| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 181 | 基于x切单晶铌酸锂的微型横波压电微机械超声换能器的制备方法及横波探头 | CN202411829963.2 | 2024-12-12 | CN119768026A | 2025-04-04 | 孙臣臣; 余永红; 邢占强; 计炜梁; 孙翔宇 |
| 本发明涉及电子材料与器件技术领域，具体涉及基于x切单晶铌酸锂的微型横波压电微机械超声换能器制备方法及横波探头，所述方法包括：对铌酸锂晶体进行生长以及x切割，得到自极化铌酸锂晶圆；对自极化铌酸锂晶圆进行图形化处理；基于预设切向角度对图形化处理后的自极化铌酸锂晶圆进行切割，得到不同切向角度下的铌酸锂晶圆切片；利用不同切向角度下的铌酸锂晶圆切片制备横波探头。其目的在于，实现制备PMUT横波器件，解决传统横波探头体积大、难以阵列化集成的局限性。 | ||||||
| 182 | 一种超居里温度环境下压电单晶的联合极化系统及方法 | CN202510056083.4 | 2025-01-14 | CN119768025A | 2025-04-04 | 罗骋韬; 朱于良; 王晓波; 韩韬 |
| 本发明公开了一种超居里温度环境下压电单晶的联合极化系统，包括：放置待加工压电材料的硅油加热炉，对压电材料执行可控加热。信号生成模块，生成相对应的电场信号施加至位于硅油加热炉内的压电材料。对硅油加热炉内的温度以及电压值进行监测的监测模块。主控模块，分别与信号生成模块和监测模块信号连接，向信号生成模块下达控制指令，以及对温度和电压进行实时监测。实现了交直流联合电场施加，通过信号发生器输出交直流联合电场，并在样品温度接近居里温度时施加电场，有效优化样品的畴结构，显著提升极化效果。硅油加热炉内设有温控装置，进一步提高极化均匀性与畴结构的稳定性。实时监测与数据分析，对样品的极化效果进行定量评估。 | ||||||
| 183 | 嵌入式SiGe外延的制备方法 | CN202411914198.4 | 2024-12-24 | CN119767719A | 2025-04-04 | 梁欢; 郑印呈 |
| 本发明提供一种嵌入式SiGe外延的制备方法，通过先在凹槽中沿外延生长方向生长浓度呈阶梯式增长分布且低浓度Ge的SiGe外延缓冲层，以有效降低硅衬底与SiGe外延缓冲层之间的晶格失配，以为后续材料层的沉积提供优良的沉积基础；另外，采用外延生长步骤结合冲洗步骤进行循环的方式，得到所需厚度的第一SiGe外延籽晶层，可形成薄膜质量优异的第一SiGe外延籽晶层同时在非凹槽区域的非必要微小颗粒也得到有效去除，减少甚至抑制肩部缺陷；最后，第二SiGe外延籽晶层作为沟道的应力层的另一部分使用，在形成第二SiGe外延籽晶层后，再进行一次冲洗时间不超过5秒的盐酸冲洗，达到进一步减少非凹槽区域的非必要微小颗粒再生。 | ||||||
| 184 | 坩埚托支撑轴装置 | CN202411954143.6 | 2024-12-27 | CN119753854A | 2025-04-04 | 宋德鹏; 马士国; 张鸿志; 贺全全 |
| 本发明公开了一种坩埚托支撑轴装置，包括：支架，设有竖直方向的第一导向部件；上滑座，导引于所述第一导向部件，且上滑座设有座孔；转盘，通过轴承安装在所述座孔，并具有中心孔；支撑轴，用于支撑坩埚托；下滑座，导引于所述第一导向部件，所述支撑轴的下端通过回转副安装在所述下滑座上；第一驱动装置；以及第二驱动装置；上波纹管，上端用于与工艺腔室的下炉口间连接，下端与所述上滑座间连接，并与所述支撑轴共轴线。依据本发明的坩埚托支撑轴装置适应性相对比较好。 | ||||||
