近年来，可进行超高密度记录的蓝色激光的开发迅速取得进展，并正在对与之对应的 追记型的光记录介质进行开发。其中强烈期待的是对能够以相对较低成本、高效率生产的 色素涂布型的追记型介质的开发。现有的色素涂布型的追记型光记录介质中，通过对以色 素为主成分的有机化合物所形成的记录层照射激光，主要利用有机化合物的分解·变性产 生光学(折射率·吸收率)变化，来形成记录凹坑。记录凹坑部，并不仅仅为光学变化，通 常还伴随记录层体积变化所引起的变形、发热所引起的基板和色素的混合部形成、基板变 形(主要为基板膨胀所引起的隆起)等(参照专利文献1、专利文献2、专利文献3、以及专 利文献4)。
记录层所用的有机化合物相对于记录·读取所用的激光波长的光学行为、分解·升华 及其伴随的发热等热行为是用以形成良好记录凹坑的重要因素。因此，记录层所用的有机 化合物需选择光学性质，分解行为适合的材料。
说起来，现有的追记型介质，尤其是CD-R、DVD-R中，以维持将Al、Ag、Au等反射 膜覆盖于基板上预先形成的凹坑所形成的只读记录介质(ROM介质)的读出兼容为目的，并 以实现大致60％或以上的反射率、同样实现超过大致60％的高调制度为目的。首先，为了 在未记录状态下获得高反射率，可规定记录层的光学性质。通常，在未记录状态下，要求 折射率n为约2或以上、衰减系数为0.01～0.3左右的数值(参照专利文献5、以及专利文 献6)。
以色素为主成分的记录层，仅靠记录所引起的光学性质的变化，也难以获得60％或以 上的高调制度。具体来说，折射率n和吸收率k的变化量就有机物的色素来说很有限，因 而平面状态下的反射率变化也很有限。
因此，利用的是以记录凹坑部与未记录部其反射光的相位差所引起的两部分反射光的 干涉效应，使记录凹坑部分的反射率变化(反射率降低)在效果上变大这种方法。具体来说， 有报导提及，用与ROM介质这种相位差凹坑相同的原理，折射率变化比无机物小的有机物 记录层的情况下，不如以相位差所引起的反射率变化为主使用反而有利(参照专利文献7)。 而且，综合考虑上述记录原理进行研究(参照非专利文献1)。
下面，不论其物理形状，均将如上所记录的部分(有时称为记录标记部)称为记录凹坑、 记录凹坑部、或记录凹坑部分。
图1是所具有的记录层以现有构成的色素为主成分的追记型介质(光记录介质10)的说 明图。如图1所示，光记录介质10，在形成槽的基板11上至少依次形成有记录层12、反 射层13、以及保护涂层14，用物镜18，透过基板11使记录读取光束17入射，照射记录 层12。基板11的厚度通常使用1.2mm(CD)或0.6mm(DVD)。而且，记录凹坑从记录读取光 束17的入射面19观察处于近侧，形成于通常称为槽的基板槽部16部分，而非形成于远 侧的基板槽间部15。
上述这些公知文献中报导，相位差变化也使含色素的记录层12其记录前后的折射率 变化尽可能大，另一方面，记录凹坑部的形状变化，即槽内所形成的记录凹坑部其槽形状 有局部变化(随基板11的膨胀或凹陷而使槽深度等效变化)、膜厚的变化(记录层12膨胀、 收缩所引起的膜厚的透射变化)效应又有助于相位差变化。
如上文所述的记录原理中，为了使未记录时的反射率提高，并通过激光的照射使得有 机化合物分解，产生大的折射率变化(藉此可获得大的调制度)，通常记录读取光波长选择 为处于大吸收带的长波长侧的边缘位置。这是因为，大吸收带的长波长侧的边缘具有适度 的衰减系数，并且为可获得大折射率的波长区域。
但尚未发现相对于蓝色激光波长的光学性质具有与以往同等值的材料。尤其是，目前 实用化的蓝色半导体激光器的激发波长中心即405nm附近，具有与现有的追记型光记录介 质的记录层所要求的光学常数为同等程度的光学常数的有机化合物几乎不存在，目前仍处 于探索阶段。此外，具有现有色素记录层的追记型光记录介质，记录读取光波长附近存在 色素的主吸收带，所以存在其光学常数的波长依存度大(光学常数随波长而具有较大变 动)，相对于激光器的个体差异、环境温度变化等所引起的记录读取光波长的变动，记录 灵敏度或调制度、抖动(Jitter)或误差率等记录特性、或反射率等有较大变化这种问题。
例如，报导过使用405nm附近具有吸收的色素记录层的记录构思，但这里所使用的色 素要求与以往相同的光学特性和功能，完全取决于对高性能色素的探索发现(参照专利文 献8、以及专利文献9)。接着，如图1所示使用以现有色素为主成分的记录层12的追记 型光记录介质10中，报导过也必须恰当控制槽形状和记录层12的基板槽部16和基板槽 间部15的厚度分布等(参照专利文献10、专利文献11、以及专利文献12)。
具体来说，如上所述从确保高反射率这点考虑，只能使用相对于记录读取光波长具有 相对较小的衰减系数(0.01～0.3左右)的色素。因此，为了在记录层12中获得记录所需的 光吸收，此外为了使记录前后的相位差变化变大，则不可能使记录层12的膜厚变薄。结 果，记录层12的膜厚通常用λ/(2ns)(ns为基板11的折射率)左右的厚度，将用于记录层 12的色素埋入槽内，为了降低信号间交互干扰，需要使用具有深槽的基板11。含色素的 记录层12通常利用旋涂法(涂布法)形成，所以将色素埋入深槽，使槽部的记录层12成为 厚膜反倒方便。另一方面，涂布法中基板槽部16与基板槽间部15的记录层膜厚虽有差异 产生，但产生这种记录层膜厚的差异，在使用深槽也稳定获得跟踪伺服信号方面较为有效。
具体来说，就图1的基板11表面所规定的槽形状、以及记录层12和反射层13两者 之间的界面所规定的槽形状而言，无法使上述两者的槽形状确保恰当的值的话，便无法确 保记录凹坑部的信号特性和跟踪信号特性两者。槽的深度通常需要接近λ/(2ns)(λ为记 录读取光束17的波长，ns为基板11的折射率)，CD-R为200nm左右范围，DVD-R为150nm 左右范围。这种具有深槽的基板11其形成非常困难，成为光记录介质10品质降低的主要 因素。
尤其是，使用蓝色激光的光记录介质中，为λ＝405nm的话，需要接近100nm的深槽， 另一方面，为了实现高密度，大多使轨迹间距为0.2μm～0.4μm。按此狭窄的轨迹间距， 如此形成深槽仍然有困难，实际上现有的聚碳酸酯树脂几乎不可能大量生产。也就是说， 用蓝色激光的介质按现有构成大量生产很可能相当困难。
此外，上述公报中实施例的多数虽属于示出现有盘片构成的图1的例子，但为了实现 使用蓝色激光的高密度记录，称为所谓膜面入射的构成受到关注，其中报导过使用相位变 化型记录层等的无机材料记录层这种构成(参照非专利文献3)。称为膜面入射的构成中， 与以往相反，是在形成有槽的基板上至少依次形成反射膜、记录层、外覆(cover)层而 成，通过外覆层使记录读取用的集束激光入射，并照射记录层。外覆层的厚度，在所谓的 蓝光光盘(Blu-Ray)中，通常使用的是100μm左右(非专利文献9)。之所以从这种薄的外 覆层侧入射记录读取光，是因为用于其集束的物镜使用的是比以往高的数值孔径(NA(数 值孔径)通常为0.7～0.9，而就蓝光光盘而言则为0.85)。在使用高NA(数值孔径)物镜的 情况下，为了减小外覆层的厚度所引起的像差的影响，需要为100μm左右这样薄。采取 这种蓝色波长记录、膜面入射层构成的例子有为数众多的报导(参照非专利文献4、以及专 利文献13～专利文献24)。而且，对于相关技术也有许多的报导(参照非专利文献5～非专 利文献8、以及专利文献25～专利文献36)。
非专利文献1：《国际光学存储会议会刊((Proceedings of International Symposium on Optical Memory)》，(美国)，第4卷，1991年，p.99-108
非专利文献2：《日本应用物理期刊(Japanese Journal of Applied Physics)》，(日 本)，第42卷，2003年，p.834-840
非专利文献3：《SPIE会刊(Proceedings of SPIE)》，(美国)，第4342卷，2002年， p.168-177
非专利文献4：《日本应用物理期刊(Japanese Journal of Applied Physics)》，(日 本)，第42卷，2003年，p.1056-1058
非专利文献5：中岛平太郎·小川博共著，《光盘(compact disk)读本》修订第3版， Ohm公司，平成8年，p.168
非专利文献6：《日本应用物理期刊(Japanese Journal of Applied Physics)》，(日 本)，第42卷，2003年，p.914-918
非专利文献7：《日本应用物理期刊(Japanese Journal of Applied Physics)》，(日 本)，第39卷，2000年，p.775-778
非专利文献8：《日本应用物理期刊(Japanese Journal of Applied Physics)》，(日 本国)，第42卷，2003年，p.912-914
非专利文献9：《光盘解析新书》，日经电子社编，日经BP公司，2003年，第3章
非专利文献10：藤原裕之著，《分光椭圆偏振光分析法(Spectroscopic Ellipsometry)》，丸善出版公司，平成15年，第5章
非专利文献11：Alphonsus V.Pocius著，水町浩、小野扩邦译，《粘接剂和粘接技 术入门》，日刊工业新闻公司，1999
专利文献1：日本特开平2-168446号公报
专利文献2：日本特开平2-187939号公报
专利文献3：日本特开平3-52142号公报
专利文献4：日本特开平3-63943号公报
专利文献5：日本特开平2-87339号公报
专利文献6：日本特开平2-132656号公报
专利文献7：日本特开昭57-501980号公报
专利文献8：国际公开01/74600号小册子(pamphlet)
专利文献9：日本特开2002-301870号公报
专利文献10：日本特开平3-54744号公报
专利文献11：日本特开平3-22224号公报
专利文献12：日本特开平4-182944号公报
专利文献13：日本特开2003-331465号公报
专利文献14：日本特开2001-273672号公报
专利文献15：日本特开2004-1375号公报
专利文献16：日本特开昭59-19253号公报
专利文献17：日本特开平8-138245号公报
专利文献18：日本特开2004-30864号公报
专利文献19：日本特开2001-273672号公报
专利文献20：日本特开2002-245678号公报
专利文献21：日本特开2001-155383号公报
专利文献22：日本特开2003-303442号公报
专利文献23：日本特开2002-367219号公报
专利文献24：日本特开2003-16689号公报
专利文献25：日本特开平5-128589号公报
专利文献26：日本特开平5-174380号公报
专利文献27：日本特开平6-4901号公报
专利文献28：日本特开2000-43423号公报
专利文献29：日本特开2001-287466号公报
专利文献30：日本特开2003-266954号公报
专利文献31：日本特开平9-277703号公报
专利文献32：日本特开平10-36693号公报
专利文献33：日本特开2000-207772号公报
专利文献34：日本特开2001-155383号公报
专利文献35：日本特开平11-273147号公报
专利文献36：日本特开平11-25523号公报
专利文献37：日本特开2003-217173号公报
专利文献38：日本特开2004-86932号公报
专利文献39：日本特开2004-98542号公报
专利文献40：日本特开2004-160742号公报
专利文献41：日本特开2003-217177号公报
专利文献42：日本特开2001-331936号公报
专利文献43：国际公开03/003361号小册子
专利文献44：日本特表2005-504649号公报

(发明所要解决的课题)
但在所开发的现有的膜面入射型的相变型介质中，从入射光侧对所见的外覆层槽部形 成记录标记。从入射光侧看，与对现有基板上的基板槽部的记录相同，意味着可以由与 CD-RW、DVD-RW几乎相同的层构成来实现，实际上可得到良好特性。另一方面，在以色素 为主成分的记录层、尤其是涂布型的场合，对外覆层槽部的记录并非容易。这是因为，通 常在基板上旋涂，基板中的槽部易积存色素。即使在例如基板槽间部涂布适当膜厚的色素， 通常也因基板槽部积存相当量的色素，所以形成于外覆层槽部的记录凹坑(记录标记)在外 覆层槽间部也容易突出，由于信号间交互干扰大的轨迹间距没有价值，因而在实现高密度 方面相当有限。
