子分类：
- G21K1/00： 粒子或电离辐射的处理装置,如聚焦或慢化(中子、带电粒子、中性分子束或中性原子束的产生或加速入H05H 3/00至H05H 15/00)
- G21K2201/00： 处理辐射或粒子的装置
- G21K2207/00： 具体的成像设备或方法,利用电离电磁辐射,如X射线或γ射线
- G21K4/00： 用于将粒子或电离辐射的空间分布转换成可见图像的转换屏幕,如荧光屏(使用X射线增强的摄影过程入G03C5/17 ; 包含发光屏幕的放电管入H01J1/62 ; 用于X射线转换并有光输出的 阴极射线管 入H01J31/50)
- G21K5/00： 照射装置(照射用的放电管入H01J37/00)
- G21K7/00： γ射线或X射线显微镜
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 基于双级二维磁光阱的大束流冷原子源 | CN201710057133.6 | 2017-01-23 | CN106847362A | 2017-06-13 | 段维涛; 周林; 王谨; 詹明生 |
| 本发明公开了一种基于双级二维磁光阱的大束流冷原子源，涉及冷原子物理领域的冷原子源。本冷原子源包括第1级二维磁光阱（10）、第2级二维磁光阱（20）和波纹管（30）；第1级二维磁光阱（10）、波纹管（30）、第2级二维磁光阱（20）和三维磁光阱（40）依次连接；第1中心轴线（112）和第2中心轴线（212）的夹角θ为0～30º。本发明能使三维磁光阱在装载效率最高的情况下，既增加原子数目，又提高原子云的寿命，这个特性尤其是在MOT以后的冷却过程中作用明显；将为基于冷原子精密测量技术提供优异的原子源。 | ||||||
| 22 | 闪烁器面板和放射线检测器 | CN201380048077.X | 2013-09-17 | CN104718463B | 2017-06-13 | 外山真太郎; 楠山泰; 山下雅典; 大泽弘武; 铃木克彦 |
| 一种用于将放射线转换为闪烁光的闪烁器面板，包括：基板，其具有表面和背面，并且形成有在从上述背面朝向上述表面的规定的方向上从上述表面突出的多个凸部和由上述凸部规定的凹部；在上述基板的上述凸部的各个上形成的多个第一闪烁器部；和在上述基板的上述凹部的底面上形成的第二闪烁器部，上述第一闪烁器部具有从上述凸部的上表面沿上述规定的方向延伸的第一部分和从上述凸部的侧面沿上述规定的方向延伸且与上述第一部分接触的第二部分，上述第一部分和第二部分由闪烁器材料的多个柱状晶体构成，上述第一闪烁器部彼此相互分离，上述第二闪烁器部与上述第二部分接触。 | ||||||
| 23 | 照射计划装置以及带电粒子照射系统 | CN201380023477.5 | 2013-04-16 | CN104411362B | 2017-06-13 | 稻庭拓; 兼松伸幸; 古川卓司; 白井敏之; 野田耕司 |
| 计划装置(70)确定带电粒子照射系统(1)的照射参数数据(67)，且具有计划程序(73)和执行该计划程序(73)的CPU(71)，该计划程序(73)将针对1个目标(80)的照射参数数据(67)与多种离子种的带电粒子进行组合并确定，该带电粒子照射系统(1)通过线形加速器(4)和同步加速器(5)对由离子源(2)生成的带电粒子进行加速并向目标(80)进行照射。由此，提供一种能够对目标实现优选的剂量分布的照射的照射计划装置、照射计划程序、照射计划确定方法以及带电粒子照射系统。 | ||||||
| 24 | 浸入式中子成像设备以及使用所述设备的成像方法 | CN201280057140.1 | 2012-11-21 | CN103946338B | 2017-06-13 | E·西蒙 |
| 本发明涉及一种浸入在包含分析物的环境中的用于中子成像的设备，其特征在于，其包括第一转换器，所述第一转换器包括能够将热中子辐射转换为剩余贝塔辐射的第一材料，以及第二转换器，所述第二转换器包括能够将剩余贝塔辐射转换为光辐射的第二材料，所述第二转换器与所述第一转换器接触。本发明还涉及使用所述设备的浸入式中子成像方法。 | ||||||
| 25 | 改进的能量调制器 | CN201280038063.5 | 2012-08-03 | CN103732290B | 2017-05-31 | N·塞图; C·贝尔特; E·里策尔 |
| 本发明涉及一种用于可变化地改变粒子束（2、10）的能量的粒子能量调节设备（1）。该粒子能量调节设备（1）具有可变化的能量变化装置（8），所述可变化的能量变化装置具有用于校正所输入的调整值（11）的调整值校正装置（7）。所述调整值校正装置（7）利用预先确定的校准数据（15）校正所输入的调整值（11）。 | ||||||