| 185 | 一种氟化钇锂复合晶体及其制备方法 | CN202411935787.0 | 2024-12-26 | CN119753852A | 2025-04-04 | 万文 |
| 本发明涉及氟化钇锂晶体键合技术领域，具体是一种氟化钇锂复合晶体及其制备方法，制备方法包括如下步骤：S1、将c轴晶向的氟化钇锂晶体和a轴晶向的掺杂氟化钇锂晶体的键合面抛光；S2、抛光之后通过不同的有机溶液进行浸泡处理；S3、通过直接键合技术得到第一中间产物；S4、第一中间产物加压处理得到第二中间产物；S5、第二中间产物通过热等静压和退火处理得到氟化钇锂复合晶体。本发明制备的氟化钇锂复合晶体通过不同抛光液进行抛光并进行浸泡处理，提高了两块激光晶体之间的范德华力，加强了键合晶体键合面的强度，提高了成品率。 | ||||||
| 186 | 一种甲基磺酸三甲胺二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用 | CN202411989322.3 | 2024-12-31 | CN119753849A | 2025-04-04 | 张弛; 吴超; 龚榧元 |
| 本发明涉及一种甲基磺酸三甲胺二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用，该晶体材料的化学式为[(CH3)3NH]+[SO3CH3]‑，分子量分别为154.21，属于正交晶系，空间群为Pca21(No.29)。晶胞参数为α＝γ＝β＝90°，Z＝4，晶胞体积为 本发明所述的非线性光学晶体[(CH3)3NH]+[SO3CH3]‑在1064nm激光照射下的粉末倍频效应约为磷酸二氢钾晶体的0.5倍，且能实现相位匹配，其紫外吸收截止边小于200nm。该晶体材料易于生长，在电光调制、全息存储元件、以及倍频器件等方面展现出重要的应用价值。 | ||||||
| 187 | 一种氨基胍草酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用 | CN202411989321.9 | 2024-12-31 | CN119753848A | 2025-04-04 | 张弛; 吴超; 张笑天 |
| 本发明涉及一种氨基胍草酸盐二阶非线性光学晶体(C材2O料4H)及‑，其属制于备单和斜应晶用系，，该空晶间体群材为料P化21学，晶式胞为参(数CN为4H7)+α＝90°，β＝95～100°，γ＝90°，Z＝2。本发明的非线性光学晶体(CN4H7)+(C2O4H)‑在1064nm激光照射下的粉末倍频效应约为KH2PO4(KDP)晶体的1.0倍，且能实现相位匹配。此外，该晶体材料具有较短的紫外吸收截止边(290nm)和易于生长等优点，在立体光刻、固态激光器、光通讯、光参量放大器、光参量振荡器、激光频率转换器等光电转化领域具有重要的应用价值。 | ||||||
| 188 | 一种亚甲基二硼酸二阶非线性光学晶体材料在非线性光学领域中的应用 | CN202411989311.5 | 2024-12-31 | CN119753846A | 2025-04-04 | 张弛; 余炳; 吴超 |
| 本发明涉及一种亚甲基二硼酸二阶非线性光学晶体材料在非线性光学领域中的应用，该晶体材料的化学式为CH6B2O4，分子量为103.68，属于四方晶系，其空间群为I41md，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝4，晶胞体积为 本发明的亚甲基二硼酸晶体材料具有优良的光学性能，在1064nm激光辐照下，粉末倍频强度约为磷酸二氢钾晶体的0.3倍，且能够实现相位匹配。此外，该二阶非线性光学材料的单晶制备方法简便，其紫外吸收截止边小于190nm，这些优点使其在激光频率转换、光信息处理、全息储存和光通讯等领域具有重要的应用潜力。 | ||||||
