| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 61 | 一种采用感应加热实现水平定向生长板状晶体的装置和方法 | CN202410068067.2 | 2024-01-17 | CN117904701A | 2024-04-19 | 李海林; 徐扬; 丁雨憧; 刘荣荣; 张月; 张灵 |
| 本发明涉及一种采用感应加热实现水平定向生长板状晶体的装置和方法，装置包括生长腔室，生长腔室内放置坩埚，所述坩埚上方敞口并设有籽晶夹持口、放肩生长段和等宽生长段；生长腔室的外部沿坩埚的长度方向环设有感应线圈；坩埚的上表面设有盖板，盖板将坩埚放肩生长段全段和等宽生长段除尾部外的其余区域上方敞口封盖，等宽生长段尾部保留的敞口区域构成装料口；还包括直线运动机构，所述直线运动机构用于使得感应线圈和生长腔室之间沿坩埚内结晶方向产生相对运动。本发明将上方设计有封盖的坩埚放于可移动式温场结构内进行感应加热、生长晶体，能为晶体生长提供一个均匀、稳定的温场，避免生长出的板状晶体出现多晶、杂质、云层、开裂等缺陷。 | ||||||
| 62 | 一种气体裂解源 | CN202410059414.5 | 2024-01-16 | CN117904600A | 2024-04-19 | 王俊莉; 王晓冬; 于广琛 |
| 本发明涉及一种气体裂解源，包含壳体，壳体顶部设置有裂解源前端盖，支撑部分及热丝设置在壳体内部，裂解源前端盖与支撑部分形成狭缝气路；所述壳体顶端设置有束流板，束流板上开设有束流孔；所述壳体的底部设置有文氏结构。所述束流孔沿束流板周向均布，束流孔面积之和大于狭缝气路的截面积；束流孔与束流板中间轴线具有夹角，使气流整流后的方向尽量的减少与壳体内壁面和支撑部分的碰撞次数。通过束流孔作为导向结构增加分子与热丝的碰撞几率，束流板将进入裂解炉内部的分子流进行各方向的整流，使其进入裂解腔体内部后能够更加快速的被引导至热丝表面，并发生有效碰撞后实现分子向原子的转换，提升裂解的效率和速率。 | ||||||
| 63 | 一种通用籽晶控制单晶叶片三维晶体取向的方法 | CN202410308048.2 | 2024-03-18 | CN117900382A | 2024-04-19 | 胡松松; 陈赢政; 杨志强; 白伟民; 李文道; 汪璞 |
| 本发明公开一种通用籽晶精确控制单晶叶片三维晶体取向的方法，包括制备籽晶、制模和组模、制壳、熔炼浇注等步骤。本发明通过调控籽晶与叶片铸件蜡模之间的位向关系实现精确控制单晶叶片的三维晶体取向，可使用任意取向的籽晶，具有通用籽晶的特点，极大地简化制作籽晶的工艺难度，降低制作籽晶的成本；通过限定籽晶的尺寸，使单晶制备过程中籽晶与冷却板之间即使无接触也能形成较好的回熔比，避免了在组模时严格限定籽晶与底板贴合的技术要求，降低了组模难度；涂挂造型材料的最后一层时仅涂挂模组从底板蜡模到浇口杯方向的下部，保证型壳强度的同时降低了型壳整体的厚度，改善了定向凝固过程中的温度场演化过程，有利于提高单晶叶片制备成功率。 | ||||||
| 64 | 一种应用于鞋底的高强高弹PU材料及其制备方法 | CN202311419284.3 | 2023-10-30 | CN117467269B | 2024-04-19 | 陈兴宏 |
| 本发明涉及PU材料技术领域，具体公开了一种应用于鞋底的高强高弹PU材料及其制备方法。应用于鞋底的高强高弹PU材料，包括以下质量份数的组分：TPU树脂100份；聚丙烯3‑5份；抗氧剂1‑2份；碳酸钙晶须15‑20份；碳酸钙晶须的制备方法如下：步骤1），制备氢氧化钙悬浊液；步骤2），在氢氧化钙悬浊液中加入晶型控制液，混合均匀，制得混合液；步骤3），将混合液恒温80‑100℃，然后向混合液中通入二氧化碳，反应至混合液pH值下降，滤出沉淀物，制得碳酸钙晶须；晶型控制液为至少包含镁离子、钾离子、高锰酸根离子的水溶液。本发明具有提高PU材料强度的优点。 | ||||||
