| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 41 | 通过AFM将癌进展分期的方法 | CN201180067006.5 | 2011-12-12 | CN103460039A | 2013-12-18 | 玛利亚·波罗蒂内克; 马科·罗帕里克; 罗德里克·YH·利马 |
| 本发明涉及一种将获自肿瘤的组织活检样本分类的方法，其包括通过用至少100μm的空间分辨率测量样本上多个点来测定所述样本的多个硬度值，并确定样本是恶性的可能性。将显示出单峰硬度分布的样本归为非恶性的高可能性，而将显示至少双峰硬度分布的样本归为恶性的高可能性，其中所述硬度分布的特征在于，第一个峰呈现出比第二个峰高至少两倍的硬度值。本发明进一步涉及一种将肿瘤组织活检样本分类的系统。 | ||||||
| 42 | 扫描探针显微镜以及利用扫描探针显微镜扫描材料表面的方法 | CN201080047075.5 | 2010-11-08 | CN102575975B | 2013-12-18 | U·T·迪瑞格; B·W·戈查曼; A·W·诺尔; M·A·兰茨 |
| 本发明涉及一种利用扫描探针显微镜或SPM(10)来扫描材料(50)的表面(52)的方法，SPM具有构造为表现出不同的弹簧行为(C，Ck)的悬臂传感器(100)，该方法包括：-在接触模式下操作SPM，由此在材料表面上扫描该扫描器并且通过由材料表面导致的该传感器的偏转激发该传感器的第一弹簧行为(C)(例如，其屈曲的基本模式)；以及-以悬臂传感器的第二弹簧行为(Ck)的谐振频率利用激发装置激发该传感器的第二弹簧行为(Ck)(例如，一种或多种更高阶谐振模式)，以调节该传感器和材料表面的相互作用并由此减小材料表面的磨损。 | ||||||
| 43 | 检测光阻层离子注入阻挡能力的方法 | CN201310385397.6 | 2013-08-29 | CN103441086A | 2013-12-11 | 田慧 |
| 本发明提供一种检测光阻层离子注入阻挡能力的方法，该检测光阻层离子注入阻挡能力的方法包括：在基板上形成光阻层；测量该基板任意位置上光阻层的第一厚度，该第一厚度为该光阻层的厚度；在该光阻层上注入预设量的离子；测量该任意位置上光阻层的第二厚度，该第二厚度为该光阻层中硬化部分的厚度；根据该第二厚度判断该第一厚度的光阻层的离子注入阻挡能力。本发明在检测光阻层离子注入阻挡能力的过程中不需要使用测试硅片，从而能够减少检测过程所需的成本。 | ||||||
| 44 | 用于计量仪器的探针装置和加工探针装置的方法 | CN200880108148.X | 2008-08-04 | CN101802588B | 2013-11-06 | 樊文峻; 史蒂文·内格尔 |
| 一种生产用于例如AFM(10)的计量仪器的探针装置(12)的方法，该方法包括提供具有正面和背面的基板(50)，然后在基板的第一表面上形成探针头高度结构的阵列(52)，该结构具有对应于可选探针头高度的变化的深度。蚀刻基板的背面，直至基板的厚度基本上对应于所选探针头高度，优选通过从视觉上监测该蚀刻和/或监测蚀刻速率。相对于悬臂(15)的固定端从晶片(100)的正面形成探针头图案，然后采用各向异性蚀刻技术进行蚀刻。结果，具有尖探针头和短悬臂的探针装置表现出大于700KHz或更高的固有共振频率。 | ||||||
| 45 | 分子共振的像力显微镜 | CN201180049793.0 | 2011-08-11 | CN103299197A | 2013-09-11 | H·库马尔·维克拉马辛赫; 英德拉吉斯·拉贾帕克萨 |
| 提供了一种在显微镜中使AFM的领域向纳米尺度光谱学扩张的新方法。纳米特征的分子共振能够通过机械检测光学驱动分子偶极子/多极子在相互作用间的力梯度以及其在白金涂层的扫描检测尖端中的镜像检测并完全成像。本方法可从红外线到RF此范围内获得纳米尺度光谱的情报。 | ||||||
| 46 | 用于利用探针扫描样品的扫描方法 | CN201210396453.1 | 2012-10-18 | CN103063881A | 2013-04-24 | A.R.哈通; C.S.库伊曼 |
