| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 减小在电荷泵模式过渡期间向电源的反冲电流 | CN201480028433.6 | 2014-05-12 | CN105359049B | 2017-05-31 | B·K·坦德里; T·L·阮; D·J·阿朗; L·张; A·萨托斯科尔; A·布伦南; D·沈 |
| 可以通过在模式过渡期间耗散来自飞跨电容器和保持电容器的电荷来减小从电荷泵到电源管理集成电路(PMIC)的反冲电流。开关可以串联放置在电荷泵与PMIC之间，以断开电荷泵并防止反冲电流到达PMIC。此外，诸如开关之类的附加负载可以耦合到电荷泵输出端，以耗散来自飞跨电容器和保持电容器的电荷。此外，可以利用闭反馈环路来监测模式过渡期间来自飞跨电容器和保持电容器的过量电荷并使其耗散。此外，在模式过渡期间可以重新分配飞跨电容器与保持电容器之间的电荷，以减小该过渡的时间段。 | ||||||
| 2 | 包括异质结双极晶体管(HBT)及互补金属氧化物半导体(CMOS)装置的混合功率放大器 | CN201510276259.3 | 2015-05-26 | CN105281689B | 2017-04-12 | 权杨; D·博克尔曼; M·梅普尔; 郑朱民 |
| 本申请案涉及一种包括异质结双极晶体管hbt及互补金属氧化物半导体cmos装置的混合功率放大器。异质结双极晶体管HBT混合型RF(射频)功率放大器包含：第一装置，所述第一装置包含用于接收RF信号的输入端子、用于放大所接收RF信号的前置驱动器级，及输出端子，所述输入端子、所述前置驱动器级及所述输出端子安置于第一衬底中或上方；及第二装置，所述第二装置具有主要级，所述主要级具有安置于第二衬底中或上方的HBT放大器电路以进一步放大由所述前置驱动器级放大的RF信号。由所述主要级进一步放大的所述RF信号通过所述第一装置的所述输出端子输出。 | ||||||
| 3 | 用于过程变化和电源调制的准确偏置跟踪 | CN201180062253.6 | 2011-12-20 | CN103270465B | 2016-07-20 | P·B·伦格; N·K·K·玛尼姆 |
| 一种电流镜包括偏置支路，偏置支路包括：在电压源与接地之间串联的第一晶体管和第二晶体管；在电压源与接地之间耦合的分压器；以及运算放大器，被配置为接收分压器的分压电压和在第一晶体管与第二晶体管之间的节点的电压，并且驱动第二晶体管的栅极以将节点拉向分压电压。该电流镜还包括耦合到偏置支路的功率放大器核心。功率放大器核心包括在电压源与接地之间串联配置的第一驱动晶体管和第二驱动晶体管。耦合第一晶体管和第一驱动晶体管的栅极，并且耦合第二晶体管和第二驱动晶体管的栅极。 | ||||||
| 4 | 具有增强的跨导和抑制的输出共模的时钟和数据驱动器 | CN201480061196.3 | 2014-11-05 | CN105706365A | 2016-06-22 | 苏文军; 尹广明; 朱全清 |
| 提供了一种用于维持驱动器中的低输出共模电压的方法、装置和部件。一个示例装置包括：被配置成提供用于装置的差分输出的第一差分放大器级；以及被配置成驱动第一差分放大器级的第二差分放大器级，第二差分放大器级包括成对的预驱动放大器、成对的n级电路以及输入偏斜求平均电路，其中成对的n级单元中的每个n级单元被拆分成两个半块。输入偏斜求平均电路被配置成通过使用互补数字输入驱动这些块以对成对的n级电路的栅极到源极电压中的偏斜求平均来抑制输出共模电压。对于某些方面，可以添加两个前馈电容器以增强第一差分放大器级的主晶体管的跨导和操作速度。 | ||||||
| 5 | 放大电路 | CN201480050131.9 | 2014-09-05 | CN105556834A | 2016-05-04 | 筱井洁; 浅尾阳 |
