| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 一种提升蓝宝石单晶冲击能量吸收能力的方法 | CN202411923115.8 | 2024-12-25 | CN119956497A | 2025-05-09 | 张乐; 邵岑; 邱凡; 王彤; 李明洲; 陈士卫; 李贵明; 陈浩 |
| 本发明公开了一种提升蓝宝石单晶冲击能量吸收能力的方法。具体的：将蓝宝石单晶输入至抛光机，使用氧化铝抛光液进行机械抛光，使用飞秒激光器对蓝宝石单晶进行加工，将蓝宝石样品平铺至折射率匹配液中，保持蓝宝石至液面高度为0.5～1mm，设置平面加工点间隔为0.5～3mm，纵深加工点间隔为0.5～1mm，然后进行退火，对所得样品进行精密加工即可得到高冲击能量的蓝宝石单晶迎弹面材料。本发明采用飞秒激光对蓝宝石单晶进行内部隐格刻写，引入纳米缺陷，诱导蓝宝石形成小尺寸飞溅物，不影响蓝宝石单晶本身自有的力学、光学性能，不降低蓝宝石对弹丸的破坏能力，提升蓝宝石冲击能量吸收能力，从而提高蓝宝石型透明防护材料的防护性能。 | ||||||
| 2 | 一种稀土磁性单晶材料及其制备方法和应用 | CN202510120416.5 | 2025-01-25 | CN119956495A | 2025-05-09 | 罗轩; 岳守彩; 孙玉平 |
| 本发明涉及一种稀土磁性单晶材料及其制备方法和应用，所述稀土磁性单晶材料的化学式为HoAuSi2，其具有六方晶系结构，其晶格常数为a=b=4.09Å，c=4.03Å，电输运表现为金属性，其居里温度为8K。本发明提供的稀土磁性单晶材料HoAuSi2，具有独特的六方晶系结构，在低温下展现出8K的居里温度以及金属行为的电阻特性，为进一步探索新型功能材料在量子计算、低温电子学、自旋电子学以及新型磁性传感器等前沿领域的潜在应用提供了新的可能性和研究方向。 | ||||||
| 3 | 一种铟基氯化物闪烁晶体及其制备方法 | CN202510042262.2 | 2025-01-10 | CN119956494A | 2025-05-09 | 李静; 鞠维睿 |
| 本发明涉及闪烁晶体制备技术领域，具体涉及一种铟基氯化物闪烁晶体及其制备方法。本发明利用具有缩颈籽晶管的石英坩埚采用坩埚下降法制备铟基氯化物闪烁晶体，通过工艺参数的调整，可以克服原料的非一致熔融特性，改善相变导致的缺陷，并且可根据所需的性能进行调控，最终制备结晶性能良好、大尺寸、光学性能好的铟基氯化物闪烁晶体Cs2LiIn1‑xCexCl6。 | ||||||
| 4 | 一种Fe1-xCrxS超导单晶及其制备方法 | CN202510392429.8 | 2025-03-31 | CN119956493A | 2025-05-09 | 万闻; 王洋洲 |
| 本发明提供一种Fe1‑xCrxS超导单晶及其制备方法，该方法包括以铁粉、铬粉、硫粉为单质原料，先制备(Fe1‑xCrx)0.8S前驱体，将前驱体与钾块通过固相烧结法经高温烧结制备K0.4(Fe1‑xCrx)0.8S母体，再通过水热反应在碱性环境下将K0.4(Fe1‑xCrx)0.8S中的层间K脱嵌出来，补充缺失的铁铬元素，最后得到四方Fe1‑xCrxS超导单晶。铁基超导体的超导电性与Fe位息息相关，3d金属Fe位掺杂已经成为提高铁基超导体超导电性，探究超导机理的重要方式。通过使用与Fe原子半径相近的Cr原子对FeS的铁位进行电子掺杂，能够对其超导性能进行调节，以适应不同的电子器件。上述制备方法简单，保障了实验人员的安全；另一方面，本发明的各组分超导单晶转变温度较高，超导展宽较小，单晶质量较好。 | ||||||
