| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 一种低温溶剂热制备钡硼氧氯纳米片的方法 | CN202211284344.0 | 2022-10-20 | CN117917488A | 2024-04-23 | 谭德明; 李秀军 |
| 本发明涉及一种低温溶剂热合成非线性光学材料钡硼氧氯纳米片的方法。钡硼氧氯(分子式：Ba2B5O9Cl)，分子量为508.2，属正交晶系，空间群Pnn2。采用低温溶剂热反应法制备。该制备方法可以在200℃的条件下合成钡硼氧氯，相比传统合成方法合成温度降低了500℃，很大程度上达到节能降耗的效果。合成的钡硼氧氯纳米片具有优异的非线性光学性能。 | ||||||
| 2 | 一种利用拉速改善径向晶棒RRG值的系统及其方法 | CN202210434850.7 | 2022-04-24 | CN114959874B | 2024-04-23 | 马小龙; 王忠保; 刘进 |
| 3 | 一种用于单晶炉的加料装置 | CN202111597255.7 | 2021-12-24 | CN114438583B | 2024-04-23 | 刘军波; 牛照伦; 王三朋 |
| 4 | 一种深紫外LED器件及其外延生长方法 | CN202311867600.3 | 2023-12-29 | CN117913190A | 2024-04-19 | 张骏; 单茂诚; 陈圣昌; 张毅; 岳金顺 |
| 本发明提供了一种深紫外LED器件及其外延生长方法，上述深紫外LED器件包括沿生长方向依次层叠设置的AlN衬底、AlN恢复层、第一应力缓解层、第二应力缓解层、电子注入层、N型电子阻挡层、量子阱有源层、P型电子阻挡层、空穴注入层以及欧姆接触层，其中，AlN恢复层在10μm*10μm区域下的表面粗糙度小于或等于2nm；第一应力缓解层的材料为非故意掺杂的AlGaN材料，第二应力缓解层以及电子注入层的材料均为Si掺杂的AlGaN材料，且第二应力缓解层的掺杂浓度小于或者等于电子注入层的掺杂浓度；本发明能改善在高质量AlN衬底上生长深紫外LED器件的表面形貌，进而提高深紫外LED器件的发光效率。 | ||||||
| 5 | 一种外延层、LED芯片及多量子阱层生长方法 | CN202211248532.8 | 2022-10-12 | CN117913189A | 2024-04-19 | 孙威威 |
| 本申请涉及一种外延层、LED芯片及多量子阱层生长方法，在多量子阱层中，在第一定组分层之后插入第一组分缓变层，以过渡到第二定组分层；在第二定组分层之后插入第二组分缓变层，以过渡到下一阱垒单元层的第一定组分层，这样可以利用第一组分缓变层与第二组分缓变层使得原本具有较大能隙差的第一定组分层与第二定组分层，也即阱层与垒层这两异质层之间的能带更加连续，进而消除或缓解因能带弯曲而形成的势垒尖峰，使得载流子不需要额外的能量来隧穿或克服对应的势垒，减小甚至消除了因阱层与垒层界面处组分突变而引入的附加电阻，降低了基于该外延层所制得的LED芯片的正向电压，增强了LED芯片的品质。 | ||||||
| 6 | 一种生长高质量大尺寸碳化硅晶体的装置和方法 | CN202311865484.1 | 2023-12-29 | CN117904718A | 2024-04-19 | 刘春俊; 王光明; 娄艳芳; 姚静; 雍庆; 武贺; 孟令强; 彭同华; 杨建 |
| 本发明提供了一种生长高质量大尺寸碳化硅晶体的装置，包括中继环，所述中继环为热解石墨块材，中继环位于生长坩埚和石墨盖中间，生长坩埚上部被生长原料覆盖，石墨盖被碳化硅籽晶覆盖，中继环内表面暴露在生长气氛中。本发明提供的碳化硅生长装置中，中继环使用热解石墨块材，可彻底避免石墨件表面腐蚀颗粒进入晶体中，减少了缺陷的产生，提高了碳化硅晶体质量。另外，热解石墨化学稳定性好，耐酸、碱、盐及有机试剂腐蚀，与熔融金属、炉渣和其他腐蚀性介质均不反应，这些特性增加了热解石墨的耐用性，可重复用来生长碳化硅晶体，有利于降低成本。 | ||||||
| 7 | 一种基于MPCVD可防止籽晶漂移的金刚石生长方法 | CN202410015419.8 | 2024-01-04 | CN117904715A | 2024-04-19 | 张新峰; 吴志亮 |