| 本发明涉及用于利用探针扫描样品的扫描方法。本方法涉及一种扫描样品的方法。扫描样品典型地通过利用探针沿大量的平行线扫描样品来进行。在现有技术的扫描方法中，利用标称相同的扫描图案对样品进行多次扫描。本发明基于如下思想：沿扫描方向的方向上的相邻点之间的相干性比与扫描方向垂直的相邻点的相干性好得多。通过组合彼此垂直地扫描的两个图像，因此应当可能形成利用两个方向上的改进的相干性（由于较短的时间距离）的图像。该方法因此牵涉利用两个扫描图案扫描样品，一个扫描图案的线优选地与其他扫描图案的线垂直。从而可能使用一个扫描图案的线上的扫描点的时间相干性来对准其他扫描图案的线，反之亦然。 | ||||||
| 47 | 基于原子力显微镜的精确定位方法 | CN200810197696.6 | 2008-11-19 | CN101413865B | 2013-04-24 | 李立家; 马璐 |
| 本发明公开了一种原子力显微镜的精确定位的方法。该精确定位的方法先通过光学显微镜找到待测样品，将铜网Center-Marked Grids放到待测样品上方，铜网Center-Marked Grids是由有规则相同大小的网格组成，在光学显微镜记下待测样品所对应格子的区域，用原子力显微镜扫描Center-Marked Grids，逐级缩小扫描范围，将原子力显微镜的探针定位在待测样品对应格子的上方，最后用洗耳球从旁侧将Center-Marked Grids轻轻吹开，即可下针进行准确的原子力显微镜的观察。采用这种方法可以精确定位待扫描的样品。 | ||||||
| 48 | 磁头元件检查方法及其装置 | CN201210277291.X | 2012-08-06 | CN102998635A | 2013-03-27 | 德富照明; 佐藤武史; 飞田明; 斋藤尚也; 松下典充 |
| 本发明提供一种磁头元件检查方法及其装置，能够不受外部环境影响地测定形成在磁头的卸料器上的各个磁头元件所形成的磁场的二维分布。在对形成了多个磁头的卸料器的各磁头的写入磁道的有效磁道宽度进行检查的磁头元件检查装置中，构成为将托盘部、载物台部、样品交接部、磁场测量部和有效磁道宽度测量部搭载在对来自外部的振动进行隔断的除振台部上，并用隔音部遮蔽托盘部、载物台部、样品交接部、磁场测量部、有效磁道宽度测量部和除振台部，来隔断外部的噪音。 | ||||||
| 49 | 在ETEM中研究样品的方法 | CN201210274899.7 | 2012-08-03 | CN102914554A | 2013-02-06 | S.J.P.科宁斯; S.库贾瓦; P.H.F.特龙佩纳尔斯 |
| 本发明涉及在环境透射电子显微镜（ETEM）中的活性气氛中研究样品的方法。这样的研究被用于研究样品与气体的反应（化学的或物理的）。特别所关心的是气体和催化剂的化学反应，以及例如源自在固体上生长的气相的晶须的生长的物理变化（相变）。现有技术研究涉及将所述样品引入到ETEM的样品室内的侧面进入样品支持器上、将所述样品加热到所需的温度、等待所述样品安定到无漂移位置并且随后将所述样品暴露于经加热的活性气体的例如10mbar的压力。因为所述样品支持器的温度分布随气体的温度和压力而变，当将所述样品支持器暴露于所述气体时，所述样品支持器之上的温度分布将轻微地改变，作为其结果，所述样品将漂移。为了避免所述漂移，或者至少最小化所述漂移，本发明涉及在将所述惰性气体交换为所述活性气体之前在所期望的温度下暴露到惰性气体。本发明也可应用于光学显微镜、X-射线显微镜或扫描探测显微镜。 | ||||||
| 50 | 使用造影剂通过扫描隧道显微术检测试样的方法 | CN200880116179.X | 2008-11-07 | CN101861513B | 2013-01-23 | R·特米罗夫; S·舒巴赫; F·S·陶茨 |
| 本发明涉及用扫描隧道显微镜检测试样的方法，其特征在于，于该扫描隧道显微镜的尖端和/或试样上的在拍照时是隧道接触的一部分的至少一个位置处，在拍照之前或拍照期间施加造影剂，而在该位置将温度调节为低于或等于该造影剂的冷凝温度。还公开了为此目的的扫描隧道显微镜。 | ||||||