| 189 | 一种铟基亚硒酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用 | CN202411989308.3 | 2024-12-31 | CN119753843A | 2025-04-04 | 张弛; 谌佳蓉; 吴超 |
| 本发明涉及一种铟基亚硒酸盐二阶非线性光学晶体材料及其制备和应用，该晶体材料的化学式为In(HSeO3)3·3H2O，分子量为552.77，属于三方晶系，其空间群为R3c(No.161)，晶胞参数为α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝6。本发明所述的二阶非线性光学晶体In(HSeO3)3·3H2O在1064nm激光照射下的粉末倍频效应约为KH2PO4晶体的0.1倍，且能实现相位匹配。此外，该晶体材料具有较短的紫外吸收截止边(216nm)，在激光调制、无线电设备、卫星通信等领域具有重要的应用价值。 | ||||||
| 190 | 用于二阶非线性效应调制的超扭曲螺旋WS2晶体制备方法及应用 | CN202411714973.1 | 2024-11-27 | CN119753841A | 2025-04-04 | 陈瑞杰; 樊晓鹏 |
| 本发明属于光电材料技术领域，公开了一种用于二阶非线性效应调制的超扭曲螺旋WS2晶体制备方法及应用，包括以下步骤：将WS2粉末放置第一瓷舟中，将衬底水平放置在第二瓷舟上，第三瓷舟中放入去离子水；然后将第一瓷舟设置在管式炉的中部加热区域，将第二瓷舟设置在出气口侧，将第三瓷舟设置在进气口侧；同时，在第一瓷舟和第三瓷舟之间放置石英玻璃圆柱体；通入载气，加热使得第一瓷舟所在区域的加热温度为1140‑1160℃；持续通入载气，同时使第一瓷舟所在区域保持恒温，等待载气携带蒸发的WS2源将其送至SiO2衬底片并完成沉积后得到具有逐层扭转角度的层状螺旋WS2二维纳米材料。本发明得到产品二阶非线性磁化率较大而且可调，可以广泛应用于光学领域。 | ||||||
| 191 | 一种碳化硅膜层的制备方法 | CN202411959734.2 | 2024-12-27 | CN119753833A | 2025-04-04 | 柴利林 |
| 本申请提供了一种碳化硅膜层的制备方法，包括如下步骤：在基体的表面形成多个孔径为纳米级的微孔，所述基体的表面形成微孔粗糙层；在微孔粗糙层之上沉积碳化硅膜层；去除所述基体，形成单独的碳化硅膜层。本申请解决了传统的制备CVD碳化硅涂层的工艺无法制备出厚度较大且高质量的碳化硅涂层的技术问题。 | ||||||
| 192 | 一种抑制外延过程中晶圆背部白斑的装置及方法 | CN202411536477.1 | 2024-10-31 | CN119753831A | 2025-04-04 | 陆敏; 胡现芝; 黄敏; 杨军伟; 宋华平 |
| 本申请实施例提供了一种抑制外延过程中晶圆背部白斑的装置及方法，通过优化抑制外延过程中晶圆背部白斑的装置，装置包括：石墨盘、气旋托盘、支撑件和气体供应装置，石墨盘的顶部用于放置衬底，石墨盘设有贯穿型气孔，气旋托盘设于石墨盘的底部；支撑件用于支撑石墨盘，以使石墨盘与气旋托盘之间形成气流空间，气流空间与气孔连通；气旋托盘能够通过支撑件带动石墨盘转动；气体供应装置用于向气流空间内产生气流，以使衬底下表面的压强小于上表面的压强，产生伯努利效应，使得衬底与石墨盘充分贴合，从而减少外延生长气体接触衬底下表面的概率，解决外延气体进入衬底碳面参与反应导致的背面白雾状异常问题，进而提高外延片的良率。 | ||||||
