| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 41 | 标记扫描器 | CN202080010812.8 | 2020-01-08 | CN113330148B | 2025-05-06 | 莫滕·汉尼拔·马德森 |
| 42 | 一种大面积钙钛矿薄膜的快速退火设备及其快速退火工艺 | CN202510074465.X | 2025-01-17 | CN119923174A | 2025-05-02 | 请求不公布姓名 |
| 本发明提供了一种大面积钙钛矿薄膜的快速退火设备及其快速退火工艺。快速退火设备包括：壳体，壳体内依次设有快速干燥区、恒温干燥区和降温区，壳体上具有基板进口和基板出口，基板进口位于快速干燥区，基板出口位于降温区；快速干燥区的上空间中，由上至下设置有第一加热件和风刀，恒温干燥区的上空间中，设置有第二加热件；传送机构，传送机构用于输送钙钛矿待成膜基板依次经过快速干燥区、恒温干燥区和降温区的下空间。该快速退火设备不仅能够进行快速升温籽晶生成、晶粒生长以及冷却等步骤，实现设备多功能一体化，提效降本，而且兼容大面积钙钛矿薄膜的制备，具有良好的工业化前景。 | ||||||
| 43 | 半导体装置及其制造方法 | CN202510083229.4 | 2025-01-20 | CN119922912A | 2025-05-02 | 纪呈彦 |
| 一种半导体装置制造方法包含使用第一原子层沉积，在主动区域上沉积第一薄多晶硅层，其中主动区域包含沟槽；使用第二原子层沉积，在主动区域上沉积第二薄多晶硅层；及使用化学气相沉积，在主动区域上沉积多晶硅层以形成多晶硅结构，其中用于化学气相沉积的气体包含二硅烷，沟槽的底部中的多晶硅层的厚度基本上为零。由于半导体装置制造方法包含第一原子层沉积、第二原子层沉积及化学气相沉积，通过化学气相沉积生长的多晶硅层的厚度自多晶硅层的侧壁的顶部部分至多晶硅层的侧壁的底部部分逐渐缩小，此意指在沟槽的底部处没有生长多晶硅，从而在扩大阵列的面积的同时，消除了在沟槽的底部处造成短路的可能性。 | ||||||
| 44 | 一种氮和金属共掺杂的p型氧化镓薄膜及其制备方法 | CN202510091368.1 | 2025-01-21 | CN119920683A | 2025-05-02 | 刘兴林; 黄俊; 魏强民; 叶镭 |
| 本发明提供一种N和金属共掺杂的p型氧化镓薄膜的制备方法，属于半导体材料技术领域。本发明中通过将非故意掺杂硅基GaN外延片在有氧氛围下退火，得到N掺杂的氧化镓薄膜。在N掺杂的氧化镓薄膜表面均匀分布一层金属，然后将其置于缺氧环境下进行退火，得到N和金属共掺杂的p型氧化镓薄膜。该方法操作简单，制备得到的N和金属共掺杂的p型氧化镓薄膜的空穴浓度达到1×1011cm‑3~1×1019cm‑3。 | ||||||
| 45 | 一种PVT法生长SiC的流场控制方法 | CN202510109878.7 | 2025-01-23 | CN119913619A | 2025-05-02 | 苏建伟; 赵文琪; 王志勇; 刘丽蓓; 黄首义; 徐文煌; 魏德玉; 刘勇 |
| 本发明一种PVT法生长SiC的流场控制方法，将圆柱形石墨坩埚与多孔石墨筒同轴放置，多孔石墨筒将石墨坩埚内的空间隔离成中心区域和环形区域；将高堆积密度的碳化硅粉料装填在所述环形区域，将低堆积密度的碳化硅粉料装填在中心区域；在环形区域的碳化硅粉料上方加盖等静压石墨环，在中心区域的碳化硅粉料上方加盖多孔石墨片；本发明通过高堆积密度粉料具有低的孔隙率，而低堆积密度粉料具有高的孔隙率，使得SiC蒸汽优先在粉料中心向上传输，同时粉料中的石墨导流构件对引导气流传输起到重要作用，侧边产生的SiC蒸汽通过多孔石墨筒向中心汇聚，促进中心向上传质有效地降低碳包裹物，有利于晶体以台阶流方式生长，从而提高了晶体的质量。 | ||||||
| 46 | 一种钽铌酸铷钾双固熔化合物和非线性光学晶体及其制备方法和应用 | CN202510093878.2 | 2025-01-21 | CN119913617A | 2025-05-02 | 王旭平; 王申奥; 赵薇; 禹化健; 邱程程; 刘冰; 吕宪顺; 叶宁; 王继扬 |