| 5 | 半导体异质结复合衬底及其制备方法 | CN202510416715.3 | 2025-04-03 | CN119956491A | 2025-05-09 | 李哲洋; 李勇; 于乐; 金锐 |
| 本申请公开了半导体异质结复合衬底及其制备方法，该复合衬底包括：外延层；第一缓冲层，位于外延层的一侧，第一缓冲层的材料包括二维范德瓦尔材料；第一衬底，位于第一缓冲层背离外延层的一侧，其中，第一衬底与外延层具有不同的晶型，以解决相关技术中异质结外延因晶体缺陷而降低功率器件性能的问题。 | ||||||
| 6 | 二维β-CUI晶体及其制作方法 | CN202510040833.9 | 2025-01-10 | CN119956487A | 2025-05-09 | 杨振中; 王号南; 屈可; 杨长; 成岩 |
| 本发明公开了一种二维β‑CUI晶体及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：提供基底和反应基液，基底选用具有覆盖率为98％以上的单层石墨烯薄膜的石墨烯铜箔片，且石墨烯铜箔片的表面为原子级平整表面；反应基液是将碘单质溶于无水乙醇中配制而成；将反应基液置于基底表面设定时间，以在基底表面上生长出二维β‑CUI晶体。该制作方法简单可行、易于操作实施、实施成本低，所得二维β‑CUI晶体的纯度高、面积大，易于被转移、实现多层晶体生长和性能测试。 | ||||||
| 7 | 一种晶圆级SnO2单晶纳米膜、其制备方法及柔性微纳氢气传感器 | CN202411890749.8 | 2024-12-20 | CN119956482A | 2025-05-09 | 朱丽萍; 池翰文; 蒋杰; 叶志镇 |
| 本发明公开了一种晶圆级SnO2单晶纳米膜、其制备方法及柔性微纳氢气传感器。所述方法包括：采用r面蓝宝石外延生长SnO2薄膜，并溅射生长金属镍应力层以辅助剥离得到晶圆级SnO2单晶纳米膜。通过该方法制备的SnO2单晶纳米膜，将其转移至柔性衬底，适配成熟的MEMS器件工艺。借助光刻、刻蚀、lift‑off等半导体工艺，在柔性衬底上得到了SnO2基微纳氢气传感器。得益于较少的褶皱缺陷和超高的载流子迁移率，所述的传感器对氢气气体具有高灵敏度和高选择性。其在柔性微纳器件的大规模制备和氢气快速传感领域有较大应用前景。 | ||||||
| 8 | 一种纳米金刚石薄膜的生长方法 | CN202311473030.X | 2023-11-07 | CN119956481A | 2025-05-09 | 甘志银; 汪启军; 甘志文 |
| 本发明公开了一种纳米金刚石薄膜的生长方法，通过分子束外延、金属有机物化学气相沉积、磁控溅射等方法在表面经过抛光处理的单晶硅片、石英片以及蓝宝石片表面沉积厚度在20‑500 nm的AlN、SiO2等过渡层薄膜。随即将沉积了过渡层薄膜的衬底放入直径为5‑100 nm的纳米金刚石形核液中进行超声形核，形核0.5‑24小时。接着在微波等离子体化学气相沉积装置中通入甲烷和氢气进行纳米金刚石薄膜的生长，生长温度区间为700‑1100℃，直至在缓冲层上形成一层致密的纳米金刚石薄膜，实现金刚石‑缓冲层‑单晶衬底散热结构的制备。本发明可以显著提高纳米金刚石的形核密度，可以将金刚石形核密度由109/cm2提高到1012/cm2，使得金刚石和衬底之间结合更紧密，进一步降低界面热阻,增强散热性能。 | ||||||
| 9 | 用于提高单晶金刚石生长良品率的金刚石生产工艺 | CN202510017987.6 | 2025-01-06 | CN119956479A | 2025-05-09 | 季宇; 李俊宏; 熊伟 |
