| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 用于包络跟踪的装置和方法 | CN201280028782.9 | 2012-04-24 | CN103597741B | 2016-08-17 | F.G.巴尔特亚努; S.克斯巴克; Y.A.特卡申科; R.J.汤普森; D.S.利普里 |
| 公开一种用于包络跟踪的装置和方法。在一个实施例中，提供包括功率放大器（32）和包络跟踪器（30）的功率放大器系统。所述功率放大器被配置为放大射频（RF）信号，并且所述包络跟踪器被配置为使用所述RF信号的包络控制所述功率放大器的供应电压。所述包络跟踪器包括用于从电池电压生成降压电压的降压转换器（73）以及用于基于所述RF信号的包络调整所述降压电压以生成所述功率放大器的供应电压的数字到模拟转换（DAC）模块（78，79）。 | ||||||
| 22 | 驱动器电路和相关联的功率放大器组装件、无线电基站及方法 | CN201380079257.4 | 2013-08-29 | CN105684303A | 2016-06-15 | Z.吴 |
| 呈现了用于无线电基站的功率放大器的驱动器电路。驱动器电路包括：射频输入；用于连接到功率放大器的输出；连接到射频输入和第一偏置支路的组合器。第一偏置支路包括偏置源输入、第一电容器支路和第二电容器，其中，第一电容器支路连接在组合器与接地之间，并且第二电容器连接在组合器与接地之间。第一电容器支路包括第一开关和第一电容器，第一开关在组合器与第一电容器之间提供，使得在第一状态中，第一电容器连接到组合器，并且在第二状态中，第一电容器与组合器断开。还呈现了对应的功率放大器组装件、无线电基站和方法。 | ||||||
| 23 | 使用低阻抗偏置的记忆效应减小 | CN201480060307.9 | 2014-11-04 | CN105684302A | 2016-06-15 | D·M·辛诺夫; 何明; W·A·洛伊布 |
| 一种电路包括用于被偏置的晶体管的偏置电路。偏置电路包括主从源极跟随器电路、基准晶体管和耦合到被偏置的晶体管并且被配置成提供偏置电压的偏置电路电压输出。基准晶体管具有与被偏置的晶体管的跨导基本相同的跨导。信号接地电路可以被耦合在被偏置的晶体管和偏置电路的不生成到电源接地的显著的返回电流的一个或多个部件之间。一种方法包括根据使用主源极跟随器电路生成的第一电压在基准晶体管中生成电流，使用从源极跟随器电路生成与第一电压基本相同的第二电压，以及向被偏置的晶体管提供第二电压。基准晶体管具有与被偏置的晶体管的跨导基本相同的跨导。 | ||||||
| 24 | 功率放大模块 | CN201480035424.X | 2014-05-16 | CN105324936A | 2016-02-10 | 竹中幹一郎; 佐藤刚; 伊藤雅广; 松本秀俊; 田中聪 |
| 本发明对与多个频带对应的功率放大模块中采用包络跟踪方式的情况下的功率效率进行改善。功率放大模块包括多个功率放大电路，该功率放大电路包括：第一变压器，该第一变压器包含被输入无线频率信号的第一输入侧绕组，以及与第一输入侧绕组电磁耦合的第一输出侧绕组；第一差分放大电路，该第一差分放大电路包含其控制电极被输入从第一输出侧绕组的一端输出的第一无线频率信号的第一晶体管，以及其控制电极被输入从第一输出侧绕组的另一端输出的第二无线频率信号的第二晶体管，该第一差分放大电路输出将第一以及第二无线频率信号的差放大后得到的第一放大信号；以及第二变压器，该第二变压器包含向第一差分放大电路提供根据无线频率信号的振幅变动的电源电压，并且被输入第一放大信号的第二输入侧绕组，以及与第二输入侧绕组电磁耦合的第二输出侧绕组。 | ||||||
| 25 | 包括异质结双极晶体管(HBT)及互补金属氧化物半导体(CMOS)装置的混合功率放大器 | CN201510276259.3 | 2015-05-26 | CN105281689A | 2016-01-27 | 权杨; D·博克尔曼; M·梅普尔; 郑朱民 |