| 26 | X射线检测装置 | CN201310126454.9 | 2013-04-12 | CN103376273B | 2017-05-31 | 后藤智; 青山朋树 |
| 本发明提供一种X射线检测装置，该装置包括X射线照射部（4）、X射线检测器（5）、能移动的准直器（2）以及遮蔽X射线的遮蔽体（3）。遮蔽体（3）遮蔽从X射线照射部（4）要向X射线检测器（5）直接入射的X射线。此外，遮蔽体（3）遮蔽因向准直器（2）照射X射线而产生的荧光X射线和散射X射线。由此，能防止来自试样S的荧光X射线以外的X射线被X射线检测器（5）检测到。遮蔽体（3）与准直器（2）连接，准直器（2）和遮蔽体（3）成为一体一起移动。即使在小型化的X射线检测装置内也能够确保遮蔽体（3）的位置。 | ||||||
| 27 | X射线检测装置 | CN201310126248.8 | 2013-04-12 | CN103376272B | 2017-05-31 | 后藤智; 駒田世志人; 中嶋嘉之 |
| 本发明提供一种X射线检测装置，其包括X射线照射部（3）、X射线检测器（4）以及具有多个光圈孔（21）、（22）、（23）且能移动的准直器（2）。准直器（2）上设有使光通过的窗口部（24），光圈孔（21）、（22）、（23）和窗口部（24）沿同一方向排列。准直器（2）通过在所述方向上移动，改变将X射线照射部（3）向试样照射的X射线缩小的光圈孔的直径，此外，准直器（2）能够移动到摄像部通过窗口部（24）能拍摄试样的位置。即使在X射线照射部（3）、X射线检测器（4）和准直器（2）接近的状态下，也能对试样进行拍摄，由此使能拍摄试样的X射线检测装置能够实现小型化。 | ||||||
| 28 | 射束输送系统及粒子射线治疗装置 | CN201480081866.8 | 2014-09-12 | CN106717130A | 2017-05-24 | 小田原周平; 花川和之 |
| 本发明目的是输送端部的粒子数变化平缓这样分布的带电粒子束而不会不必要地增大射束尺寸。将与带电粒子束前进方向垂直且从射束中心通过陡峭端部的方向设为x方向，射束输送系统(30)具备的射束整形装置(10)包括：将相对于射束的带电粒子的x方向前进方向的倾斜度即x角度分量(x’)的分布宽度减小的前级四极电磁体(3)；使通过前级四极电磁体(3)后的射束的x角度分量(x’)的粒子数分布的端部形状平缓的半影放大器(1)；对通过半影放大器(1)后的射束的x方向的相位空间分布中的电子感应加速相位进行调整的后级四极电磁体(4)，后级四极电磁体(4)将从半影放大器(1)向等中心(IC)的电子感应加速相位的相位提前角度调整在90度的奇数倍±45度的范围内。 | ||||||
| 29 | 闪烁体面板及闪烁体面板的制备方法 | CN201380051929.0 | 2013-09-18 | CN104685575B | 2017-05-24 | 冈村昌纪; 井口雄一朗; 木下英树 |
| 本发明的目的在于：提供大面积且高精度地形成宽度窄的间壁，并且发光效率高，实现清晰的画质的闪烁体面板。本发明提供闪烁体面板，其具有平板状的基板、在该基板上设置的间壁和由在通过上述间壁分隔的单元内填充的荧光体构成的闪烁体层，其中，上述间壁由以含有2~20质量%的碱金属氧化物的低熔点玻璃作为主要成分的材料构成，将上述间壁的顶部宽度Lt或上述间壁的90%高度的宽度L90除以上述间壁的半高宽度Lh而得到的值为0.45~1，并且将上述间壁的底部宽度Lb或上述间壁的10%高度的宽度L10除以上述半高宽度Lh而得到的值为1~3。 | ||||||
| 30 | 一种多层嵌套X射线聚焦光学的装调系统和装调方法 | CN201610898583.3 | 2016-10-14 | CN106653138A | 2017-05-10 | 强鹏飞; 刘舵; 李林森; 刘哲; 刘永安; 盛立志; 赵宝升 |
| 本发明提供了一种多层嵌套X射线聚焦光学的装调系统和装调方法，旨在解决现有装调系统在装配过程中使用机械模具对玻璃镜片造成损伤，且装配精度不理想的问题。装调系统包括由装配架、用于调节玻璃镜片姿态的六维调节装置、玻璃连接柱、用于调节聚焦光学整体姿态的三维调节装置组、分别安装在聚焦光学中心杆两端部的两个轴承、分别位于轴承和聚焦光学轮圈之间的两个同心装置和用于连接轴承和三维调节装置的长杆组成的调节主系统。六维调节装置、玻璃连接柱和三维调节装置组从上至下依次设置；六维调节装置呈倒立方向安装在装配架上；待装调聚焦光学固定于玻璃连接柱和三维调节装置组之间。本发明装调方便、装配精度高且不损伤镜片。 | ||||||