| 65 | 调节机构及单晶炉 | CN202311302190.8 | 2022-10-25 | CN117187944B | 2024-04-19 | 曹建伟; 朱亮; 傅林坚; 叶钢飞; 阮文星; 张小东 |
| 本发明涉及一种调节机构及单晶炉，调节机构用于单晶炉，单晶炉包括坩埚及沿竖直方向延伸的籽晶轴，调节机构包括第一架体、第二架体及提拉装置；第一架体相对于坩埚固定，第二架体沿水平方向可活动地设置于第一架体，提拉装置设置于第二架体，提拉装置用于沿竖直方向升降籽晶轴；其中，第二架体相对于第一架体活动时，提拉装置能够带动籽晶轴相对于坩埚沿水平方向活动。当第二架体相对于第一架体在水平方向上活动时，第二架体能够带动提拉装置及籽晶轴相对于第一架体及坩埚在水平方向上活动，以使得籽晶轴的轴线相对于坩埚的轴线在水平方向上发生偏移，用户能够根据需要选择籽晶轴与坩埚之间合适的位置来验证或提升长晶效果。 | ||||||
| 66 | 一种空心金刚石晶体的制备方法 | CN202311086714.4 | 2023-08-28 | CN117071061B | 2024-04-19 | 冀成相; 廖佳; 李再强 |
| 本发明提供一种空心金刚石晶体的制备方法，属于金刚石生长领域。包括有以下步骤：S1：选用合适的金刚石籽晶；S2：将金刚石籽晶清洗后放入CVD设备的腔室中进行第一阶段的生长形成金刚石毛坯；S3：第一阶段生长完成后，取出金刚石毛坯，切除掉金刚石毛坯四边的多晶，并在金刚石毛坯的中部挖出一个凹槽；S4：将步骤S3中处理好的金刚石毛坯再次放入到生长CVD腔室中进行第二阶段的生长，将凹槽的开口闭合，形成空心的金刚石。本发明的有益效果在于，与现有技术相比：本发明通过在金刚石籽晶上形成凹槽，通过生长将凹槽闭合，能够形成空心的金刚石晶体。 | ||||||
| 67 | 单晶生长炉和晶体生长方法 | CN202211178389.X | 2022-09-26 | CN115386948B | 2024-04-19 | 陈俊宏 |
| 本发明公开了一种单晶生长炉和晶体生长方法，所述单晶生长炉包括：炉体；坩埚；加热器，所述加热器设于所述炉室内且环绕所述坩埚的径向外侧；保温结构包括：保温件和调节件，所述调节件的热反射系数或者热吸收系数与所述保温件不同，所述调节件设置于所述保温件和所述加热器之间，可相对所述保温件转动，用于调节所述保温件与所述加热器相对面的面积。根据本发明的单晶生长炉，有利于在坩埚的周向控制加热器传递到坩埚的热量，实现坩埚内熔汤热量的微调，改善熔汤周向方向上温度分布不均，解决了晶体生长不均匀、晶棒中氧含量不均匀的问题。 | ||||||
| 68 | 用于冷坩埚制备高纯氧化铝多晶锭的倾斜铸造系统和方法 | CN201710978178.7 | 2017-10-18 | CN107557857B | 2024-04-19 | 张清勇; 唐皇哉; 胡树金 |
| 本发明涉及一种用于冷坩埚制备高纯氧化铝多晶锭的倾斜铸造系统和方法，该系统包括冷坩埚、控制冷坩埚旋转的执行机构和模具坩埚，所述冷坩埚位于模具坩埚的一侧，所述执行机构控制冷坩埚旋转使冷坩埚中的熔融液体倾倒在模具坩埚中。本发明的方法通过电动缸作用，使伸缩杆进行伸缩带动悬臂旋转，悬臂带动旋转轴三旋转，进而带动旋转支架旋转，使冷坩埚中的熔融液体部分倾倒在模具坩埚中，待模具坩埚中的液体完全凝固冷却完毕后取出，得到高纯氧化铝多晶锭产品。该方法可以生产出适应不同尺寸长晶炉的多晶锭产品，以满足蓝宝石长晶原料的需求。 | ||||||