| 一种用于提高单晶金刚石生长良品率的金刚石生产工艺，属于单晶金刚石制备技术领域。金刚石生产工艺包括以下步骤：将晶种进行刻蚀后在工作腔内进行单晶生长，单晶生长包括第一阶段和第二阶段；第一阶段和第二阶段通入气体和调整气体流量，第一阶段通入的气体包括氢气和甲烷，第二阶段通入的气体包括氢气、甲烷、氧气和氮气，第一阶段通入的甲烷体积浓度小于第二阶段通入的甲烷体积浓度；第一阶段的温度条件为750～900℃，第二阶段的温度条件为850～1000℃；进行单晶生长过程之后依次进行降温、退火处理。其能够提高单晶金刚石生长的良品率。 | ||||||
| 10 | 一种适用于晶体生长炉的晶体生长提拉装置 | CN202510395678.2 | 2025-03-31 | CN119956469A | 2025-05-09 | 沈琨; 沈承刚 |
| 本发明属于晶体生长设备技术领域，具体涉及一种适用于晶体生长炉的晶体生长提拉装置，包括炉体、立柱、平台、提拉杆和籽晶夹；提拉组件，所述提拉组件装配于炉体的顶面，用于驱动平台升降；旋转组件，所述旋转组件装配于平台上，用于驱动提拉杆旋转；冷却组件，所述冷却组件设置于提拉杆上，用于冷却提拉杆；混合机构，所述混合机构设置于提拉杆的下端；固定组件，所述固定组件设置于籽晶夹上；防护组件，所述防护组件设置于提拉杆的外侧；其中，所述混合机构包括搅拌部，所述搅拌部套设于提拉杆上，所述提拉杆上还设置有收卷部，所述搅拌部上设置有限位部。本发明能够有效提高晶体生长的纯净度、稳定性和效率，同时延长了设备使用寿命。 | ||||||
| 11 | 单晶炉的排气装置及其控制方法 | CN202510230669.8 | 2025-02-28 | CN119956468A | 2025-05-09 | 刘海东; 武晓峰; 张丰军 |
| 本申请涉及单晶硅加工技术领域，具体提供一种单晶炉的排气装置及其控制方法，旨在解决如何防止单晶炉运行过程中外界气体进入炉内的问题。为此目的，本申请的单晶炉的排气装置包括：排气管；真空泵，其与所述排气管相连；单向导气阀，其设置于所述排气管上，所述单向导气阀能够控制流体仅向所述真空泵一侧流动。本申请通过在单晶炉排气装置的排气管内设置单向导气阀，能够在真空泵异常或排气装置泄露等现象出现时，防止外界环境中的气体进入单晶炉内，从而能够保证炉内的环境气氛不受破坏，保证单晶硅的生产质量。 | ||||||
| 12 | 一种利用微波加热生长平面晶硅纳米线的方法 | CN202411899060.1 | 2024-12-23 | CN119956338A | 2025-05-09 | 刘宗光; 陈建美; 余林蔚; 王军转 |
| 本发明公开了一种利用微波加热生长平面晶硅纳米线的方法，具体步骤为：在柔性衬底表面制备催化金属条带；将制备好催化金属条带的有机衬底置于PECVD反应腔中，利用氢等离子体处理去除催化金属表面氧化层；将催化金属加热形成金属液滴；在柔性衬底上沉积非晶硅薄膜；采用微波加热金属液滴运动形成晶硅纳米线。该方法采用辐照范围广的微波作为加热源，利用衬底和金属纳米液滴对其辐照的高选择性吸收差异，实现仅在液滴/硅纳米线生长界面的高效局域加热，以驱动晶硅纳米线的高速度生长，突破了传统高温环境加热方式无法用于柔性聚合物衬底的技术限制，避免了衬底加热，为在柔性衬底上直接生长集成晶硅纳米线及器件提供了基础。 | ||||||
| 13 | 一种含碲的高强度铜合金材料及其制备方法 | CN202510252399.0 | 2025-03-05 | CN119956154A | 2025-05-09 | 文培军; 关柏豪; 李炎洪 |
| 本发明公开了一种含碲的高强度铜合金材料的制备方法，涉及高性能铜及铜合金技术领域，包括以下工艺：取原料熔融，形成合金液；浇注，凝固，得到坯料；然后进行均匀化热处理，轧制，退火，得到含碲铜合金材料，凝固采用超声场凝固，同时利用石墨棒向合金液中喷入石墨烯复合粉末，石墨烯复合粉末由钨箔、铜箔经气相沉积、粉碎后得到。本发明通过镁、稀土等元素对碲铜合金进行合金化，这有助于晶粒组织的致密化，高强度与高导电率之间的平衡；在超声场凝固时加入石墨烯，消除了氧等元素对石墨烯的负面影响，促进石墨烯的均匀分布，阻碍了晶粒的长大，提高了合金材料的整体强度、导电性能和抗氧化性能。 | ||||||