| 31 | 标定双光束光阱系统中微粒位置探测器的装置和方法 | CN201610948791.X | 2016-11-02 | CN106653136A | 2017-05-10 | 肖光宗; 熊威; 韩翔; 邓丹; 杨开勇; 罗晖 |
| 本发明涉及一种双光束光阱标定微粒位置探测器的装置，属于光学工程领域和精密测量技术领域。由照明光源、光分束器、摄像头和位置探测器组成，两束捕获激光相向传播形成光阱捕获微粒，所述光分束器将光路一分为二：一路光进入图像传感器，用于微粒位置的实时监测；另一路光进入位置探测器，用于散射光电压信号的实时监测。令两束捕获激光失准，借助图像传感器测得微粒的位移变化，利用位置探测器获得微粒位移引起的电压信号变化。将微粒位移变化与位置探测器电压变化进行特征匹配，则可获得二者的对应关系，求得标定系数，完成标定。本发明具有结构简单，测量精度高、实用性强等优点。此外，本发明不局限于微粒种类和样品室结构，适用范围非常广。 | ||||||
| 32 | 角度可变的准直器 | CN201380043499.8 | 2013-07-02 | CN104584137B | 2017-05-10 | M.罗梅尔 |
| 提供了一种用于产生可控的射线射束的系统，该系统是可以电子控制的，并包括的任意部分均不必在形成射束的操作中相对于彼此移动。通过控制电子射束可以电子控制射束的方向和横截面。不同实施例提供了X射线准直器，其允许独立于孔径材料厚度地形成具有期望尺寸和通量的扫描X射线射束，而不必移动孔径或产生孔径的物理部件。一些实施例提供了X射线准直器，其允许独立于射束角地形成具有期望尺寸和通量的扫描X射线射束。 | ||||||
| 33 | 防散射X‑射线滤线栅器件及其制造方法 | CN201110190671.5 | 2011-06-28 | CN102389320B | 2017-05-10 | J·J·肖; K·M·迪罗歇 |
| 一种制造防散射X‑射线滤线栅器件(10)的方法以及由该方法制造的X‑射线滤线栅器件(10)包括：提供由基本上不吸收X‑射线的材料(16)制成的衬底(14)，在衬底(14)中包括通道(18)；在通道(18)的侧壁(20)上施加(32)同样基本上不吸收X‑射线的材料(34)的层，其中该层包含第二材料(34)；然后在通道(18)的一部分中施加(44)显著吸收X‑射线的材料(42)，以便定义多个X‑射线吸收元件(12)。就具体实施例描述了本发明，并且意识到，除了那些明确叙述的内容之外，等效物、备选和修改都是可能的并且在随附权利要求的范围内。 | ||||||
| 34 | 使用电子轰击的物品处理设备 | CN201280055592.6 | 2012-10-26 | CN104010666B | 2017-05-03 | R·弗丽; D·盖古恩 |
| 本发明涉及一种用辐射处理物品的设备，该设备包括框架(1)，框架在其上安装有入口星轮(2)和出口星轮(3)，这些星轮分别设置为面对屏蔽罩(6)的入口(4)和出口(5)，在屏蔽罩(6)中安装有至少一个枢转的处理星轮(7)和位于处理星轮附近的至少一个电子发射器(8)。该设备包括直线入口输送器(9)和直线出口输送器(10)，它们分别在屏蔽罩内部延伸，并且与入口和出口相对，其中，所述直线输送器包括传送装置(11，13)，传送装置围绕形成挡板的屏蔽壁(12，14)。 | ||||||
| 35 | 带电粒子束照射装置 | CN201280046417.0 | 2012-11-28 | CN103826698B | 2017-05-03 | 矢岛晓 |
| 本发明的目的在于提供一种能够提高等角点精确度的带电粒子束照射装置。本发明所涉及的带电粒子束照射装置（1）具备：机架（6），配置有照射部（3），且能够以中心轴线（CL）为中心进行旋转或摆动；外壳（2），配置被照射体；及机架侧传输线路（5B），具有从加速器（4）射出的带电粒子束所入射的入口部（P），且支承于机架（6）并且将从入口部（P）入射的带电粒子束传输至照射部（3），其中，机架（6）具有：第1轴承部（26），设置于机架侧传输线路（5B）的入口部（P）与外壳（2）之间；及第2轴承部（27），相对于外壳（2）设置于第1轴承部（26）的相反侧。 | ||||||