| 本发明涉及一种钽铌酸铷钾双固熔化合物和非线性光学晶体及其制备方法和应用。该化合物化学通式为Rb1‑xKxTa1‑yNbyO3(0 |
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| 47 | 一种分子束外延工艺中的脱膜方法 | CN202510393161.X | 2025-03-31 | CN119913614A | 2025-05-02 | 郭帅; 蒋建 |
| 本发明提供一种分子束外延工艺中的脱膜方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在预设As压条件下，将InP衬底升温至第一脱膜温度；在第一脱膜温度下保持第一时间段；从第一脱膜温度升温至第二脱膜温度；在第二脱膜温度下保持第三时间段，然后脱膜过程结束。本方法通过在比基准温度略低的第一脱膜温度下保持第一时间段，对衬底进行充分加热的同时，减少了磷的脱附，由于充分加热，减少了第二脱膜温度下表面氧化物完全脱附所需的时间，从而能够显著减少外延片表面缺陷，改善外延片表面质量。 | ||||||
| 48 | 外延生长方法及外延片 | CN202411894296.6 | 2024-12-20 | CN119913611A | 2025-05-02 | 王娜; 俎世琦; 金柱炫 |
| 本公开涉及外延生长方法及外延片。在一方面中，该外延生长方法包括每进行多次外延生长过程之后，对外延生长设备的反应腔室进行一次第一刻蚀过程，其中，在外延生长过程中，晶圆被置于反应腔室的基座上以进行外延生长，并在外延生长完成之后被从反应腔室移出，并且其中，在每次外延生长过程中，在进行外延生长之前，在反应腔室中通入刻蚀气体以进行第二刻蚀过程。由此，能够改善通过多次外延一次刻蚀的工艺获得的外延片的整体平坦度水平。 | ||||||
| 49 | 承载装置及半导体工艺腔室 | CN202311434181.4 | 2023-10-31 | CN119913610A | 2025-05-02 | 张霆宇 |
| 本发明提供一种承载装置及半导体工艺腔室，承载装置包括基座、多个承载件和多个旋转结构；基座用于设置在半导体工艺腔室内，并能够相对于半导体工艺腔室旋转；承载件用于承载晶圆，且多个承载件分别绕自身的轴线可转动地设置于基座上；多个旋转结构和多个承载件一一对应且配合设置，并分别与基座配合设置，旋转结构用于在基座的旋转作用下相对于基座旋转，以带动对应的承载件相对于基座绕自身的轴线旋转。本发明提供的承载装置及半导体工艺腔室，能够提高同一晶圆表面受到的温度场和气流场的均匀性，从而能够提高片内的外延层均匀性。 | ||||||
| 50 | 一种改进外延工艺片内均一性的基座和方法及外延设备 | CN202311396785.4 | 2023-10-25 | CN119913609A | 2025-05-02 | 李西冰; 张强 |
| 本发明公开了一种改进外延工艺片内均一性的基座和方法及外延设备，基座包括：本体，所述本体的表面上设有凹槽，所述凹槽以外的所述本体的表面具有对加热光照形成漫反射的形貌，能提高对光照热量的吸收能力，在将处理对象放置在所述凹槽中进行外延工艺时，利用所述凹槽以外的所述本体的表面对光照形成的漫反射效应，通过光照能提高所述凹槽以外的所述本体的边缘温度，并通过传导使所述处理对象边缘的温度与中心的温度趋于一致，因此能够减小外延工艺中沉积膜层在处理对象中心和边缘部位的厚度差异，实现所述处理对象表面沉积膜层厚度均一性的改善，提高了良率。 | ||||||
| 51 | 用于在衬底上外延沉积半导体材料的双室反应器 | CN202411509834.5 | 2024-10-28 | CN119913607A | 2025-05-02 | M·梅斯奇亚; F·科里亚; S·波利; S·R·M·普雷蒂 |
| 一种用于在衬底上外延沉积半导体材料的双室反应器包括：第一反应室(100)、第二反应室(200)、用于反应室(100、200)的感应加热系统以及用于反应室(100、200)的液体流冷却系统。根据一些设计，冷却系统包括储存器(450)，该储存器被设计成容纳冷却剂并且被分成彼此流体连通的第一储存器部分(452)和第二储存器部分(454)。两个反应室(100、200)通常位于两个并排但分开的空间中。 | ||||||