但上述公知文献中，几乎与以往一样，着眼于通过对从入射光侧观察的近侧的外覆层 槽部的记录来使反射光强降低。或者，并不考虑由槽部的落差引起的反射光的相位变化， 而仅仅着眼于处于平面状态下的反射率降低。或者，以利用尽量不用相位差的平面状态下 的反射率变化为前提。在这种前提条件下，外覆层槽部记录的信号间交互干扰问题并不能 解决，不适应基于溶液涂布的记录层形成工艺。无法说，通过有效运用相位变化实现了针 对外覆层槽间部的良好记录特性。尤其是标记长度调制记录中，没有相对于最短标记长度 至最长标记长度的全标记长具有实用的记录功率容限(Power Margin)，而且实现了良好 抖动特性的例子。
这样，目前的现状就是尚不知道具有与现有CD-R，DVD-R相媲美的高性能、低成本的 以色素为主成分的记录层，适应蓝色激光的膜面入射型追记型介质。
本发明正是要解决这种课题的技术方案。
具体来说，本发明的目的在于提供一种使用可稳定成型且槽深度相对较浅的基板，具 有良好记录读取特性的极高密度的光记录介质。
而且，本发明另一目的在于提供一种可获得良好记录读取特性的光记录介质的光记录 方法。
(课题的解决手段)
因此，本发明人等针对具有膜面入射构成的光记录介质，对于可实现高容量、且具有 以色素为主成分的记录层、在大量生产性方面优异的涂布型介质进行专心研究，从而达成 本发明。
具体来说，本发明提供一种光记录介质，其依次具有：形成有引导槽的基板；基板上 方至少具有光反射功能的层；含有未记录状态下相对于记录读取光波长具有光吸收功能的 色素作为主成分的记录层；以及相对于该记录层让记录读取光入射的外覆层，将该记录读 取光集束得到的记录读取光束入射于外覆层的面的远侧的引导槽部作为记录槽部时，记录 槽部所形成的记录凹坑部的反射光强高于记录槽部未记录时的反射光强。
根据本发明适用的光记录介质，可记录极高密度的信息，可基于上述所记录的信息获 得良好的记录读取特性。
这里，本发明适用的光记录介质，其中，记录槽部所形成的记录凹坑部的反射光强， 因记录凹坑部中反射光的相位变化而增加。
而且，本发明适用的光记录介质，其中，将具有光反射功能的层在记录层侧的界面作 为反射基准面，记录槽部中至反射基准面的往返光程、和未形成记录凹坑部的引导槽部即 记录槽间部中至反射基准面的往返光程两者之差所产生的相位差Φb为0＜|Φb|＜π， 记录槽部存在记录凹坑部的情形的相位差Φa为0＜|Φa|＜π，且|Φb|＞|Φa|。
而且，本发明适用的光记录介质，其中，反射基准面所规定的记录槽部和记录槽间部 两者间的落差dGL、记录层未记录时在记录读取光波长λ下的折射率nd、外覆层在记录读取 光波长λ下的折射率nc、记录槽部未记录时的记录层膜厚dG、以及记录槽间部未记录时的 记录层膜厚dL之间关系为
(λ/8)≤|(nd-nc)·(dG-dL)+nc·dGL|≤≤(15/64)·λ。
接下来，作为方法范畴把握本发明的话，提供一种光记录介质的光记录方法，其中该 光记录介质具有在形成有引导槽的基板上依次层积有至少具有光反射功能的层、以未记录 时相对于记录读取光波长具有光吸收功能的色素为主成分的记录层、以及外覆层这种结 构，从外覆层侧将记录读取光入射到该光记录介质进行记录读取，其中，将记录读取光集 束得到的记录读取光束入射于外覆层的面的远侧的引导槽部作为记录槽部时，记录槽部所 形成的记录凹坑部的反射光强高于记录槽部未记录时的反射光强。
(发明效果)
这样，根据本发明便可获得具有良好记录读取特性的极高密度的光记录介质。
附图说明
图1是具有以现有构成的色素为主成分的记录层的追记型介质(光记录介质)的说明 图；
图2是具有以本实施方式适用的色素为主成分的记录层的膜面入射构成的追记型介质 (光记录介质)的说明图；
图3是从现有构成即图1中基板入射构成的基板侧入射的记录读取光束的反射光的说 明图；
图4是膜面入射型介质的层构成和记录于外覆层槽间部情形的相位差的说明图；
图5是膜面入射型介质的层构成和记录于外覆层槽部情形的相位差的说明图；
图6是记录槽部和记录槽间部的相位差和反射光强的关系的说明图；
图7是检测记录信号(和信号)和推挽信号(差信号)的4分区检测器构成的说明图；
图8示出的是实际上使多个记录槽、槽间横断的同时所得到的输出信号通过低通滤波 器(截止频率30kHz左右)后所检测出的信号；
图9是色素的主吸收带中克拉茂-克朗尼希(Kramers-Kronig)关系的说明图；
图10是设置2层信息层的光记录介质的说明图；
图11是实施例1和实施例2中用于记录的分隔记录脉冲的说明图；
图12是用作记录层材料的含金属偶氮系色素(色素A)单独的涂膜状态的吸收光谱；
图13是用于实施例1的盘片2的剖面的透射电子显微镜照相；
图14是示出盘片2的记录条件1中1倍速记录时的记录特性图；
图15是示出盘片2的2倍速记录时的记录特性图；
图16是羟基喹啉系色素(色素B)单独的涂膜状态的吸收光谱；
图17示出的是盘片4的记录条件1中1倍速记录时的抖动(Jitter)，记录部·未记 录部的反射率、调制度的记录功率依存性；
图18示出的是盘片5的记录条件1中1倍速记录时的抖动(Jitter)，记录部·未记 录部的反射率、调制度的记录功率依存性；
图19是相对较平坦的主吸收带中克拉茂-克朗尼希(Kramers-Kronig)关系的说明 图；
图20示出的是一例色素A2的椭圆偏振光分析法测定数据；
图21示出的是根据色素A2的椭圆偏振光分析法测定所得的Δ、ψ，以膜厚d为所给 的初始值求得nd，kd、以及d依存性；
图22示出的是一例色素A2的吸收光谱；
图23是具有反常色散的主吸收带的复数折射率nd＊的波长依存性的实测例；
图24示出的是图2的层构成中，假定记录层膜厚30nm、kd＝0.4一定，Ag反射层(复 数折射率0.09-i·2.0)，界面层膜厚20nm(折射率2.3-i·0.0)，外覆层nc＝1.5且复数折 射率的虚部为0.0的情况下平面部的反射光强R0的记录层折射率nd依存性的计算值；
图25示出的是色素C的薄膜状态的吸收光谱；
图26示出的是色素A17的薄膜状态的吸收光谱；
图27示出的是色素A20的薄膜状态的吸收光谱；
图28示出的是色素A2的TG-DTA光谱中的重量减少光谱；
图29示出的是色素A8的TG-DTA光谱中的重量减少光谱；
图30示出的是色素A17的TG-DTA光谱中的重量减少光谱；
图31示出的是色素A20的TG-DTA光谱中的重量减少光谱；
图32示出的是实施例5中色素D4的薄膜状态的吸收光谱；
图33示出的是实施例5中色素D4的重量减少光谱；
图34示出的是部分ROM的ROM区域和记录完毕追记区域的读取信号波形；
图35示出的是利用本发明记录方法对ROM区域进行重写时的读取信号波形；
图36示出的是参考例1中记录线速度5.3m/s情形交替发生8T标记长和空档长进行 记录情况下记录信号的CN比、信号间交互干扰、记录信号的上端反射率、下端反射率的 记录功率依存性；
图37示出的是参考例2中以5.3m/s记录8T标记/空档信号情况下记录信号的CN比、 信号间交互干扰、记录信号的上端反射率、下端反射率的记录功率依存性；
图38示出的是参考例3中记录线速度5.3m/s情形交替发生8T标记长和空档长进行 记录情况下记录信号的CN比的记录功率依存性。

下面说明实施本发明用的最佳方式(下面为发明的实施方式)。另外，本发明并不限于 下面实施方式，可在其所要保护的范围内进行种种变形加以实施。
图2是具有以本实施方式适用的色素为主成分的记录层的膜面入射构成的追记型介质 (光记录介质20)的说明图。本实施方式中，具有在形成有槽的基板21上依次层积有至少 具有反射功能的层(反射层23)、图2中如后面所述以未记录(记录前)状态下对记录读取光 具有吸收的色素为主成分的具有光吸收功能的记录层22、以及外覆层24这种结构，从外 覆层24侧使透过物镜28聚光的记录读取光束27入射来进行记录读取。也就是说，采取 “膜面入射构成”(也称为反向叠层(Reverse stack))。下面，将具有反射功能的层简 称为“反射层23”，以色素为主成分的具有光吸收功能的记录层简称为“记录层22”。如 前文所述，将用图1说明的现有构成称为“基板入射构成”。当使记录读取光束27入射到 后面所述图2中说明的膜面入射构成的外覆层24侧时，为了高密度记录，通常使用NA(数 值孔径)＝0.6～0.9左右的高NA(数值孔径)的物镜。记录读取光波长λ，适宜使用红色至 蓝紫色波长(350nm～600nm左右)。此外，为了进行高密度记录，使用350nm～450nm的波 长区域较为理想，但未必限于此。
本实施形态中，图2中，将从对记录读取光束27的外覆层24的入射面(记录读取光 束所入射的面29)观察的远侧的引导槽部(记录读取光束所入射的面其远侧的导槽部)作为 记录槽部，进行记录使得记录槽部所形成的记录凹坑部的反射光强高于该记录槽部未记录 时的反射光强。其主要机理是使反射光强的增加取决于上述记录凹坑部的反射光的相位变 化。也就是说，利用记录槽部的反射光往返光程其记录前后的变化。
这里，膜面入射型的光记录介质20中，记录读取光束27至外覆层24的入射面(记录 读取光束所入射的面29)其远侧的引导槽部(与基板21的槽部相一致)称为外覆层槽间部 (in-groove)25，记录读取光束27所入射的面29其近侧的引导槽间部(与基板21的槽间 部相一致)称为外覆层槽部(on-groove)26(有关on-groove、in-groove的称谓依据的是非 专利文献3。)。
具体来说，可以通过进行如下所述设计来实现本发明。
(1)形成来自未记录状态的外覆层槽间部的反射光和来自外覆层槽部的反射光其相位 差Φ大致为π/2～π这种深度的槽，设置有将外覆层槽间部(in-groove)的记录层膜厚形 成为比该槽深度薄这种薄膜，而外覆层槽部(on-groove)设置的是其膜厚几乎为零的非常 薄的以色素为主成分的记录层22。从外覆层侧将记录读取光束照射于该外覆层槽间部，使 该记录层发生变性，形成的是基于主要因相位变化所引起的反射光强增加的记录凹坑。膜 面入射结构中，与现有的槽部(on-groove)、高电平改变为低电平(HtoL)记录相比，可 大幅度改善涂布型色素介质的性能。而且，可进行信号间交互干扰小的高轨迹间距密度(例 如0.2μm～0.4μm)的记录。而且，容易形成这种高轨迹间距密度的槽。
(2)作为记录层22，在未记录状态下利用相对较低折射率(例如折射率为1.3～1.9)、 相对较高衰减系数(例如衰减系数为0.3～1)的主成分色素，通过记录在反射面的记录读取 光入射侧形成折射率降低的记录凹坑部。由此，通过记录凹坑部的记录读取光的光程与记 录前相比产生变短的相位变化。具体来说，在光学上产生记录槽部深度变浅这种变化，以 增加反射光强。
与使用现有的色素记录层的记录介质相比折射率低也可以在主吸收带和记录读取光 波长的相对关系上增加自由度，尤其是可拓宽适于在记录时在读取光波长400nm左右进行 记录的色素的选择范围。
(3)为了降低记录凹坑部的折射率，也可利用记录层22内部或者其界面部的空洞形 成。而且，希望合并使用记录层22朝向外覆层24膨胀这种变形，外覆层24至少是记录 层22一侧形成由玻化转变温度在室温以下的粘接剂等所形成的柔软变形促进层，以助长 上述变形。由此，具有通过记录使反射光强增加这种相位变化的方向。(记录信号波形的 失真消失)而且，即便是相对较小的折射率变化也可以使相位变化量(记录信号振幅)变大。 此外，也可以合并使用记录层衰减系数的减少和平面状态下所产生的反射率变化引起的反 射光强的增加。
至此能够实现一种光记录介质，其依次具有：形成有引导槽的基板；上述基板上至少 具有光反射功能的层；含有未记录状态下相对于记录读取光波长具有光吸收功能的色素作 为主成分的记录层；以及相对于上述记录层让记录读取光入射的外覆层，将上述记录读取 光集束得到的记录读取光束入射于上述外覆层的面的远侧的引导槽部作为记录槽部时，上 述记录槽部所形成的记录凹坑部的反射光强高于该记录槽部未记录时的反射光强，并具有 可从该记录凹坑部获得高调制度且无变形的低电平改变为高电平(LtoH)极性的记录信号 这种特征。
