| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 41 | 包括异质结双极晶体管(HBT)及互补金属氧化物半导体(CMOS)装置的混合功率放大器 | CN201510276259.3 | 2015-05-26 | CN105281689A | 2016-01-27 | 权杨; D·博克尔曼; M·梅普尔; 郑朱民 |
| 本申请案涉及一种包括异质结双极晶体管hbt及互补金属氧化物半导体cmos装置的混合功率放大器。异质结双极晶体管HBT混合型RF(射频)功率放大器包含：第一装置，所述第一装置包含用于接收RF信号的输入端子、用于放大所接收RF信号的前置驱动器级，及输出端子，所述输入端子、所述前置驱动器级及所述输出端子安置于第一衬底中或上方；及第二装置，所述第二装置具有主要级，所述主要级具有安置于第二衬底中或上方的HBT放大器电路以进一步放大由所述前置驱动器级放大的RF信号。由所述主要级进一步放大的所述RF信号通过所述第一装置的所述输出端子输出。 | ||||||
| 42 | 可调无线电前端及方法 | CN201180041496.1 | 2011-08-26 | CN103155431B | 2015-08-19 | 亚瑟·S·莫里斯三世 |
| 本发明公开了可调无线电前端系统和方法，其中，所述可调无线电前端包括第一可调阻抗匹配网络、第二可调阻抗匹配网络、发射信号路径以及接收信号路径。所述发射信号路径可以包括第一可调滤波器、可调功率放大器以及无线电发射机，所述第一可调滤波器与第一可调阻抗匹配网络连通，所述可调功率放大器连接至第一可调滤波器，所述无线电发射机连接至所述可调功率放大器。所述接收信号路径可以包括第二可调滤波器、可调低噪声放大器以及无线电接收机，所述第二可调滤波器与第二可调阻抗匹配网络连通，所述可调低噪声放大器连接至第二可调滤波器，所述无线电接收机连接至所述可调低噪声放大器。 | ||||||
| 43 | 半导体器件 | CN201080067651.2 | 2010-06-22 | CN102959875B | 2015-07-29 | 古田善一; 堀和明; 赤峰幸德 |
| 在半导体器件(RFIC)的发送部(22)中，第一放大部(24)接收数字基带信号，通过数字处理来以第一增益进行放大。数字模拟转换部(25)将通过第一放大部(24)放大后的数字基带信号转换为模拟基带信号。调制部(32)根据模拟基带信号对局部振荡信号进行调制，由此生成发送信号。第二放大部(35)以可变的第二增益对发送信号进行放大。控制部(36)接收表示发送模式的信息，根据发送模式调整第一增益。 | ||||||
| 44 | 一种用于功率放大器的有源偏置电路及通信设备 | CN201510081837.8 | 2015-02-15 | CN104682898A | 2015-06-03 | 牛旭 |
| 本发明公开了一种用于功率放大器的有源偏置电路及通信设备。该电路包括PTAT电流源电路、基准电压电路、隔离稳压电路以及偏置电压电路；其中，PTAT电流源电路输入端连接到电压源，输出端连接基准电压电路，用于产生与电压源和温度成比例的电流；基准电压电路产生与电流和温度成比例的基准电压；隔离稳压电路隔离基准电压电路和偏置电压电路，通过负反馈的环路为偏置电压电路提供稳定电压；偏置电压电路接收隔离电压电路的电压，同时连接电压源，用于产生功率放大管的偏置电压。本发明能够在一定程度抑制温度漂移导致的偏置状态漂移，同时克服大功率输出状态下温度升高所导致的线性度恶化。 | ||||||
| 45 | 低噪声放大器 | CN201410857355.2 | 2014-12-30 | CN104660179A | 2015-05-27 | 戴若凡 |
| 一种低噪声放大器，包括：输入级电路；偏置电路，用于为所述输入级电路提供偏置；输出级电路；第一放大器和第二放大器；第一中间级电路，用于所述输入级电路和所述第一放大器电路的级间匹配及信号耦合与隔离；第二中间级电路，用于所述第一放大器电路和所述第二放大器电路的级间匹配；所述第一中间级电路通过第一放大器与所述第二中间级电路耦接，所述第二中间级电路通过第二放大器与所述输出级电路耦接。通过所述低噪声放大器可以在不增加功耗的情况下，提高LNA的功率增益。 | ||||||
| 46 | 具有基于变压器的旁路模式的级联放大器 | CN201080051049.X | 2010-11-12 | CN102687391B | 2015-04-08 | 乔斯·卡瓦尼利亚斯 |
