| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 101 | MICROWAVE AMPLIFIER DEVICE | EP13840282.1 | 2013-09-13 | EP2903157A1 | 2015-08-05 | TSUYAMA Yoshinori; NONOMURA Hiroyuki; OTSUKA Hiroshi; NOTO Hifumi; YASUNAGA Yoshinori; SHIMOZAWA Mitsuhiro; FUJIMOTO Yuichi |
The object of the invention is to suppress extreme performance degradation caused by frequency relationship of a specific beat signal even when a plurality of communication carriers is input in a wideband. A microwave amplifier includes: a bias circuit that includes a line (20) having an electrical length of one quarter the wavelength at the frequency configured to be amplified by the microwave amplifier and being connected between the output terminal of an amplifier (11) and a bias voltage source (13), and a capacitor (14) connected between a terminal where the line (20) is connected to the bias voltage source (13) and a ground (10) that defines the reference potential of the microwave amplifier; and a resonant circuit that includes a resistor (15) and a capacitor (16) connected in series between the ground (10) and the terminal where the line (20) is connected to the bias voltage source (13). |
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| 102 | HIGH OUTPUT POWER AMPLIFIER | EP12858137 | 2012-11-09 | EP2793394A4 | 2015-04-29 | OKAJIMA TOSHIYUKI |
| A high-output electric power amplifier using a depression-type FET includes a drain voltage supply portion 120, 220, and 320 adapted to create a positive voltage to be applied to a drain terminal in the depression-type FET, and a gate bias voltage supply portion 130, 230, and 330 adapted to create a negative voltage to be applied to a gate terminal in the depression-type FET, wherein the drain voltage supply portion uses an external commercial power supply as an electric power source, and the gate bias voltage supply portion uses a battery as an electric power source, in order to certainly prevent breakdowns of the FET due to excessive electric currents. | ||||||
| 103 | Circuits and method for controlling transient fault conditions in a low dropout voltage regulator | EP13368039.7 | 2013-10-07 | EP2857922A1 | 2015-04-08 | Ambreesh, Bhattad |
An overshoot reduction circuit within a low dropout voltage regulator eliminates an overshoot at an output terminal resulting from a transient fault condition occurring at an input or output terminal. The overshoot reduction circuit monitors to sense if there is a transient fault condition occurring at the input or output terminal and provides a Miller capacitance at the output terminal of a differential amplifier of the low dropout voltage regulator to prevent the output of the differential amplifier from being discharged to ground during the transient. A control loop circuit balances current within an active load of the differential amplifier to clamp the output of the differential amplifier to its normal operating point. When the transient fault condition ends, the output voltage of the differential amplifier is set such that a pass transistor of the low dropout regulator responds quickly to resume the regulation to reduce or eliminate the overshoot.