(4)除了上述条件以外，记录层主成分色素的重量减少开始温度为300℃或以下，而 且通过将为未记录状态的复数折射率的虚数部的衰减系数kd为0.3或以上的色素作为记录 层使用，可改善10m/s或以上的高速记录中的抖动特性。
下文中，记录读取光波长λ的记录层未记录状态(记录前)的光学特性，用复数折射率 nd*＝nd-i·kd表示，实部nd称为折射率，虚部kd称为衰减系数(也称为衰减系数)。记录凹 坑部即在记录后，nd则变化为nd’＝nd-δnd，kd变化为kd’＝kd-δkd。
此外，说明下面所使用的反射率和反射光强这样2个用语的区别。反射率是指，在平 面状态下2种光学特性不同的物质间所产生的光反射中反射能量光强度占入射能量光强度 的比例。记录层即使为平面状，但光学特性变化的话，反射率便会变化。而反射光强是指， 通过集束的记录读取光束和物镜来读取记录介质面时，回到检测器上的返回光的强度。
ROM介质中，凹坑部、未记录部(凹坑周边部)用相同的反射层覆盖，所以反射膜的反 射率在凹坑部、未记录部相同。另一方面，由于凹坑部产生的反射光和未记录部的反射光 两者间的相位差，因干涉效应而在记录凹坑部出现反射光强变化(通常出现降低)。这种干 涉效应，是在局部形成有记录凹坑、记录读取光束径内部含有记录凹坑部及其周边的未记 录部的场合，记录凹坑部和周边部两者的反射光因相位差而产生干涉。另一方面，记录凹 坑部有某些光学变化产生的可记录介质中，即使为无凹凸的平面状态也因记录膜本身的折 射率变化而产生反射率变化。本实施方式中将其称为“平面状态下产生的反射率变化”。 换句话说，记录膜平面全体由于记录前的折射率或记录后的折射率，而属于记录膜所产生 的反射率变化，属于即使不考虑记录凹坑及其周边部的反射光的干涉也产生的反射光强变 化。另一方面，记录层的光学变化为局部凹坑部的场合，记录凹坑部的反射光的相位与其 周边部的反射光的相位有所不同的情况下，产生反射光的2维干涉而使反射光强在记录凹 坑周边部出现局部变化。
这样，本实施方式，将不考虑相位不同的反射光的2维干涉的反射光强变化作为“平 面状态下产生的反射光强变化”或“平面状态的反射光强变化”，而将考虑到记录凹坑与 其周边部的相位不同的反射光的2维干涉的反射光强变化作为“相位差所产生的(局部)反 射光强变化”或“相位差所产生的反射光强变化”，将两者分开考虑。
一般而言，若要通过“相位差所产生的反射光强变化”得到充分的反射光强变化即记 录信号的振幅(或光学对比度)，记录层22本身的折射率变化必须相当大。例如CD-R、DVD-R 中，色素记录层的记录前折射率的实部为2.5～3.0，记录后要求为1～1.5左右。而且， 色素记录层的记录前复数折射率的虚部kd小于0.1左右在获得未记录状态下的ROM兼容的 高反射率方面较为理想。而且，记录层22其膜厚需要50nm～100nm厚。因为若无这种程 度的厚度的话，大部分光便会通过记录层22内部，而无法产生充分的反射光强变化和凹 坑形成所需的光吸收。这种厚度的色素记录层中，凹坑部的变形所引起的局部相位变化， 只不过为辅助用途。另一方面，上述ROM介质中，并无记录凹坑部的局部折射率变化，可 认为仅检测出“相位差所产生的反射光强变化”。为了获得良好的记录品质，记录凹坑部 分的反射光强变化为上述2种反射光强变化混合产生的情形下，希望两者互相增强。2种 反射光强变化互相增强是指，各自产生的反射光强其变化方向，即反射光强增加或降低均 保持一致。
“平面状态下的反射光强变化”中，如上所述记录层的折射率降低造成反射率降低， 因而导致反射光强降低。现有的CD-R、DVD-R中，如上所述该折射率变化可达到1或以上， 所以“平面状态下的反射光强变化”所造成的反射率降低占记录信号振幅的相当部分。因 此，反射率基本上因记录而降低。而且可以说，可进行种种研究以便可辅助利用的记录凹 坑部的“相位差所产生的反射光强变化”的方向有助于反射率降低。另一方面，记录层色 素分解所造成的衰减系数降低，与反射率增加相联系，使信号振幅降低，所以需要使衰减 系数的变化减小。此外，为了使记录前反射率与ROM介质同等高，期望使记录前的记录层 的衰减系数减小。因此，希望衰减系数小到0.3、甚至小到0.2或以下。
接着首先定义反射基准面。作为反射基准面来说，采取为主反射面的反射层的记录层 侧界面(表面)。主反射面是指，对读取反射光具有贡献的比例为最高的反射界面。给出本 实施方式适用的光记录介质20的图2中，主反射面处于记录层22和反射层23两者间的 界面。其原因是，本实施方式适用的光记录介质20中作为对象的记录层22，相对较薄， 而且其吸收率低，所以大部分光能量仅通过记录层22，并到达与反射面的境界。另外，其 它也有可产生反射的界面，读取光的反射光强由来自各界面的反射光强与相位全体的贡献 所决定。本实施方式适用的光记录介质20，大部分为主反射面反射的贡献，所以可仅考虑 主反射面所反射光的强度和相位。因此，将主反射面作为反射基准面。
本实施方式中，首先图2中对外覆层槽间部25形成凹坑(标记)。这是因为，主要利 用容易制造的旋涂法所形成的记录层22。反之可以说，利用涂布法，自然使外覆层槽间部 (基板槽部)25的记录层膜厚与外覆层槽部(基板槽间部)26的记录层膜厚相比更厚，其厚 度因“平面状态下的反射光强变化”，并未厚到可获得充分的反射光强变化这种程度，主 要通过“考虑干涉的反射光强变化”，由此，即使为相对较薄的记录层膜厚而且记录本身 的折射率变化小，也可在外覆层槽间部25所形成的凹坑部实现较大的反射光强变化(高调 制度)。
本实施方式中，通过记录凹坑部中反射光的相位变化，图2中的反射基准面所构成的 外覆层槽间部25和外覆层槽部26两者间的落差，产生记录后与记录前相比在光学上显现 为较浅这种变化。这时，为了稳定跟踪伺服，首先并不产生推挽信号的反转，而且，记录 凹坑中产生与记录前的反射光强相比较记录后的反射光强有所增加这种相位变化。
将图2所示的本实施方式适用的膜面入射构成的光记录介质20的层构成与作为现有 构成说明的图1中基板入射构成的光记录介质10对比进行说明。这里，为了着眼于反射 基准面所反射光的相位区别说明图1所示的光记录介质10和图2所示的光记录介质20的 层构成，图1中对基板槽部16记录的情况下，与图2中记录于外覆层槽间部25、外覆层 槽部26的情况分别相对应，用图3、图4、图5来进行研究。
图3是从现有构成即图1的基板入射构成的基板11一侧入射的记录读取光束17的反 射光的说明图。
图4是膜面入射型介质(光记录介质20)的层构成和对外覆层槽间部25部进行记录时 的相位差的说明图。
图5是膜面入射型介质(光记录介质20)的层构成和对外覆层槽部26部进行记录时的 相位差的说明图。
具体来说，图4和图5是图2的膜面入射构成的光记录介质20中从膜面入射构成的 外覆层24的入射面28一侧入射的记录读取光束27的反射光的说明图。图4是对本实施 方式所适用的光记录介质20中的外覆层槽间部(基板槽部)25形成凹坑。图5是为了对比 说明本发明的效果，虽同样是膜面入射构成，但对外覆层槽部(基板槽间部)26形成凹坑。
图3、图4、图5分别为含有(a)记录前，(b)记录后的记录凹坑的剖面图。下面，将 形成记录凹坑的那个槽或槽间部称为“记录槽部”，而其中间则称为“记录槽间部”。具体 来说，现有构成的图3中，基板槽部16为“记录槽部”，记录槽间部15为“记录槽间部”。 而本发明的图4中，外覆层槽间部25为“记录槽部”，外覆层槽部26为“记录槽间部”。 另一方面，对比说明的图5中，外覆层槽部26为“记录槽部”，外覆层槽间部25为“记 录槽间部”。
首先，求得记录槽部的反射光和记录槽间部的反射光的相位差时，将相位的基准面定 义为A-A’。图3、图4、图5中各自的未记录状态的图(a)中，A-A’分别对应于记录槽部中 记录层12/基板11的界面(图3(a))、记录槽间部中记录层22/外覆层24的界面(图4(a))、 记录槽部中记录层22/外覆层24的界面(图5(a))。另一方面，图3、图4、图5的记录 后状态的图(b)中，A-A’分别对应于记录槽部中记录层12(混合层16m)/基板11的界面(图 3(b))、记录槽间部中记录层22/外覆层24的界面(图4(b))、记录槽部中记录层22(混合 层26m)/外覆层24的界面(图4(b))。A-A’面的跟前(入射侧)并不随光路而产生光学差。 而且，将记录前记录槽部中的反射基准面定义为B-B’，记录前基板21(图3)或者外覆层 24(图4)的记录槽部底面(记录层12/基板11、记录层22/外覆层24的界面)定义为C-C’。 图3和图5的记录前，A-A’和C-C’为一致。
令记录前基板槽部的记录层厚度为dG，基板槽间部的厚度为dL，反射基准面的记录槽 部和记录槽间部两者间的落差为dGL，基板表面的记录槽间部的落差为dGLS。图3情况下， dGL取决于记录层12的记录槽部的埋设方式，为与dGLS不同的数值。图4、图5情况下，则 取决于反射层23的记录槽部和记录槽间部的覆盖状况，但通常反射层23在记录槽部和记 录槽间部为大致相同膜厚，所以基板21表面的落差可按原样反映，所以dGL＝dGLS。
令基板11、21的折射率为ns，外覆层24的折射率为nc。通过记录凹坑的形成，一般 而言，产生如下变化。记录凹坑部16p、25p、26p中，记录层12、22的折射率从nd变化 为nd’＝nd-δnd。而记录凹坑部16p、25p、26p中，记录层12、22其入射侧界面，记录层 12与基板11材料之间或者基板21与外覆层24材料之间产生混合，并形成混合层。此外， 记录层12、22产生体积变化，以使得反射基准面(记录层/反射层的界面)的位置移动。另 外，通常有机物的基板11、21或者外覆层24材料与金属的反射层材料之间的混合层其形 成为可忽略程度。因而，在记录层12/基板11(图1)、记录层22/外覆层24(图2)间产生 记录层12与基板11材料之间或者记录层22与外覆层24材料之间的混合，而形成厚度dmix 的混合层16m、25m、26m。而且，令混合层16m、25m、26m的折射率为ns’＝ns-δns(图3(b))， nc’＝nc-δnc(图4(b)，图5(b))。
此时，记录层12/基板11或记录层22/外覆层24的界面以C-C’为基准，记录后仅移 动dbmp。dbmp如图3、图4、图5所示，以移动至记录层12、22内部的方向为正。反之dbmp 为负的话，记录层12、22便超过C-C’面，即意味着膨胀。而如果在图3的记录层12/基 板11、图4、图5的记录层22/外覆层24之间设置妨碍两者混合的界面层的话，便会dmix＝0。 但因记录层12、22的体积变化会产生dbmp的变形。在没有色素混合发生的情况下，与基板 21或外覆层24的dbmp变形相伴的折射率变化其影响可视为小至可以忽略。
另一方面，以记录前反射基准面的位置B-B’为基准，令记录槽部的反射基准面的移动 量为dpit。dpit如图3、图4、图5所示，以记录层12、22的收缩方向(反射基准面移动至记 录层12、22内部的方向)为正。反之dpit为负的话，记录层12、22便超过B-B’面，即意味 着膨胀。记录后的记录层膜厚为
dGa＝dG-dpit-dbmp        (1)。
另外，dGL、dG、dL、dmix、nd、nc、ns、dGa因其定义及物理特性，并不取负值。
这种记录凹坑的模型化、下面所述相位的估计方法使用的是公知方法(非专利文献1)。
记录前和记录后求得相位的基准面A-A’的记录槽部和记录槽间部的读取光(反射光) 的相位差。令记录前记录槽部与记录槽间部的反射光的相位差为Φb，记录后记录凹坑部 16p、25p、26p与记录槽间部的反射光的相位差为Φa，并总称为Φ。任何一种均定义如下，
Φ＝Φb或Φa
＝(记录槽间部的反射光相位)-(记录槽部(记录后含有凹坑部)的相位)        (2)
Φ＝Φb或Φa
＝(2π/λ)·2·{(记录槽间部光程)-(记录槽部(记录后含有凹坑部)的光程)} (3)
其中，(3)式中乘以系数2是因考虑到往返的光程。
图3中，
Φb1＝(2π/λ)·2·(ns·dGL+nd·dL-nd·dG)
＝(4π/λ)·{ns·dGL-nd·(dG-dL)}                    (4)
Φa1＝(2π/λ)·2·{ns·dGL+ns·(dmix-dbmp)+nd·dL-〔(n d-δnd)·(dG-dpit-dbmp)+(ns-δns)·dmix〕}
＝Φb1+ΔΦ                        (5)
其中，
