子分类：
- G21K1/00： 粒子或电离辐射的处理装置,如聚焦或慢化(中子、带电粒子、中性分子束或中性原子束的产生或加速入H05H 3/00至H05H 15/00)
- G21K2201/00： 处理辐射或粒子的装置
- G21K2207/00： 具体的成像设备或方法,利用电离电磁辐射,如X射线或γ射线
- G21K4/00： 用于将粒子或电离辐射的空间分布转换成可见图像的转换屏幕,如荧光屏(使用X射线增强的摄影过程入G03C5/17 ; 包含发光屏幕的放电管入H01J1/62 ; 用于X射线转换并有光输出的 阴极射线管 入H01J31/50)
- G21K5/00： 照射装置(照射用的放电管入H01J37/00)
- G21K7/00： γ射线或X射线显微镜
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 41 | X射线准直器 | CN201580011223.0 | 2015-03-05 | CN106463193A | 2017-02-22 | 吉尔·特拉维斯; 马克·埃文斯; 罗伯特·史蒂文斯 |
| 一个X射线准直器，包括：一个基板(10)，该基板包括多个孔(30)，每个孔在一端是截头圆锥形(40)，以及在另一端的管状部分(50)，用来在X射线成像系统中使用，由此X射线准直器对齐于一个X射线源(70)的二维阵列和一个二维X射线传感器(130)，由此X射线光子从X射线源通过准直器孔，并出现为在一个狭窄的锥角内的一束X射线光子，该光子通过被成像的物体(110)，该物体置于准直器输出孔和X射线传感器之间。 | ||||||
| 42 | 半导体微纳米粒子定向运动控制方法 | CN201610900960.2 | 2016-10-14 | CN106448794A | 2017-02-22 | 官建国; 陈传瑞; 牟方志 |
| 本发明公开了一种半导体微纳米粒子定向运动控制方法。将半导体微纳米粒子分散于双氧水溶液或纯水中；使用光源照射在半导体微纳米粒子上，粒子表面非对称发生光催化反应，实现粒子的定向运动。使用平行光源照射半导体微纳米粒子，实现向同一个方向的运动。通过光源强度或双氧水溶液浓度的控制，实现运动速率的控制。本发明用特定波长的光束以一定角度照射在粒子上，半导体微纳米粒子受到光源照射激发出电子空穴对(半导体材料的禁带宽度在1-4.2电子伏特之间)，电子空穴参与到表面的化学反应，定向产生产物构建局部的产物浓度差；局部产物浓度差激发粒子周围的渗透压流，使得粒子向正趋光或者负趋光的方向运动，从而实现粒子的定向运动。 | ||||||
| 43 | 具有激光射束源和用于操纵激光射束的射束导引设备的极紫外激励光源 | CN201380030885.3 | 2013-05-29 | CN104472019B | 2017-02-22 | M·兰贝特; J·舒尔茨 |
| 本发明涉及一种极紫外激励光源(1)，其具有：至少一个用于发射至少一个激光射束(10，12)的激光射束源(9，9')和一个用于操纵所述至少一个激光射束(10，12)的射束导引设备(22)，所述射束导引设备具有：用于由所述至少一个激光射束(10，12)产生至少两个分离射束(10'，11，12'，13)的至少一个分束器(2)、用于操纵所述分离射束(10'，11，12'，13)中的至少一个分离射束的至少一个镜(4，5，15，16，17，18)或至少一个透镜、用于叠加所述至少两个分离射束(10″，11″'，12″，13″')的叠加镜(3)，和用于产生所述两个分离射束(10″，11″'，12″，13″')的相应焦点(7，8)的聚焦装置(6)。 | ||||||
| 44 | 电子出射窗箔 | CN201610651631.9 | 2011-11-09 | CN106409637A | 2017-02-15 | 本诺·齐格利戈; 卢卡·波皮; 拉斯-奥克·内斯隆德; 沃纳·哈格; 库尔特·霍尔姆; 安德斯·克里斯蒂安松 |
| 本发明提供了一种和在腐蚀环境中工作的高性能电子束发生器一起使用的电子出射窗箔。该电子出射窗箔包括夹层结构，该夹层结构具有Ti膜(202)、比Ti具有更高热导率的材料的第一层(204)和能够保护所述膜(202)避免被所述腐蚀环境破坏的材料的挠性第二层(206)，其中该第二层(206)面向该腐蚀环境。 | ||||||
| 45 | 原子束流装置 | CN201610941097.5 | 2016-10-26 | CN106409375A | 2017-02-15 | 程俊; 张海潮; 张敬芳; 许忻平; 王育竹 |