| 69 | 氮化镓晶体、氮化镓基板及氮化镓晶体的制造方法 | CN202280057716.8 | 2022-08-23 | CN117897521A | 2024-04-16 | 三川丰; 栗本浩平; 包全喜 |
| 一种特定的晶体缺陷少的高品质的氮化镓晶体，其含F，F以外的卤素元素的含量合计为F的含量的1/100以下，所述氮化镓晶体具有相对于(000‑1)晶面的倾斜度为0度以上且10度以下的主表面1，该主表面1为满足条件(A1)～(A3)中的至少任一个的特定主表面A；能够画出第一线段和第二线段，所述第一线段是在特定主表面A上沿第一方向延伸的长40mm的假想线段，所述第二线段是在该特定主表面A上沿与该第一方向垂直的第二方向延伸的长40mm的假想线段，(A1)在特定主表面A上的任意10mm×10mm的正方形区域中的小面生长区域密度不超过500cm‑2；(A2)在特定主表面A中发现至少一个小面生长区域密度小于5cm‑2的20mm×20mm的正方形区域；(A3)(小面生长区域面积的总和/特定主表面A的面积)为40％以下。 | ||||||
| 70 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 | CN202410288686.2 | 2024-03-14 | CN117894895A | 2024-04-16 | 舒俊; 程龙; 高虹; 郑文杰; 印从飞; 张彩霞; 刘春杨; 胡加辉; 金从龙 |
| 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层，所述电子阻挡层包括依次层叠的AlN层、第一超晶格层和第二超晶格层；所述第一超晶格层包括交替层叠的Alx1Ga1‑x1N层和Iny1Ga1‑y1N层；所述第二超晶格层包括交替层叠的Alx2Ga1‑x2N层、Iny2Ga1‑y2N层和Iny3Ga1‑y3N层；其中，x1≥x2，y1≥y3，y2≠y3。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率。 | ||||||
| 71 | 一种SiC液相长晶炉液位的检测方法及装置 | CN202311769377.9 | 2023-12-21 | CN117889934A | 2024-04-16 | 李辉; 王守琛; 毛瑞川 |
| 本发明公开了一种SiC液相长晶炉液位的检测方法及装置，所述方法包括：步骤1、不在坩埚内添加熔融料，旋转坩埚，测量坩埚处于空锅状态下的电压U01；步骤2、在坩埚内添加熔融料，并使籽晶不与熔融料接触，旋转坩埚，测得长晶炉坩埚内带有熔融料且籽晶不与熔融料接触时的电压U02；步骤3、将籽晶与熔融料调整为接触状态，使坩埚与籽晶相向旋转，测得籽晶与熔融料接触状态下的电压U03；步骤4、炉内长晶一定时间后，使坩埚与籽晶相向旋转，测量待测状态下坩埚及坩埚内熔融料的电压U0x；步骤5、根据测得的U01、U02、U03、U0x，计算待测状态下熔融料的转动惯量J料x；步骤6、根据转动惯量J料x计算得出待测状态下熔融料的料液深度hx。 | ||||||
| 72 | 一种带有冷却结构的高温炉 | CN202410124921.2 | 2024-01-29 | CN117889659A | 2024-04-16 | 唐青岗; 唐珊珊; 张亮; 黎心如; 徐子云; 陈小飞 |
| 本申请提供一种带有冷却结构的高温炉，涉及多晶硅加工设备的技术领域。带有冷却结构的高温炉包括炉体、保温笼箱、容纳箱体和冷却装置，保温笼箱设置于炉体内，炉体和保温笼箱之间形成了流通腔；保温笼箱包括箱体、保温门和第一移动驱动源，保温门与第一移动驱动源的移动端连接，箱体侧壁开设有开口，第一移动驱动源带动保温门启闭箱体的开口；容纳箱体设置于保温笼箱内，容纳箱体内用于放置多晶硅；冷却装置包括循环风扇和换热组件；换热组件设置于炉体上，换热组件与炉体能够交换热量；循环风扇用于使气流在流通腔和保温笼箱内循环流动。本申请能够提高对高温炉的冷却效率，改善保温层易被氧化的情况。 | ||||||