ΔΦ＝(4π/λ){(nd-ns)·dbmp+nd·dpit+ns·dmix+δnd·( dG-dpit-dbmp)}(6)                            。而 且，记录槽部从入射侧观察处于与记录槽间部相比更跟前位置，所以Φb1＞0。
另一方面，图4中，
Φb2＝(2/λ)·2·{nd·dL-〔nd·dG+nc·(dL+dGL-dG)〕}＝
(4/λ)·{(nc-nd)·(dG-dL)-nc·dGL}                (7)
Φa2＝(2/λ)·2·{(nd·dL-〔nc·(dL+dGL-dG+dbmp-dmix )+(nd-δnd)·(dG-dpit-dbmp)+(nc-δnc)·dmix〕}
＝Φb2+ΔΦ                (8)
其中，
ΔΦ＝(4π/λ){(nd-nc)·dbmp+nd·dpit+δnc·dmix +δnd·(dG-dpit-dbmp)}            (9)
而且，记录槽部从入射侧观察处于与记录槽间部相比更进深位置，所以Φb2＜0。
此外，图5中，
Φb3＝(2π/λ)·2·{nd·dG+nc·(dL+dGL-dG)-nd·dL}
＝(4π/λ)·{(nd-nc)·(dG-dL)+nc·dGL}            (10)
Φa3＝(2π/λ)·2·{nd·dG+nc·(dL+dGL-dG)+nc·(dmix- dbmp)-〔(nd-nd)·(dL-dpit-dbmp)+(nc-δnc)·dmix〕}
＝Φb3+ΔΦ                                (11)
其中，
ΔΦ＝(4π/λ){(nd-nc)·dbmp+nd·dpit+δnc·dmix+δnd·( dL-dpit-dbmp)}(12)                                。而 且，记录槽部从入射侧观察处于与记录槽间部相比更跟前位置，所以Φb3＞0。
ΔΦ为记录所产生的凹坑部的相位变化，(12)式除了dL与dG替换，任一情形下可用同 一公式表达。而且，下文Φb1、Φb2、Φb3统一用Φb表示，Φa1、Φa2、Φa3统一用Φa表 示。
ΔΦ所产生的信号的调制度m是，
$m\propto 1-\cos \left(\mathrm{\Delta \Phi }\right)={\sin }^2(\mathrm{\Delta \Phi }/2)---\left(13\right)$

最右边(14)则是ΔΦ较小时的近似。
|ΔΦ|大的话，调制度便较大，但通常记录的相位变化|ΔΦ|在0至π之间，通 常可考虑为π/2左右或以下。实际上，以现有CD-R、DVD-R为主的现有色素系记录层中， 从未报导过这样大的相位变化，而且是因为，如前文所述在蓝色波长区域中从色素的一般 特性来考虑相位变化往往有变小的倾向。反之，|ΔΦ|超过π的变化，很可能在记录前 后使推挽强制反转，很可能使推挽信号其变化过大，在跟踪伺服的稳定性维持方面不理想。
这里，图6是记录槽部与记录槽间部的相位差和反射光强两者关系的说明图。图6中 示出的是|Φ|和记录前后的记录槽部中反射光强两者的关系。这里，为了简化，忽略记 录层12、22吸收的影响。图3、图5的构成中，通常Φb＞0，所以ΔΦ＞0时，为图6的 |Φ|增加的方向。即表示Φb增加为Φa。
另一方面，图4的构成中，通常Φb＜0，所以ΔΦ＜0时，为图6的|Φ|增加的方 向。即相当于图6中横轴乘以(-1)的情形。因而，表示|Φb|增加为|Φa|。
令平面状态(dGL＝0)下的记录槽部的反射率为R0，随着|Φ|变大，由于记录槽部和记 录槽间部两者的反射光的相位差Φb而产生干涉效应，使反射光强降低。而且，相位差| Φ|与π(半波长)相等的话，反射光强为极小值。此外，|Φ|超过π增大的话，反射光 强便转为增加，在|Φ|＝2π处取极大值。
其中，推挽信号强度在相位差|Φ|为π/2时为最大，为π时为最小，极性反转。以 后，再增加或减少，在2π时为极小，极性再次反转。以上关系，与基于相位凹坑的ROM 介质中凹坑部的深度(相当于dGL)和反射率两者间的关系完全相同(非专利文献5)。
下面对推挽信号稍作说明。
图7是检测记录信号(和信号)和推挽信号(差信号)的4分区检测器构成的说明图。4 分区检测器由4个独立的光检测器组成，令各自的输出为Ia、Ib、Ic、Id。来自图7的记 录槽部和记录槽间部的0次衍射光和1次衍射光，通过4分区检测器感光，转换为电信号。 由4分区检测器的信号得出下述运算输出。可获得
Isum＝(Ia+Ib+Ic+Id)            (15)
IPP＝(Ia+Ib)-(Ic+Id)           (16)
的运算输出。
而且，图8示出的是实际上使多个记录槽，槽间横断的同时所得到的输出信号通过低 通滤波器(截止频率30kHz左右)后所检测出的信号。
图8中，Isummax、Isummin与光束刚好通过记录槽部或记录槽间部的正中(中心轴上)的 时候相对应。Isump-p是Isum信号的峰-峰值的信号振幅。IPPp-p是推挽信号的峰-峰值的信 号振幅。推挽信号强度是指IPPp-p，与推挽信号IPP本身有所区别。
跟踪伺服将图8(b)的推挽信号(IPP)作为误差信号，进行伺服反馈。图8(b)中，IPP 信号的极性从+变化为-的点对应于记录槽部中心，从-变化为+的点则对应于记录槽间部。 推挽的极性反转是指其符号变化为相反。符号变为相反的话，便估计对记录槽部施加过伺 服(即有聚光光束束斑照射于记录槽部)，否则产生对记录槽间部加以伺服这种问题。
对记录槽部进行伺服时的Isum信号为记录信号，本实施方式中，表示记录后增加的 变化。其中，
IPPnorm＝IPPp-p/{(Isummax+Isummin)/2}            (17)
这种运算输出是所谓的归一化推挽信号强度(IPPnorm)。
(17)式中用IPP来替代IPPp-p的情形，为归一化推挽信号。
这种归一化推挽信号和归一化推挽信号强度的定义，与常规的记录型CD、DVD规格所 规定的普通定义相同。
如图6所示的相位差和反射光强两者间的关系，由上述(13)式可知，为周期性的。记 录前后的|Φ|的变化，即|ΔΦ|，在以色素为主成分的介质中，通常小于(π/2)左右。 反之，本实施方式中，记录所产生的|Φ|变化，即使最大也为π或以下。因此，需要的 话，可以使记录层膜厚适当变薄。
这里，从相位基准面A-A’观察，通过记录凹坑部16p、25p、26p的形成使记录槽部的 反射光的相位(或光程)比记录前小的场合(相位比记录前延迟的场合)，即ΔΦ＞0的场合， 从入射侧观察反射基准面的光学距离(光程)减少，从而靠近光源(或相位基准面A-A’)。所 以，图3中记录槽部的反射基准面往下移动(dGL增加)的话便具有同等效果，结果记录凹坑 部16p的反射光强便减少。图4中反之记录槽部的反射基准面往上移动(dGL减少)的话便具 有同等效果，结果记录凹坑部25p的反射光强便增加。图5中记录槽部的反射基准面往上 移动(dGL增加)的话便具有同等效果，结果记录凹坑部26p的反射光强便减少。
另一方面，从相位基准面A-A’观察，记录凹坑部16p、25p、26p的反射光的相位(或 光程)比记录前大的场合(相位比记录前延迟的场合)，即ΔΦ＜0的场合，从入射侧观察反 射基准面的光学距离(光程)增加，从而远离光源(或相位基准面A-A’)。图3中记录槽部的 反射基准面往上移动(dGL减少)的话便具有同等效果，结果记录凹坑部16p的反射光强便增 加。图4中反之记录槽部的反射基准面往下移动(dGL增加)的话便具有同等效果，结果记录 凹坑部25p的反射光强便减少。图5中记录槽部的反射基准面往下移动(dGL减少)的话便具 有同等效果，结果记录凹坑部26p的反射光强便增加。这里，所说的是记录凹坑部的反射 光强在记录后要么减少要么增加，将反射光强的变化方向称为记录(信号)的极性。
因此，记录凹坑部16p、25p、26p产生ΔΦ＞0的相位变化的话，图3、图5的记录 槽部中希望利用的为反射光强因记录而降低、为“高电平变化为低电平”(下文简称为HtoL) 的信号其极性变化，图4的记录槽部中希望利用的便为反射光强因记录而增加、为“低电 平变化为高电平”(下文简称为LtoH)的极性。另一方面，产生ΔΦ＜0的相位变化的话， 图3，图5的记录槽部中希望利用为“低电平变化为高电平(LtoH)”的极性，图4的记录 槽部中希望利用为“高电平变化为低电平(HtoL)”的极性。将以上关系汇总示于表1。表 1相对于ΔΦ的符号给出，图3、图4、图5的构成和记录槽部希望的是“高电平变化为低 电平(HtoL)”、“低电平变化为高电平(LtoH)”中何种极性的反射光强变化。
[表1]
  ΔΦ＞0   ΔΦ＜0   图3   HtoL   LtoH   图4   LtoH   HtoL   图5   HtoL   LtoH
这样，随着记录凹坑形成位置(记录槽部)是处于基板(外覆层)槽部还是处于基板(外 覆层)槽间部，并随记录凹坑部的反射光的相位变化的方向，而有记录所产生的反射光的 相位变化的方向(增减)理想的情形和不理想的情形。以往，相变型记录介质，有用作相位 差记录的例子，但使用色素记录层的追记型介质，未必有具体、积极地区分运用的例子。 这是因为，现有的色素记录层追记型介质几乎都是对图1的构成的基板槽部进行记录，以 平面状态下折射率变化所引起的“高电平变化为低电平(HtoL)”记录为前提，而对槽间 部进行以相位的变化为主、以“考虑到干涉效应的反射光强变化”为主的“低电平变化为 高电平(LtoH)”记录的情形则几乎没有。
(关于相位变化ΔΦ的符号和记录极性的优选方式)
另一方面，记录凹坑部16p、25p、26p会同时产生光学上记录层12、22的折射率变 化或变形所产生的相位变化(即，有助于考虑了相位差总的反射光强的变化。)、折射率变 化所产生的在平面状态下的反射光强的变化(即不考虑相位差的反射光强的变化)。希望上 述变化的方向一致。具体来说，为了记录信号的极性与记录功率、记录凹坑的长度、或大 小无关而保持一定，希望各个反射光强变化一致。
下面与图3、图5的情形对比研究用色素记录层介质对图4的外覆层槽间部25进行记 录的情形下ΔΦ＞0和ΔΦ＜0产生于怎样的情形，并应合适地利用何种方向。
ΔΦ中，令
Φbmp＝(nd-nc)·dbmp        (18)
Φpit＝nd·dpit             (19)
Φmix＝δnc·dmix           (20)
Φn＝δnd·(dG-dpit-dbmp)＝δnd·dGa        (21)
，Φbmp对应于记录层入射侧界面的变形(移动)所引起的相位变化，Φpit对应于记录层12、 22/反射层13、23的界面的变形(移动)所引起的相位变化，Φmix对应于混合层16m、25m、 26m的形成所引起的相位变化，Φn对应于记录层12、22的折射率变化所引起的相位变化。 使上述相位变化变大，来使变化方向即Φbmp、Φpit、Φmix、Φn的符号一致这一方面，使得 调制度变大，并且在避免特定信号极性的信号波形失真的情况下获得良好的记录特性，因 而很重要。
其中，为了使相位变化的方向一致，理想的是，与其对上述Φbmp、Φpit、Φmix、Φn的 多个物理参数全部进行正确控制，不如限定于尽可能少的因素来控制。
首先，希望通过在记录层入射侧界面设置界面层等方式，从而dmix＝0。这是因为，dmix 所产生的相位差变化不够大，因而不仅难以积极利用，还难以控制其厚度。因而，理想的 是通过在记录层入射侧界面设置界面层等方式，使得dmix＝0。
接着，关于变形，以集中于一处，并且限定于一方向为佳。这是因为，与多个变形部 位相比较，更为正确地控制一处变形部位这一方法容易获得良好的信号品质。
因此，本实施方式中，希望主要利用Φbmp与Φpit其中某一种与Φn。
关于dpit，通常基板或外覆层的膨胀或者记录层的体积收缩为主要因素，所以大多为 dpit＞0。这对Φpit有利，但对dGa即Φn则不利。另一方面，记录层的吸收，从记录层厚度的 中间部起在入射侧界面侧为最高，所以此部分为最高温，反射层的界面侧其发热量相对较 小。而且，反射层用高散热性材料的话，其记录层的发热影响，集中于大部分记录层的入 射侧界面。发热集中处在图4中为记录层22与外覆层24侧的界面。所以，图4的构成中， 色素的入射侧界面、即与外覆层24的界面有变形产生。因此，dpit自然变小所以帮助不大。 与现有构成不同，基板21侧变形的影响可认为较小，实际上视为这反倒暗示可 以将应控制的变形因素集约为dbmp。
