| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 内含分布式电容的功率放大器 | CN03145879.3 | 2003-07-17 | CN1249916C | 2006-04-05 | 赵镇旭; 薛红喜 |
| 本发明公开了一种功率放大器集成电路，其包括多个内含一基极的晶体管、多个与上述晶体管对应的镇流电阻、以及一电容。其中，每一镇流电阻的一端与其相对应的晶体管的基极连接，另一端则连接至一直流节点。上述电容的一端连接至一射频节点，而该电容的另一端则与上述多个晶体管的基极连接。其中上述电容的电容值大到足以使上述射频节点上的射频输入讯号经由该功率放大器集成电路的讯号流失量非常低。 | ||||||
| 22 | 具有双极型晶体管的高频功率放大器 | CN01111800.8 | 2001-03-28 | CN1225834C | 2005-11-02 | 森冢宏平 |
| 一种双极型晶体管，在镇流电阻小时仍具有良好电流分布均匀性，并且可以构成具有高效、低失真而且即使在对其输入数字调制波时失真恶化仍小的放大器。根据本发明的高频功率放大器，包括：在一个单块集成电路中的多个晶体管块，各所述晶体管块具有一个双极型晶体管；其中各所述晶体管块进一步包括：基准电压产生电路，被配置为用于根据各所述晶体管块的温度独立地产生作为所述双极型晶体管基极偏置的基准电压；偏置产生电路，被连接到所述双极型晶体管的基极，所述偏置产生电路通过转换所述基准电压产生基极偏置电压；以及电容器装置，用于进行高频输入，所述电容器装置被连接到所述双极型晶体管的基极。 | ||||||
| 23 | 可小型化缓冲放大器和使用该缓冲放大器的电子电路组件 | CN02106989.1 | 2002-03-12 | CN1375928A | 2002-10-23 | 五十岚康博 |
| 本发明提供一种能减少零件件数和使其小型化的缓冲放大器,它由放大用晶体管1;从电源向放大用晶体管1的集电极供电的电感元件3;具有输入端、输出端和接地端的电阻衰减器4;与电阻衰减器4相连接的输出端子6构成,电阻衰减器4的输入端直接与放大用晶体管1的集电极相连接,而且接地端与电源相连接,通过耦合电容器5使电阻衰减器4的输出端与输出端子6相连接。 | ||||||
| 24 | 用于场效应晶体管的偏置装置 | CN00806145.9 | 2000-03-31 | CN1346537A | 2002-04-24 | P·O·M·布兰德特 |
| 一种功率放大器,用于具有一个低的单端电源电压和一个高需求输出功率的应用。所述放大器包括栅极耦合到输入(Pin)和漏极通过一个阻抗匹配级(60,70)耦合到输出(Pin)的一个FET(10)。晶体管栅极由一个阻抗(30)来偏置以及一个源极偏置元件(90,91)与旁路电容器(80,81)并联并将源极耦合接地。在晶体管源极和阻抗匹配级之间提供一个公共端(A),并通过源极偏置元件接地。这对提高通过旁路电容器察觉的源极的阻抗有效果。能显著的降低经过源极旁路电容器元件的峰值电流,特别是降低到允许能更好控制电容器的尺寸以及能在芯片上实施。 | ||||||
| 25 | 具有双极型晶体管的高频功率放大器 | CN01111800.8 | 2001-03-28 | CN1318898A | 2001-10-24 | 森冢宏平 |
| 一种双极型晶体管,在镇流电阻小时仍具有良好电流分布均匀性,并且可以构成具有高效、低失真而且即使在对其输入数字调制波时失真恶化仍小的放大器。根据本发明的高频功率放大器包括多个具有双极型晶体管的晶体管块,其中各晶体管块包括:电阻,与双极型晶体管的发射极相连;基准电压产生电路,用于产生作为双极型晶体管的基极偏置的基准电压;以及偏置产生电路,被连接到双极型晶体管的基极,偏置产生电路通过转换基准电压产生基极偏置电压。 | ||||||
| 26 | 放大器系统和控制主放大器的方法 | CN201610992428.8 | 2016-11-11 | CN107040227A | 2017-08-11 | 林来庆 |
