| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 包括异质结双极晶体管(HBT)及互补金属氧化物半导体(CMOS)装置的混合功率放大器 | CN201510276259.3 | 2015-05-26 | CN105281689B | 2017-04-12 | 权杨; D·博克尔曼; M·梅普尔; 郑朱民 |
| 本申请案涉及一种包括异质结双极晶体管hbt及互补金属氧化物半导体cmos装置的混合功率放大器。异质结双极晶体管HBT混合型RF(射频)功率放大器包含：第一装置，所述第一装置包含用于接收RF信号的输入端子、用于放大所接收RF信号的前置驱动器级，及输出端子，所述输入端子、所述前置驱动器级及所述输出端子安置于第一衬底中或上方；及第二装置，所述第二装置具有主要级，所述主要级具有安置于第二衬底中或上方的HBT放大器电路以进一步放大由所述前置驱动器级放大的RF信号。由所述主要级进一步放大的所述RF信号通过所述第一装置的所述输出端子输出。 | ||||||
| 22 | 一种用于功率放大器的有源偏置电路及通信设备 | CN201510081837.8 | 2015-02-15 | CN104682898B | 2017-03-22 | 牛旭 |
| 本发明公开了一种用于功率放大器的有源偏置电路及通信设备。该电路包括PTAT电流源电路、基准电压电路、隔离稳压电路以及偏置电压电路；其中，PTAT电流源电路输入端连接到电压源，输出端连接基准电压电路，用于产生与电压源和温度成比例的电流；基准电压电路产生与电流和温度成比例的基准电压；隔离稳压电路隔离基准电压电路和偏置电压电路，通过负反馈的环路为偏置电压电路提供稳定电压；偏置电压电路接收隔离电压电路的电压，同时连接电压源，用于产生功率放大管的偏置电压。本发明能够在一定程度抑制温度漂移导致的偏置状态漂移，同时克服大功率输出状态下温度升高所导致的线性度恶化。 | ||||||
| 23 | 功率放大电路及高频模块 | CN201210445176.9 | 2012-11-08 | CN103107777B | 2016-08-31 | 广冈博之 |
| 能实现即使进行反馈控制也能抑制输出功率下降的功率放大电路。具备功率放大电路的高频模块（10）包括高频功率放大元件（20）、匹配电路（30）、及驱动电源电路（40）。高频功率放大元件（20）包括高频放大电路（210）和定向耦合器（230）。定向耦合器（230）的主线路（231）的第一端与高频放大电路（210）的后级放大电路（212）的输出端子相连接。主线路（231）的第二端经由输出匹配电路（240）与高频功率放大元件（20）的高频信号输出端子（Pout）相连接。后级放大电路（212）的输出端子还与高频功率放大元件（20）的第二驱动电源电压施加端子（PV2）相连接。第二驱动电源电压施加端子与高频信号输出端子（Pout）由连接导体（50）进行连接。 | ||||||
| 24 | 带有浮置阱的放大器 | CN201210299998.0 | 2012-08-21 | CN103378808B | 2016-04-06 | 谢协宏; 刘懿萱; 李洁涵; 叶子祯; 周淳朴 |
| 一种低噪声放大器包括具有栅极和源极的第一晶体管，该栅极被配置成接收振荡输入信号，而该源极接地。第二晶体管具有与第一晶体管的漏极相连接的源极，与偏执电压相连接的栅极，以及与输出节点相连接的漏极。第一和第二晶体管中的至少一个包括有与隔离电路相连接的浮置的深n阱。本发明还提供了一种带有浮置阱的放大器。 | ||||||
| 25 | 无线通讯装置、方法及其功率放大器 | CN201510015858.X | 2015-01-13 | CN104883142A | 2015-09-02 | 李建桦; 林晏诠 |
| 本发明揭露一种无线通讯装置、方法及其功率放大器。无线通讯装置包含：功率放大器以及天线。功率放大器包含：第一及第二功率放大路径、第一及第二选择电路、第一及第二匹配电路。第一及第二功率放大路径分别接收第一及第二输入信号。第一选择电路根据第一输入信号的频段选择第一匹配电路其中之一进行第一匹配处理，产生第一输出信号。第二选择电路根据第二输入信号的频段选择第二匹配电路其中之一进行第二匹配处理，产生第二输出信号。天线耦接于功率放大器，以传送第一及/或第二输出信号。本发明的目的在提供对大频率范围内的信号进行匹配处理的无线通讯装置、方法及其功率放大器。 | ||||||