这时，Φn由(21)式可知，色素的折射率变化δnd、变形dbmp有贡献，对ΔΦ的大小和 符号为最重要因素。
dbmp如后面所考虑，在第4的Φn的物理现象中，首先考察记录层折射率变化δn的影响。 记录后的记录层膜厚dGa，其定义方面为dGa＞0，因而δnd的符号可考虑为支配Φn的符号。 本发明中，使用以色素为主成分的记录层，但色素的主吸收带是其最强的吸收波长(吸收 峰值)为处于可见光区(大致400-800nm)的吸收带。以为主成分的色素其主吸收端附近的波 长进行记录读取的情况下，通常考虑，通过记录层的发热，使记录层分解，使吸收大幅度 减少。至少可认为，在未记录状态下，主吸收带中存在所谓克拉茂-克朗尼希 (Kramers-Kronig)型反常色散，存在如图9所示的折射率n和衰减系数k的波长依存性。 主吸收端的长波长端λL，为nd＝1.5～3左右，kd＝0.1～1.5左右，而短波长端λS，为nd＝0.5～ 1.5左右，kd＝0.1～1.5左右。主吸收端的中央部，因有kd过大的情形，所以有时通常使为 kd＝0.01～0.6这种与峰值中心多少具有偏离的波长区域λL和λS为记录读取光波长。另一 方面，记录后的折射率行为可随色素而有所不同，但记录后也可维持克拉茂-克朗尼希 (Kramers-Kronig)关系，未必nd增加。反倒是可认为这种关系不成立的情形多。
通常，为记录层主成分的色素的分解温度在500℃或以下，这是因为，通过记录光所 引起的发热，记录层主成分的色素分解直到无法维持主吸收端为止。这种情形，Kramers- Kronig型反常色散并不存在，因而只能获得nd’＝1～1.5左右的折射率。
因此，利用色素分解的情况下，利用nd，kd减少情形这一方法可认为色素的选择范围 广。也就是说，利用δnd＞0情形希望记录层材料的选择广。
另外，空洞也往往发生于记录层内或其邻接的界面，这种情形，因考虑空洞内nd’＝1， 因而也可视为折射率降低。空洞即使占据记录层其中一部分，记录层的平均折射率也视为 降低。这种情形，也为δnd＞0。或者，要么使有关记录层色素吸收的结构其变化小，要么 使因记录层的温度升高使记录层体积产生膨胀而使得密度降低，都可使折射率降低。另外， 以上折射率降低的机理当中，形成空洞从而的方法，最为可靠且获得大δnd值因而 认为较为理想。
从以上考虑，利用记录层主成分的色素的光学变化(包含空洞、低密度部等形成)的话， 利用δnd＞0、即折射率降低的方法，色素选择的范围广，因而较为理想。如前文所述，因 dGa＞0，结果以利用Φn＞0为佳。
另一方面，记录所产生的变性(伴随分解)后色素的折射率，可认为大致与基板或外覆 层相同地降低。而且认为，即便是空洞形成等也降低至与外覆层同等或以下。因而，本实 施方式中，适合利用nd′＜nc的色素。所以，可认为δnd＞|nd-nc|。另一方面，Φbmp和Φ n的大小基本上取决于dbmp的符号。dGa＝dG-dpit-dbmp，所以如前文所述，的话，则 因而，dbmp＜0的话，则dGa＞|dbmp|。即使dbmp＞0，即、即使记录层产生体 积收缩，记录层膜厚不足50％这样的极端记录层的收缩通常并不予以考虑(或也可以这样 说，这种收缩意味着记录层物质由记录凹坑部流出，因而不理想)，故同样dGa＞dbmp。结 果认为，|Φbmp|＜Φn，主要变化取决于Φn的话，同样δnd＞0的变化，为Φn＞0变化， 而与ΔΦ＞0的相位变化相联系。
现有的CD-R等有机色素系的光盘中，视为dmix＝dbmp＞0，可认为混合层16m、25m、 26m混入记录层12、22侧贡献多(非专利文献1)。为Φpit＞0、Φbmp＞0，同样全体为ΔΦ ＞0。反之，即使说使ΔΦ＞0尽量大地取调制度的研究一再重复也不言过其实。现有图1 的槽部中，还考虑产生ΔΦ＞0的相位变化，并实现“高电平改变为低电平(HtoL)”记录 的话，以色素为主成分的记录层22自然是利用ΔΦ＞0的相位变化。具体来说，希望上述 记录凹坑部25p的相位变化取决于上述反射层23的入射光侧比nd低的低折射率部的形成。 这种情形在利用色素主成分记录层时最为理想。这里，本实施方式中重要的是积极、且有 选择地利用ΔΦ＞0的相位变化，如现有发明那样，并不记录于从入射侧观察较近(光程小) 的槽部或并不进行“高电平改变为低电平(HtoL)”记录。
与现有蓝色激光记录有关的先行技术，可以说无法从CD-R或DVD-R的现有技术所 采取、对从入射侧观察为槽的外覆层槽部26(参照图5)以ΔΦ＞0的相位变化进行“高电平 改变为低电平(HtoL)”记录的前提条件当中抽离。或者，作为与相位变化无关的50～100nm 的厚膜记录层，希望利用平面状态下产生的反射率变化，尤其是利用δnd大致为1或以上 这种大变化，或同时产生的衰减系数kd的大变化使反射光强度降低，即进行“高电平改变 为低电平(HtoL)”记录。
这里，对于ΔΦ＞0的相位变化和推挽信号两者间的关系进行考察。由现有CD-R或 DVD-R类推，对外覆层槽部26(参照图5)进行HtoL记录的情形，使推挽信号极性不反转 的话，作为dGL，限于往返的光程比1波长大(为|Φb3|＞2π)这种深槽落差(称为“深槽”)， 或Φb3几乎为零、勉强得到推挽信号这种槽落差(称为“浅槽”)。深槽的情形，按图6的 |Φb|＞2π的斜面，利用箭头α方向的相位变化，使槽在光学上变深。这种情形，为箭 头起始点的槽深度，400nm前后的蓝色波长需要100nm左右，如前文所述的狭窄的轨迹间 距，在成型时容易产生不良转印，大量生产时有困难。而且，即使获得所期望的槽形状， 信号中也容易混入因槽壁的微小表面粗度所引起的噪声。此外，难以在槽底部、侧面壁均 匀形成反射层23。反射层23自身槽壁的密接性也差，容易发生剥离等劣化。这样，按使 用“深槽”的现有方式，利用ΔΦ＞0的相位变化，进行HtoL记录的话，要充实轨迹间距 有困难。
另一方面，在浅槽的情形，按图6的|Φ|＝0～π间的斜面使用箭头β方向的相位变 化，通过使槽在光学上变深，形成为HtoL记录。若要获得未记录状态程度的推挽信号强 度，槽深度在蓝色波长下为20nm～30nm左右。在这种状态下形成记录层22的情形，与 平面状态相同，记录槽部(这种情形为外覆层槽部26)、槽间部都容易形成同等的记录层膜 厚，记录凹坑容易从记录槽部突出，或使得来自记录凹坑的衍射光在邻接记录槽漏出，信 号间交互干扰会变得非常大。同样，以现有方式利用ΔΦ＞0的相位变化来进行HtoL记录 的话，充实轨迹间距便有困难。
本案发明人等，就真正能克服上述课题的膜面入射型色素介质，尤其是就具有涂布型 记录层的介质进行研究。其结果，发现较佳的膜面入射型色素介质构成，并非为以往使用 “深槽”的HtoL记录，而是得到图6中箭头γ方向的相位变化、因而为使用后面所述“中 间槽”的LtoH的记录极性的信号。具体来说，属于从外覆层24侧入射记录读取光进行记 录读取的光记录介质20，为将记录读取光束27入射于外覆层24的面(记录读取光束27所 入射的面29)的远侧引导槽部作为记录槽部时，形成于记录槽部的记录凹坑部的反射光强 高于记录槽部未记录时的反射光强这种介质及记录方法。以往将色素用于记录层的追记型 介质，其特征在于记录后可获得与ROM介质同等的记录信号，因此属于记录后只要可确 保读出兼容性即可的情形，记录前无需保持与ROM介质同样的高反射光强，记录后的H 电平的反射光强只要在ROM介质所规定的反射光强(就ROM介质而言往往简称为反射率) 范围内即可。LtoH记录同维持与ROM介质的读出兼容性之间绝不矛盾。
另外，本实施方式中重要的是，上述记录层折射率的降低、空洞的形成等引起的凹坑 部的折射率降低、记录层22内部或者其界面的变形，全部是在为主反射面的反射层23的 记录读取光入射侧所产生的。此外，如前文所述，以为佳。具体来说，记 录凹坑部，反射层/记录层、及反射层/基板其中任一界面都不产生变形及混合这一方面， 可以使支配记录信号极性的因素简化，可抑制记录信号波形的失真，因而较为理想。记录 层22和外覆层24之间存在半透明反射层(薄的Ag、Al等金属膜，或Si、Ge等半导体膜)， 在主反射面过渡为半透明膜的某一种界面的情况下，即使为LtoH记录，外覆层槽间部25 中也难以实现良好的LtoH记录。这是因为，用半透明反射膜产生几乎全部反射的话，记 录层22的折射率变化δnd所引起的相位变化几乎无法利用，因而难以使得信号振幅加大。 而且，多少受到半透明反射层的透射光影响的话，来自背面金属反射层的反射光的相位和 半透明反射层的反射光的相位其两者的贡献便混在一起，要使相位变化的方向在一固定方 向上一致来进行控制变得复杂且困难。
如图4所示的膜面入射构成，将记录读取光束27(图2)入射的面29(图2)的远侧的引导 槽部为记录槽部时，想应用与现有构成相同的相位变化所引起的记录原理的话，便会利用 ΔΦ＞0这种相位变化进行LtoH记录。
因此，首先希望上述记录凹坑部25p的相位变化取决于上述反射层23的入射光侧低于 nd的低折射率部的形成。接着，记录前为了维持各种伺服的稳定性，希望维持至少3％～ 30％的反射率。
这里所说的未记录状态的记录槽部反射率(Rg)，是令只将反射率已知(Rref)的反射膜按 与图2所示的光记录介质20同样的构成成膜，并使集束光束照射于记录槽部使得焦点对焦 所得的反射光强为Iref，图2所示的光记录介质20中同样使集束光束照射于记录槽部所得 的反射光强为IS时，可作为Rg＝Rref(Is/Iref)得到。同样，记录后，将记录信号振幅其与记录 凹坑间(空档部)的低反射光强IL对应的记录槽部反射率称为RL，与记录凹坑(标记部)的高 反射光强IH对应的记录槽部反射率称为RH。
下面，按照习惯使记录槽部的反射光强变化定量时，使用该记录槽部反射率表示。
本实施方式中，利用的是记录所引起的相位变化，因而希望提高记录层22本身的透明 性。将记录层22单独形成于透明聚碳酸酯树脂基板情形的透射率，以40％或以上为好， 以50％或以上较为理想，以60％或以上更为理想。透射率过高的话，无法吸收充分的记录 光能量，因而以95％或以下为好，以90％或以下更为理想。
另一方面，维持这种高透射率，可以大致确认，图2构成的盘片(未记录状态)中在平 整部(镜面部)测定平面状态的反射率R0，其反射率为将记录层膜厚设定为零、在具有相同 构成的盘片其平面状态下的反射率的40％或以上，较为理想的为50％或以上，更为理想的 为70％或以上。
(关于记录槽深度dGL、记录槽部的记录层厚度dG和记录槽间部的记录层厚度dL的优 选方式)
利用ΔΦ＞0的相位变化、对外覆层槽间部25进行LtoH记录的情况下，在凹坑部使 槽深度产生光学变化，因而较强依存于槽深度的推挽信号在记录前后容易变化。尤其成问 题的是推挽信号的极性反转的相位变化。
为了进行LtoH记录，而且不产生推挽信号的极性变化，较好是利用图6中在0＜|Φ b |、|Φa|＜π的斜面、利用箭头γ方向的相位变化而在光学上使槽变浅的现象。具体 来说，图4中设法从相位差基准面A-A′观察在记录凹坑部25p产生记录槽部至反射基准面 的光程变小这种变化。图4情况下，Φb＝Φb2＜0，Φa＝Φa2＜0，ΔΦ＞0，所以|Φb| ＞|Φa|。另外，如式(2)这样定义相位差的关系，Φb、Φa在图4的情况下为负，因而 以绝对值表示。
尤其是，用式(17)的归一化的推挽信号强度IPPnorm作为推挽信号的情况下，本实施方 式中，记录后的平均反射率增加，因而式(17)的分母增加。
为了确保记录后的归一化推挽信号强度IPPnorm充分大，希望使式(17)分子的推挽信号 强度IPPp-p在记录后增加，或至少确保较大值。具体来说，以|Φa|在记录后为π/2附近 为佳。另一方面，为了在记录前也确保充分的推挽信号，|Φb|以比π小(1/16)π程度为 所期望。因此，|Φb|在路径γ中以处于π/2～(15/16)π范围为佳。
具体而言，图4中为了使|Φb2|＝(4π/λ)|ψb2|在π/2～(15/16)π范围，
使|ψb2|＝|(nc-nd)·(dG-dL)-nc·dGL|
＝|(nd-nc)·(dG-dL)+nc·dGL|
在λ/8～(15/64)·λ范围为佳。
这时的槽深度dGL，在dG＝dL、记录读取光波长λ＝350～450nm的蓝色波长的情况下， 由式(7)得到
|ψb2|＝nc·dGL        (7a)