| 73 | 一种重掺磷直拉硅片的内吸杂工艺 | CN202311779218.7 | 2023-12-22 | CN117888205A | 2024-04-16 | 马向阳; 吴德凡; 赵统; 陈昊; 杨德仁 |
| 本发明公开了一种重掺磷直拉硅片的内吸杂工艺，属于半导体技术领域。所述内吸杂工艺包括：(1)将重掺磷直拉硅片置于保护气氛下在1100～1280℃条件下高温预处理20～120min，冷却至室温得到预处理硅片；(2)将预处理硅片置于保护气氛下在550～950℃条件下进行低温普通热处理。本发明提供的内吸杂工艺仅依赖重掺磷硅片内部的磷浓度，通过形成SiP沉淀进行内吸杂，可以有效地解决重掺磷硅片氧沉淀难以形成或氧沉淀内吸杂结构吸杂能力较弱的问题，可以在较低的热预算下形成具有良好吸杂能力的内吸杂结构。相比传统的氧沉淀吸杂结构，本发明与集成电路的工艺兼容性更好，能够极大的缩短热处理时间，减少企业成本。 | ||||||
| 74 | 多孔结构及单晶衬底的制备方法 | CN202311780234.8 | 2023-12-21 | CN117888204A | 2024-04-16 | 庄文荣; 张锐华; 卢敬权 |
| 本发明提供一种多孔结构及单晶衬底的制备方法，包括：在衬底上形成本征氮化物层、本征含铟氮化物层；在本征含铟氮化物层上生长氮化物叠层，包括交替的n‑氮化物层和u‑氮化物层；将上述所得结构浸入蚀刻溶液中进行电化学腐蚀，在氮化物叠层中形成第一孔洞；进行加热退火，使本征含铟氮化物层的铟组分分解并析出，以在本征含铟氮化物层中形成第二孔洞。本发明形成的多孔结构可以有效降低氮化物叠层和本征含铟氮化物层中的应力，避免氮化物叠层和本征含铟氮化物层翘曲或破裂的问题。本发明在氮化物叠层和本征含铟氮化物层均形成有孔洞，可以进一步提高GaN单晶层的应力释放，大大降低GaN单晶层的应力，以获得厚度更大应力更低的GaN单晶层。 | ||||||
| 75 | 一种SnSe晶体的制备方法 | CN202410075304.8 | 2024-01-17 | CN117888203A | 2024-04-16 | 胡皓阳; 蒋俊; 周文杰; 谈小建; 吴洁华 |
| 本发明提供了一种SnSe晶体的制备方法，包括：S1，将SnSe多晶料锭置于石英坩埚底部，将SnSe籽晶倒置悬挂在石英坩埚内，将石英坩埚抽真空并密封；S2，将石英坩埚置于晶体生长炉中，升高石英坩埚内温度，使SnSe多晶料锭熔化为SnSe熔体并与SnSe籽晶接种；自上而下降低石英坩埚内温度，使SnSe熔体结晶为SnSe晶体；结晶完成后，继续降低石英坩埚内温度，对SnSe晶体进行退火，得到SnSe晶体。本发明可抑制SnSe晶体生长过程中Se元素挥发，并避免降温过程中坩埚对SnSe晶体挤压产生应力和坩埚破裂熔体外溢，大幅提升SnSe晶体结晶质量和晶体生长成功率。 | ||||||
| 76 | 一种单晶炉炉体控压装置 | CN202311858067.4 | 2023-12-29 | CN117888197A | 2024-04-16 | 高树良; 曹晓旭; 马文龙; 蒋林 |
| 本发明属于单晶炉技术领域，具体的说是一种单晶炉炉体控压装置，包括单晶炉盖；所述单晶炉盖的顶端固接有真空阀；通过设置的监测器对单晶炉筒内部的气压实时监测，在单晶炉筒内部气压过高时，伺服电机带动搅拌叶正向转动，抽取单晶炉筒内部的热量送至存储箱的内部暂存，起到对单晶炉筒内部减压的作用，若单晶炉筒内部气压过低，利用伺服电机反向转动，将存储箱内部的热量回送单晶炉筒内部，起到对单晶炉筒内部增压的效果，利用封堵块对二号存储腔实现封堵，起到对热气封存的作用，依靠保温筒内暂存部分热量，起到对单晶炉筒外壁保温的作用，利用回收的部分热量对进料管加热，能够对进料管内的料物进行预热。 | ||||||