| 14 | 一种农业废弃生物质生料催化转化制备新能源氢气的方法 | CN202311487933.3 | 2023-11-09 | CN119954096A | 2025-05-09 | 巩冠群; 陈金龙; 杨海雨; 张英杰 |
| 本发明涉及一种由农业废弃生物质生料制备新能源氢气的方法,其流程为：（1）农业废弃生物质生料预处理后与NaOH稀溶液共煮，与K2CO3混合，烘焙炭化，制得生物炭；（2）生物炭与过热水蒸气反应，控制温度得大量H2和少量CO；（3）气体产物通过由Fe、Au单质及四种金属氧化物构成的创新型复合催化剂，与过热水蒸汽发生催化变换将CO转变为CO2并同步产H2；（4）得到CO2与H2通入盛有廉价CO2靶向选择吸收反应物的反应器中，除去CO2同时副产高价值纳米碳酸钙晶须及碳酸钠纳米颗粒；（5）尾气处理得纯净H2。本发明通过组合工艺将低价值农业废弃生物质转化为高价值氢气，并同时副产高价值产品，具有绿色低碳，产氢率高，催化剂损耗小，成本廉价，CO2零排放等特点。 | ||||||
| 15 | 一种竹子转化制备新能源氢气的方法 | CN202311487691.8 | 2023-11-09 | CN119954095A | 2025-05-09 | 巩冠群; 陈金龙; 杨海雨; 张英杰; 刘海臣 |
| 本发明涉及一种由竹子制备新能源氢气的方法,其流程为：（1）竹子预处理后烘焙炭化，用含CO2的水蒸气活化协同，制得串孔炭；（2）串孔炭与过热水蒸气进行反应，控制温度制得大量H2和少量CO；（3）气体产物通入装有由Fe、Au单质及四种金属氧化物构成的创新型复合催化剂的反应器中，与过热水蒸汽发生催化变换将CO转变为CO2并同步产H2；（4）得到的CO2与H2混合气通入盛有廉价CO2靶向选择吸收反应物的反应器中，除去CO2同时副产高价值纳米碳酸钙晶须及碳酸钠纳米颗粒；（5）尾气处理得到纯净H2。本发明通过组合工艺将低价值竹子转化为高价值氢气，并同时副产高价值产品，具有绿色低碳，无外排，产氢率高，催化剂损耗小，成本廉价，CO2零排放等特点。 | ||||||
| 16 | 一种高性能单层瓷介电容器材料及制备方法 | CN202510254689.9 | 2025-03-05 | CN119735437B | 2025-05-09 | 王慧卉; 赵海飞 |
| 17 | 一种取晶设备及取晶方法 | CN202311165846.6 | 2023-09-11 | CN117187965B | 2025-05-09 | 请求不公布姓名 |
| 18 | 高度极化的3D有机钙钛矿和包括其的电光材料 | CN202180052407.7 | 2021-09-02 | CN116171259B | 2025-05-09 | 孙孟佳; 郑超; 舒尔德·霍格兰; 爱德华·哈特利·萨金特 |
| 19 | 一种调控碳60单晶导电性的方法及其应用 | CN202210142572.8 | 2022-02-16 | CN114512610B | 2025-05-09 | 何涛; 张晓静; 邓铭智; 陶绪堂 |
| 20 | 一种单晶炉气密性的检测方法 | CN202011259857.7 | 2020-11-12 | CN114486107B | 2025-05-09 | 马博; 周泽; 王林; 张国栋; 乌恩; 郭志荣; 王建平; 阿古达木; 钟旭 |
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