| 本发明的课题是提供一种能够保持高输入阻抗而不受到由负反馈产生的增益的设定的影响，并能够降低输入段的晶体管所产生的噪声的放大电路。向差动对(10)的一对栅极输入差动信号，在连接于差动对10的漏极的负载电路(20)产生的差动信号在差动放大段60被放大，此放大后的差动信号介由反馈电路(40)被反馈至差动对(10)的一对源极。在差动对(10)的一对栅极，能够保持高输入阻抗而不受到放大电路的负反馈的增益影响，并能够通过差动对(10)的二个第一晶体管(Q1)以及第二晶体管(Q2)进行输入段的放大，因此，与以往相比，能够减少输入段的晶体管的数量，并降低闪变噪声。 | ||||||
| 6 | 输出电路 | CN201210294554.8 | 2012-08-14 | CN102957387B | 2016-03-16 | 松田晶详; 铃木章弘 |
| 本发明涉及输出电路。输出电路包括第一至第四晶体管、第一和第二恒流单元，以及差分对。第一和第二晶体管的栅极分别被供以两个输入信号。第一晶体管的漏极耦接到第三晶体管的漏极和第四晶体管的栅极。第二晶体管的漏极耦接到第三晶体管的栅极和第四晶体管的漏极。第一恒流单元耦接到第三和第四晶体管的源极。差分对包括两个晶体管，且两个晶体管的栅极分别耦接到第一和第二晶体管的漏极。第二恒流单元耦接到两个晶体管的源极。两个输出信号从分别对应于两个晶体管的漏极的两个节点输出。 | ||||||
| 7 | 放大器电路 | CN201210360874.9 | 2012-09-21 | CN103138683B | 2016-01-20 | 村上忠正 |
| 本发明涉及一种放大器电路。根据本发明的实施方式可以将过输入信号限制在可调节的上限电压和下限电压之间的范围内，而同时抑制噪声指数的劣化。放大器电路包括输入晶体管；电阻元件，具有连接至输入晶体管的栅极的第一端子和连接至偏压的第二端子；以及保护电路，连接至输入晶体管的栅极并将向输入晶体管的栅极的输入限制在基于偏压可调节的上限电压和下限电压之间的范围内。 | ||||||
| 8 | 高频放大电路 | CN201380069829.0 | 2013-08-28 | CN104904118A | 2015-09-09 | 草地敬治 |
| 本发明的高频放大电路(10)包括高频放大元件(11)、偏置电路(12)以及偏置调整电路(13)。高频放大元件(11)具有输入端和输出端。偏置电路(12)与高频放大元件(11)连接，向高频放大元件(11)的输入侧提供第一偏置电压。偏置调整电路(13)连接在输入端和偏置电路(12)之间，基于在输入端输入的高频信号调整第一偏置电压。偏置调整电路(13)包含集总参数元件和有源元件而构成。 | ||||||
| 9 | 微波放大器 | CN201380050039.8 | 2013-09-13 | CN104662795A | 2015-05-27 | 津山祥纪; 野野村博之; 大塚浩志; 能登一二三; 安永吉德; 下泽充弘; 藤本雄一 |
| 即使在宽频带下输入多个通信载波的情况下，也抑制了根据特定的拍频信号的频率关系而产生的极端的性能劣化。本发明包括：偏置电路，该偏置电路由线路(20)及电容器(14)构成，该线路(20)连接在放大器(11)的输出端子与偏置电压源(13)之间，且具有微波放大器的放大对象的频率下的1/4波长的电长度，该电容器(14)连接在线路(20)的与偏置电压源(13)相连接的端子和设定微波放大器的基准电位的接地(10)之间；以及谐振电路，该谐振电路在线路(20)的与偏置电压源(13)相连接的端子和接地(10)之间包含串联连接的电阻(15)及电容器(16)。 | ||||||
| 10 | 用于包络跟踪的可编程RF陷波滤波器 | CN201380039592.1 | 2013-07-26 | CN104662792A | 2015-05-27 | N.赫拉 |
| 本文公开了一种并联放大器(14)、一种开关电源(12)和一种射频(RF)陷波滤波器(18)。所述并联放大器具有并联放大器输出，从而使得所述开关电源耦合到所述并联放大器输出。此外，所述RF陷波滤波器耦合于所述并联放大器输出与地面之间。所述RF陷波滤波器具有基于RF双工频率的可选陷波频率。 | ||||||
| 11 | 放大电路以及放大电路IC芯片 | CN201480002256.4 | 2014-06-17 | CN104604128A | 2015-05-06 | 小川智彦; 小泉佳彦 |