| 一种基于变压器的双增益模式功率放大器布置包含：驱动器级(220)、功率放大器级(250)及旁路路径(272、274、280)。可切换级间匹配电路(234)耦合于所述驱动器级(220)的输出与所述功率放大器级(250)及所述旁路路径(272、274、280)的相应输入之间。所述可切换级间匹配电路(234)包含变压器(430)，变压器(430)使其一次线圈(432)耦合到所述驱动器级(220)的所述输出。所述变压器(430)的二次线圈(442)使其一个端子经由第一开关(446)耦合到接地，而使其另一端子连接到所述旁路路径(272、274、280)。所述级间匹配电路(234)进一步包含第二开关(276)，其耦合于所述驱动器级(220)的所述输出与所述功率放大器级(250)的所述输入之间。在高增益模式下，所述第一开关(446)断开，而所述第二开关(276)闭合。因此，所述二次线圈在所述高增益模式期间从所述一次线圈电去耦。在旁路模式期间，所述第一开关(446)闭合，而所述第二开关(276)断开。因此，所述二次线圈(442)提供来自所述驱动器级的信号，所述信号经由另一匹配电路(280)耦合到放大器输出端子(B)。为了改进级间阻抗匹配，所述布置可进一步包含耦合到所述一次线圈(432)的可切换电容器(434、436)和/或耦合到所述二次线圈(442)的电容器(444)。所述驱动器级及所述放大器级可实现为差分放大器级，其中所述一次线圈耦合于所述驱动器级的差分输出之间，而所述二次线圈在所述旁路模式期间将差分信号转换成单端信号。 | ||||||
| 47 | 射频放大电路以及功率放大模块 | CN201410100764.8 | 2014-03-18 | CN104065349A | 2014-09-24 | 筒井孝幸; 田中聪; 嶋本健一 |
| 本发明的目的在于提供一种能以低电压进行驱动的射频放大电路。射频放大电路包括:放大晶体管，该放大晶体管将通过匹配电路输入至基极的射频信号进行放大并输出；第1偏压用晶体管，该第1偏压用晶体管与放大晶体管进行电流镜连接，将偏压提供给放大晶体管；以及第2偏压用晶体管，该第2偏压用晶体管与放大晶体管的基极进行射极跟随器连接，将偏压提供给放大晶体管。 | ||||||
| 48 | 用于共源共栅放大器的反馈偏置 | CN201010600890.1 | 2010-12-17 | CN102130658B | 2014-06-25 | 田喊熙; 李彰浩; 乔伊·拉斯卡尔 |
| 提供了用于共源共栅放大器的反馈偏置。一种用于功率发送器的系统可包括：第一放大器级，至少具有以第一共源共栅结构连接的第一晶体管和第二晶体管；第二放大器级，至少具有以第二共源共栅结构连接的第三晶体管和第四晶体管，其中，第一晶体管接收功率发送器的系统输入，其中，第二晶体管连接到第三晶体管，并且其中，第四晶体管提供功率发送器的系统输出；反馈网络，将第四晶体管的第一栅极或基极与第二晶体管的第二栅极或基极连接。 | ||||||
| 49 | 带凸部的电子元器件及带凸部的电子元器件的制造方法 | CN201310647631.8 | 2013-12-04 | CN103855118A | 2014-06-11 | 大部功; 长壁伸也 |
| 本发明的目的在于提供一种带凸部的电子元器件及带凸部的电子元器件的制造方法。该带凸部的电子元器件及带凸部的电子元器件的制造方法用于防止半导体芯片的特性变化及半导体基板与安装基板之间的连接不良。带凸部的电子元器件包括：电路基板（1）；以及多个凸部（B1、B2），该多个凸部（B1、B2）形成于电路基板（1）的基板主面上，所述多个凸部（B1、B2）在与基板主面平行的方向上的截面积不同。另外，凸部（B1、B2）中截面积较小的凸部（B1）在垂直方向上具有高度调整层（5）。 | ||||||
| 50 | 用以测量放大电路的输出功率的功率侦测电路和电子电路 | CN201010287072.0 | 2010-09-17 | CN102236047B | 2014-03-05 | 陈志纬 |
| 本发明公开了一种用以测量放大电路的输出功率的功率侦测电路和电子电路。该功率侦测电路包括镜像放大级和功率传感电路。该镜像放大级是相似且对应于放大电路的放大级。因为镜像放大级和相对应的该放大级有相同的偏压，所以该镜像放大级的输出功率能直接反映相对应的放大级的输出功率。且由于该镜像放大级能够显著弱化该功率侦测电路和相对应的该放大级之间的关系，所以，该功率传感电路可提供该放大级的输出功率的准确测量结果。 | ||||||
| 51 | 带有浮置阱的放大器 | CN201210299998.0 | 2012-08-21 | CN103378808A | 2013-10-30 | 谢协宏; 刘懿萱; 李洁涵; 叶子祯; 周淳朴 |