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| 104 | ACCURATE BIAS TRACKING FOR PROCESS VARIATION AND SUPPLY MODULATION | EP11824285.8 | 2011-12-20 | EP2656163A2 | 2013-10-30 | LEONG, Poh, Boon; MANIAM, Nuntha, Kumar, Krishnasamy |
| A current mirror includes a bias branch, which includes first and second transistors in series between a voltage source and ground, a voltage divider coupled between the voltage source and ground, an op-amp configured to receive a divided voltage of the voltage divider and a voltage of a node between the first and second transistors, and drive a gate of the second transistor to pull the node to the divided voltage. The current mirror further includes a power amplifier core coupled to the bias branch. The power amplifier core includes first and second drive transistors configured in series between the voltage source and ground. Gates of the first transistor and the first drive transistor are coupled, and gates of the second transistor and the second drive transistor are coupled. | ||||||
| 105 | PSEUDO-ENVELOPE FOLLOWING POWER MANAGEMENT SYSTEM | EP11720630.0 | 2011-04-19 | EP2561611A1 | 2013-02-27 | KHLAT, Nadim; KAY, Michael, R. |
| Embodiments disclosed in the detailed description relate to a pseudo-envelope follower power management system used to manage the power delivered to a linear RF power amplifier. | ||||||
| 106 | HIGH BANDWIDTH POWER SUPPLY SYSTEM WITH HIGH EFFICIENCY AND LOW DISTORTION | EP10802603.0 | 2010-06-18 | EP2457133A1 | 2012-05-30 | JENSEN, Brent, Roger; DROGI, Serge, Francois; TOMASZ, Martin |
| A power supply system uses improved Class G amplifier architecture for high bandwidth operation with low distortion. The power supply system switches between multiple power supply rails, depending on the signal level handled by the power supply system. The lowest usable supply rail voltage is chosen to minimize power dissipation in the output driver, thus optimizing efficiency. Each supply rail has an associated driver capable of sourcing current to the amplifier output. When a supply rail is selected, its associated driver is enabled and other driver(s) not associated with the selected supply rail are disabled via separate disable control signals. The disabling of the deselected driver may be delayed until current above a predetermined threshold is sensed at the output of the enabled driver. In addition, the frequency of switching between the power rails may be limited via various means designed to limit distortion in the power supply system. | ||||||