| 26 | 功率放大模块 | CN201410768054.2 | 2014-12-12 | CN104716908A | 2015-06-17 | 松井俊树 |
| 本发明能够提高采用包络追踪方式的功率放大模块的线性度。本发明的功率放大模块包括：第1双极晶体管，向该第1双极晶体管的基极输入第1无线频率信号，且该第1双极晶体管的发射极接地；以及第2双极晶体管，将第1恒压提供给该第2双极晶体管的基极，将根据第1无线频率信号的振幅而变动的第1电源电压提供给该第2双极晶体管的集电极，该第2双极晶体管的发射极与第1双极晶体管的集电极相连接，将放大第1无线频率信号而得到的第1放大信号从该第2双极晶体管的集电极输出。 | ||||||
| 27 | 具有多重操作模式的放大器模块 | CN201080034498.3 | 2010-08-04 | CN102474223B | 2015-05-27 | 内森·M·普莱彻; 阿里斯托泰莱·哈奇克里斯托斯; 巴巴克·内贾蒂 |
| 本发明描述一种具有多重操作模式的放大器模块。在一示范性设计中，所述放大器模块包括放大器(例如，功率放大器)、开关及输出电路。在第一模式中，所述放大器接收并放大输入信号且提供经放大的信号。所述开关耦合到所述放大器的输出且在第二模式中将所述放大器旁路并提供旁路信号。所述输出电路耦合到所述放大器及所述开关。在所述第一模式中，所述输出电路为所述放大器执行输出阻抗匹配。所述输出电路还进行以下操作：(i)在所述第一模式中接收所述经放大的信号且提供输出信号，及(ii)在所述第二模式中接收所述旁路信号且提供所述输出信号。所述放大器在所述第一模式中被启用且在所述第二模式中被停用。 | ||||||
| 28 | 低功率消耗混合模式功率放大器 | CN200780100226.7 | 2007-12-21 | CN101868913B | 2015-01-28 | 朴敏; 康太荣; 崔炳建; 崔鈗皓; 金柄助; 金永皓; 朴耿奂; 玄锡奉; 严洛雄 |
| 本发明提供了一种低功率消耗混合模式放大器。该功率放大器包括：低输出放大器电路，用于在最频繁使用的低输出模式中生成具有高效率的功率放大结果；高输出放大器电路，用于在消耗最多功率的区域的高输出模式中生成高线性的放大结果；放大器控制器，用于根据输入信号的功率电平来选择性激活所述低和高输出放大器电路。所述高和低输出放大器电路具有预定增益差。 | ||||||
| 29 | 具有高功率附加效率的倒装芯片线性功率放大器 | CN201280061047.8 | 2012-11-09 | CN103988424A | 2014-08-13 | G.张; H.B.莫迪; J.J.乔什; B.维加亚库玛; D.V.霍安格 |
| 公开一种用于改进在倒装芯片配置中实现的射频功率放大器的功率附加效率和线性的设备和方法。在一些实施例中，可以提供谐波端接电路，以便与被配置为提供在基频处的阻抗匹配的输出匹配网络分开。所述谐波端接电路可以被配置为在与所述功率放大器输出的谐波频率对应的相位处终止。这种分开的基本匹配网络和谐波端接电路的配置允许分开地调谐每一个从而改进例如功率附加效率和线性的性能参数。 | ||||||
| 30 | 功率放大电路及高频模块 | CN201210445176.9 | 2012-11-08 | CN103107777A | 2013-05-15 | 广冈博之 |
| 能实现即使进行反馈控制也能抑制输出功率下降的功率放大电路。具备功率放大电路的高频模块（10）包括高频功率放大元件（20）、匹配电路（30）、及驱动电源电路（40）。高频功率放大元件（20）包括高频放大电路（210）和定向耦合器（230）。定向耦合器（230）的主线路（231）的第一端与高频放大电路（210）的后级放大电路（212）的输出端子相连接。主线路（231）的第二端经由输出匹配电路（240）与高频功率放大元件（20）的高频信号输出端子（Pout）相连接。后级放大电路（212）的输出端子还与高频功率放大元件（20）的第二驱动电源电压施加端子（PV2）相连接。第二驱动电源电压施加端子与高频信号输出端子（Pout）由连接导体（50）进行连接。 | ||||||
| 31 | 半导体器件 | CN201080067651.2 | 2010-06-22 | CN102959875A | 2013-03-06 | 古田善一; 堀和明; 赤峰幸德 |
