| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 快速上电的比较器 | CN201180059748.3 | 2011-12-12 | CN103703681B | 2017-05-24 | S·希鲁贤 |
| 一种电路方法包括周期性地增大比较器的差分级的尾电流以周期性地将差分级上电至通电状态，并且周期性地减小差分级的尾电流以周期性地将差分级降低功率至低功率状态。周期性地增大尾电流和周期性地减小尾电流是用于将差分级上电至通电状态并且将差分级降低功率至低功率状态的异步操作。用于将差分级上电至通电状态并且将差分级降低功率至低功率状态的异步的周期性地增大尾电流和周期性地减小尾电流用于在信号比较期间提供低噪声和高速度。 | ||||||
| 2 | 低压力共源共栅结构 | CN201280052481.X | 2012-10-25 | CN103907284B | 2016-08-24 | A·V·T·多; P·B·利昂 |
| 一种放大器系统，包括共源共栅公共源极(CS)放大器，该共源共栅公共源极放大器包括以公共源极配置连接的多个晶体管。压力降低电路，连接到该多个晶体管中的至少一个晶体管以均衡跨该多个晶体管的电压降。该压力降低电路包括第一晶体管，该第一晶体管包括控制端子、第一端子和第二端子。该第一晶体管的第二端子连接到该多个晶体管中的第一个晶体管的第一端子。电容器具有连接到第一晶体管的控制端子的第一端子和连接到该多个晶体管中的第二个晶体管的控制端子的第二端子。 | ||||||
| 3 | 偏置电路 | CN201010299067.1 | 2010-09-29 | CN102035481B | 2014-04-16 | 福田敦史; 冈崎浩司; 楢桥祥一 |
| 一种偏置电路，该偏置电路包括：偏置供给端子(800)；并联电容器(3)，一端连接到偏置供给端子(800)而另一端接地；并联电路(3L)，与并联电容器(3)并联连接，一端连接到偏置供给端子(800)。设为2≤N，并联电路(3L)包括直流电源连接端子(600)、在偏置供给端子(800)与直流电源连接端子(600)之间串联连接的N个并联电感器(21-2N)、N-1个串联谐振器(91-9N-1)，各串联谐振器包括一端连接到邻接的并联电感的连接部的谐振电容器(71-7N-1)、一端连接到谐振电容器(71-7N-1)的另一端而另一端接地的谐振电感器(81-8N-1)。 | ||||||
| 4 | 快速上电的比较器 | CN201180059748.3 | 2011-12-12 | CN103703681A | 2014-04-02 | S·希鲁贤 |
| 一种电路方法包括周期性地增大比较器的差分级的尾电流以周期性地将差分级上电至通电状态，并且周期性地减小差分级的尾电流以周期性地将差分级降低功率至低功率状态。周期性地增大尾电流和周期性地减小尾电流是用于将差分级上电至通电状态并且将差分级降低功率至低功率状态的异步操作。用于将差分级上电至通电状态并且将差分级降低功率至低功率状态的异步的周期性地增大尾电流和周期性地减小尾电流用于在信号比较期间提供低噪声和高速度。 | ||||||
| 5 | 具有多重操作模式的放大器模块 | CN201080034498.3 | 2010-08-04 | CN102474223A | 2012-05-23 | 内森·M·普莱彻; 阿里斯托泰莱·哈奇克里斯托斯; 巴巴克·内贾蒂 |
| 本发明描述一种具有多重操作模式的放大器模块。在一示范性设计中，所述放大器模块包括放大器(例如，功率放大器)、开关及输出电路。在第一模式中，所述放大器接收并放大输入信号且提供经放大的信号。所述开关耦合到所述放大器的输出且在第二模式中将所述放大器旁路并提供旁路信号。所述输出电路耦合到所述放大器及所述开关。在所述第一模式中，所述输出电路为所述放大器执行输出阻抗匹配。所述输出电路还进行以下操作：(i)在所述第一模式中接收所述经放大的信号且提供输出信号，及(ii)在所述第二模式中接收所述旁路信号且提供所述输出信号。所述放大器在所述第一模式中被启用且在所述第二模式中被停用。 | ||||||