| 一种原子束流装置，包括十面体真空玻璃腔体、光学系统、真空玻璃腔体内置的四根钕铁硼磁铁和一块长条形光栅。本发明采用四根方形磁铁柱置于真空玻璃腔体内，相比于传统的磁铁外置的方式，这种方式更加稳定，而且不需要外在的固定及空间位置调节装置，另外相比于传统的利用一对或两对反亥姆霍兹线圈的方式，这种方式更加简单，无需电源供电，磁场更加稳定；采用了长条形光栅，这种方式有别于传统四束光对射的方式，只需要单束圆偏振光垂直入射到长条形光栅表面，就可形成二维磁光阱。 | ||||||
| 46 | 一种用于X射线探测的荧光屏及其制备方法 | CN201610920336.9 | 2016-10-24 | CN106373631A | 2017-02-01 | 李伟; 王伟; 寇华敏; 姚旭峰; 何培忠; 吴忠航 |
| 本发明公开了一种用于X射线探测的荧光屏，包括支撑层以及支撑在支撑层上的荧光层，所述荧光层包含有硫氧化钆。同时还公开了一种制备上述荧光屏的方法。上述荧光屏采用了硫氧化钆，其在吸收X射线后能够发射出可见光，与光电转换器件配合可以实现X射线的光电转换。利用上述方法制备荧光屏，具有工艺简单，成本低的优点。 | ||||||
| 47 | 直线轨迹断层扫描装置以及透视成像装置 | CN201310436220.4 | 2013-09-23 | CN104458771B | 2017-01-18 | 李明亮; 陈志强; 李元景; 李荐民; 张丽 |
| 本发明涉及辐射成像技术领域，具体涉及一种直线轨迹断层扫描装置。该直线轨迹断层扫描装置包括：用于产生位于特定张角范围内的射线束的射线发生单元；供待检查对象通过的待检查对象通道；以及，设置在所述待检查对象通道两侧的第一准直器和射线接收单元；所述射线束依次透过所述第一准直器和待检查对象后被所述射线接收单元接收；所述射线发生单元静止，所述第一准直器和射线接收单元器做同向直线运动且运动方向与所述待检查对象通道平行。本发明中的直线轨迹断层扫描装置可以最少仅使用一个射线接收单元即可完成断层扫描，因此精简了直线轨迹断层扫描装置的结构，降低了直线轨迹断层扫描装置的实现成本。 | ||||||
| 48 | 放射线图像变换面板及其制造方法和放射线图像检测装置 | CN201180063084.8 | 2011-05-30 | CN103299376B | 2016-12-28 | 金子泰久; 中津川晴康; 佐藤圭一郎; 北田信; 三浦圭 |
| 为了提高放射线图像变换面板的强度，在放射线图像变换面板2中，设置有包含由于放射线照射发出荧光的荧光物质的荧光体18，该荧光体包括柱状部34和非柱状部36，该柱状部34由通过所述荧光物质的晶体的柱状生长而形成的柱状晶体的群形成，并且该柱状部和非柱状部被一体化地形成以在该柱状晶体的晶体生长方向上重叠，并且该非柱状部沿着晶体生长方向的厚度在该非柱状部的至少一部分的区域中是不均匀的。 | ||||||
| 49 | 加速器的高频控制装置及粒子射线治疗装置 | CN201280074471.6 | 2012-07-24 | CN104411361B | 2016-12-14 | 高濑英伸 |
| 本发明具备：硬盘驱动器存储器(31)，该硬盘驱动器存储器(31)按产生的粒子射线的能量与强度的每个组合存储所施加的高频的模式数据；以及本地存储器(32)，为了执行扫描式照射法，该本地存储器(32)对于每个患者，从硬盘驱动器存储器(31)读取高频的多个模式数据以及改变能量和强度的顺序并进行存储，且该本地存储器(32)与硬盘驱动器存储器相比数据的读取速度较快，所述扫描式照射法中，通过依次改变粒子射线的能量和强度来对照射对象即患者的患部照射粒子射线，从而在患者的患部的深度方向依次形成层状的粒子射线照射区域。 | ||||||
| 50 | 闪烁体 | CN201680000932.3 | 2016-03-18 | CN106211779A | 2016-12-07 | 户塚大辅 |
| 本发明涉及具有将CsI(碘化铯)作为母体且含有铊(Tl)和铋(Bi)的结晶的闪烁体，其可提供一种能够在维持高输出的同时进一步提高余辉特性的新型闪烁体。本发明提出了一种闪烁体，其是具有将CsI(碘化铯)作为母体并含有Tl、Bi和O而成的结晶的闪烁体，其特征在于，上述结晶中的相对于Cs的Bi含有浓度a为0.001at.ppm≦a≦5at.ppm，上述结晶中的相对于I的O含有浓度b和上述结晶中的相对于Cs的Bi含有浓度a之比例(a/b)为0.005×10-4～200×10-4。 | ||||||