| 本发明提供一种放大器系统和控制主放大器的方法。该放大器系统包括主放大器、交越电流检测器和控制器，主放大器包括作为差分对的至少第一驱动晶体管和第二驱动晶体管，其中该第一驱动晶体管和该第二驱动晶体管被设置为分别接收第一输入信号和第二输入信号；交越电流检测器耦接到该主放大器，用于检测该主放大器的交越电流，其中该主放大器的交越电流是来自该差分对的叠加电流；以及控制器耦接到该主放大器和该交越电流检测器，用于至少根据该主放大器的该交越电流生成控制信号，以控制该主放大器的增益。通过本发明，可以准确地检测交越电流，并且根据交越电流的信息，放大器的增益可以控制得更准确。 | ||||||
| 27 | 具有DC-DC转换器的GSM-GPRS-EDGE功率放大器中的杂散消除 | CN201380068981.7 | 2013-10-30 | CN104904119A | 2015-09-09 | 阿列克桑德尔·戈尔巴乔夫 |
| 公开了一种用于GSM/GPRS/EDGE收发器的具有杂散消除的射频(RF)功率放大器电路。具有包括RF输入端、RF输出端和电压电源输入端的功率放大器。此外，具有包括与电池连接的输入端、与生成DC电源电压信号的功率放大器的电压电源输入端连接的输出端在内的可调DC-DC转换器。杂散补偿器响应于DC电源电压信号中的杂散而生成差错控制信号。该差错控制信号被施加到功率放大器的RF输入端。 | ||||||
| 28 | 与温度无关的CMOS射频功率检测器 | CN201380059642.2 | 2013-12-31 | CN104798298A | 2015-07-22 | 埃里克·宋 |
| 一种功率检测器电路包括用于接收射频(RF)输入信号并生成第一电压的第一部分，其中所述第一电压包括与所述RF输入信号的均方成正比的电压和所述第一部分的电压特性的总和，所述第一电压是第三部分的输入；用于生成第二电压的第二部分，其中所述第二电压包括输出电压和与所述第一部分的所述电压特性成正比的电压的组合，所述输出电压与所述RF输入信号的均方根成正比；以及用于通过组合所述第一电压和所述第二电压生成所述输出电压的所述第三部分，其中所述第二部分为所述第三部分产生负反馈回路，所述第三部分生成的所述输出电压是所述功率检测器电路的输出。 | ||||||
| 29 | 具有多重操作模式的放大器模块 | CN201080034498.3 | 2010-08-04 | CN102474223B | 2015-05-27 | 内森·M·普莱彻; 阿里斯托泰莱·哈奇克里斯托斯; 巴巴克·内贾蒂 |
| 本发明描述一种具有多重操作模式的放大器模块。在一示范性设计中，所述放大器模块包括放大器(例如，功率放大器)、开关及输出电路。在第一模式中，所述放大器接收并放大输入信号且提供经放大的信号。所述开关耦合到所述放大器的输出且在第二模式中将所述放大器旁路并提供旁路信号。所述输出电路耦合到所述放大器及所述开关。在所述第一模式中，所述输出电路为所述放大器执行输出阻抗匹配。所述输出电路还进行以下操作：(i)在所述第一模式中接收所述经放大的信号且提供输出信号，及(ii)在所述第二模式中接收所述旁路信号且提供所述输出信号。所述放大器在所述第一模式中被启用且在所述第二模式中被停用。 | ||||||
| 30 | 低压力共源共栅结构 | CN201280052481.X | 2012-10-25 | CN103907284A | 2014-07-02 | A·V·T·多; P·B·利昂 |
| 一种放大器系统，包括共源共栅公共源极(CS)放大器，该共源共栅公共源极放大器包括以公共源极配置连接的多个晶体管。压力降低电路，连接到该多个晶体管中的至少一个晶体管以均衡跨该多个晶体管的电压降。该压力降低电路包括第一晶体管，该第一晶体管包括控制端子、第一端子和第二端子。该第一晶体管的第二端子连接到该多个晶体管中的第一个晶体管的第一端子。电容器具有连接到第一晶体管的控制端子的第一端子和连接到该多个晶体管中的第二个晶体管的控制端子的第二端子。 | ||||||
| 31 | 具有负载补偿的高效率线性功率放大器 | CN200680054908.4 | 2006-06-09 | CN101461132B | 2011-08-03 | T·利乔恩 |
| 本发明解决了扩展动态功率范围的问题，其中放大器对于完全输入幅度摆动以改进的效率线性地工作。按照本发明，上述的问题是通过改变负载值而改变传递到负载的功率，和仍旧保持放大器处在它的线性条件而被解决的。本发明使得放大器能够在较宽的功率范围内保持高效率。 | ||||||