| 6 | 高次谐波处理电路以及使用了它的放大电路 | CN200780035811.3 | 2007-08-01 | CN101517892B | 2012-04-18 | 石川亮; 本城和彦 |
| 本发明提供可实现电路的小型化的高频处理电路以及使用了它的放大电路。包括第1阻抗调整单元和第2阻抗调整单元。第1阻抗调整单元包括耦合分布常数线路(CT)。耦合分布常数线路(CT)是被输入放大用晶体管(S)的输出的线路，并且具有所述放大用晶体管(S)的输出中的基波的波长(λ)的1/4的长度。并且，第1阻抗调整单元将对于偶数次高次谐波的输入阻抗实质性地调整为无限大或者零中的一个。第1阻抗调整单元和第2阻抗调整单元将对于奇数次高次谐波的输入阻抗实质性地调整为无限大或者零中的另一个。 | ||||||
| 7 | 双重偏置控制电路及其控制方法 | CN200580033933.X | 2005-10-05 | CN101036288B | 2010-12-01 | 德米特里·P·普瑞霍德克; 雷默克·奥伊曼; 皮埃特·鲁克; 耶罗恩·斯勒伊特 |
| 本发明涉及一种偏置控制电路和方法，用于向放大器电路的至少一个级提供偏置信号，其中，通过产生偏置电流，并且附加地使用该偏置电流来得到控制信号，所述控制信号用于响应于控制信号来限制至少一个放大器级的电源电压，来提供双重偏置控制。从而，除了基本电流导引之外，实现由电压限制产生的放大器级的输出信号的抑制。这导致小信号增益的减小，因此减小输出噪声。 | ||||||
| 8 | 具有负载补偿的高效率线性功率放大器 | CN200680054908.4 | 2006-06-09 | CN101461132A | 2009-06-17 | T·利乔恩 |
| 本发明解决了扩展动态功率范围的问题，其中放大器对于完全输入幅度摆动以改进的效率线性地工作。按照本发明，上述的问题是通过改变负载值而改变传递到负载的功率，和仍旧保持放大器处在它的线性条件而被解决的。本发明使得放大器能够在较宽的功率范围内保持高效率。 | ||||||
| 9 | 电子电路 | CN200580047829.6 | 2005-02-07 | CN101116241A | 2008-01-30 | E·赫门多夫; H·伯格; K·加布里尔森 |
| 本发明涉及用于处理信号的电路，包括具有输入端和输出端的放大器(20)。电路还包括第一开关装置(S3，T3)和第二开关装置(S2，T2)。第一开关装置被安排在所述输入端与地之间，和第二开关装置被安排在所述输出端与地之间。开关装置被操作安排成把输入端和输出端连接到所述地，以使得所述放大器衰减所述信号。 | ||||||
| 10 | 固体摄像装置以及摄像装置 | CN200710091777.3 | 2007-04-11 | CN101102420A | 2008-01-09 | 吉田宏; 松长诚之; 室岛孝广 |
| 本发明提供一种有效地抑制了条纹产生的固体摄像装置以及摄像装置。固体摄像装置，包括：进行光电变换的像素呈矩阵状配置而成的像素阵列、和放大从各像素输出的图像信号的列放大器部(7)。列放大器部(7)，由在每列上设置的放大器(8)构成，且连接在电源电压供给部及接地上。从放大器(8)来看，电源一侧阻抗比接地一侧阻抗大。 | ||||||
| 11 | 双重偏置控制电路 | CN200580033933.X | 2005-10-05 | CN101036288A | 2007-09-12 | 德米特里·P·普瑞霍德克; 雷默克·奥伊曼; 皮埃特·鲁克; 耶罗恩·斯勒伊特 |
| 本发明涉及一种偏置控制电路和方法，用于向放大器电路的至少一个级提供偏置信号，其中，通过产生偏置电流，并且附加地使用该偏置电流来得到控制信号，所述控制信号用于响应于控制信号来限制至少一个放大器级的电源电压，来提供双重偏置控制。从而，除了基本电流导引之外，实现由电压限制产生的放大器级的输出信号的抑制。这导致小信号增益的减小，因此减小输出噪声。 | ||||||