| 本发明公开一种基于MPCVD可防止籽晶漂移的金刚石生长方法，包括如下步骤：衬底预处理：对衬底的表面进行打磨，使得衬底表面粗糙；籽晶预处理；对衬底和籽晶进行第一步加热，使得衬底和籽晶温度达到第一温度阈值；设备预准备：将腔体内的抽真空，并通入催化气体；打开加热器，对腔体进行加热处理；启动微波发生器，并向腔体内通入反应气体；金刚石籽晶开始生长。本发明的有益效果是：本技术方案能够在不对衬底进行额外加工的前提下，有效避免籽晶漂移；籽晶采用密排方式排列，间隔的减少，不仅可以避免籽晶漂移，也能在有限面积内放下更多籽晶，同时可以提高籽晶温度均匀性。 | ||||||
| 8 | 一种单片式外延设备及方法 | CN202311684807.7 | 2023-12-08 | CN117904712A | 2024-04-19 | 徐新华 |
| 本发明涉及外延炉的技术领域，且公开了一种单片式外延设备及方法，包括炉体，炉体上方设置有顶盖，炉体上设置有连接台，炉体上固定安装有支撑板，顶盖设置在支撑板上，连接台上设置有托板，托板上侧开设有若干个凹槽，每个凹槽内均活动连接有基座，每个基座外侧壁均开设有环形壁槽，通过若干个基座可以同时加工若干个外延硅片，向下旋转移动固定柱，当固定柱与连接管分离后，就可以向上移动固定板，从而就可以将若干个基座逐一取出，逐一就可以方便用户更换，同时可以方便用户逐一清洗每个基座，从而避免其中一个基座损坏导致需要更换整个托板的情况产生，同时可以更换不同大小的基座，这样就可以同时加工不同大小的硅片。 | ||||||
| 9 | 一种氧化镓薄膜及其制备方法 | CN202311698267.8 | 2023-12-12 | CN117904710A | 2024-04-19 | 汪金; 王瑞; 薛俊俊; 智婷 |
| 本发明公开了一种氧化镓薄膜及其制备方法，方法包括：将镓源在热乙醇中进行热处理，得到流体镓源；对衬底进行预处理，衬底包括前驱衬底和主衬底；将流体镓源置于预处理后的前驱衬底上，并将前驱衬底和主衬底一同置于化学气相淀积反应腔室中；将化学气相淀积反应腔室抽真空后，向腔室内冲入载气直至腔室达到常压状态；将腔室升温到反应温度后，在反应温度保持时间内，通入流动载气；通入氧源至衬底表面，氧源通入过程中腔室保持常压状态；在反应时间结束后停止氧源通入，在流动载气氛围下将腔室内温度降至室温后，再对主衬底进行预处理，得到制备好的氧化镓薄膜。本发明解决了目前氧化镓薄膜外延生长形貌差，结晶度差，成本高的问题。 | ||||||
| 10 | 一种外延炉的温度控制方法 | CN202311724609.9 | 2023-12-15 | CN117904708A | 2024-04-19 | 刘杰 |
| 本发明公开了一种外延炉的温度控制方法，包括降温阶段和升温阶段，降温阶段完成后进行维护保养作业，维护保养作业完成后进行升温阶段；降温阶段先后关闭冷却风机和冷却水路，关闭氢气吹扫并进行氮气吹扫，升温阶段逐步气动冷却风机和冷却水路，逐渐提高加热模块的功率，本发明通过控制降温和升温过程，通过严格控制气体种类和流量、冷却风机与冷却水路的开关顺序、加热模块的功率和各阶段的时间，使得反应腔室中的部件在升降温之前有良好的外界环境，避免部件因为温度骤降骤升导致热胀冷缩从而产生破裂。增加了内部部件的使用寿命，提高了设备稼动率。 | ||||||
| 11 | 一种减少氧化镓栾晶数量的晶体生长方法 | CN202410295450.1 | 2024-03-15 | CN117904707A | 2024-04-19 | 胡开朋 |
| 本发明公开了一种减少氧化镓栾晶数量的晶体生长方法，属于晶体生长技术领域。本发明预先在坩埚内模具的正上方设置原料储存装置，并且在装置内放置与坩埚内部同比例的氧化镓原料和掺杂剂原料。在晶体放肩生长过程中，打开装置阀门，装置内的原料通过原料通道向下飘落到氧化镓晶体肩部，原料在晶体肩部团聚并吸附在肩部上，在肩部吸附的原料增加晶体细颈和肩部的保温，未在肩部吸附的原料降落至坩埚内熔化为熔体。从而增加了细颈与肩部的保温，减小晶体中间与晶体两侧的散热速率差，避免因散热速率不同而产生的热应力，使得晶体中间和晶体两侧间不再产生解离或栾晶等缺陷。从而，有效解决了氧化镓晶体生长过程中存在解离和栾晶的技术问题。 | ||||||
| 12 | 一种坩埚放置方法、装置及计算机可读存储介质 | CN202211268295.1 | 2022-10-17 | CN117904702A | 2024-04-19 | 周宏坤; 张伟建; 刘永生; 李羊飞; 杨正华; 王正远 |