| 51 | 包括磁致伸缩材料的光学元件 | CN201380028021.8 | 2013-03-14 | CN104335122B | 2016-12-07 | P.休伯; O.迪尔 |
| 本发明涉及一种光学元件(21)，包括基板反射涂层(31)具有多个层对，所述多个层对具有由高折射率材料和低折射率材料构成的交替层(33a,33b)，其中，由磁致伸缩材料构成的至少一个活性层(34)形成在反射涂层(31)内。本发明还涉及一种光学元件(21)，其具有基板(30)和反射涂层(31)，其中，所述光学元件(21)包括至少一个第一活性层和至少一个第二活性层，至少一个第一活性层包括具有正磁致伸缩的材料，至少一个第二活性层包括具有负磁致伸缩的材料，其中，活性层的层厚度和层材料选择成使得由磁场引起的机械应力变化或活性层长度变化彼此相互补偿。本发明还涉及一种光学装置，尤其是EUV光刻设备，其包括至少一个这种光学元件(21)。(30)和反射涂层(31)。尤其对于EUV辐射的反射， | ||||||
| 52 | 地通过消除对磁体以及这些设备的电源电压源改变粒子束的方向的方法和设备、辐射源、 和控制电压源的需求来在不损失强度的情况下加速器、对撞机、用于获取磁场的装置 使射束旋转大角度、显著地简化设计、以及同时 | CN201280003164.9 | 2012-05-25 | CN103180912B | 2016-12-07 | 姆拉丁·阿布比奇罗维奇·库马科; 夫 |
| 减小所有设备的质量和尺寸。本发明涉及包括用于定向带电粒子、实现其加速和交互、以及产生由其运动引起的辐射的手段（即，用于改变加速带电粒子束的方向的方法、用于实现所述方法的设备）、波荡器电磁辐射源、带电粒子的线性和循环加速器、以及对撞机和用于产生由加速带电粒子流创建的磁场的装置的组。该方法以及实现该方法的设备基于对用于传送粒子的由能够充电的材料制成的弯曲通道（1）的使用、以及与粒子种类相同的电荷在通道内表面上的形成。这些发明的特征在于，它们需要维持使粒子的能量和电荷与通道的几何参数（特别是其纵轴（14）的曲率半径R）以及壁材料的电气强度相关的条件。该组中的其他设备包括用于改变射束方向的设备，该设备根据相应设备的功能将粒子的轨迹限定在这些设备内部以产生所需形状，并且使射束聚焦。技术效果是有可能具体 | ||||||
| 53 | 紫外光照射装置 | CN201610161502.1 | 2016-03-21 | CN106169316A | 2016-11-30 | 长尾宣明; 头川武央; 佐佐木良树 |
| 本发明提供一种能够高效地对流体照射紫外光的紫外光照射装置。其为对流体照射紫外光(12)的紫外光照射装置(30)，其具备深紫外光发光元件(31)、紫外光滤波器(32)以及旋流结构体(33)。深紫外光发光元件(31)为向上方发出深紫外光的元件，其具有接受在放电空间(10)内产生的激发光而发出紫外光的发光层(4)。紫外光滤波器(32)吸收或反射波长为200nm以下的光的80％以上。旋流结构体(33)具有使从外部流入的流体旋转的筒状结构体(14)和按照使在筒状结构体(14)旋转的流体流出到外部的方式导向的锥状结构体(13)。 | ||||||
| 54 | 多层反射镜和光刻设备 | CN201210091159.X | 2012-03-30 | CN102736441B | 2016-11-23 | A·M·雅库尼恩 |
| 本发明公开了一种多层反射镜以及一种光刻设备。所述多层反射镜构造并布置成反射波长在大约6.4nm至大约7.2nm范围内的辐射。多层反射镜具有交替层，所述交替层包括第一层和第二层。第一和第二层选自下列项构成的组：U(铀)或其化合物或其氮化物，和B4C层；Th(钍)或其化合物或其氮化物，和B4C层；La(镧)或其化合物或其氮化物，和B9C层；La(镧)或其化合物或其氮化物，和B4C层；U(铀)或其化合物或其氮化物，和B9C层；Th(钍)或其化合物或其氮化物，和B9C层；La(镧)或其化合物或其氮化物，和B(硼)层；U(铀)或其化合物或其氮化物，和B(硼)层；C(碳)或其化合物或其氮化物，和B(硼)层；Th(钍)或其化合物或其氮化物，和B(硼)层。 | ||||||
| 55 | X射线CT装置 | CN201180004847.1 | 2011-12-09 | CN102753099B | 2016-11-16 | 太田聪; 君岛荣 |