| 52 | 一种单晶石墨烯的制备方法 | CN202510021033.2 | 2025-01-07 | CN119913606A | 2025-05-02 | 周海涛; 罗飞; 罗炳威; 马可欣; 胡春文; 王素杰; 田青云 |
| 本发明提供一种单晶石墨烯的制备方法，步骤中将所述金属箔片置于石墨烯生长容器中，将所述石墨烯生长容器置于气氛加热炉中；所述石墨烯生长容器为密闭容器，且开有进气孔和出气孔，所述气氛加热炉中的气氛能够通过进气孔和出气孔流经所述石墨烯生长容器的内腔；所述进气孔的总开孔面积和出气孔的总开孔面积均为0.0075mm2～0.19mm2；本发明使用多晶铜箔即可制备大尺寸单晶石墨烯，避免了单晶铜箔昂贵的问题。铜箔使用酒精简单擦拭后即可用于实验，避免了超声清洗、酸洗、电解抛光等繁琐步骤。氧化和形成密闭空间步骤操作简单、重复性好，可稳定的生长单晶石墨烯，易于进行大规模生产。 | ||||||
| 53 | 一种高阻碲化镉晶体掺杂方法 | CN202510080498.5 | 2025-01-20 | CN119913602A | 2025-05-02 | 聂贺; 庞昊; 余杰 |
| 本发明提供一种高阻碲化镉晶体掺杂方法，包括以下步骤：备料，包括7N Te和Cd单质和5N CdBr2，并对7N Te和Cd单质再次提纯1次；将完成提纯的Te和Cd单质以及溴化镉按比例投料后封管合成，得到含溴碲化镉多晶Ⅰ；将碲化镉多晶Ⅰ砸成粉末封存；将完成提纯的Te和Cd单质按比例投料后封管合成，得碲化镉多晶Ⅱ；将多晶Ⅰ与多晶Ⅱ按比例投料封管长晶得到碲化镉单晶；碲化镉单晶通过切割研磨抛光得到10*10*1mm3晶片；在晶片上做电极；霍尔设备测试得到电阻率、载流子浓度；数据处理。本发明将Br掺入碲化镉中，提高碲化镉的电阻率以及降低载流子浓度，改变材料的导电性能，可以生长半绝缘碲化镉。 | ||||||
| 54 | 一种晶体生长装置及晶体的制备方法 | CN202311445071.8 | 2023-10-31 | CN119913601A | 2025-05-02 | 王琤; 沈典宇; 梁金均 |
| 本发明涉及半导体领域，特别涉及一种晶体生长装置及晶体的制备方法。通过在坩埚的侧壁与晶体之间形成保护气夹层，避免了晶体生长过程中，坩埚的侧壁与晶体之间的直接接触，发生黏连，也避免了坩埚的材料以固溶的方式渗入生成的晶体中，提升了生成的晶体的质量，也减少了坩埚材料的损耗。同时，保护气夹层中的气体被坩埚内熔体液封，流动性较低，更好的保持所述保护气夹层形态的稳定使得所述坩埚内的热场温度更加稳定。同时，调控保护气组分，还能够抑制晶体原材料由于坩埚侧壁的高温发生分解，也避免了降温阶段晶体受到坩埚收缩产生的外部应力的挤压导致的晶体开裂的现象，也大幅度的减少了晶体内部的应力，提高晶体的质量和得晶率。 | ||||||
| 55 | 一种镍基单晶高温合金的腐蚀方法 | CN202311434718.7 | 2023-10-31 | CN119913597A | 2025-05-02 | 石凤仙; 彭霜; 都亚仙 |
| 一种镍基单晶高温合金的腐蚀方法，包括以下步骤，制备金相样品，将金相样品在电解液中进行电解腐蚀，其中电解液为分析纯H3PO4与去离子水按体积比1:9混合，电解腐蚀的电流为0.3A‑0.8A，时间为5s‑15s。采用该方法能够对镍基单晶高温合金中的γ基体进行选择性腐蚀而将γ’强化相予以保留，从而可以直接对γ’强化相的尺寸、形貌和分布进行表征，简化镍基单晶高温合金的分析步骤，提高分析效率。 | ||||||
| 56 | 化合物氟硼酸钠铯和氟硼酸钠铯非线性光学晶体及制备方法和用途 | CN202411980183.8 | 2024-12-31 | CN119911920A | 2025-05-02 | 潘世烈; 盖敏强; 摆平 |