同样的式子，也可由获得。若nc为普通高分子材料的值，为1.4～1.6左右，槽 深度dGL便通常为30nm或以上、较佳为35nm或以上。另一方面，槽深度dGL通常为70nm 或以下、较佳为65nm或以下、更佳为60nm或以下。这种深度的槽称为“中间槽”。与上 述图3、图5中使用“深槽”的情况相比，在槽形成及对外覆层槽间部25被覆反射膜方面 具有格外容易的优点。
一般用旋涂通过涂布法使记录层成膜时，考虑基板槽部有记录层容易存积 (accumulate)的性质的话，自然为dG＞dL。此外，使涂布的色素量减少，使记录层膜厚 总体变薄的话，实质上可便可使记录层大致完全封闭(imprison)于记录槽内(这种情 形为外覆层槽间部25)。
这种情形，式(7)变为
|ψb2|＝|(nc-nd)·dG-nc·dGL|
＝|(nd-nc)·dG+nc·dGL|                (7b)
对于(7a)，相对于上述槽深度较佳范围，仅|(nc-nd)·dG|部分需要修正。若nd＞nc， 则以浅一些为佳，若nd＜nc，则以深一些为佳。本实施方式中，所用的这种色素记录层， (nc-nd)大致在-0.5～+0.5的范围，dG＝30nm左右，所以可考虑修正高至10nm左右。相反， 赋予nd·dGL的槽形状的话，nd与nc相比较越小则|Φb2|越小，从图6可知使槽部的反射 光强增加。另一方面，nd与nc相比较越大，则槽部的反射光强越是减少。
而且，记录层膜厚与槽深度相比较薄，以dG＜dGL为佳。记录凹坑即使伴随后面所述 的变形，也至少可获得其宽度抑制于槽宽内这种效果，因而可减低信号间交互干扰。因此， 以(dG/dGL)≤1为好，以(dG/dGL)≤0.8较佳，以(dG/dGL)≤0.7更佳。
具体来说，本实施方式可适用的光记录介质20中，希望通过涂布形成记录层22，dGL ＞dG＞dL。而且，最佳为dL/dG≤0.5，实际上记录槽间上几乎没有记录层22堆积。另一方 面，如后面所述，dL实质上以零为佳，故dL/dG下限值理想的为零。
如前文所述dGL为30～70nm的情况下，dG以为5nm或以上为佳，以为10nm或以上 更佳。这是因为，通过使dG为5nm或以上，可使相位变化变大，可进行记录凹坑形成所 需的对光能量的吸收。另一方面，dG以不足50nm为好，以45nm或以下较佳，以40nm或 以下更佳。为了主要用相位变化、并减小折射率变化所引起的“平面状态下的反射率变化” 这种影响，也希望记录层22如此之薄。如现有CD-R、DVD-R这样未记录的折射率为2.5～ 3这种高折射率的色素主成分的记录层，在nd因记录而减少的情况下，有时导致“平而状 态下的反射率”降低。随相位差变化进行LtoH记录的情况下，易于成为相反极性而不理 想。
而且，记录层22薄的情形，可以抑制记录凹坑部的变形过大、或突出至记录槽间部。
外覆层槽间部形成记录凹坑的本发明中，使用前文所述的“中间槽”深度，以及，使 记录层22变薄为dL/dG≤1，而封闭于“中间槽”深度的记录槽内，如后文所述积极使用记 录凹坑部的空洞形成和朝向外覆层方向的膨胀变形的情况下，另外较佳。这方面，本发明 也对外覆层槽部进行记录，与形成空洞进行HtoL记录的情形相比，在抑制信号间交互干 扰的效果方面较为优异。
如此，记录凹坑可带来大致完全封闭在记录槽内、而且图4中记录凹坑部25p的衍射 光漏出至邻接记录槽(信号间交互干扰)也可减小为相当小的优点。具体来说，以对外覆层 槽间部25的记录以进行LtoH记录，不仅简单为ΔΦ＞0的相位变化和对外覆层槽间部25 的记录的有利组合，还利用狭窄轨迹间距所引起的高密度记录容易得到适合的构成。而且， dL大致为零的话，在(7b)式的|ψb2|中，可使(nc-nd)·dG项的贡献为最大，dGL虽有但可以 较浅，槽形成更为容易。例如，记录读取光波长λ＝400nm，nc＝1.5左右的情形，为(15/64)·λ 的dG在dG＝dL的情形为62.5nm，但在dL＝0、|nc-nd|＝0.3、δnd＝0.5、dG＝0.5·dGL的情形， 可为57nm。轨迹间距为0.3μm左右的话，这种5nm的槽深度差，对母盘(stamper)的槽 形状转印的容易性带来较大影响。
(关于记录层折射率、nd、nc、δnd、以及变形量dbmp的优选方式)
另一方面，利用ΔΦ＞0的相位变化，膜面入射记录中，对外覆层槽间部25进行记录， 进行LtoH记录的情形，在进行高密度记录时较为重要，但此外为了获得良好记录品质， 希望考虑下述事项。
首先，可例举为了使记录信号振幅变大，总体使|ΔΦ|变大。接着，在标记长度调 制记录中，相对于最短标记长至最长标记长的全标记长，具有实用的记录功率容许范围， 为了实现良好抖动(Jitter)特性，较好是进行以下事项。具体来说，希望使对ΔΦ有贡献的 各相位变化方向和大小，相对于记录功率的变动、标记长的变动，在特定范围内一致。至 少，反方向的相位变化，随记录功率变动或标记长而混合的情形，希望减小至可忽略的程 度。
于是，首先，为了在正方向使Φn变大，以δnd＞0，即、使记录凹坑部25p的相位(光 程)相对于记录前大幅度降低为佳。并且，记录后的记录层膜厚dGa以厚的为佳，希望dG ≤dGa，如前文所述，为了使信号间交互干扰等变小，希望dGa与dGL相比不太大。但伴随 dbmp＜0变形的情况下，可以为dGa＞dGL，但其大小以dGL的3倍或以下为佳。这样，即使 dGa大，但记录凹坑的横方向宽超过记录槽宽而无突出的话，对信号间交互干扰的影响少。 所以，dGa＞dGL的情况下，尤其是希望dL薄、实质上可视为零的10nm或以下。或者，如 前文所述，不仅满足dL/dG≤0.5，较好为dL/dG≤0.3，最好为dL/dG≤0.2。
从(21)式，得出δnd与因此，对于使dGa变大，则以dbmp ＜0、即记录层22向外覆层24膨胀变形为佳。具体来说，通常的色素如前文所述δnd＞0， 所以使dbmp＜0，可通过(21)式的Φn使ΔΦ＞0变大。
另一方面，dbmp对(18)式的所说的Φbmp成分也有贡献。下面，通过Φbmp，考虑积极运 用dbmp的记录机理(记录模式)。
首先，作为第一方式，可考虑选择nd小的色素以便nd-nc＜0。为使Φbmp＞0，以dbmp ＜0即图4记录层22向外覆层24侧膨胀的变形为佳。这里，为dbmp＜0的话，dGa也变大， 所以非常适合。具体来说，即使δnd小，dbmp＜0绝对值也大，即对记录层22向外覆层24 侧膨胀变形大，只要这样便可获得大的调制度。因此，δnd小的记录层，根据情形，也可 使用δnd几乎为零的记录层材料。如CD-R或DVD-R这样的在红外或红色波长区域使用 的情形，难以得到超过2.5的大nd色素，在蓝色波长区域利用时尤为理想。
在记录层22内或其邻接的界面有空洞发生的情形，其所引起的膨胀变形，但可认为给 记录层22的外覆层24侧界面带来dbmp＜0的变形，空洞内的nd′降低至1程度的话，在获 得大信号振幅的基础上非常理想。
严格而言，未必为nd＜nc，nd等于nc或以下为佳。因通常将高分子材料用于外覆层材 料，所以nc为1.4～1.6，nd以1.6或以下为佳，以1.5或以下更佳。作为下限来说，通常以 1.0或以上为好，以1.2或以上为佳，以1.3或以上更佳。这与吸收端的短波长侧λS为记 录读取光波长的场合大致相对应。
接着，作为第2方式，即使在nd＞nc的场合，也可考虑nd′比nc小的情形。式(9)中， Φpit、可获得

$=(4\pi /\lambda )\{(n_d-n_c-\delta n_d)·d_{\mathrm{bmp}}+\delta n_d·d_G\}$
$=(4\pi /\lambda )\{({n_d}^{,}-n_c)·d_{\mathrm{bmp}}+\delta n_d·d_G\}---\left(9a\right)$
这里，δnd·dG＞0。nd′充分降低，尤其是形成空洞、为nd′＝1的情形，nd′-nc＜0，所以以dbmp ＜0为佳。nd如现有CD-R或DVD-R所使用的那样，比2大的话，也会产生nd′＞nc的情 形。nd为2或以下的话，大致确实地以nd′＜nc为佳。更佳的为nd为1.9或以下。此外，形 成空洞(nd′＝1)的话，确实地为nd′＜nc，δnd＞0也变大，所以非常理想。
结果，将本发明中较佳的nd，、nc、δnd及dbmp组合方式称为记录模式的话，按最希望 的记录模式依次为以下方式。
(记录模式1)
δnd＞0、(意味着nd为nc左右或以下。)，为dbmp＜＝0。
令nc＝1.4～1.6，nd以1.6或以下为佳。
以记录层22内或其邻接的界面有空洞发生更佳。
(记录模式2)
为δnd＞0、nd＞nc，nd′＜nc，dbmp＜＝0。
同样，令nc＝1.4～1.6，nd以2或以下为佳。
以记录层22内或其邻接的界面有空洞发生更佳。
记录模式1与记录模式2，从(9a)式观点考虑，nd′＜nc的话则为同等，无法说哪个有利。 其中，记录模式2，在难以对记录后的nd′进行推定的情况下，只要δnd＞0就可由nd′＜nd ＜nc可确实保证nd′＜nc，故发生dbmp＜0的变形的情况下，以记录模式1为佳。若无空洞 形成，或的话，就可使δnd变大这点，未记录的nd稍大的记录模式2有时较为有 利。
另外，作为第3方式，从式(9)来考虑，可适用以下记录模式3。
(记录模式3)
为δnd＜0，nd＞nc，dbmp＞0。
在δnd相对较大的情况下，可以抵消dbmp＞0所造成的dGa变小的负面效果。但根据本 案发明人等的研究，与dbmp＜0的膨胀变形的变形量可达到接近于dGL或dG的3倍的情形 相对，dbmp＞0的凹陷变形，几乎没有达到dG的50％或以上的情形，所以这样的第3方式 虽不妨碍应用于本实施方式，但也无法说一定理想。
此外，这种情形，因实质上仅取决于δnd的变化，所以结果如现有的CD-R、DVD-R 那样，不得不取决于其nd超过2这么大的色素，而且，“平面状态下的反射率变化”所引 起的反射光强降低、即混合有HtoL极性的情形，尚不理想。
另外，尽管一再重复，但本实施方式中重要的是，与上述记录模式有关的现象产生于 主反射面的入射光一侧，图4的层构成是要实现其而至关重要的。
为了促进dbmp＜0的变形，希望记录层22的热变性产生热膨胀、分解、升华所引起的 体积膨胀压力。而且，希望记录层22与外覆层24的界面上设置界面层，来封闭该压力， 以设法避免漏出至其它层。界面层较好是其阻气性高，比外覆层24易于变形。尤其是，以 升华性好的色素为主成分使用时，记录层22部分局部易于产生体积膨胀压力。而且，这时， 同时易于形成空洞，即使主成分色素的记录层单体的折射率变化小，但加上空洞形成(内部 的nd′可视为1)所产生的效果，可使记录层22的δnd变大，因而理想。具体来说，记录层 22的内部或其邻接层的界面有空洞形成的情形使δnd＞0变大，因而较为理想，而且随空 洞内的压力产生的dbmp＜0这种记录层22膨胀至外覆层24一侧，可认为最有效率产生Δ Φ＞0的变化，因而最为理想。
这样，将nd、nd′、nc的大小关系与dbmp符号(变形的方向)的组合保持特定的关系，根 据标记长，在防止记录信号极性(HtoL或LtoH)反转、或混合(可获得微分波形)这种现象方 面较为有效。
这里，关于nd的下限，根据具有反常色散特性的色素的特性，进行一些补充说明。图 9是色素的主吸收带中克拉茂-克朗尼希(Kramers-Kronig)的关系的说明图。克拉茂-克 朗尼希(Kramers-Kronig)型的反常色散中，吸收的峰值越是高度吸收，短波长端λS的折 射率越降低，长波长端λL的折射率越提高。现有的CD-R、DVD-R，长波长端λL下以使 用nd为2～3的色素为佳，所以具有非常陡的吸收峰的色素的合成为最大的课题。在短波 长端λS，实现这种吸收峰的情况下，nd可降低至0.5左右。这种具有陡峭峰值的色素，利 用其吸收急剧变化的波长区域的最大的难处，是在记录读取光波长λ变化时，其光学特性 急剧变化，所以无法获得稳定的记录特性。通常，来自记录读取所用的半导体激光的出射 光的波长，根据半导体激光的使用环境温度(通常为0℃～70℃左右的范围)，至少有+5nm 变动。尤其是，蓝色波长400nm左右和高NA(数值孔径)的高密度记录，这种波长变动所 引起的光学特性的变化并不理想。