| 在半导体器件(RFIC)的发送部(22)中，第一放大部(24)接收数字基带信号，通过数字处理来以第一增益进行放大。数字模拟转换部(25)将通过第一放大部(24)放大后的数字基带信号转换为模拟基带信号。调制部(32)根据模拟基带信号对局部振荡信号进行调制，由此生成发送信号。第二放大部(35)以可变的第二增益对发送信号进行放大。控制部(36)接收表示发送模式的信息，根据发送模式调整第一增益。 | ||||||
| 32 | 具有降低的低功率电流消耗的多模式功率放大器 | CN200780015894.X | 2007-03-19 | CN101438492B | 2012-12-26 | G·奥 |
| 本发明公开了一种多模式RF放大器，其具有由两个功率路径组成的高和低输出功率模式。当多模式RF放大器被偏置到高功率HP模式时，经由两个(第一和第二)路径来传递实际功率。而在低功率LP模式下，仅经由第二路径来传递功率，所述第二路径被设计为在低功率(回退)工作下降低电流消耗并改善效率。在一个实施例中，多模式RF放大器具有功率放大器，但没有机械或电子开关。多模式放大器利用其中阻抗在不同功率放大器偏置条件下改变的阻抗匹配电路以便优化两种工作模式下的电流消耗，并且对于便携式应用，功率效率高。需要注意的是，在优选实施例中，即使在HP模式下，传递到第二功率路径的功率也比传递到第一功率路径的功率高。 | ||||||
| 33 | 加法器及采用其的功率合成器、正交调制器、正交解调器、功率放大器、发送机、无线通信机 | CN200980142521.8 | 2009-11-05 | CN102197402A | 2011-09-21 | 长山昭; 福冈泰彦 |
| 本发明提供可获得多个高频信号的加法信号的加法器以及采用了该加法器的功率合成器、正交调制器、正交解调器、功率放大器、发送机以及无线通信机。设定从多个第1阻抗电路(110a、110b)的共用输出点(P3)向各个输入端子(102a、102b)侧的阻抗(Zg、Zh)，使高频电流(Ig、Ih)近似为零。设定从第1连接点(P1)向输入端子(102a、102b)侧的阻抗(Zs)，使高频电流(Is)近似为零。设定从第1连接点(P1)向电路(150)侧的阻抗(Zc)，使高频电流(Ic)近似为零。设定从第2连接点(P2)向电源侧的阻抗(Zm)，使高频电流(Im)近似为零。 | ||||||
| 34 | 低功率消耗混合模式功率放大器 | CN200780100226.7 | 2007-12-21 | CN101868913A | 2010-10-20 | 朴敏; 康太荣; 崔炳建; 崔鈗皓; 金柄助; 金永皓; 朴耿奂; 玄锡奉; 严洛雄 |
| 提供了一种低功率消耗混合模式放大器。该功率放大器包括：低输出放大器电路，用于在最频繁使用的低输出模式中生成具有高效率的功率放大结果；高输出放大器电路，用于在消耗最多功率的区域的高输出模式中生成高线性的放大结果；放大器控制器，用于根据输入信号的功率电平来选择性激活所述低和高输出放大器电路。所述高和低输出放大器电路具有预定增益差。 | ||||||
| 35 | 在线性功率放大器中用于使能对静态电流的动态控制的可自适应的偏置电路 | CN200380106182.0 | 2003-11-28 | CN1788412A | 2006-06-14 | C·乔利 |
| 一种射频(RF)线性功率放大器，其具有一个输出晶体管并且包括：一个电路装置，用于生成一个偏置信号，从而产生流过输出晶体管的静态电流；一个检测器电路，用于检测输入到所述放大器的RF输入，并根据所述RF输入的功率电平生成一个驱动信号；以及一个自适应电路，用于接收所述驱动信号并自动修改所述偏置信号和通过所述输出晶体管的所述静态电流。在所述输出级处的所述静态电流被减小和优化，以用于在所有功率输出电平上的最小耗散和最优线性。用于所述射频(RF)线性功率放大器的偏置电路包括一个可自适应电路，其通过自动跟踪输入到输出级放大器的RF信号而动态修改用于该放大器的静态电流，所述RF信号在超过一个特定功率输出阈值的功率范围内。 | ||||||
| 36 | 高频功率放大器、高频功率放大器模块和便携式电话 | CN02126221.7 | 2002-07-15 | CN1407719A | 2003-04-02 | 加贺谷修; 大西正已; 关根健治; 田上知纪 |