| 本发明提供一种化合物氟硼酸钠铯和氟硼酸钠铯非线性光学晶体及制备方法和用途，所述化合物的化学式为NaCs7[B3O3F4(OH)]4(H2O)3，分子量1701.16，采用室温溶液法制成；所述晶体的化学式为NaCs7[B3O3F4(OH)]4(H2O)3,分子量1701.16，该晶体属于单斜晶系，空间群为P21，晶胞参数为a=11.5864(15),b=13.463(2),c=12.5958(19),α=90°,β=90°,γ=109.697（5）°，单胞体积为1849（5）Å3，采用室温溶液法或水热法生长晶体，该晶体的化学稳定性好，可作为短波长非线性光学晶体在全固态激光器中获得应用。 | ||||||
| 57 | 一种高电导率的钽酸锂晶片及其制备方法 | CN202510104127.6 | 2025-01-23 | CN119530987A8 | 2025-05-02 | 邓永和; 邓雄伟; 易洲; 刘文越; 刘雨晴 |
| 本发明公开了一种高电导率的钽酸锂晶片及其制备方法，属于晶体材料技术领域，包括以下步骤：将有机碳源、无机碳源、球形锌粉混合均匀，得到还原剂；将还原剂包埋在钽酸锂晶片的表面，置于热处理炉中，通入惰性气体进行碳化；再通入还原性气体进行热处理，取出，得到高导电率的钽酸锂晶片；所述有机碳源包括蔗糖、酚醛树脂中的至少一种；所述无机碳源包括片状石墨、石墨烯中的至少一种；所述的本发明以质量比为1：（0.3~0.6）：（0.4~0.7）的有机碳源、无机碳源、球形锌粉作为还原剂，将其包埋在钽酸锂晶片的表面，先经过碳化，再经过热处理，能够有效的提高钽酸锂晶片的电导率，具有广泛的应用前景。 | ||||||
| 58 | 氧化镓单晶生长过程中螺旋生长的判断方法、装置和设备 | CN202510051926.1 | 2025-01-14 | CN119479867B | 2025-05-02 | 李早阳; 祁冲冲; 杨垚; 王君岚; 史睿菁; 徐星宇; 罗金平; 刘立军 |
| 本申请提供了一种氧化镓单晶生长过程中螺旋生长的判断方法、装置和设备，涉及单晶生长技术领域，包括：根据氧化镓单晶生长系统的结构信息，建立几何模型；对所述几何模型内各个区域进行计算网格划分，设置所述几何模型中对应计算网格的边界条件和控制方程，得到传热流动数值模型；基于所述传热流动数值模型，模拟在当前生长参数下的氧化镓的传热流动过程，得到模拟结果；所述模拟结果包括：结晶生长过程中坩埚内氧化镓熔体区域的流场信息；根据所述模拟结果中氧化镓熔体区域的涡流分布情况，确定在所述当前生长参数下制备的氧化镓是否会发生螺旋生长。 | ||||||
| 59 | 一种碳化硅籽晶扩径的拼接结构、制作方法及碳化硅晶体 | CN202211329730.7 | 2022-10-27 | CN115592829B | 2025-05-02 | 皮孝东; 熊慧凡; 宋立辉; 徐所成; 杨德仁 |
| 本发明涉及籽晶技术领域，特别涉及一种碳化硅籽晶扩径的拼接结构、制作方法及碳化硅晶体。拼接结构从三个选定好的切割方向对籽晶进行切割，从而保持拼接后的碳化硅晶体各部分处于同一晶向，并且在切割处进行特定的磨角处理，不仅实现了大尺寸籽晶成功拼接，同时也消除裂缝在碳化硅单晶生长中的继承效应。本发明中的拼接结构适用于6英寸衬底到8英寸衬底的扩径，8英寸衬底到12英寸衬底等衬底尺寸扩径。利用该拼接结构扩径生长后的碳化硅晶锭处于同一晶向，减少晶界的产生，且经过磨角处理后，减小拼接处裂缝的影响，保证了生长出晶锭的上部分晶体的质量；并且扩径程度大，满足各种尺寸碳化硅的扩径需求。 | ||||||
| 60 | 一种调控Mn3Ge材料热膨胀系数的方法 | CN202411904783.6 | 2024-12-23 | CN119900091A | 2025-04-29 | 宋平; 雷雨豪; 刘潇贺; 郭得峰; 李晓红; 张湘义 |
| 本发明公开了一种调控Mn3Ge材料热膨胀系数的方法，包括以下步骤：将Mn3Ge多晶材料进行单轴束缚热变形处理，单轴束缚热变形处理的压强为0.5～1.2GPa，温度为385～405K。本发明利用单轴束缚变形的方式来调控Mn3Ge多晶的负热膨胀行为，通过调节变形压力引入不同程度的结构相变实现了Mn3Ge多晶从负热膨胀到正热膨胀的连续调控。 | ||||||
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