此外，由式(9a)可知，若将外覆层槽间部(in-groove)25作为记录部来利用相位变化的话， nd增加这种变化是，ΔΦ＜0的变化，为利用图6的路径β上的“浅槽”的HtoL记录，所 以无法实现良好的LtoH记录。利用外覆层槽部(on-groove)26的话，可形成为LtoH记录， 但外覆层槽部26的记录不适合以涂布法形成记录层22的情形，如前文所述。而且，nd′＞ nc左右的较大变化，在λS的区域，通常无法实现，而成为(nd′-nc)＞0。为了不与ΔΦ＜0 矛盾，必须使dbmp＞0，但同样dbmp＞0的变形量因有界限，所以难采取大信号振幅。
另一方面，蓝色波长记录中，还提倡利用比1左右更小的nd与δnd＜0的色素，并利 用“平面状态下的反射率变化”所引起的反射光强度变化的HtoL记录。但是，这种情形 也有难以获得大的δnd这种问题。通常，只为nd＝0.5～1.0，nd′＝1.0～1.5左右，所以δnd 小于0.5左右。因此，虽提案利用在记录层22上下设置溅射法或真空蒸镀法成膜的电介质 层等非常复杂的构成，但就原本应利用涂布法制造工艺在成本方面的优点的色素记录层来 说，造成不理想的成本升高。另外，nd大于0。
图24示出的是，图2的层构成中记录层膜厚30nm，kd＝0.4为一定，假定为Ag反射 层(复数折射率0.09-i·2.0)、界面层膜厚20nm(折射率2.3-i·0.0)、外覆层nc＝1.5而复数折射 率的虚部为0.0的情况下的平面部的反射光强度R0的记录层折射率nd依存性的计算值。 nd约为2或以下的情况下可知，nd减少的话，反射率便增加。另一方面，nd不足1的情况 下可知，δnd＜0，即nd增加这种变化导致平面状态下反射率变化所引起的反射光强减少， 同时导致(21)式的Φn的负变化，所以不如适用于图3或图5的情形，容易获得HtoL极性 的信号。
加上记录所产生的kd减少的话，记录后的反射光强与记录前相比较可进一步增加。在 与相位差无关的状态，反射率变化的大小本身较小，但至少与相位差所产生的LtoH极性 的记录信号极性并不矛盾。
从这种观点也可以知道，nd为1～2的色素中，将外覆层槽间部(in-groove)为记录槽部， 记录后nd减少(δnd＞0)，在可进行良好的LtoH记录方面非常适合。同时，记录中kd减少 的话，对记录凹坑部的吸收便减少，平面状态下的反射率仍然增加，因而较为理想，但这 种情况，通过色素分解以避免反常色散，反倒是通常所产生的现象。具体来说，记录模式 1、2中局部相位变化所引起的反射光强的增大，在平面状态下反射光强增大和相性方面良 好，在总体上获得无失真的LtoH极性的信号方面非常合适。
(关于具体层构成和材料的优选方式)
下面，关于图2和图4所示层构成的具体材料及具体方式，考虑蓝色波长激光的开发 进展状况，尤其是假定记录读取光束27的波长λ在405nm附近的情形予以说明。
(基板)
基板21，就膜面入射构成来说，可使用具有适度加工性和刚性的塑料、金属、玻璃等。 与现有的基板入射构成不同，并且无对于透明性或复折射的限制。表面形成引导槽，但金 属、玻璃在表面设置光或热硬化性的薄树脂层，该处需要形成槽。这一点，在制造方面希 望使用塑料材料，靠射出成型，基板21的形状、尤其是圆盘状，与表面的引导槽一次成 型。
作为可射出成型的塑料材料来说，可使用现有CD或DVD中所使用的聚碳酸酯树脂、 聚烯烃树脂、丙烯酸树脂、环氧基树脂等。基板21的厚度优选0.5mm～1.2mm左右。基 板厚与外覆层厚加在一起，优选与现有CD或DVD相同的厚度1.2mm。这是因为，可以 按原样使用现有CD或DVD所用的盒子等。蓝光光盘规定，将基板厚度规定为1.1mm、 外覆层厚度规定为0.1mm。(非专利文献9)
基板21上形成跟踪用的引导槽。本实施方式中，外覆层槽间部25为记录槽部的轨迹 间距，为了达成比CD-R、DVD-R高密度化，优选0.1μm～0.6μm，进一步优选0.2μm～ 0.4μm。槽深度，如前文所述，尽管依存于记录读取光波长λ、dGL、dG、dL等，但大致优 选30nm～70nm范围内。槽深度在上述范围内，可考虑未记录状态的记录槽部反射率Rg、 记录信号的信号特性、推挽信号特性、记录层的光学特性等进行适当的优化。例如，为了 相对于记录层光学特性的变化以获得同等的Rg，希望在nd、kd大的情形下使槽深度相对变 浅，nd、kd小的情形下使其相对加深。而且，即便为相同的槽深度，nd为约1.5或以上的 话，kd便为约0.5或以下，反之，选择kd为约0.5或以上，nd为约1.5或以下这种值的记 录层的话，可确保Rg为10％或以上。
本实施方式中，利用记录槽部和记录槽间部中各自反射光的相位差所产生的干涉，所 以两者都需要存在于集束光斑内。因此，记录槽宽(外覆层槽间部25的宽)希望小于记录读 取光束27在记录层22面中的光斑径(槽横剖面方向的直径)。记录读取光波长λ＝405nm、 NA(数值孔径)＝0.85的光学系，轨迹间距为0.32μm的情况下，以0.1μm～0.2μm范围为 佳。上述范围以外，多数情况下难以形成槽或槽间部。
引导槽的形状通常为矩形。尤其是，基于后面所述涂布的记录层形成时，含有色素的 溶液其溶剂几乎蒸发前的数十秒之间，希望在基板槽部上有选择地积存色素。因此，希望 使矩形槽的基板槽间的肩呈圆形，以便色素溶液容易下落至基板槽部进行积存。这种具有 圆形肩的槽形状，可通过将塑料基板或者母盘的表面暴露于等离子、UV臭氧等当中数秒 至数分钟进行蚀刻来获得。基于等离子的蚀刻，基板槽部的肩(槽间部的边缘)这种尖锐部 分具有选择性削减的性质，所以适合获得圆形槽部的肩形状。
引导槽，通常为了赋予地址或同期信号等附加信息，具有基于槽蛇行、槽深度调制等 槽形状的调制、记录槽部、或记录槽间部断续的凹凸坑等所产生的附加信号。例如，蓝光 光盘可使用所谓MSK(最小移位键操作(minimum-shift-keying))与STW(锯齿摆动 (saw-tooth-wobbles))这种使用2调制方式的摆动(wobble)地址方式。(非专利文献9)
(具有光反射功能的层)
具有光反射功能的层(反射层23)，希望相对于记录读取光波长的反射率高，相对于记 录读取光波长具有70％或以上的反射率。在作为记录读取用波长使用的可见光尤其是蓝色 波长区域显示高反射率的情形，可例举Au、Ag、Al、以及以上述为主成分的合金。更加 优选的是λ＝405nm处反射率高、以吸收小的Ag为主成分的合金。理想的是通过以Ag为 主成分添加0.01原子％～10原子％的Au、Cu、稀土类元素(尤其是Nd)、Nb、Ta、V、Mo、 Mn、Mg、Cr、Bi、Al、Si、Ge等从而能够提高对水分、氧、硫等的耐蚀性。除此以外， 也可使用多层层积电介质层的电介质镜。
反射层23的膜厚，为了保持基板21表面的槽落差，优选与dGL同等或比其薄。同样， 为记录读取光波长λ＝405nm的情况下，如前文所述，优选dGL为70nm或以下，故反射 层的膜厚优选70nm或以下，进一步优选65nm或以下。除了后述的形成2层介质的情形， 反射层膜厚的下限以30nm或以上为佳，更佳为40nm或以上。反射层23的表面粗度Ra 优选5nm或以下，进一步优选1nm或以下。Ag具有因添加物的添加而平整性增加这种性 质，这意味着，优选使上述添加元素为0.1原子％或以上，进一步优选0.5原子％或以上。 反射层23可以用溅射法、离子电镀法、或电子束蒸镀法等形成。
以反射基准面的落差规定的槽深度dGL，大致与基板21表面的槽深度dGLS相等。槽 深度，用电子显微镜观察剖面的话便可直接测定。或者，可利用原子力显微镜(AFM)等探 针法来测定。槽或槽间部不完全平整的情况下，是以槽和槽间各自中心的高度差来定义 dGL。槽宽同样是指反射层23成膜后实际上有记录层22存在的槽部的宽，但反射层23形 成后大致保持基板21表面的槽形状的话，便可使用基板21表面的槽宽值。而且，槽宽采 用槽深一半深度处的宽度。槽宽，同样用电子显微镜观察剖面的话便可直接测定。或者， 可利用原子力显微镜(Atomic force microprobe，AFM)等探针法来测定。
(以色素为主成分的记录层)
本实施方式中使用的色素，是指300nm～800nm的可见光(及其附近)波长区域具有其 结构所造成的显著吸收带的有机化合物。这种色素作为记录层22形成的未记录(记录前) 的状态下，记录读取光束27的波长λ处具有吸收，将因记录而变性而在记录层22中作为 读取光的反射光强的变化检测、引起光学变化的色素称为“主成分色素”。主成分色素也 可以是能够发挥上述机能的多种色素的混合物。
主成分色素含量，以重量％计优选50％或以上，进一步优选80％或以上，最佳选择90％ 或以上。主成分色素优选单独的色素对记录读取光束27的波长λ处具有吸收、因记录而 变性以产生上述光学变化，但也可以通过对记录读取光束27的波长λ具有吸收并发热， 按间接地使其它色素变性产生光学变化的方式进行功能分担。对于主成分色素，除此之外， 也可以混合具有光吸收功能的色素当中作为改善长期稳定性(对于温度、湿度、光的稳定性) 用的所谓淬灭剂的色素。作为主成分色素以外的含有物，可例举低分子材料、高分子材料 所形成的结合剂(粘合剂)、电介质等。
主成分色素并非专门由结构来限定。本实施方式中，只要是因记录在记录层22内产 生δnd＞0的变化，在未记录(记录前)状态下的衰减系数kd＞0，原则上对其光学特性并无 较强的限制。主成分色素可以对记录读取光束27的波长λ处有吸收，且因本身的吸光、 发热而产生变性，使折射率降低，δnd＞0。这里，变性是具体指由于主成分色素的吸收、 发热所致的膨胀、分解、升华、熔融等现象。也可以为主成分的色素其本身变性，伴随或 多或少的结构变化，使得折射率降低。而且，δnd＞0的变化可以在记录层22内和/或界面 形成空洞，也可以为记录层22热膨胀所产生的折射率降低。
作为表示这种变性的温度来说，优选为100℃～500℃范围，进一步优选为100℃至350 ℃的范围。从保存稳定性、耐读取光劣化的观点来考虑，以150℃或以上更佳。而且，分 解温度为300℃或以下的话，尤其是希望10m/s或以上较高线速度的抖动特性呈良好的倾 向。分解温度为280℃或以下情形，很可能进一步使得高速记录的特性良好，因而较为理 想。通常，如上文所述的变性行为可以作为主成分色素的热特性来测定，利用热重量分析 -差度热分析(TG-DTA)法，可以测定作为粗略行为的重量减少开始温度。如前文所述dbmp ＜0，即同时产生记录层22朝向外覆层24膨胀这种变形的情形，在利用ΔΦ＞0的相位变 化方面更好。因此，希望是具有升华性、或分解物的挥发性高，可产生用以在记录层22 内部膨胀的压力的情形。
将吸收记录(读取)光的能量、以产生上述变性用途的记录(读取)光的功率称为记录灵敏 度。尤其是，在400nm左右波长的半导体激光的输出功率，与红色激光相比较又低，因此， 从记录灵敏度的观点考虑，以kd≥0.1为佳。另一方面，为了使未记录状态的记录槽部反 射率Rg为3％或以上，以kd≤1.5为好，以kd≤1.2为佳。以kd≤1.0最佳。
记录前的反射率Rg或记录凹坑间反射率RL，以10％或以上更佳。因此，kd以0.6或 以下为佳，为0.5或以下更佳。而且，kd大于0.6左右的话，以nd为1.7或以下为佳，为 1.6或以下更佳。其中kd大于1.0左右的情况下，希望使nd小于1.3。可获得足以使记录层 发热、产生变性的光吸收。尤其是，10m/s或以上的高线速的记录中，为了确保记录灵敏 度良好，也优选kd为0.25或以上。kd以0.3或以上更佳。尤其是，记录凹坑内部中，若 kd′≤kd(即由于记录使得kd减少)的话，便希望kd的变化所产生的反射光强增加与相位变化 ΔΦ所产生的反射光强增加不矛盾，不使信号波形失真，可使其振幅变大。为了附加利用 kd降低所造成的反射光强增加，kd以0.2或以上为佳，进而以0.3或以上更佳。另一方面， kd′为0.3或以下、更佳为0.2或以下、最佳为0.1或以下的话，可确保记录后的反射光率 RH与ROM介质同样高，为大致30％或以上。
记录层的膜厚dG，在记录凹坑处如前文所述比dGL薄为好，dG/dGL以0.8或以下较佳， 为0.7或以下更佳，从而能够使外覆层槽间部所封闭的信号间交互干扰变得足够小。dGL 为70nm或以下为佳，在400nm附近的波长处，dG以70nm或以下为佳，不足50nm更佳。 进而，kd特别为0.3或以上的记录层中，在读取光束多次照射的情况下，为了防止吸收读 取光而在记录层引起变性，记录层膜厚还是以不足50nm为佳，40nm或以下更佳。
另外，读取光束的强度，通常读取光强度(mW)/读取光束的扫描速度(m/s)以0.2mW·s/m 或以下为佳，以0.1mW·s/m或以下更佳。
