3k）的固定片段（3b）中，并且其中所述薄膜（3）包含位于所述接触面片段（3k）与所述固定片段（3b）之间的可张紧片段（3a），并且其中从外周（4u）开始引起所述半导体晶片（4）从所述载体衬底（2）的分离。 | ||||||
| 14 | Cu-陶瓷接合体、Cu-陶瓷接合体的制造方法及功率模块用基板 | CN201480044605.9 | 2014-09-25 | CN105452195A | 2016-03-30 | 寺崎伸幸; 长友义幸 |
| 本发明的Cu-陶瓷接合体为使用含Ag及Ti的接合材料来接合由铜或铜合金构成的铜部件与由AlN或Al2O3构成的陶瓷部件的Cu-陶瓷接合体，在所述铜部件与所述陶瓷部件的接合界面形成有由Ti氮化物或Ti氧化物构成的Ti化合物层，在该Ti化合物层内分散有Ag粒子。 | ||||||
| 15 | 聚酰亚胺树脂 | CN201480032987.3 | 2014-07-03 | CN105283487A | 2016-01-27 | 末永修也; 松丸晃久 |
| 一种聚酰亚胺树脂，其为包含下述通式(1)所示的重复结构单元和下述通式(2)所示的重复结构单元的聚酰亚胺树脂，通式(2)所示的重复结构单元的含量相对于通式(1)所示的重复结构单元与通式(2)所示的重复结构单元的总和处于特定范围，且下述结构式(B1)所示的2价基团的含量处于特定范围。式(1)(2)(X1为包含脂环式烃结构的碳原子数4～22的4价基团。X2为包含芳香环的碳原子数6～22的4价基团。R1和R2各自独立地为2价有机基团，下述结构式(B1)所示的2价基团的含量相对于R1与R2的总和为80～100摩尔％。)式(B1)。 | ||||||
| 16 | 电子部件装置的制造方法、层叠片、以及电子部件装置 | CN201480028638.4 | 2014-04-16 | CN105210184A | 2015-12-30 | 千岁裕之; 龟山工次郎; 丰田英志; 石坂刚 |
| 一种半导体装置的制造方法，其具备：工序A，准备在被安装体上安装有电子部件的层叠体；工序B，准备层叠片，该层叠片具有用于密封电子部件的密封用片、和由不同于密封用片的材质形成的功能层；工序C，以安装有电子部件的面朝上的方式将层叠体配置在加热板上，并且，以将密封用片表面作为下侧的方式将层叠片配置在层叠体的安装有电子部件的面上；和工序D，在工序C之后，进行热压，通过将电子部件埋入密封用片来进行密封，在工序D之后，功能层的侧面的至少一部分被构成密封用片的树脂被覆。 | ||||||
| 17 | 化学钢化的柔性超薄玻璃 | CN201380074682.4 | 2013-03-15 | CN105102386A | 2015-11-25 | 王玺; 和峰; J·西默 |
| 本发明提供了一种化学钢化的超薄玻璃，所述玻璃的厚度为小于500微米，表面压缩层的深度为最高30微米。所述钢化的超薄玻璃板更柔性以及在玻璃易于加工处理的情况下具有令人惊奇的抗热震性。 | ||||||
| 18 | 底层填充材料、密封片材及半导体装置的制造方法 | CN201480018225.8 | 2014-03-19 | CN105074904A | 2015-11-18 | 盛田浩介; 高本尚英 |
| 本发明提供可缓和半导体元件与被粘物的热响应行为之差且用于安装半导体元件的对位简单的底部填充材料及具备其的密封片材、以及使用该底部填充材料的半导体装置的制造方法。关于本发明的底部填充材料，热固化处理前的雾度为70％以下，且在175℃下经1小时热固化处理后的储能弹性模量E'[MPa]及热膨胀系数α[ppm/K]在25℃下满足下述式(1)。10000＜E'×α＜250000[Pa/K]…(1)。 | ||||||
| 19 | 复合基板、弹性波装置及弹性波装置的制造方法 | CN201480009131.4 | 2014-02-18 | CN105027436A | 2015-11-04 | 服部良祐; 堀裕二; 多井知义 |
| 一种复合基板10，其是将压电基板12与热膨胀系数比压电基板12低的支撑基板14粘合在一起所形成的复合基板。支撑基板14通过以刀片可剥离的强度将由相同材料制成的第1基板14a和第2基板14b以直接接合方式接合在一起来形成，并以第1基板14a中的第1基板14a与第2基板14b的接合面的相反一侧的表面，与压电基板12粘合在一起。 | ||||||
| 20 | 底部填充片、背面研削用胶带一体型底部填充片、切割胶带一体型底部填充片及半导体装置的制造方法 | CN201480009322.0 | 2014-02-07 | CN105027271A | 2015-11-04 | 盛田浩介; 高本尚英; 花园博行; 福井章洋 |
| 本发明提供一种底部填充片，其可良好地将半导体元件的电路面的凹凸埋入，可将半导体元件的端子与被粘接体的端子良好地连接，可减少脱气。本发明涉及一种底部填充片，其在150℃、0.05～0.20转/分钟时的粘度为1000～10000Pa·s，在100～200℃、0.3～0.7转/分钟时的最低粘度为100Pa·s以上。 | ||||||
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