| 51 | 操作扫描探针显微镜的方法和装置 | CN201080062939.0 | 2010-12-01 | CN102844666A | 2012-12-26 | Y·胡; S·胡; C·苏; J·石; J·马 |
| AFM成像的改进模式（峰值力轻敲（PFT）模式）使用力作为反馈变量，以减少尖端-样品间相互作用力，同时维持所有现有AFM操作模式可实现的扫描速度。以提高的分辨率和高样品通过量实现了样品成像和机械属性映射，该模式可以在变化的环境（包括气体、液体和真空）中工作。通过消除对于专家用户监视成像的需要而便于容易使用。 | ||||||
| 52 | 带扫描探针显微镜的测量系统的操作方法及测量系统 | CN200680053581.9 | 2006-12-21 | CN101395676B | 2012-11-21 | 托尔斯滕·扬克; 米夏埃尔·哈格蒂 |
| 本发明涉及操作包含扫描探针显微镜特别是原子力显微镜的测量系统的方法，还涉及利用扫描探针显微镜检查测量样本和在光学上检查所述样本的测量系统。在所述方法中，在显示设备上显示待检查的测量样本的测量横截面的光学图像，通过光学记录装置来记录所述图像，所述光学图像的位置选择被检测，并且对于扫描探针测量，利用移动设备来移动为扫描探针测量而设置的测量探针到测量位置，移动设备将测量探针和测量样本相对于彼此移动，由于根据坐标变换来控制移动设备，测量位置根据坐标变换被指定到光学图像中选择的位置，其中，利用坐标变换形成光学图像的坐标系与被测量探针和测量样本的移动位置覆盖的空间的坐标系之间的先前确定的指定，其中移动位置包括测量位置。 | ||||||
| 53 | 用于样品瞬逝照明的装置和方法 | CN200980115071.3 | 2009-04-28 | CN102016551B | 2012-09-19 | 曼弗雷德·马萨; 布鲁尼·维纳斯 |
| 本发明涉及一种样品瞬逝照明的装置，所述装置包括设有光学校正元件(3)和位于所述光学校正元件下游的物镜(4)的光学照明元件，从而用所提供的包含具有至少两种不同波长的光辐射的光束瞬逝地照明样品。校正光学元件(3)具有横向色差，其在照明期间导致光辐射根据波长在不同高度穿透物镜(4)的光瞳(14)，并且对其选择，使得在瞬逝照明期间辐射进入样品的穿透深度的波长相关差减小。 | ||||||
| 54 | 用于表面的非接触轮廓分析的传感器 | CN201110373640.3 | 2011-11-22 | CN102662085A | 2012-09-12 | F·J·吉斯布尔 |
| 本发明涉及一种用于采用由压电材料制成的振荡悬臂(12)对表面进行扫描的传感器，该传感器适于横梁的自由端的横向振荡，在横向方向固定导电探针针尖(14)，其中横梁具有第一偏转电极(26A、26B)和相反定相的第二电极(28A、28B、28C)以采集在所述偏转电极的空间内分离的电荷(34、36)。根据本发明，除了所述偏转电极(26A、26B、28A、28B、28C)之外，该悬臂(12)还设有至少一个提供与所述针尖(14)的电接触的电极(30)，其中所述附加电极位于偏转横梁上的区域中，其中由横梁偏转所引起的应变所造成的表面电荷密度(34、36)小于设置偏转电极的区域中的表面电荷密度。 | ||||||
| 55 | 使用样品间距的扫描探针显微镜方法和装置 | CN200680040754.3 | 2006-09-29 | CN101300480B | 2012-08-29 | 戴维·A·克尼贝格; 罗希特·贾殷; 詹森·R·奥斯本; 姚威; 马修·T·克洛诺夫斯基; 英戈·施米茨 |
| 优选实施例涉及一种操作扫描探针显微镜(SPM)的方法和装置，其使用小于五行、更优选为两行的测量扫描来执行样本测量，以精确定位样本的特征的域。这是通过选择测量扫描的相邻行之间的步长距离，使其不等于在垂直于测量扫描横穿的方向上特征的间距，即不等于扫描方向XPO上特征的间距来实现。扫描的纵横比还可修改以进一步提高样本的处理量。 | ||||||
| 56 | 用于测量由样品引起的力相互作用的方法 | CN201080039165.X | 2010-08-27 | CN102483428A | 2012-05-30 | R.特米罗夫; C.魏斯; F.S.陶茨 |