| 一种低噪声放大器包括具有栅极和源极的第一晶体管，该栅极被配置成接收振荡输入信号，而该源极接地。第二晶体管具有与第一晶体管的漏极相连接的源极，与偏执电压相连接的栅极，以及与输出节点相连接的漏极。第一和第二晶体管中的至少一个包括有与隔离电路相连接的浮置的深n阱。本发明还提供了一种带有浮置阱的放大器。 | ||||||
| 52 | 用于电容性负载减少的装置和方法 | CN201180067504.X | 2011-12-13 | CN103370874A | 2013-10-23 | S.凯斯巴克 |
| 公开了一种用于电容性负载减少的装置和方法。在一个实施例中，功率放大器系统包括多个功率放大器，以及用于生成功率放大器的供电电压的包络跟踪模块。所述功率放大器系统还包括开关和与所述系统的第一功率放大器可操作地相关联的去耦电容器。所述开关被配置为当禁用第一功率放大器时，使去耦电容器的一端电浮置，从而减少包络跟踪器的电容性负载，以及所述开关被配置为当使能功率放大器时作为阻尼电阻器操作，以提高系统的稳定性。 | ||||||
| 53 | 可调无线电前端及方法 | CN201180041496.1 | 2011-08-26 | CN103155431A | 2013-06-12 | 亚瑟·S·莫里斯三世 |
| 本发明公开了可调无线电前端系统和方法，其中，所述可调无线电前端包括第一可调阻抗匹配网络、第二可调阻抗匹配网络、发射信号路径以及接收信号路径。所述发射信号路径可以包括第一可调滤波器、可调功率放大器以及无线电发射机，所述第一可调滤波器与第一可调阻抗匹配网络连通，所述可调功率放大器连接至第一可调滤波器，所述无线电发射机连接至所述可调功率放大器。所述接收信号路径可以包括第二可调滤波器、可调低噪声放大器以及无线电接收机，所述第二可调滤波器与第二可调阻抗匹配网络连通，所述可调低噪声放大器连接至第二可调滤波器，所述无线电接收机连接至所述可调低噪声放大器。 | ||||||
| 54 | 具有离散功率控制的功率放大器 | CN200910226068.0 | 2009-11-25 | CN101741322B | 2013-04-03 | 安奎焕; 李洞护; 李彰浩; 乔伊·拉斯卡尔 |
| 本发明提供一种具有离散功率控制的功率放大器。提供一种用于具有离散功率控制的功率放大器的系统和方法。所述系统和方法可包括：多个单元功率放大器；多个初级绕组，其中，每一初级绕组连接到所述多个单元功率放大器中对应的一个单元功率放大器的至少一个对应的输出端口；次级绕组，感应地耦合到所述多个初级绕组，其中，次级绕组提供总输出；偏置控制器，其中，偏置控制器至少部分地基于输出功率的电平，将对应的偏置电压提供给所述多个单元功率放大器中的一个或多个；开关控制器，其中，开关控制器操作，以通过对应的控制信号，来激活所述多个单元功率放大器中的至少一个或使所述多个单元功率放大器中的至少一个无效。 | ||||||
| 55 | RF放大装置 | CN200780050673.6 | 2007-12-19 | CN101595636B | 2012-10-31 | 大西正己; 田中聪; 田中亮一 |
| 本发明提供一种RF放大装置，包括：放大元件(Q11、Q12)，对无线通信的无线频率输入信号(Pin_LB)进行放大；以及传输线变压器(TLT 11、12)，与放大元件的输入电极与输出电极中的一个电极连接。传输线变压器包括：主线路(Lout)，配置在输入与输出之间；以及副线路(Lin)，配置在输入与输出中的某一个与交流接地点之间并与主线路(Lout)耦合。通过对交流接地点施加与接地电压电平(GND)不同的动作电压(Vdd)，从交流接地点经由副线路(Lin)向放大元件(Q11、Q12)的输出电极供给动作电压(Vdd)。可以在RF放大装置中在实现高性能的负载电路时回避RF模块的模块高度增大，并且回避在半导体芯片或多层布线电路基板中构成的高频放大器的负载电路的占有面积增大。 | ||||||
| 56 | 具有基于变压器的旁路模式的级联放大器 | CN201080051049.X | 2010-11-12 | CN102687391A | 2012-09-19 | 乔斯·卡瓦尼利亚斯 |