| 107 | 多段増幅器 | JP2015109040 | 2015-05-28 | JP6387902B2 | 2018-09-12 | 平間 哲也 |
| 108 | 適応形マルチバンド電力増幅装置 | JP2017200648 | 2017-10-16 | JP2018074574A | 2018-05-10 | ジョー、ビョン ハク; ハー、ジョン オク; キム、ジェオン フン; キム、ヨウン スク |
| 【課題】マルチバンド通信システムに適用され、電力効率を適正水準に維持することができるとともに、電力増幅装置の線形性のうちAM−PM歪をバンドの変更または該当バンドに応じて最適に低減することができるため、ACPRを改善することができる電力増幅装置を提供する。 【解決手段】本発明の一実施形態による電力増幅装置は、基準電圧に基づいたDC電流、及び入力信号のエンベロープに対応するエンベロープ−トラッキング電圧に基づいたET電流を演算することで、第1ETバイアス電流を生成するET電流バイアス回路と、上記第1ETバイアス電流及び電源電圧の供給を受けて上記入力信号を増幅するように、バイポーラ接合トランジスターを有する電力増幅回路と、を含み、上記第1ETバイアス電流の平均電流が一定に制御される。 【選択図】図1 |
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| 109 | パワーアンプモジュールを含む関連するシステム、デバイス、および方法 | JP2017194425 | 2017-10-04 | JP2018050049A | 2018-03-29 | チェン,ハワード・イー; グオ,イーファン; ホアン,ディンフュオク・ブ; ジャナニ,メーラン; コー,ティン・ミント; レートラ,フィリップ・ジョン; ロビアンコ,アンソニー・ジェームズ; モディ,ハーディック・ブペンドラ; グエン,ホアン・モン; オザラス,マシュー・トーマス; ペティ−ウィークス,サンドラ・ルイーズ; リード,マシュー・ショーン; リージ,イェンス・アルブレヒト; リプレー,デイビット・スティーブン; シャオ・ホンシアオ; シェン,ホン; サン,ウェイミン; サン,シャン−チー; ウェルチ,パトリック・ローレンス; ザンパルディ,ピーター・ジェイ,ジュニア; チャン,グオハオ |
| 【課題】無線通信において使用されるパワーアンプモジュールを提供する。 【解決手段】パワーアンプモジュールは、無線周波数(RF)信号を受けて、増幅したRF信号を供給するように構成されたパワーアンプと、パワーアンプに電気的に接続されたワイヤーボンドパッドとを含み、ワイヤーボンドパッドは0.5μm未満の厚みを有するニッケル層と、ニッケル層の上のパラジウム層と、パラジウム層の上の金層とを含む。パワーアンプモジュールは、さらに、導電トレースを含み、導電トレースはめっき部と、めっき部を囲む非めっき部とを有する上面部を含み、ワイヤーボンドパッドは、めっき部の上に配置される。 【選択図】図4 |
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| 110 | 増幅器 | JP2013232158 | 2013-11-08 | JP6291796B2 | 2018-03-14 | 長谷川 延正 |
| 111 | 無線周波数入力信号の振幅調整による圧縮制御 | JP2015190670 | 2015-09-29 | JP6219899B2 | 2017-10-25 | リプリー、 デイヴィッド スティーブン; レートラ、 フィリップ ジョン |
| 112 | 電力増幅器の負荷調整による圧縮制御 | JP2015190662 | 2015-09-29 | JP6219898B2 | 2017-10-25 | リプリー、 デイヴィッド スティーブン; レートラ、 フィリップ ジョン |
| 113 | 増幅器 | JP2017505796 | 2015-05-27 | JP2017526270A | 2017-09-07 | ミミス、コンスタンティノス; ワトキンス、ギャビン |
| 一実施形態では、増幅器回路が開示される。増幅器回路は、無線周波数信号を増幅するように構成される増幅デバイス、増幅デバイスは、出力ダイナミックレンジを有する、と、増幅デバイスの出力が出力ダイナミックレンジの第1の領域内であるときに増幅デバイスに供給される電源電圧を変調するように構成される電源変調器と、増幅デバイスの出力に結合された同調可能整合ネットワークと、増幅デバイスの出力が出力ダイナミックレンジの第2の領域内であるとき、同調可能整合ネットワークを制御し、それによって、増幅デバイスの出力が加えられる負荷を変調するように構成される負荷制御器とを備える。【選択図】図11 | ||||||
| 114 | 電力増幅回路 | JP2016023057 | 2016-02-09 | JP2017143388A | 2017-08-17 | 長谷 昌俊 |
| 【課題】中間電力出力時の利得伸長を抑制しつつ消費電流を低減する。 【解決手段】電力増幅回路は、第1の信号が入力され第1の信号を増幅した第2の信号を出力する第1の増幅器と、第1の増幅器にバイアス電流又はバイアス電圧を供給するバイアス回路と、第1の信号の信号レベルに応じた制御電圧を生成する制御電圧生成回路と、を備え、バイアス回路は、バイアス電流又はバイアス電圧を出力する第1のトランジスタと、第1のトランジスタのエミッタ又はソースと接地との間に設けられた第2のトランジスタと、ベース又はゲートに制御電圧が供給されエミッタ又はソースから第2のトランジスタのベース又はゲートに第1の電流又は電圧を供給する第3のトランジスタと、を備え、信号レベルが第1のレベルの場合における第1の電流又は電圧の値は、信号レベルが第2のレベルの場合における第1の電流又は電圧の値より大きく、第1のレベルは第2のレベルより高い。 【選択図】図3 |