| 12 | 用于DOHERTY放大器偏置的方法与装置 | CN200580009120.7 | 2005-01-26 | CN1965472A | 2007-05-16 | 恩维尔·克尔瓦瓦茨; 詹姆斯·E·米茨拉夫; 马克·I·冯霍恩 |
| 描述了一种用于偏置具有多个输出的放大器的装置和方法。半导体管芯(100)可包括集成至该半导体管芯上并且耦合至放大器(116)的场效应晶体管(FET)(112)，其中该放大器(116)集成至该半导体管芯上。电压偏移电路(114)还可集成至该半导体管芯(100)上，用于确定操作该放大器(116)所需的电压。 | ||||||
| 13 | 具有高功率附加效率的射频功率放大器 | CN01812177.2 | 2001-05-02 | CN1201482C | 2005-05-11 | R·A·梅克 |
| 概括地说，本发明提供了一种在高输出功率下显示出高功率附加效率(PAE)的射频(RF)功率放大器。该功率放大器的设计基于开关晶体管或受电压控制(对应于场效应晶体管，即FET)或受电流控制(对应于双极晶体管)而不受两者同时控制这一观察结果。因此，激励放大器不需产生功率使末级以开关方式动作。这一观点同传统知识，即高效率功率放大器级间阻抗匹配设计概念正好相反。在电压和电流必然同时存在的通带(谐振)网络(例如RF功率放大器)中，不可能仅产生电压波形或电流波形。本发明的一个特点是，电压(或电流)波形幅值保持不变时，功率传递非但未最大化，功耗反而降低了。本发明的另一个特点是，激励级同末级均设计为开关操作方式。在此情况下，级间网络设计与E类输出级设计相似。然而，级间网络的目的不是在负载两端产生最大功率(如同E类输出级)，而是在激励级负载(即开关输入)两端产生最大电压。在该方案中，开关的输入激励应足够高，以降低激励级的工作电压。激励级工作电压的降低进一步降低了激励级的DC电源功率，从而提高了PAE。 | ||||||
| 14 | 与温度无关的CMOS射频功率检测器 | CN201380059642.2 | 2013-12-31 | CN104798298B | 2017-10-10 | 埃里克·宋 |
| 一种功率检测器电路包括用于接收射频(RF)输入信号并生成第一电压的第一部分，其中所述第一电压包括与所述RF输入信号的均方成正比的电压和所述第一部分的电压特性的总和，所述第一电压是第三部分的输入；用于生成第二电压的第二部分，其中所述第二电压包括输出电压和与所述第一部分的所述电压特性成正比的电压的组合，所述输出电压与所述RF输入信号的均方根成正比；以及用于通过组合所述第一电压和所述第二电压生成所述输出电压的所述第三部分，其中所述第二部分为所述第三部分产生负反馈回路，所述第三部分生成的所述输出电压是所述功率检测器电路的输出。 | ||||||
| 15 | 光调制器驱动器电路和光发射机 | CN201480026304.3 | 2014-05-09 | CN105229946A | 2016-01-06 | 长谷宗彦; 野坂秀之; 伊藤敏洋; 村田浩一; 福山裕之; 才田隆志; 龟井新; 山崎裕史; 菊池顺裕; 小泉弘; 野河正史; 桂井宏明; 鹈泽宽之; 片冈智由; 藤原直树; 川上广人; 堀越建吾; 伊夫·布维尔; 米山幹夫; 相泽茂树; 铃木昌弘 |
| 光调制器驱动器电路(1)包括放大器(50、Q10、Q11、R10-R13)和能够根据所希望的操作模式调整放大器(50)的电流量的电流量调整电路(51)。电流量调整电路(51)包括能够根据表示所希望的操作模式的二进制控制信号来单独地进行开关控制的至少两个电流源(IS10)。 | ||||||