| 193 | 金属氧氮化物膜的制造方法 | CN202411921844.X | 2019-06-24 | CN119753828A | 2025-04-04 | 种村和幸; 三本菅正太; 奥野直树 |
| 本发明涉及金属氧氮化物膜的制造方法。提供一种在低温下通过外延生长形成金属氧氮化物膜的方法。金属氧氮化物膜的制造方法，包括如下步骤：在单晶的衬底上，导入含有氮气体的气体，通过使用氧化物靶材利用溅射法对金属氧氮化物膜进行外延生长，其中，氧化物靶材包含锌，形成金属氧氮化物膜时的衬底为80℃以上且400℃以下，氮气体的流量为气体的总流量中的50％以上且100％以下。 | ||||||
| 194 | 锑氮共掺单晶硅的制备方法和锑氮共掺单晶硅 | CN202411962739.0 | 2024-12-27 | CN119753822A | 2025-04-04 | 张玲玲; 张华利; 周声浪; 陈宗霆; 宋亚飞; 周洁 |
| 本发明公开了一种锑氮共掺单晶硅的制备方法和锑氮共掺单晶硅，锑氮共掺单晶硅的制备方法包括：获取向坩埚内投入硅料的次数N；确定N大于等于2，向单晶炉内投入硅料的同时投入掺杂物，掺杂物包括锑料；向单晶炉内通入氮气和氩气。根据本发明的锑氮共掺单晶硅的制备方法，锑氮共掺单晶硅的制备方法可以提高坩埚的利用率，能够减少晶棒的空洞型缺陷并消除位错，还能提高晶棒的机械强度并降低氧含量，进而提高单晶硅的品质。 | ||||||
| 195 | 晶体生长方法 | CN202411947464.3 | 2024-12-27 | CN119753818A | 2025-04-04 | 颛孙梦林; 汪晨; 张华利; 王新; 马俊杰; 耿浩浩; 陈宗霆; 周声浪; 周洁 |
| 本发明公开了一种晶体生长方法，所述晶体生长方法包括：确定满足向坩埚内添加掺杂剂的条件；将掺杂剂通过硅凝胶粘接连接在籽晶下端，使得籽晶向下移动伸入坩埚的熔汤内且掺杂剂和硅凝胶完全位于熔汤内。根据本发明的晶体生长方法，实现向坩埚内添加掺杂剂，以保证生长出来的晶棒电阻率的稳定性。同时，硅凝胶在脱水脱落与熔汤融合后作为晶棒的原料，有效利用硅凝胶的同时，不会对坩埚内的熔汤造成化学或物理影响，有效确保晶棒原料的纯净度和均匀性。另外，向坩埚内添加掺杂剂的操作简单，避免复杂的吊料过程，减少了操作步骤，从而提高工作效率，且减少不必要的硅料浪费，有效降低成本。 | ||||||
| 196 | 一种单晶炉氩气对流防窒息装置 | CN202411829453.5 | 2024-12-12 | CN119753811A | 2025-04-04 | 曹玉宝; 薛金鑫; 李锋伟; 江佳飞; 华洪涛; 王嘉 |
| 本发明属于单晶炉技术领域，具体的说是一种单晶炉氩气对流防窒息装置，包括机架，所述机架的外侧安装有保护罩，所述保护罩的形状为U型；所述机架的上端面安装有安装板，所述安装板的上端面边缘处安装有导向座，所述导向座的侧壁安装有气缸，所述导向座的上方安装有导向杆，所述导向杆的外周面设置有多组连接片；单晶炉内部残留的氩气会流出，避免了抽空检漏后氩气残留和违规操作带来的窒息隐患问题，为工人装热场组件带来了有益效果，而且配合炉盖的轻微开合形成对流，加快了单晶炉内恢复常压的速度，在后期打开盲板可以使主真空管道内氧化物提前接触空气进行复燃，恢复常压的过程和复燃的过程并联进行，提高了单晶炉生产效率。 | ||||||
| 197 | 一种助熔剂法制备氮化镓纳米线阵列的方法 | CN202510021472.3 | 2025-01-03 | CN119753808A | 2025-04-04 | 张涛; 刘宗亮; 司志伟; 彭晓辉; 唐宁; 徐科 |