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| 115 | パワーアンプモジュールを含む関連するシステム、デバイス、および方法 | JP2016154503 | 2016-08-05 | JP6092452B2 | 2017-03-08 | チェン,ハワード・イー; グオ,イーファン; ホアン,ディンフュオク・ブ; ジャナニ,メーラン; コー,ティン・ミント; レートラ,フィリップ・ジョン; ロビアンコ,アンソニー・ジェームズ; モディ,ハーディック・ブペンドラ; グエン,ホアン・モン; オザラス,マシュー・トーマス; ペティ−ウィークス,サンドラ・ルイーズ; リード,マシュー・ショーン; リージ,イェンス・アルブレヒト; リプレー,デイビット・スティーブン; シャオ・ホンシアオ; シェン,ホン; サン,ウェイミン; サン,シャン−チー; ウェルチ,パトリック・ローレンス; ザンパルディ,ピーター・ジェイ,ジュニア; チャン,グオハオ |
| 116 | 増幅回路 | JP2015536559 | 2014-09-05 | JPWO2015037532A1 | 2017-03-02 | 潔 篠井; 陽 浅尾 |
| 【課題】負帰還によるゲインの設定に影響を受けることなく高い入力インピーダンスを保てるとともに、入力段のトランジスタに起因するノイズを低減できる増幅回路を提供する。【解決手段】差動対10の一対のゲートに差動信号が入力され、差動対10のドレインに接続される負荷回路20に発生した差動信号が差動増幅段60において増幅され、その増幅された差動信号が帰還回路40を介して差動対10の一対のソースに帰還される。差動対10の一対のゲートにおいて増幅回路の負帰還のゲインに影響を受けることなく高い入力インピーダンスを保つことができるとともに、差動対10の2個の第1トランジスタQ1及び第2トランジスタQ2によって入力段の増幅を行うことができるため、従来に比べて入力段のトランジスタの数を減らし、フリッカノイズを低減できる。【選択図】図1 | ||||||
| 117 | 増幅器 | JP2014543036 | 2014-02-07 | JPWO2014132577A1 | 2017-02-02 | 幸二 高橋; 重紀 中村 |
| 回路規模の増大及び消費電力の増大を抑制し、容易に奇数次高調波を抑制する増幅器を提供すること。この増幅器は、複数のゲートフィンガーを有するMOSトランジスタ、または単一のゲートフィンガーを有する複数のMOSトランジスタを具備する増幅器であって、前記ゲートフィンガーの各々に付加された容量性誘電体と、交流信号を入力するゲートの入力端子及び前記ゲートの入力端子の間に接続された可変抵抗と、を有し、前記可変抵抗、前記ゲートフィンガーの各々のゲート抵抗、及び、前記容量性誘電体により、所望の周波数特性を有する複数のローパスフィルタを形成し、前記ゲートの入力端子からOD(Oxide Diffusion)領域境界までの各々のゲートフィンガーの幅または長さが異なる。 | ||||||
| 118 | 強化された相互コンダクタンスと抑制された出力コモンモードとを有するクロックおよびデータドライバ | JP2016526360 | 2014-11-05 | JP2017501607A | 2017-01-12 | ウェンジュン・スウ; グアンミン・イン; チュアンチン・ジュウ |
| ドライバにおいて低い出力コモンモード電圧を維持するための方法、装置、および手段が提供される。1つの例示的な装置は、装置のための差動出力を提供するように構成された第1の差動増幅器段と、第1の差動増幅器段を駆動するように構成された第2の差動増幅器段とを含み、第2の差動増幅器段は、1対のプリドライバ増幅器と、1対のn段回路と、入力スキュー平均化回路とを含み、1対のn段ユニットの各々は、2つのハーフブロックに分割される。入力スキュー平均化回路は、1対のn段回路のゲート-ソース電圧におけるスキューを平均化するために相補的なデジタル入力を用いてそれらのブロックを駆動することによって出力コモンモード電圧を抑制するように構成される。特定の態様では、第1の差動増幅器段の主トランジスタの相互コンダクタンスおよび動作速度を向上させるために、2つのフィードフォワードキャパシタが追加され得る。 | ||||||
| 119 | パワーアンプモジュールを含む関連するシステム、デバイス、および方法 | JP2016154503 | 2016-08-05 | JP2016225642A | 2016-12-28 | チェン,ハワード・イー; グオ,イーファン; ホアン,ディンフュオク・ブ; ジャナニ,メーラン; コー,ティン・ミント; レートラ,フィリップ・ジョン; ロビアンコ,アンソニー・ジェームズ; モディ,ハーディック・ブペンドラ; グエン,ホアン・モン; オザラス,マシュー・トーマス; ペティ−ウィークス,サンドラ・ルイーズ; リード,マシュー・ショーン; リージ,イェンス・アルブレヒト; リプレー,デイビット・スティーブン; シャオ・ホンシアオ; シェン,ホン; サン,ウェイミン; サン,シャン−チー; ウェルチ,パトリック・ローレンス; ザンパルディ,ピーター・ジェイ,ジュニア; チャン,グオハオ |
| 【課題】無線通信において使用されるパワーアンプモジュールを提供する。 【解決手段】パワーアンプモジュールは、無線周波数(RF)信号を受けて、増幅したRF信号を供給するように構成されたパワーアンプと、パワーアンプに電気的に接続されたワイヤーボンドパッドとを含み、ワイヤーボンドパッドは0.5μm未満の厚みを有するニッケル層と、ニッケル層の上のパラジウム層と、パラジウム層の上の金層とを含む。パワーアンプモジュールは、さらに、導電トレースを含み、導電トレースはめっき部と、めっき部を囲む非めっき部とを有する上面部を含み、ワイヤーボンドパッドは、めっき部の上に配置される。 【選択図】図4 |
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| 120 | 電力増幅回路及び電力増幅モジュール | JP2014550044 | 2013-07-01 | JP5983968B2 | 2016-09-06 | 長谷 昌俊 |
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