| 36 | 密闭地密封的辐射检测器和制作方法 | CN201210317543.7 | 2012-08-31 | CN103091697B | 2017-04-19 | J.J.肖; C.P.加里甘 |
| 本发明的名称是：“密闭地密封的辐射检测器和制作方法”。本文公开包含X线面板（102）和放置于X线面板（102）的第一表面上的闪烁体层（104）的平板X线检测器（100）。平板X线检测器（100）还包含覆盖闪烁体层（104）的密闭盖（108）。密闭盖（104）包含顶面（108‑1）和从顶面（108‑1）伸出的至少一个侧壁（108‑2）。平板X线检测器（100）还包含放置于密闭盖（108）与X线面板（102）之间的焊料密封物（110）。侧壁（108‑2）的边缘大体上嵌入到焊料密封物（110）中，以致边缘不直接接触X线面板（102）。还公开了用于制作平板X线检测器（100）的方法。 | ||||||
| 37 | 滤屏与中子束源 | CN201410500415.5 | 2014-09-26 | CN104575653B | 2017-04-12 | 薛燕婉; 游镇帆 |
| 本发明提供一种滤屏与中子束源。滤屏包括：第一层，由铁组成；第二层，由1体积份的氟化锂、20至50体积份的铝与50至80体积份的氟化铝组成；以及第三层，由1重量份的氟化锂与99至100重量份的氟化镁组成，其中第二层位于第一层与第三层之间。 | ||||||
| 38 | 量子束生成装置、量子束生成方法及激光核聚变装置 | CN201380061797.X | 2013-10-04 | CN104813412B | 2017-03-29 | 关根尊史; 川嶋利幸; 佐藤仲弘; 北川米喜; 森芳孝; 石井胜弘; 花山良平; 米田修; 西村靖彦; 挂布光孝 |
| 提供能够自动地连续进行量子束生成的量子束生成装置、量子束生成方法和激光核聚变装置。具备将靶(2a)供给至腔室(3a)的靶供给装置(4a)、监视位于腔室(3a)的内侧的靶(2a)的靶监视装置(5a)、对位于腔室(3a)的内侧的靶(2a)照射激光(8a)的激光照射装置(6a)和控制装置(7a)。靶供给装置(4a)在由控制装置(7a)控制的射出时机将靶(2a)沿腔室(3a)的内侧的预先设定的射出方向(3d)射出，控制装置(7a)算出激光(8a)的照射点(4d)，算出靶(2a)向照射点(4d)的到达时机，基于照射点(4d)和到达时机而向激光照射装置(6a)照射激光。 | ||||||
| 39 | 一种消像差X射线复合折射透镜及其设计方法 | CN201611224732.4 | 2016-12-27 | CN106531281A | 2017-03-22 | 张伟伟; 王家园; 常广才; 汤善治; 刘静; 李明; 盛伟繁; 刘鹏 |
| 本发明公开了一种消像差X射线复合折射透镜及其设计方法。本方法为：X光入射至CRL上的第一个面L1，根据费马原理推导出将入射光聚焦至f1的面L1及其厚度d1，f1>f；推导将经过面L1的光折射入空气并在空气中进一步聚焦至点f2的面L2及其厚度d2，f＜f2＜f1；通过L2的光重新回到空气中，推导将经过面L2的光折射入透镜材料并且在材料中进一步聚焦至点f3的面L3及其厚度d3，f＜f3＜f2；推导将经过L3的折射入空气并且在空气中进一步聚焦至点f4的面L4及其厚度d4，f＜f4＜f3；依此类推，直至第2*N个面L2N及其厚度d2N。本发明解决了传统CRL的像差问题，从而达到更好的聚焦效果。 | ||||||
| 40 | 用于谱滤波的基于泰伯效应的近场衍射 | CN201480019691.8 | 2014-11-12 | CN105103238B | 2017-03-08 | E·勒斯尔; T·克勒 |
| 本发明涉及一种用于对X射线射束(B)进行谱滤波的光栅布置和方法，所述光栅布置包括：色散元件(10)，其包括棱镜，所述棱镜被配置为使X射线射束(B)衍射成包括第一方向(D1)的第一射束分量(BC1)和包括第二方向(D2)的第二射束分量(BC2)，所述第二方向相对于所述第一方向倾斜；第一光栅(20)，其被配置为生成第一射束分量(BC1)的第一衍射图样(DP1)和第二射束分量(BC2)的第二衍射图样(DP2)，所述第二衍射图样(DP2)相对于所述第一衍射图样(DP1)移位；以及第二光栅(30)，其包括至少一个开口(31)，所述至少一个开口沿从第一衍射图样(DP1)或第二衍射图样(DP2)的强度的最大值(MA)到最小值(MI)的线(d)对准。 | ||||||
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