| 一种基于变压器的双增益模式功率放大器布置包含：驱动器级(220)、功率放大器级(250)及旁路路径(272、274、280)。可切换级间匹配电路(234)耦合于所述驱动器级(220)的输出与所述功率放大器级(250)及所述旁路路径(272、274、280)的相应输入之间。所述可切换级间匹配电路(234)包含变压器(430)，变压器(430)使其一次线圈(432)耦合到所述驱动器级(220)的所述输出。所述变压器(430)的二次线圈(442)使其一个端子经由第一开关(446)耦合到接地，而使其另一端子连接到所述旁路路径(272、274、280)。所述级间匹配电路(234)进一步包含第二开关(276)，其耦合于所述驱动器级(220)的所述输出与所述功率放大器级(250)的所述输入之间。在高增益模式下，所述第一开关(446)断开，而所述第二开关(276)闭合。因此，所述二次线圈在所述高增益模式期间从所述一次线圈电去耦。在旁路模式期间，所述第一开关(446)闭合，而所述第二开关(276)断开。因此，所述二次线圈(442)提供来自所述驱动器级的信号，所述信号经由另一匹配电路(280)耦合到放大器输出端子(B)。为了改进级间阻抗匹配，所述布置可进一步包含耦合到所述一次线圈(432)的可切换电容器(434、436)和/或耦合到所述二次线圈(442)的电容器(444)。所述驱动器级及所述放大器级可实现为差分放大器级，其中所述一次线圈耦合于所述驱动器级的差分输出之间，而所述二次线圈在所述旁路模式期间将差分信号转换成单端信号。 | ||||||
| 57 | RF功率放大装置及其工作方法 | CN201110160332.2 | 2011-06-07 | CN102291093A | 2011-12-21 | 森本贵明; 栗山哲; 田中聪; 中村隼人 |
| 本发明提供一种RF功率放大装置及其工作方法。RF功率放大装置(200)包括根据外部电源电压(Vcc1、Vcc2、Vcc3)进行工作的驱动级放大器(230)、第一RF放大器(270a)、第二RF放大器(270b)以及DC电压转换器(280)。驱动级放大器(230)输出提供给第一及第二RF放大器(270a、270b)的输入，第一RF放大器(270a)的有效元件尺寸设定为比第二RF放大器(270b)大。向DC电压转换器(280)提供外部电源电压(Vcc3)，DC电压转换器(280)生成低电压的工作电源电压(Vcc4)并提供给第二RF放大器(270b)的输出端子。能不通过DC电压转换器(280)而向第一RF放大器(270a)的输出端子提供外部电源电压(Vcc2)。根据本发明，能通过减少低功率输出时的消耗电流来减缓由于DC电压转换器导致的安装面积的增大。 | ||||||
| 58 | 高频功率放大器及其工作方法 | CN201110048769.7 | 2011-02-25 | CN102170270A | 2011-08-31 | 太田生马; 林范雄; 筒井孝幸; 森泽文雅; 长谷昌俊 |
| 本发明提供一种高频功率放大器，其在半导体芯片上具有：与偏置控制电路(112)电流镜连接的偏置晶体管(516)和放大晶体管(513)；以及具有复制晶体管(421)的栅极长度监视电路(101)。放大晶体管(513)放大RF信号，并向偏置晶体管(516)供给偏置控制电路(112)的偏置电流。偏置晶体管(516)、放大晶体管(513)、复制晶体管(421)通过相同的半导体制造过程形成，具有相同的栅极长度偏差。栅极长度监视电路(101)生成依赖于栅极长度L的检测电压Vmon，偏置控制电路(112)根据检测电压来控制偏置电流，补偿放大晶体管(513)的跨导对栅极长度的依赖性。根据本发明，能够减轻功率放大场效应晶体管的对栅极长度的依赖性导致的功率增益变动。 | ||||||
| 59 | 高频放大器 | CN200680056481.1 | 2006-11-30 | CN101542897B | 2011-08-17 | 森一富; 弥政和宏; 太田彰; 紫村辉之; 中山正敏 |
| 本发明提供一种高频放大器，该高频放大器对元件尺寸不同的两个放大元件进行并联连接，按照输出功率的大小对放大元件进行切换，特别设置了输出匹配电路，该输出匹配电路无论输出功率大时还是小时的任何情况下都匹配为特性阻抗(50欧姆)，并且提高从两个放大元件的输出侧的连接点看截止的放大元件的阻抗。结果是可以实现高输出、高效率的特性，另外，具有可以抑制被放大的信号转入到截止的放大元件侧的匹配电路的效果。 | ||||||
| 60 | 具有线性化的射频功率放大器 | CN200980119824.8 | 2009-05-27 | CN102047554A | 2011-05-04 | 劳尔·阿里迪奥; 亚历山大·杜普伊; 阿杰伊·古姆玛拉; 李佑荣; 玛哈·阿乔尔 |
| 本发明提供与功率放大器相关联的设计和技术，该功率放大器用来放大RF信号，以在各种RF放大电路中提供可变的功率放大和经改进的线性，其包括在功率回退条件下工作的功率放大器。 | ||||||
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