| 用于测量由样品引起的力相互作用的方法，其中尖峰被施加相对样品的偏置电压并且以如此小的距离被引导向样品，使得可测量的电流在尖峰和样品之间流过并且传感器和信号转换器S被构成并且在力相互作用的范围中被使用，所述传感器和信号转换器S根据力相互作用的强度改变流过尖峰样品接触的电流。公开了对此的扫描隧道显微镜。 | ||||||
| 57 | 一种实时测量纳米材料光致伸缩性能的方法 | CN200810030573.3 | 2008-01-30 | CN101266236B | 2012-05-02 | 郑学军; 陈义强; 王甲世; 龚伦军; 余功成 |
| 本发明公开了一种实时测量纳米材料光致伸缩性能的方法，包括以下步骤：(1)采用三片电容板传感纳米探针技术对纳米材料定位和成像，找到纳米材料光滑平整表面，确定纳米材料沿压入方向的厚度。(2)将功率密度为0.2-0.8mW/cm2入射光束引入纳米探针装置，光束入射到金刚石纳米探针与纳米材料相接触区域，对纳米材料实施原位压入保载实验。在延长的保载时间阶段改变入射光束的波长和功率密度，记录探针压痕位移-时间变化曲线。从该曲线上计算光照开始和结束时的位移值之差，为纳米材料沿压入方向的光致变形量。(3)纳米材料的光致变形量与其厚度之百分比为光致伸缩应变，该光致伸缩应变即为纳米材料的光致伸缩性能。本发明具有如下的有益效果，它可解决测试纳米材料在光辐照下光致伸缩性能的技术难题。该方法简单易行，避免了传统的原子力显微镜技术中固有激光的影响，能够准确可靠地测量纳米材料的光致伸缩性能。 | ||||||
| 58 | 增强纳米分光镜扫描的方法和装置 | CN200580034050.0 | 2005-10-05 | CN101036039B | 2012-04-04 | V·波波尼恩 |
| 一种确定线性聚合体样品中化学基团序列的同一性的装置和方法。该装置包括具有由等离子共振金属所形成镜表面的基体、光束源和由一个或多个设置在限定探测区域开口处周围的等离子共振粒子构成的透镜组件。当光束定向在探测区域的样品上时，粒子布置成在多个纳米透镜和基体表面上的面对的探测区域间产生近场电磁间隙模式。还包括一个探测器和一个平移机构，该探测器用于接收由探测区域中样品所放射的或从样品所散射的光，并将接收到的光转换成间隙模式增强拉曼光谱，由此识别探测区域中样品的取样化学基团，该平移机构用于相对于透镜组件移动样品，通过透镜组件的开口。 | ||||||
| 59 | 高速扫描探针显微镜 | CN201080005866.1 | 2010-01-15 | CN102301245A | 2011-12-28 | H.巴斯卡兰; M.德斯旁特; A.塞巴斯蒂安 |
| 本发明涉及用于扫描探针显微镜的探针。探针20包括隧道电流传导部件30和隧道电流绝缘部件40。所述部件被构造为使得绝缘部件决定传导部件30与样品表面之间的最小距离。本发明还可涉及具有这样的探针的扫描探针显微镜以及对应的扫描探针显微镜的方法。因为距样品表面100的距离实际上由绝缘部件40决定，所以容易且迅速地实现控制探针20相对于样品表面的垂直位置。部件的构造允许样品表面的快速扫描，从而可实现高速成像。此外，实施例允许通过隧道效应精确地捕获形貌变化。 | ||||||
| 60 | 信息介质以及使用其的写入和再现信息的设备和方法 | CN200610160367.5 | 2006-11-15 | CN101025969B | 2011-10-12 | 南润宇; 闵桐基 |
| 本发明提供了一种使用半导体探针再现信息的方法和设备。该设备包括：存储介质，包括铁电记录层，其中通过排列极化畴的极化方向来存储信息，和形成于铁电记录层上的物理记录层，通过形成凹点来在其上写入信息；产生复合信号的半导体探针，复合信号包括由存储介质的铁电记录层的电场变化产生的电场信号和由于物理记录层的形状变化引起的温度变化产生的热信号；信号探测器，探测由半导体探针产生的复合信号；解调器，解调由信号探测器探测的复合信号且从复合信息提取电场信号和热信号。通过调制将由场变化产生的信号和由热变化产生的信号彼此分离且探测了有效的信息信号，从而改善了信噪比，即使在存在热噪声的情况下也可以稳定地再现信息信号。 | ||||||
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