| 本发明涉及一种降低噪声成分并成为高SN比、低噪声且小面积的放大电路以及放大电路IC芯片。放大电路(100)构成为具备将规定的物理量转换为电阻值的转换部(70)，将由转换部(70)转换得到的电阻值转换为电压值并放大。转换部(70)具备由压电电阻元件构成的可变电阻型传感器(71、72)。偏置部(80)决定转换部(70)的偏置电流，具备偏置电阻(81、82)。运算放大部(90)将基于偏置部(80)和转换部(70)的输出信号设为输入信号，具备与第一运算放大器(101)的输入输出端相连接的反馈电阻(91、92)，第一运算放大器(101)是具备共模反馈电路的全差动运算放大器。 | ||||||
| 12 | 放大器 | CN201480001035.5 | 2014-02-07 | CN104247258A | 2014-12-24 | 高桥幸二; 中村重纪 |
| 本发明提供抑制电路规模增大和耗电增大且容易地抑制奇数次高次谐波的放大器。该放大器具备：具有多个栅极指的MOS晶体管、或具有单一栅极指的多个MOS晶体管，该放大器还具备：附加于每个所述栅极指的电容性电介质；以及在输入交流信号的输入端子和栅极的输入端子之间连接的可变电阻，由所述可变电阻、每个所述栅极指的栅极电阻以及所述电容性电介质形成具有期望的频率特性的多个低通滤波器，从所述栅极的输入端子到OD(Oxide Diffusion，氧化物扩散)区域边界的各个栅极指的宽度或长度不同。 | ||||||
| 13 | 用于高输入电容信号放大器的系统和方法 | CN201310132190.8 | 2013-04-16 | CN103378813A | 2013-10-30 | 迈克尔·克罗普菲奇; 乔斯·路易斯·塞巴洛斯 |
| 本发明涉及用于高输入电容信号放大器的方法和系统。根据实施方式，该方法包括：确定电容信号源提供的输入信号的振幅；基于确定的振幅在模拟域内压缩输入信号以形成压缩模拟信号；将压缩模拟信号转换为压缩数字信号；以及，在数字域内解压数字信号以形成解压数字信号。在实施方式中，压缩模拟信号包括调整耦接至电容信号源的放大器的第一增益，解压数字信号包括调整数字处理块的第二增益。 | ||||||
| 14 | 放大器电路 | CN201210360874.9 | 2012-09-21 | CN103138683A | 2013-06-05 | 村上忠正 |
| 本发明涉及一种放大器电路。根据本发明的实施方式可以将过输入信号限制在可调节的上限电压和下限电压之间的范围内，而同时抑制噪声指数的劣化。放大器电路包括输入晶体管；电阻元件，具有连接至输入晶体管的栅极的第一端子和连接至偏压的第二端子；以及保护电路，连接至输入晶体管的栅极并将向输入晶体管的栅极的输入限制在基于偏压可调节的上限电压和下限电压之间的范围内。 | ||||||
| 15 | 射频脉冲信号产生用切换电路、射频脉冲信号产生电路 | CN201210384218.2 | 2012-10-11 | CN103051328A | 2013-04-17 | 小林友直 |
| 本发明的目的在于提供一种射频脉冲信号产生用切换电路、射频脉冲信号产生电路，其能够稳定工作并且快速地下降射频脉冲信号的波形。漏极切换电路（21）具有n型的第一、第二、第三的FET（211）、（212）、（213）。控制脉冲施加至第一、第三的FET的栅极，源极接地。第一FET的漏极连接于第二FET的栅极，驱动电压（Vds）施加于第二FET的漏极。连接第二FET的源极与第三FET的漏极，连接点连接于功率FET（31）的漏极。在第二FET的栅源极间，连接有供应用于补偿第二FET从关断状态向导通状态跃迁时的栅极电压的电荷的电容（215）。 | ||||||
| 16 | 输出电路 | CN201210294554.8 | 2012-08-14 | CN102957387A | 2013-03-06 | 松田晶详; 铃木章弘 |