| 本发明实施例提供了一种坩埚位置的调整方法、装置、存储介质。本申请通过响应于调整坩埚位置的调整指令，检测是否满足预设的获取条件；若是，则获取起始液口距、目标液口距、起始位置；对起始液口距进行验证；若验证通过，则基于起始液口距、目标液口距和起始位置确定坩埚的目标位置；将坩埚调整至目标位置。本申请通过放置系统自动获取液口距、放置位置等参数，实现坩埚的自动放置，并在放置过程中，进行安全监测防止意外发生，有效避免人工放置坩埚由于误操作而产生意外事故。 | ||||||
| 13 | 一种采用感应加热实现水平定向生长板状晶体的装置和方法 | CN202410068067.2 | 2024-01-17 | CN117904701A | 2024-04-19 | 李海林; 徐扬; 丁雨憧; 刘荣荣; 张月; 张灵 |
| 本发明涉及一种采用感应加热实现水平定向生长板状晶体的装置和方法，装置包括生长腔室，生长腔室内放置坩埚，所述坩埚上方敞口并设有籽晶夹持口、放肩生长段和等宽生长段；生长腔室的外部沿坩埚的长度方向环设有感应线圈；坩埚的上表面设有盖板，盖板将坩埚放肩生长段全段和等宽生长段除尾部外的其余区域上方敞口封盖，等宽生长段尾部保留的敞口区域构成装料口；还包括直线运动机构，所述直线运动机构用于使得感应线圈和生长腔室之间沿坩埚内结晶方向产生相对运动。本发明将上方设计有封盖的坩埚放于可移动式温场结构内进行感应加热、生长晶体，能为晶体生长提供一个均匀、稳定的温场，避免生长出的板状晶体出现多晶、杂质、云层、开裂等缺陷。 | ||||||
| 14 | 一种气体裂解源 | CN202410059414.5 | 2024-01-16 | CN117904600A | 2024-04-19 | 王俊莉; 王晓冬; 于广琛 |
| 本发明涉及一种气体裂解源，包含壳体，壳体顶部设置有裂解源前端盖，支撑部分及热丝设置在壳体内部，裂解源前端盖与支撑部分形成狭缝气路；所述壳体顶端设置有束流板，束流板上开设有束流孔；所述壳体的底部设置有文氏结构。所述束流孔沿束流板周向均布，束流孔面积之和大于狭缝气路的截面积；束流孔与束流板中间轴线具有夹角，使气流整流后的方向尽量的减少与壳体内壁面和支撑部分的碰撞次数。通过束流孔作为导向结构增加分子与热丝的碰撞几率，束流板将进入裂解炉内部的分子流进行各方向的整流，使其进入裂解腔体内部后能够更加快速的被引导至热丝表面，并发生有效碰撞后实现分子向原子的转换，提升裂解的效率和速率。 | ||||||
| 15 | 一种通用籽晶控制单晶叶片三维晶体取向的方法 | CN202410308048.2 | 2024-03-18 | CN117900382A | 2024-04-19 | 胡松松; 陈赢政; 杨志强; 白伟民; 李文道; 汪璞 |
| 本发明公开一种通用籽晶精确控制单晶叶片三维晶体取向的方法，包括制备籽晶、制模和组模、制壳、熔炼浇注等步骤。本发明通过调控籽晶与叶片铸件蜡模之间的位向关系实现精确控制单晶叶片的三维晶体取向，可使用任意取向的籽晶，具有通用籽晶的特点，极大地简化制作籽晶的工艺难度，降低制作籽晶的成本；通过限定籽晶的尺寸，使单晶制备过程中籽晶与冷却板之间即使无接触也能形成较好的回熔比，避免了在组模时严格限定籽晶与底板贴合的技术要求，降低了组模难度；涂挂造型材料的最后一层时仅涂挂模组从底板蜡模到浇口杯方向的下部，保证型壳强度的同时降低了型壳整体的厚度，改善了定向凝固过程中的温度场演化过程，有利于提高单晶叶片制备成功率。 | ||||||
| 16 | 一种应用于鞋底的高强高弹PU材料及其制备方法 | CN202311419284.3 | 2023-10-30 | CN117467269B | 2024-04-19 | 陈兴宏 |
| 17 | 调节机构及单晶炉 | CN202311302190.8 | 2022-10-25 | CN117187944B | 2024-04-19 | 曹建伟; 朱亮; 傅林坚; 叶钢飞; 阮文星; 张小东 |
| 18 | 一种空心金刚石晶体的制备方法 | CN202311086714.4 | 2023-08-28 | CN117071061B | 2024-04-19 | 冀成相; 廖佳; 李再强 |
| 19 | 单晶生长炉和晶体生长方法 | CN202211178389.X | 2022-09-26 | CN115386948B | 2024-04-19 | 陈俊宏 |
| 20 | 用于冷坩埚制备高纯氧化铝多晶锭的倾斜铸造系统和方法 | CN201710978178.7 | 2017-10-18 | CN107557857B | 2024-04-19 | 张清勇; 唐皇哉; 胡树金 |
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