| 77 | 一种快速制备(111)取向单晶铜箔的方法 | CN202410071222.6 | 2024-01-17 | CN117888194A | 2024-04-16 | 马俊良; 汪伟; 刘兆平 |
| 本发明公开了一种快速制备(111)取向单晶铜箔的方法。所述方法包括：在多晶铜箔的两面分别沉积形成石墨烯薄膜，制得石墨烯铜箔，之后对其进行二次高温退火处理或者二次高压生长，制得(111)取向单晶铜箔。本发明提供的方法利用石墨烯与铜(111)面的晶格匹配来实现石墨烯对多晶铜箔的定向诱导，使单晶化的铜箔呈现出单一的(111)取向，避免了传统退火晶粒取向分布随机的问题；同时该方法利用悬挂法在铜箔正反面沉积石墨烯来达到最小化表面能的作用，并通过二次高温退火或二次高压生长来诱导多晶铜箔表面重构，诱导(111)晶核大范围同时形核长大，实现多晶铜箔的快速单晶化，解决了单晶铜箔制备效率低的问题。 | ||||||
| 78 | 一种高纯块体单晶金属钛的制备方法 | CN202311853993.2 | 2023-12-28 | CN117888193A | 2024-04-16 | 李鹤; 郑瑞晓; 鲁园园; 刘茂文; 马朝利 |
| 本发明公开了一种高纯块体单晶金属钛的制备方法，包括下述制备步骤：(1)制备多晶钛块材；(2)氢气环境下进行还原热处理；(3)多晶钛块材进行高压烧结，得到高纯高致密度等轴晶粒多晶钛块体；(4)高温热处理；(5)低温热处理；(6)高/低温循环热处理3～5次；(7)将步骤(6)得到的钛块体进行低温退火热处理；(8)钛块体进行酸洗干燥并切割，得到块体单晶钛。本发明的有益效果为：不仅解决了现有技术中块体单晶钛制备工艺复杂，成本过高的问题，而且制得的单晶钛纯度高，成分均匀。 | ||||||
| 79 | 磁环水冷屏、拉晶装置及方法 | CN202410248459.7 | 2024-03-05 | CN117888191A | 2024-04-16 | 张二东; 周涛; 王新强 |
| 本发明公开了一种磁环水冷屏、拉晶装置及方法。该磁环水冷屏包括本体、进水管道、出水管道、水流通道和永磁磁环；其中，所述进水管道设置在所述本体的一侧的顶部，所述出水管道设置在所述本体的另一侧的顶部；所述水流通道设置在所述本体的侧壁中；所述进水管道、出水管道和水流通道相连通；所述永磁磁环设置为由多个磁铁围设而成的环状结构，所述永磁磁环位于所述水流通道中。本发明的磁环水冷屏产生的磁场对应熔体内部可有效抑制熔体热对流，提高单晶品质。 | ||||||
| 80 | 一种三元复合终端金刚石材料及制备方法 | CN202410052498.X | 2024-01-12 | CN117888190A | 2024-04-16 | 任泽阳; 李逸江; 张金风; 苏凯; 李俊鹏; 王晗雪; 马源辰; 吴勇; 王东; 张进成; 郝跃 |
| 本发明涉及一种三元复合终端金刚石材料及制备方法，制备方法包括步骤：提供非故意掺杂单晶金刚石衬底；在单晶金刚石衬底上制备B掺杂的单晶金刚石外延层，形成p型金刚石外延层；在p型金刚石外延层表面制备硅材料层；将沉积硅材料层的样品在氢气等离子体氛围中进行退火处理，使得活化的H原子、Si原子、B原子分别与单晶金刚石的碳原子之间发生化学反应，形成C‑H、C‑Si、C‑B化学键；将退火后的样品在空气中静置目标时间，形成三元复合终端金刚石材料。与现有金刚石导电终端相比，该制备方法制得的三元复合终端金刚石材料实现了较高的迁移率和载流子浓度，进而实现低方阻金刚石样品。 | ||||||
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