| 本发明涉及输出电路。输出电路包括第一至第四晶体管、第一和第二恒流单元，以及差分对。第一和第二晶体管的栅极分别被供以两个输入信号。第一晶体管的漏极耦接到第三晶体管的漏极和第四晶体管的栅极。第二晶体管的漏极耦接到第三晶体管的栅极和第四晶体管的漏极。第一恒流单元耦接到第三和第四晶体管的源极。差分对包括两个晶体管，且两个晶体管的栅极分别耦接到第一和第二晶体管的漏极。第二恒流单元耦接到两个晶体管的源极。两个输出信号从分别对应于两个晶体管的漏极的两个节点输出。 | ||||||
| 17 | 高频功率放大器、高频功率放大器模块和便携式电话 | CN02126221.7 | 2002-07-15 | CN1407719A | 2003-04-02 | 加贺谷修; 大西正已; 关根健治; 田上知纪 |
| 为了提供一种小尺寸的高频功率放大器，用于通过少量的开关电路而防止振荡并且高效率地输出高功率和低功率的高频信号，还提供一种高频功率放大器模块和便携式电话，该高频功率放大器包括相并联的放大电路A和放大电路B，其中在放大电路B的输出级上的晶体管的尺寸等于或小于在放大电路A的输出级上的晶体管的尺寸的1/4，以及开关电路连接在从放大电路A的输出级引出的信号线与接地端之间。另外，当构成放大电路B的晶体管进入不工作状态并且开关电路截止时，放大电路A输出高功率的高频信号，以及当构成放大电路A的晶体管进入不工作状态并且开关电路导通时，放大电路B输出低功率的高频信号。 | ||||||
| 18 | 放大电路以及放大电路IC芯片 | CN201480002256.4 | 2014-06-17 | CN104604128B | 2017-12-15 | 小川智彦; 小泉佳彦 |
| 本发明涉及一种降低噪声成分并成为高SN比、低噪声且小面积的放大电路以及放大电路IC芯片。放大电路(100)构成为具备将规定的物理量转换为电阻值的转换部(70)，将由转换部(70)转换得到的电阻值转换为电压值并放大。转换部(70)具备由压电电阻元件构成的可变电阻型传感器(71、72)。偏置部(80)决定转换部(70)的偏置电流，具备偏置电阻(81、82)。运算放大部(90)将基于偏置部(80)和转换部(70)的输出信号设为输入信号，具备与第一运算放大器(101)的输入输出端相连接的反馈电阻(91、92)，第一运算放大器(101)是具备共模反馈电路的全差动运算放大器。 | ||||||
| 19 | 射频脉冲信号产生用切换电路、射频脉冲信号产生电路 | CN201210384218.2 | 2012-10-11 | CN103051328B | 2017-04-12 | 小林友直 |
| 本发明的目的在于提供一种射频脉冲信号产生用切换电路、射频脉冲信号产生电路，其能够稳定工作并且快速地下降射频脉冲信号的波形。漏极切换电路（21）具有n型的第一、第二、第三的FET（211）、（212）、（213）。控制脉冲施加至第一、第三的FET的栅极，源极接地。第一FET的漏极连接于第二FET的栅极，驱动电压（Vds）施加于第二FET的漏极。连接第二FET的源极与第三FET的漏极，连接点连接于功率FET（31）的漏极。在第二FET的栅源极间，连接有供应用于补偿第二FET从关断状态向导通状态跃迁时的栅极电压的电荷的电容（215）。 | ||||||
| 20 | 偏压电路 | CN201510099962.1 | 2015-03-06 | CN104898751B | 2017-01-04 | 王毓驹; 储青云 |
| 一种偏压电路，适用于偏压一个待偏压转导元件，使得该待偏压转导元件的转导值是恒定的。该偏压电路包含一个转换器及一个控制器。该转换器接收一个第一电流信号及一个第二电流信号，且根据该第一电流信号及该第二电流信号，产生一个第一电压信号、一个第二电压信号及一个用于偏压该待偏压转导元件的偏压电压。该控制器从该转换器接收该第一电压信号及该第二电压信号，且根据该第一电压信号及该第二电压信号，产生给该转换器的该第一电流信号及该第二电流信号，以使该第一电压信号的幅值相同于该第二电压信号的幅值。本发明的偏压电路相对较有弹性。 | ||||||
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