| 本发明公开了一种助熔剂法制备氮化镓纳米线阵列的方法。所述方法包括：提供包含Ga与具有催化性质的过渡金属元素的合金催化材料、Ga‑Na液相合金的液相体系；在隔绝水氧的条件下，使所述液相体系与氮化镓单晶衬底接触，在高压氮气气氛下，金属钠在高温下解离氮气，并在合金催化材料的催化作用下实现在氮化镓单晶衬底的c向生长氮化镓纳米线阵列。本发明采用的原料配置仅需一次完成即可，且不需要对衬底进行特殊处理，原料仅用到金属镓、钠、镍及氮气，成本低廉；相较于传统钠助熔剂方法生长氮化镓体单晶，本发明利用了钠助熔剂的钠‑镓‑具有催化性质的过渡金属熔体液相体系，创新性的制备了高密度的氮化镓纳米线。 | ||||||
| 198 | 一种由稻壳制备含有晶须结构β-SiC的方法 | CN202411755816.5 | 2024-12-03 | CN119753806A | 2025-04-04 | 林海波; 雷宇鹏; 林楠 |
| 本发明提供了一种由稻壳制备含有晶须结构β‑SiC的方法，属于资源综合利用和无机非金属材料领域。本方法首先将稻壳在保护气氛中炭化得到稻壳灰，稻壳灰除杂处理后分别和NaCl以及H3BO3充分混合得到稻壳灰混合物。将两组稻壳灰混合物以此放入同一气氛炉中，通入保护气，使气体按顺序依次通过H3BO3混合物和NaCl混合物，以2～10℃/min的升温速率加热至1300～1600℃高温处理1～5h，将得到的固体洗涤、干燥后在空气中灼烧得到β‑SiC。本发明以廉价的稻壳为原材料制备了极具商业价值的产品碳化硅，在制备过程中无需使用氢氟酸等高毒性以及高腐蚀性原材料，热处理温度低，可容易实现规模生产，能够改善目前工业上碳热还原法工艺污染大、能耗高问题，降低生产成本，有利于工业推广应用。 | ||||||
| 199 | 一种超高真空化学气相沉积系统 | CN202411913467.5 | 2024-12-24 | CN119753631A | 2025-04-04 | 薛春来; 常君禹; 徐驰; 丛慧; 韩东 |
| 本发明提供了一种超高真空化学气相沉积系统，属于气相沉积设备领域。所述系统包括：传样腔室(1)、低温预处理腔室(2)、高温预处理腔室(3)、过渡腔室(4)、本征材料外延腔室(5)、n型材料外延腔室(6)和p型材料外延腔室(7)。所述系统具备多个腔室，适用于硅、锗、硅锗合金、锗锡合金、硅锗锡合金等IV族材料的外延生长，而且适用于包含不同掺杂浓度与不同材料种类的多层膜结构的半导体材料外延生长，有能力实现在不需要中途取出样品的情况下，一次性制备出高质量、掺杂浓度精确的新型半导体多层结构。 | ||||||
| 200 | 荧光二苯乙烯联苯类增白剂晶体及其制备方法 | CN202411924663.2 | 2024-12-25 | CN119751319A | 2025-04-04 | 吴井龙; 齐闻博; 支源森; 孙雅丽; 许灵瑞; 梁巍瀚; 刘婷婷 |
| 本发明属于荧光增白剂技术领域，具体涉及荧光二苯乙烯联苯类荧光增白剂晶体及其制备方法。所述晶体的X‑射线粉末衍射角2θ＝6.68°、12.82°、15.88°、17.72°、19.46°、20.92°、24.42°；所述晶体结构为菱形片状。所述晶体的X‑射线粉末衍射角2θ＝8.46°、11.76°、16.18°、17.38°、23.12°、28.9°；所述晶体结构为块状。本发明提供的两种晶型的荧光增白剂CBS，其X‑射线衍射图谱数据可证实为不同晶型。其晶体形貌更有利于工业生产上的过滤及淋洗操作，从而得到纯度更高的产品。 | ||||||
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