| 本申请案涉及一种包括异质结双极晶体管hbt及互补金属氧化物半导体cmos装置的混合功率放大器。异质结双极晶体管HBT混合型RF(射频)功率放大器包含：第一装置，所述第一装置包含用于接收RF信号的输入端子、用于放大所接收RF信号的前置驱动器级，及输出端子，所述输入端子、所述前置驱动器级及所述输出端子安置于第一衬底中或上方；及第二装置，所述第二装置具有主要级，所述主要级具有安置于第二衬底中或上方的HBT放大器电路以进一步放大由所述前置驱动器级放大的RF信号。由所述主要级进一步放大的所述RF信号通过所述第一装置的所述输出端子输出。 | ||||||
| 26 | 放大器输入级和放大器 | CN201510239369.2 | 2015-05-08 | CN105099379A | 2015-11-25 | R·S·毛瑞诺 |
| 本发明涉及放大器输入级和放大器。放大器输入级包括第一和第二P型晶体管；第一和第二n型晶体管，其中第一和第二n型晶体管的源极连接到第二节点，所述第一n型晶体管的漏极被连接到放大器输入级的第三输出，所述第二n型晶体管的漏极被连接到放大器输入级的第四输出，所述第一n型晶体管的栅极被配置为接收所述输入级差分输入信号的第一信号，以及所述第二n型晶体管的栅极被配置成接收所述输入级差分输入信号的第二信号；第一电路，被布置为提供第一偏置电流到所述第一节点的一第一部分；和第二电路，被布置为从第二节点的第二部分引流所述第一偏置电流；其中第一和第二部分由放大器输入信号的第一信号进行确定。 | ||||||
| 27 | 特别用于激光风速计的模拟放大器件 | CN201380055269.3 | 2013-08-14 | CN104937840A | 2015-09-23 | 弗朗西斯·博尼; 拉斐尔·泰塞雷 |
| 一种模拟放大器件，其包括：-第一级(28)，其包括具有共基极的晶体管(36)，该晶体管在其发射极或源极接收调制输入电流，第一级的输出信号对应于集电极的信号，-第二级(30)，其由下一个放大器构成，所述放大器包括具有共集电极或漏极配置的晶体管(38)，-第三级(32)，其包括具有共发射极配置的晶体管(40)，以及-第四级(34)，其是放大级，具有允许一方面实现放大，另一方面实现阻抗匹配的装置。应用于光学返回注入的激光风速计。 | ||||||
| 28 | 偏压电路 | CN201510099962.1 | 2015-03-06 | CN104898751A | 2015-09-09 | 王毓驹; 储青云 |
| 一种偏压电路，适用于偏压一个待偏压转导元件，使得该待偏压转导元件的转导值是恒定的。该偏压电路包含一个转换器及一个控制器。该转换器接收一个第一电流信号及一个第二电流信号，且根据该第一电流信号及该第二电流信号，产生一个第一电压信号、一个第二电压信号及一个用于偏压该待偏压转导元件的偏压电压。该控制器从该转换器接收该第一电压信号及该第二电压信号，且根据该第一电压信号及该第二电压信号，产生给该转换器的该第一电流信号及该第二电流信号，以使该第一电压信号的幅值相同于该第二电压信号的幅值。本发明的偏压电路相对较有弹性。 | ||||||
| 29 | 低共模驱动器 | CN201210171148.2 | 2012-05-29 | CN102820859B | 2015-09-02 | 刘慜; 王昕; 查尔斯·清乐·吴 |
| 本发明涉及提供用于高速及低电压共模驱动器的复制偏置电路的技术。在一实施例中，前置驱动器经耦合以将驱动器输入电压提供到驱动器，所述驱动器包含经耦合以基于所述驱动器输入电压提供差分输出的输出信号的一组电路元件。在另一实施例中，调节器电路经耦合以将经调节电力提供到所述前置驱动器及所述驱动器，其中所述调节器电路包含具有第一组电路元件的复制的比例复制电路。 | ||||||
| 30 | 射频放大电路以及功率放大模块 | CN201410100764.8 | 2014-03-18 | CN104065349A | 2014-09-24 | 筒井孝幸; 田中聪; 嶋本健一 |
| 本发明的目的在于提供一种能以低电压进行驱动的射频放大电路。射频放大电路包括:放大晶体管，该放大晶体管将通过匹配电路输入至基极的射频信号进行放大并输出；第1偏压用晶体管，该第1偏压用晶体管与放大晶体管进行电流镜连接，将偏压提供给放大晶体管；以及第2偏压用晶体管，该第2偏压用晶体管与放大晶体管的基极进行射极跟随器连接，将偏压提供给放大晶体管。 | ||||||