| 32 | 功率放大器 | CN200810128098.3 | 2004-08-06 | CN101320963B | 2011-06-08 | 陈凝; 铃木恭宜; 广田哲夫; 山尾泰 |
| 一种功率放大器，其特征在于，具有：本机振荡器，用于输出一定振幅的信号；并联连接的N个饱和放大单元，其放大来自所述本机振荡器的一定振幅的信号，其中，N是大于等于2的整数；振幅控制部，其被输入调制信号，并根据该调制信号的振幅，分别对所述N个饱和放大单元进行开或关的控制；振幅调制部，其在所述振幅控制部的控制下，对来自所述本机振荡器的一定振幅的信号进行振幅调制；线性放大单元，对来自所述振幅调制部的输出信号进行线性放大；以及输出合成单元，其合成来自所述N个饱和放大单元的各个信号以及所述线性放大单元的信号，并将所合成的信号作为输出信号输出。从而能够在恒定振幅信号的情况下，在连续的功率范围内控制输出功率，并在非恒定振幅信号的情况下，进行低失真且高效率的放大。 | ||||||
| 33 | 偏置电路 | CN201010299067.1 | 2010-09-29 | CN102035481A | 2011-04-27 | 福田敦史; 冈崎浩司; 楢桥祥一 |
| 一种偏置电路，该偏置电路包括：偏置供给端子(800)；并联电容器(3)，一端连接到偏置供给端子(800)而另一端接地；并联电路(3L)，与并联电容器(3)并联连接，一端连接到偏置供给端子(800)。设为2≤N，并联电路(3L)包括直流电源连接端子(600)、在偏置供给端子(800)与直流电源连接端子(600)之间串联连接的N个并联电感器(21-2N)、N-1个串联谐振器(91-9N-1)，各串联谐振器包括一端连接到邻接的并联电感的连接部的谐振电容器(71-7N-1)、一端连接到谐振电容器(71-7N-1)的另一端而另一端接地的谐振电感器(81-8N-1)。 | ||||||
| 34 | 功率放大器 | CN200410056400.0 | 2004-08-06 | CN1581682B | 2010-04-28 | 陈凝; 铃木恭宜; 广田哲夫; 山尾泰 |
| 一种功率放大器。该功率放大器(1)，输入输入信号(10)，并响应该输入信号，将放大后的信号作为输出信号(11)输出，其由以下各单元构成：并联连接的N(N是大于等于2的整数)个功率放大单元(12)，其响应输入信号(10)而输出放大信号；输出合成单元(14)，其合成来自该N个功率放大器(12)的各个信号，并将其作为该功率放大器的输出信号(11)输出；以及振幅控制单元(15)，其根据上述输入信号(10)的振幅，从上述N个功率放大器(12)中选择应该动作的功率放大单元。从而能够在恒定振幅信号的情况下，在连续的功率范围内控制输出功率，并在非恒定振幅信号的情况下，进行低失真且高效率的放大。 | ||||||
| 35 | 串叠放大器连接电路 | CN200610121370.6 | 2006-08-21 | CN100594667C | 2010-03-17 | 天清宗山; 松塚隆之; 井上晃 |
| 本发明旨在得到一种能够抑制从最优工作电容发生偏离并且能够降低制造成本的串叠放大器连接电路。它是以串叠放大方式连接有2个场效应晶体管(以下记作“FET”)的串叠放大器连接电路，具有：源极接地的第1FET；源极与第1FET的漏极连接的第2FET；阳极与第1FET的源极连接且阴极与第2FET的栅极连接的肖特基势垒二极管。 | ||||||
| 36 | 高次谐波处理电路以及使用了它的放大电路 | CN200780035811.3 | 2007-08-01 | CN101517892A | 2009-08-26 | 石川亮; 本城和彦 |
| 本发明提供可实现电路的小型化的高频处理电路以及使用了它的放大电路。包括第1阻抗调整单元和第2阻抗调整单元。第1阻抗调整单元包括耦合分布常数线路(CT)。耦合分布常数线路(CT)是被输入放大用晶体管(S)的输出的线路，并且具有所述放大用晶体管(S)的输出中的基波的波长(λ)的1/4的长度。并且，第1阻抗调整单元将对于偶数次高次谐波的输入阻抗实质性地调整为无限大或者零中的一个。第1阻抗调整单元和第2阻抗调整单元将对于奇数次高次谐波的输入阻抗实质性地调整为无限大或者零中的另一个。 | ||||||