| X射线源；楔块，配置在所述X射线源和被检体之间，形成有遮挡X射线的一部分的遮挡物；楔块驱动部，使所述楔块的位置移动；以及系统控制部，在扫描执行期间中对所述楔块驱动部进行控制，从而控制所述楔块的位置。 | ||||||
| 56 | X射线遮线器装置 | CN201210007967.3 | 2012-01-12 | CN102610290B | 2016-10-05 | W·A·范勒梅尔; J·博克塞姆 |
| 用于X射线壳体的遮线器装置包括例如由实心钽制成的遮线器(10)。在实施方式中，该遮线器具有通孔(22)并且在所述X射线壳体的内表面上在打开位置和关闭位置之间滑动，在所述打开位置，所述通孔(22)与所述壳体中的开口(8)对齐。 | ||||||
| 57 | 一种中子慢化用Al/AlF3复合材料及其制备方法 | CN201610272302.3 | 2016-04-27 | CN105957576A | 2016-09-21 | 郑华德; 艾树鹤; 李艳辉; 张明; 马艺娟 |
| 本发明属于核反应堆用材料领域，具体公开了一种中子慢化用Al/AlF3复合材料及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：将AlF3、Al粉按质量比1:1～9:1称料混合，再加入烧结助剂并球磨、筛分；将粉料装入热压模具，于烧结炉中对热压模具进行热压烧结；升温至最高烧结温度后保温一段时间，保温完成后冷却，制得所述中子慢化用Al/AlF3复合材料。本发明中采用纯度高、颗粒小的粉料，配合球磨工艺充分混合物料，在低于金属铝熔点的温度进行热压烧结，避免了成分的偏聚，制备的慢化材料成分均匀、杂质含量少，材料致密度在2.6g/cm3以上，能满足核材料的高标准要求。 | ||||||
| 58 | 闪烁器双阵列的制造方法 | CN201380009495.8 | 2013-03-07 | CN104115233B | 2016-09-21 | 新田英雄; 重川祥; 盐田谕; 长友浩之 |
| 一种闪烁器双阵列的制造方法，其将具有不同的X射线能量检测灵敏度分布且具有相同间隔的多个平行的槽的第一闪烁器条块阵列和第二闪烁器条块阵列以两者的闪烁器条块沿层叠方向排列的方式借助中间层用树脂层接合起来，将所得到的条块阵列接合体沿着与闪烁器条块交差的方向切断，并利用树脂覆盖所得到的条块阵列接合体片的一方的断面。 | ||||||
| 59 | 多焦斑X射线辐射滤波 | CN201280037773.6 | 2012-05-30 | CN103718251B | 2016-09-21 | G·福格特米尔; R·皮蒂格; C·勒夫; M·K·迪尔; G·J·卡尔森 |
| 本发明涉及对在多个焦斑处生成的X射线辐射进行滤波。为了生成多能量X射线辐射，提供了一种用于生成多能量X射线辐射的X射线管（10），所述X射线管（10）包括阳极（12）和滤波单元（14）。所述阳极至少包括第一焦斑位置（16）和第二焦斑位置（18），所述第一焦斑位置（16）和所述第二焦斑位置（18）在与X射线辐射投射方向相交的偏移方向（20）上彼此相偏移。所述滤波单元包括具有用于X射线辐射的第一滤波特性的第一多个（22）第一区段（24）和具有用于X射线辐射的第二滤波特性的第二多个（26）第二区段（28），其中，所述滤波单元是适于使得，从所述第一焦斑位置发出的第一X射线束（30）的至少第一部分经由所述第一区段至少部分地穿过所述滤波单元，以及从所述第二焦斑位置发出的第二X射线束（32）的至少第二部分在穿过所述滤波单元时通过所述第二区段，的定向滤波器。所述第二X射线束的所述第二部分比所述第一X射线束的所述第一部分大。所述第一X射线束的经由所述第一区段穿过所述滤波单元的部分的区段和所述第二X射线束的在穿过所述滤波单元时通过所述第二区段的区段穿过所述滤波单元的公共区域。 | ||||||
| 60 | 中子捕捉疗法装置 | CN201610118023.1 | 2016-03-02 | CN105938731A | 2016-09-14 | 酒井文雄; 田中浩基 |
| 本发明提供一种中子捕捉疗法装置，其能够实现硼中子捕捉疗法的可靠性的提高。本发明的中子捕捉疗法装置(1)对被照射体(M)照射中子束(N)，使被照射体(M)内的硼和中子进行反应，所述中子捕捉疗法装置(1)为如下结构，具备：中子束照射部(4)，对被照射体(M)照射中子束(N)；及硼浓度测定部(32)，由中子束照射部(4)照射中子束(N)时实时测定被照射体(M)内的硼的浓度。 | ||||||
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