| 31 | 高输出功率放大器 | CN201280061197.9 | 2012-11-09 | CN103999361A | 2014-08-20 | 冈岛利幸 |
| 在使用了耗尽型FET的高输出功率放大器中，为了可靠地防止由过电流引起的FET的损坏，具有：生成施加到耗尽型FET的漏极端子的正电压的漏极电压供给部(120、220、320)；以及生成施加到耗尽型FET的栅极端子的负电压的栅极偏置电压供给部(130、230、330)，漏极电压供给部使用外部商用电源作为电源，栅极偏置电压供给部使用电池作为电源。 | ||||||
| 32 | 用于包络跟踪的装置和方法 | CN201280028782.9 | 2012-04-24 | CN103597741A | 2014-02-19 | F.G.巴尔特亚努; S.克斯巴克; Y.A.特卡申科; R.J.汤普森; D.S.利普里 |
| 公开一种用于包络跟踪的装置和方法。在一个实施例中，提供包括功率放大器（32）和包络跟踪器（30）的功率放大器系统。所述功率放大器被配置为放大射频（RF）信号，并且所述包络跟踪器被配置为使用所述RF信号的包络控制所述功率放大器的供应电压。所述包络跟踪器包括用于从电池电压生成降压电压的降压转换器（73）以及用于基于所述RF信号的包络调整所述降压电压以生成所述功率放大器的供应电压的数字到模拟转换（DAC）模块（78，79）。 | ||||||
| 33 | 可变增益放大器 | CN201080027831.8 | 2010-12-07 | CN102474231A | 2012-05-23 | 土方克昌; 岩井田峰之 |
| 本发明提供一种可变增益放大器，其具备：一端被赋予输入信号的直流阻断电容(1)；对直流阻断电容(1)的另一端的输出进行放大的可变晶体管尺寸的可变放大部(4)；与可变放大部(4)的输出连接的负载阻抗部(3)；一端与直流阻断电容(1)的另一端连接的偏压电阻(2)；向偏压电阻(2)的另一端施加可变偏压的可变偏压生成部(5)；和增益控制部(9)，其在进行增大可变放大部(4)的实质的晶体管尺寸的控制时，进行降低可变偏压的控制，在进行减小可变放大部(4)的实质的晶体管尺寸的控制时，进行提高可变偏压的控制。 | ||||||
| 34 | RF功率放大装置及其工作方法 | CN201110160332.2 | 2011-06-07 | CN102291093A | 2011-12-21 | 森本贵明; 栗山哲; 田中聪; 中村隼人 |
| 本发明提供一种RF功率放大装置及其工作方法。RF功率放大装置(200)包括根据外部电源电压(Vcc1、Vcc2、Vcc3)进行工作的驱动级放大器(230)、第一RF放大器(270a)、第二RF放大器(270b)以及DC电压转换器(280)。驱动级放大器(230)输出提供给第一及第二RF放大器(270a、270b)的输入，第一RF放大器(270a)的有效元件尺寸设定为比第二RF放大器(270b)大。向DC电压转换器(280)提供外部电源电压(Vcc3)，DC电压转换器(280)生成低电压的工作电源电压(Vcc4)并提供给第二RF放大器(270b)的输出端子。能不通过DC电压转换器(280)而向第一RF放大器(270a)的输出端子提供外部电源电压(Vcc2)。根据本发明，能通过减少低功率输出时的消耗电流来减缓由于DC电压转换器导致的安装面积的增大。 | ||||||
| 35 | 高频功率放大器、高频功率放大器模块和便携式电话 | CN02126221.7 | 2002-07-15 | CN100413212C | 2008-08-20 | 加贺谷修; 大西正己; 关根健治; 田上知纪 |