| 37 | 多级放大器和增加多级放大器的功率效率的方法 | CN200510055750.X | 2001-05-02 | CN100472944C | 2009-03-25 | R·A·梅克 |
| 概括地说，本发明提供了一种在高输出功率下显示出高功率附加效率的射频(RF)功率放大器。该功率放大器的设计基于开关晶体管或受电压控制(对应于场效应晶体管，即FET)或受电流控制(对应于双极晶体管)而不受两者同时控制这一观察结果。因此，激励放大器不需产生功率使末级以开关方式动作。这一观点同传统知识，即高效率功率放大器级间阻抗匹配设计概念正好相反。在电压和电流必然同时存在的通带(谐振)网络(例如RF功率放大器)中，不可能仅产生电压波形或电流波形。本发明的一个特点是，电压(或电流)波形幅值保持不变时，功率传递非但未最大化，功耗反而降低了。本发明的另一个特点是，激励级同末级均设计为开关操作方式。在此情况下，级间网络设计与E类输出级设计相似。然而，级间网络的目的不是在负载两端产生最大功率(如同E类输出级)，而是在激励级负载(即开关输入)两端产生最大电压。在该方案中，开关的输入激励应足够高，以降低激励级的工作电压。激励级工作电压的降低进一步降低了激励级的DC电源功率，从而提高了PAE。 | ||||||
| 38 | 串叠放大器连接电路 | CN200610121370.6 | 2006-08-21 | CN1921295A | 2007-02-28 | 天清宗山; 松塚隆之; 井上晃 |
| 本发明旨在得到一种能够抑制从最优工作电容发生偏离并且能够降低制造成本的串叠放大器连接电路。它是以串叠放大方式连接有2个场效应晶体管(以下记作“FET”)的串叠放大器连接电路，具有：源极接地的第1FET；源极与第1FET的漏极连接的第2FET；阳极与第1FET的源极连接且阴极与第2FET的栅极连接的肖特基势垒二极管。 | ||||||
| 39 | 具有高功率附加效率的射频功率放大器 | CN200510055750.X | 2001-05-02 | CN1702959A | 2005-11-30 | R·A·梅克 |
| 概括地说，本发明提供了一种在高输出功率下显示出高功率附加效率的射频(RF)功率放大器。该功率放大器的设计基于开关晶体管或受电压控制(对应于场效应晶体管，即FET)或受电流控制(对应于双极晶体管)而不受两者同时控制这一观察结果。因此，激励放大器不需产生功率使末级以开关方式动作。这一观点同传统知识，即高效率功率放大器级间阻抗匹配设计概念正好相反。在电压和电流必然同时存在的通带(谐振)网络(例如RF功率放大器)中，不可能仅产生电压波形或电流波形。本发明的一个特点是，电压(或电流)波形幅值保持不变时，功率传递非但未最大化，功耗反而降低了。本发明的另一个特点是，激励级同末级均设计为开关操作方式。在此情况下，级间网络设计与E类输出级设计相似。然而，级间网络的目的不是在负载两端产生最大功率(如同E类输出级)，而是在激励级负载(即开关输入)两端产生最大电压。在该方案中，开关的输入激励应足够高，以降低激励级的工作电压。激励级工作电压的降低进一步降低了激励级的DC电源功率，从而提高了PAE。 | ||||||
| 40 | 功率放大器 | CN200410056400.0 | 2004-08-06 | CN1581682A | 2005-02-16 | 陈凝; 铃木恭宜; 广田哲夫; 山尾泰 |
| 一种功率放大器。该功率放大器(1)，输入信号(10)，并响应该输入信号，将放大后的信号作为输出信号(11)输出，其由以下各单元构成：并联连接的N(N是大于等于2的整数)个功率放大单元(12)，其响应输入信号(10)而输出放大信号；输出合成单元(14)，其合成来自该N个功率放大器(12)的各个信号，并将其作为该功率放大器的输出信号(11)输出；以及振幅控制单元(15)，其根据上述输入信号(10)的振幅，从上述N个功率放大器(12)中选择应该动作的功率放大单元。从而能够在恒定振幅信号的情况下，在连续的功率范围内控制输出功率，并在非恒定振幅信号的情况下，进行低失真且高效率的放大。 | ||||||
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