| 16 | 共源共栅放大器 | CN201280076909.4 | 2012-11-09 | CN104769840A | 2015-07-08 | 嘉藤胜也; 宫下美代; 冈俊英; 堀口健一; 森一富; 向井谦治; 藤原孝信 |
| 多个源极接地晶体管(3)相互并联连接，多个栅极接地晶体管(4)相互并联连接。多个栅极接地晶体管(4)的源极(4s)分别与多个源极接地晶体管(3)的漏极(3d)连接。多个接地焊盘(5)与多个源极接地晶体管(3)的源极(3s)连接。多个接地电容(6)连接在多个栅极接地晶体管(4)的栅极(4g)和接地焊盘(5)之间。在接地焊盘(5)与多个栅极接地晶体管(4)之间交替配置有多个源极接地晶体管(3)和多个接地电容(6)。 | ||||||
| 17 | 用于DOHERTY放大器偏置的方法与装置 | CN200580009120.7 | 2005-01-26 | CN1965472B | 2010-05-05 | 恩维尔·克尔瓦瓦茨; 詹姆斯·E·米茨拉夫; 马克·I·冯霍恩 |
| 描述了一种用于偏置具有多个输出的放大器的装置和方法。半导体管芯(100)可包括集成至该半导体管芯上并且耦合至放大器(116)的场效应晶体管(FET)(112)，其中该放大器(116)集成至该半导体管芯上。电压偏移电路(114)还可集成至该半导体管芯(100)上，用于确定操作该放大器(116)所需的电压。 | ||||||
| 18 | 功率放大器 | CN200810128098.3 | 2004-08-06 | CN101320963A | 2008-12-10 | 陈凝; 铃木恭宜; 广田哲夫; 山尾泰 |
| 一种功率放大器。该功率放大器(1)，输入输入信号(10)，并响应该输入信号，将放大后的信号作为输出信号(11)输出，其由以下各单元构成：并联连接的N(N是大于等于2的整数)个功率放大单元(12)，其响应输入信号(10)而输出放大信号；输出合成单元(14)，其合成来自该N个功率放大器(12)的各个信号，并将其作为该功率放大器的输出信号(11)输出；以及振幅控制单元(15)，其根据上述输入信号(10)的振幅，从上述N个功率放大器(12)中选择应该动作的功率放大单元。从而能够在恒定振幅信号的情况下，在连续的功率范围内控制输出功率，并在非恒定振幅信号的情况下，进行低失真且高效率的放大。 | ||||||
| 19 | 反相放大器 | CN200710136904.7 | 2007-07-23 | CN101114816A | 2008-01-30 | 铃木达也; 金田安弘 |
| 在以前的反相放大器中，存在会因内部的放大器的结构而产生振荡这样的问题。在反相放大器中具有多级放大器，该多级放大器包括：放大输入信号的第1晶体管(108)；放大该第1晶体管的输出信号的第2晶体管(110)；放大该第2晶体管的输出信号的第3晶体管(111)；以及将该第3晶体管的输出信号反馈到所述第1晶体管的输出部的内部反馈电阻(112)。根据相关的结构，能够使3级的晶体管所构成的多级放大器的增益降低，因此能够设定必要的增益而不振荡。 | ||||||
| 20 | 功率放大器以及使用了该放大器的发射器 | CN200610008598.4 | 2006-02-17 | CN1893259A | 2007-01-10 | 丘维礼; 小屋茂树; 田中聪 |
| 本发明涉及功率放大器以及使用了该放大器的发射器。使多赫蒂型功率放大器的输出功率合成电路的电长可变，对于多频带或者宽频带谋求高功率附加效率，在载频放大器(Amp1)和峰值放大器(Amp2)的输入一侧连接90度相位延迟功率分配单元(PSPD)，在输出一侧连接可变电长功率合成单元(VTL2)，根据载波信号(RFs)的载波频带，通过从可变电长功率合成单元(VTL2)的控制端子(Ctrl)施加控制信号(Sig)进行调整，使得对于该载波频带的中心频率，可变电长功率合成单元(VTL2)的电长大致成为90度。 | ||||||
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