| 为了提供一种小尺寸的高频功率放大器，用于通过少量的开关电路而防止振荡并且高效率地输出高功率和低功率的高频信号，还提供一种高频功率放大器模块和便携式电话，该高频功率放大器包括相并联的放大电路A和放大电路B，其中在放大电路B的输出级上的晶体管的尺寸等于或小于在放大电路A的输出级上的晶体管的尺寸的1/4，以及开关电路连接在从放大电路A的输出级引出的信号线与接地端之间。另外，当构成放大电路B的晶体管进入不工作状态并且开关电路截止时，放大电路A输出高功率的高频信号，以及当构成放大电路A的晶体管进入不工作状态并且开关电路导通时，放大电路B输出低功率的高频信号。 | ||||||
| 36 | 高频放大电路 | CN201380069829.0 | 2013-08-28 | CN104904118B | 2017-12-01 | 草地敬治 |
| 本发明的高频放大电路(10)包括高频放大元件(11)、偏置电路(12)以及偏置调整电路(13)。高频放大元件(11)具有输入端和输出端。偏置电路(12)与高频放大元件(11)连接，向高频放大元件(11)的输入侧提供第一偏置电压。偏置调整电路(13)连接在输入端和偏置电路(12)之间，基于在输入端输入的高频信号调整第一偏置电压。偏置调整电路(13)包含集总参数元件和有源元件而构成。 | ||||||
| 37 | 用于包络跟踪的可编程RF陷波滤波器 | CN201380039592.1 | 2013-07-26 | CN104662792B | 2017-08-08 | N.赫拉 |
| 本文公开了一种并联放大器(14)、一种开关电源(12)和一种射频(RF)陷波滤波器(18)。所述并联放大器具有并联放大器输出，从而使得所述开关电源耦合到所述并联放大器输出。此外，所述RF陷波滤波器耦合于所述并联放大器输出与地面之间。所述RF陷波滤波器具有基于RF双工频率的可选陷波频率。 | ||||||
| 38 | 放大器 | CN201480001035.5 | 2014-02-07 | CN104247258B | 2017-06-23 | 高桥幸二; 中村重纪 |
| 本发明提供抑制电路规模增大和耗电增大且容易地抑制奇数次高次谐波的放大器。该放大器具备：具有多个栅极指的MOS晶体管、或具有单一栅极指的多个MOS晶体管，该放大器还具备：附加于每个所述栅极指的电容性电介质；以及在输入交流信号的输入端子和栅极的输入端子之间连接的可变电阻，由所述可变电阻、每个所述栅极指的栅极电阻以及所述电容性电介质形成具有期望的频率特性的多个低通滤波器，从所述栅极的输入端子到OD(Oxide Diffusion，氧化物扩散)区域边界的各个栅极指的宽度或长度不同。 | ||||||
| 39 | 一种改善动态误差矢量幅度的装置及方法 | CN201611168469.1 | 2016-12-16 | CN106788282A | 2017-05-31 | 柯庆福; 刘政清; 林甲富 |
| 本申请公开了一种改善动态误差矢量幅度的装置，包括两个温度检测电路、一个控制电路、一个偏置电路和一个放大电路。两个温度检测电路分别用来检测功率晶体管、片上其他器件的温度，并将检测结果送往控制电路。控制电路根据两个温度检测电路的检测结果的差值决定输出。当两个温度检测电路的检测结果的差值小于阈值时，控制电路输出补偿信号。当两个温度检测电路的检测结果的差值大于阈值时，控制电路不输出。偏置电路输出一个稳定的偏置信号。偏置电路输出的稳定的偏置信号叠加控制电路的输出后，用来为放大电路中的功率晶体管提供偏置。本申请可以帮助功率放大器短时间达到热稳定状态并持续维持，满足了高线性度、高动态误差矢量幅度的要求。 | ||||||
| 40 | 高输出功率放大器 | CN201280061197.9 | 2012-11-09 | CN103999361B | 2017-04-19 | 冈岛利幸 |
| 在使用了耗尽型FET的高输出功率放大器中，为了可靠地防止由过电流引起的FET的损坏，具有：生成施加到耗尽型FET的漏极端子的正电压的漏极电压供给部(120、220、320)；以及生成施加到耗尽型FET的栅极端子的负电压的栅极偏置电压供给部(130、230、330)，漏极电压供给部使用外部商用电源作为电源，栅极偏置电压供给部使用电池作为电源。 | ||||||
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