| 为了提供一种小尺寸的高频功率放大器，用于通过少量的开关电路而防止振荡并且高效率地输出高功率和低功率的高频信号，还提供一种高频功率放大器模块和便携式电话，该高频功率放大器包括相并联的放大电路A和放大电路B，其中在放大电路B的输出级上的晶体管的尺寸等于或小于在放大电路A的输出级上的晶体管的尺寸的1/4，以及开关电路连接在从放大电路A的输出级引出的信号线与接地端之间。另外，当构成放大电路B的晶体管进入不工作状态并且开关电路截止时，放大电路A输出高功率的高频信号，以及当构成放大电路A的晶体管进入不工作状态并且开关电路导通时，放大电路B输出低功率的高频信号。 | ||||||
| 37 | 带凸部的电子元器件及带凸部的电子元器件的制造方法 | CN201310647631.8 | 2013-12-04 | CN103855118B | 2017-03-29 | 大部功; 长壁伸也 |
| 本发明的目的在于提供一种带凸部的电子元器件及带凸部的电子元器件的制造方法。该带凸部的电子元器件及带凸部的电子元器件的制造方法用于防止半导体芯片的特性变化及半导体基板与安装基板之间的连接不良。带凸部的电子元器件包括：电路基板（1）；以及多个凸部（B1、B2），该多个凸部（B1、B2）形成于电路基板（1）的基板主面上，所述多个凸部（B1、B2）在与基板主面平行的方向上的截面积不同。另外，凸部（B1、B2）中截面积较小的凸部（B1）在垂直方向上具有高度调整层（5）。 | ||||||
| 38 | 具有高功率附加效率的倒装芯片线性功率放大器 | CN201280061047.8 | 2012-11-09 | CN103988424B | 2017-03-08 | G.张; H.B.莫迪; J.J.乔什; B.维加亚库玛; D.V.霍安格 |
| 公开一种用于改进在倒装芯片配置中实现的射频功率放大器的功率附加效率和线性的设备和方法。在一些实施例中，可以提供谐波端接电路，以便与被配置为提供在基频处的阻抗匹配的输出匹配网络分开。所述谐波端接电路可以被配置为在与所述功率放大器输出的谐波频率对应的相位处终止。这种分开的基本匹配网络和谐波端接电路的配置允许分开地调谐每一个从而改进例如功率附加效率和线性的性能参数。 | ||||||
| 39 | 高频功率放大器及其工作方法 | CN201110048769.7 | 2011-02-25 | CN102170270B | 2016-06-29 | 太田生马; 林范雄; 筒井孝幸; 森泽文雅; 长谷昌俊 |
| 本发明提供一种高频功率放大器，其在半导体芯片上具有：与偏置控制电路(112)电流镜连接的偏置晶体管(516)和放大晶体管(513)；以及具有复制晶体管(421)的栅极长度监视电路(101)。放大晶体管(513)放大RF信号，并向偏置晶体管(516)供给偏置控制电路(112)的偏置电流。偏置晶体管(516)、放大晶体管(513)、复制晶体管(421)通过相同的半导体制造过程形成，具有相同的栅极长度偏差。栅极长度监视电路(101)生成依赖于栅极长度L的检测电压Vmon，偏置控制电路(112)根据检测电压来控制偏置电流，补偿放大晶体管(513)的跨导对栅极长度的依赖性。根据本发明，能够减轻功率放大场效应晶体管的对栅极长度的依赖性导致的功率增益变动。 | ||||||
| 40 | 高频功率放大器 | CN201210155265.X | 2012-05-18 | CN102790591B | 2016-03-30 | 渡边晋太郎; 弥政和宏; 前原宏昭; 高相纯 |
| 本发明涉及高频功率放大器。获得一种能够同时进行阻抗匹配的切换和路径的切换，能够使电路设计的自由度提高的高频功率放大器。晶体管（Tr1）对从外部输入的高频信号进行放大。晶体管（Tr2）对晶体管（Tr1）的输出信号进行放大。晶体管（Tr3）与晶体管（Tr1）并联连接，并对从外部输入的高频信号进行放大。在晶体管（Tr1）的输出和晶体管（Tr2）的输入之间连接有切换元件（SW1）。在晶体管（Tr3）的输出和切换元件（SW1）之间连接有切换元件（SW2）。在晶体管（Tr1）的输出及切换元件（SW2）和晶体管（Tr2）的输出之间串联连接有切换元件（SW3、SW4）。在切换元件（SW3）和切换元件（SW4）之间连接有电容器（C1）。 | ||||||
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