进而，记录层膜厚超过上述较佳值而过度变厚的话，公式(9)或公式(9a)中，相位变化 量δnd·dG、或变形量dbmp(＜0)的绝对值变大，总体上有时ΔΦ过大。由于有时推挽信号的 极性变得过小或极性反转等而使得跟踪伺服变得不稳定，所以不理想。
另一方面，记录层膜厚的下限，为5nm或以上，优选10nm或以上。
作为单独显示较佳特性的色素，可例举“记录模式1”或“记录模式2”中可利用的色 素。
具体来说，主吸收带峰值大致在300nm～600nm范围，该主吸收带的峰值中摩尔吸光 系数(氯仿中)，在20000～150000范围内。在所具有的陡急峰值中摩尔吸光系数超过大致 100000的吸收带中，图9中长波长端λL的折射率大于2，因此使用这种色素的情况下， 优选记录读取光波长位于短波长端λS。
另一方面，摩尔吸光系数通常为100000或以下，优选80000或以下，进一步优选70000 或以下的比较平缓且平坦的、例如图19这种吸收带的情况下，在吸收带全部范围内折射 率可大致为1或以上但为2或以下。这里，图19是相对较平整的主吸收带中克拉茂-克 朗尼希(Kramers-Kronig)关系的说明图。而且，衰减系数kd也可在吸收带的全波长区域 范围内为0.6或以下。摩尔吸光系数优选20000或以上、进一步优选30000或以上的话， 衰减系数kd为0.2或以上，进而以0.3或以上较佳。所以，记录读取光波长λ也可处于吸 收带的中心部、长波长端λL、短波长端λs其中任一位置。
不使用以往那种具有陡急峰值的色素、而是适当利用nd为1～2范围的λS端的本发明， 无论在可使用以往因折射率低而难以使用的色素这一方面，还是色素选择范围相当广这一 方面，都可以说很优越。作为nd范围来说，以为1.2～1.9较佳，1.2～1.6更佳。
此外，如前文所述，可随kd值适当选择nd的更佳范围，尤其是，作为nd和kd组合的 理想范围，是nd＝1.2～1.9且kd＝0.28～1，最好是nd＝1.3～1.9且kd＝0.3～1。
进而，仅因色素分解而导致主吸收带消失这一点，nd′为1.5或以下的情况很少，所以， 尤其是nd为1.6或以下的情况下，优选的是伴随空洞的形成。进而，希望的是随着dbmp＜0 的变形，其变形量|dbmp|为dG的2倍或以上。
进而，用的是相对比较平整的吸收带当中进一步中央部附近的话，还具有相对于记录 读取光λ的变动较稳定这种优点。
另一方面，使用短波长端λS的记录读取的情况下，也可以使用在已知的CD-R、DVD-R 所用的长波长区域具有主吸收带的色素及其衍生物，在这一方面较为理想。这样的色素， 性质已为人所熟知，安全性、稳定性也具有可信赖的数据。另外，其合成途径或量产方法 也可确立，在成本上也很有利。
另外，作为利用λS情形的优点可例举的有，色素的吸收带几乎不会延伸到波长400nm 或以下的紫外光波长区域，所以不必担心吸收紫外光而变差的情形。这不仅是单纯的随时 间变化的稳定性的问题，而且还有可以在外覆层形成中利用紫外线硬化树脂的旋涂法这种 优点。尽可能以涂布型工艺予以统一，可抑制装置成本，因而较为理想。
通常的紫外线硬化树脂硬化用的紫外线照射装置的汞灯等，就能将大致350nm或以下 波长区域的光用于聚合引发剂的激发。尤其是350nm或以下波长区域的衰减系数kd以0.5 或以下为佳，0.3或以下更佳。即使为0也无妨。
具有上述吸收带的色素，可例举次甲基系、(含金属族)偶氮系、二吡咯甲酮系、卟啉 系化合物等及其混合物。具体来说，含金属族偶氮系色素(日本特开平9-277703号公报、 日本特开平10-036693号公报等)、二吡咯甲酮系色素(日本特开2003-266954号公报)由于 本身耐光性优异，并且TG-DTA的重量减少开始温度Td在150℃～400℃，具有陡急的减 量特性(分解物的挥发性高，易于形成空洞)，所以较为理想。特别优选的是nd＝1.2～1.9、 kd＝0.3～1、Td＝150℃～300℃的色素。其中以满足上述特性的含金属族偶氮色素为佳。
作为偶氮系色素来说，具体而言，可例举由6-羟基-2-吡啶酮结构形成的偶合(coupler) 成分和具有选自异噁唑(isoxazole)三唑、吡唑中任一种的重氮成分的化合物以及由该有 机色素化合物配位的金属离子所构成的金属络合物。尤其是优选具有下述通式[I]～[II]的含 金属族吡啶酮偶氮化合物。
【化合物1】

(式中，R1～R10代表各自独立、为氢原子或1价的官能基。)
而且，优选下述通式[IV]或[V]所示的环状β-二酮偶氮化合物与金属离子所成的含金属 族环状β-二酮偶氮化合物。
【化合物2】

(式中，环A是与碳原子及氮原子一起形成的含氮芳香杂环，X、X′、Y、Y′、Z是各 自独立、除氢原子以外的也可带有取代基(含有螺旋)的碳原子、氧原子、硫原子、以N-R11 表示的氮原子、C＝O、C＝S、C＝NR12其中的任一种，与β二酮构造一起可形成5或6元环 构造。R11表示氢原子、直链或支链的烷基、环状烷基、芳烷基、芳基、杂环基、-COR13 所示的酰基、表示-NR14R15的氨基其中的任一种，R12表示氢原子、直链或支链的烷基、芳 基。R13表示烃基或杂环基，R14、R15表示氢原子、烃基或杂环基，并且上述可根据需要被 置换。而X、X′、Y、Y′、Z为碳原子或N-R11所表示的氮原子的情形下，相邻两者的结合 为单键或双键均可。进而X、X′、Y、Y′、Z为碳原子、N-R11所示的氮原子，C＝NR12的情 形下，相邻两者之间可以互相缩合、形成饱和或不饱和的烃环或杂环。)
也可以是下述通式[VI]所示的化合物与金属所成的含金属族偶氮化合物。
【化合物3】

(式中A表示与其所结合的碳原子及氮原子一起形成杂芳香环残基，X表示具有活性 氢的基，R16及R17系表示各自独立表示氢或任意的取代基。)
进而，可例举下述通式[VII]所示的含金属族偶氮化合物。
【化合物4】

(式[VII]中，环A为可与碳原子及氮原子一起形成的含氮杂芳香环，XL则表示因L脱离而 使X为阴离子并可使金属配位的取代基。R18、R19是各自独立的表示氢原子、直链或支链 的烷基、环状烷基、芳烷基或链烯基，它们也可与各个相邻的取代基之间或者它们互相形 成缩合环。R20、R21、R22各自独立的表示氢或任意的取代基。)
上述偶氮系色素，源自现有CD-R或DVD-R所使用的偶氮系色素，进而，具有在短 波长的主吸收带，400nm附近的衰减系数kd成为0.3～1左右那么大的值，所以较为理想。 作为金属离子来说，可例举Ni、Co、Cu、Zn、Fe、Mn的2价金属离子，但尤其是含有 Ni、Co的情况下，在耐光性、耐高温高湿环境性方面优异，所以较为理想。此外，式[VIII] 所示的含金属族偶氮系色素其通过长波长化，也可作为后面所述的化合物Y使用。
作为吡喃酮系色素来说，具体而言，优选具有下述通式[VIII]或[IX]的化合物。
【化合物5】

(式[VIII]中，R23～R26表示氢原子或任意的取代基，而R23与R24、R25与R26各自缩合 以形成烃环或杂环构造。所述烃环及杂环，也可具有取代基。X1表示吸电基，X2表示氢原 子或-Q-Y(Q为直接结合、碳原子数1或2的烷撑基、亚芳基或杂亚芳基，Y表示吸电基。 该烷撑基、该亚芳基、杂亚芳基除了Y以外也可以具有任意的取代基。Z为-O-、-S-、-SO2-、 -NR27-(R27为氢原子、可被取代的烃基、可被取代的杂环基、氰基，羟基，-NR28R29(R28、 R29表示各自独立氢原子、可被取代的烃基或可被取代的杂环基，-COR30-(R30表示可被取 代的烃基或可被取代的杂环基。)，-COR31(R31表示可被取代的烃基或可被取代的杂环基)。)
【化合物6】

(式[IX]中，R32～R35表示氢原子或任意的取代基，R32与R33、R34与R35各自缩合以可 形成烃环或杂环构造。该烃环及该杂环也可具有取代基。环A表示与C＝O一起可具有取 代基的碳环式酮环或杂环式酮环，Z为-O-，-S-，-SO2-，-NR36-(R36表示氢原子、可被取代 的烃基、可被取代的杂环基、氰基、羟基、-NR37R38(R37R38为各自独立表示氢原子、可被 取代的烃基或可被取代的杂环基，-COR39-(R39表示可被取代的烃基或可被取代的杂环基。)， -COR40(R40表示可被取代的烃基或可被取代的杂环基)。)
另外，本实施方式可适用的光记录介质20中，nd比2左右更大的色素X，可混合nd ＜nc色素或其它有机物、无机物材料(混合物Y)，也可使记录层22的平均nd降低，与nc 成为同等或以下。在此情形，nd＞nc的色素，主要使用kd值大的色素来实现光吸收功能， 而nd＜nc的色素主要由于分解将应产生dbmp＜0变形的材料予以混合，所以较为理想。另 外，在此情形下，材料也可为色素。
色素X，nd＞nc，尤其，nd＞2，主吸收带在记录读取光波长的长波长侧(图9的λL 带域)，为具有高折射率的色素。作为这种色素来说，以主吸收带的峰值在300nm～400nm、 折射率nd在2～3范围内为佳。
色素X，具体来说，可例举卟啉、1，2-二苯乙烯、(碳)苯乙烯基、香豆素、吡喃酮、 查耳酮、三唑、次甲基系(花青系，oxonol系)、磺酰亚胺(surfonylimine)系、吖内酯系化 合物等及其混合物。尤其是，香豆素系色素(日本特开2000-043423号公报)、羟基喹啉基 系色素(日本特开2001-287466号公报)、前述吡喃酮系色素(日本特开2003-266954号公报) 等由于具有适度分解或升华温度，所以较为理想。而且，虽非主吸收带，但理想的是在 350nm～400nm附近有以此为基准的强吸收带的酞菁、萘酞菁化合物及其衍生物，进而连 同其混合物。
作为混合物Y方面，可例举含金属偶氮系色素，主吸收带在600nm～800nm的波长带 的含金属偶氮系色素。适于CD-R或DVD-R使用的色素中理想的是在405nm附近衰减系 数kd为0.2或以下进而为0.1或以下的色素。其折射率nd在长波长端λL虽然高至2.5或以 上，但因为与短波长端的吸收峰充分远离，所以为1.5左右较合适。
具体来说，可例举日本特开平6-65514号公报中所公开的通式[X]所表示的含金属族偶 氮化合物。
【化合物7】

(式[X]中，R41、R42表示氢原子、卤原子、碳原子数1～6的烷基、氟化烷基、支链烷 基、硝基、氰基、COOR45、COR46、OR47、SR48(R45～R48表示碳原子数1～6的烷基、氟 化烷基、支链烷基、环状烷基)，X表示氢原子、碳原子数1～3的烷基、支链烷基，OR49、 SR50(R49、R50表示碳原子数1～3的烷基)，R43、R44表示氢原子、碳原子数1～10的烷基、 支链烷基、环状烷基，其与邻接的苯环键结合，或者氮原子、R43、R44形成一个环也无妨。)
或者，日本特开2002-114922所揭示的通式[XI]所表示的含金属族偶氮化合物也较为理 想。
【化合物8】

(式[XI]中，R51、R52表示氢原子、卤原子、碳原子数1～6的烷基、氟化烷基、支链烷 基、硝基、氰基、COOR55、COR56、OR57、SR58(R55～R58表示碳原子数1～6的烷基、氟 化烷基、支链烷基、环状烷基)，X表示氢原子、碳原子数1～3的烷基、支链烷基、OR59、 SR60(R59、R60表示碳原子数1至3的烷基)，R53、R54表示氢原子、碳原子数1～3的烷基。)。
本实施方式中，记录层22虽以涂布法、真空蒸镀法等形成，但理想的是以涂布法形 成。即，以上述色素为主成分与结合剂，淬灭剂等一起溶解于适当溶剂来调整记录层22 涂布液，涂布在前述反射层23上。溶解液中的主成分色素的浓度通常在0.01重量％～10 重量％范围内，优选0.1重量％～5重量％，进一步优选0.2重量％～2重量％。藉此，通常 按1nm～100nm左右的厚度形成记录层22。为了使其厚度不足50nm，理想的是使上述色 素浓度不足1重量％，更为理想的是不足0.8重量％。而且，进一步调整涂布的转数也较为 理想。
作为溶解主成分色素材料等的溶剂来说，可例举乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇二丙 酮醇等的醇；四氟丙醇(TFP)、八氟戊醇(OFP)等的氟化烃系溶剂；乙二醇单甲基醚、乙二 醇单乙基醚、丙二醇单甲基醚等的乙二醇醚类；乙酸丁酯、乳酸乙酯、乙酸甲基纤维素等 的酯；二氯甲烷、氯仿等的氯化烃；二甲基环己烷等的烃；四氢呋喃、乙基醚、二噁烷等 的醚；甲基乙基酮、环己酮、甲基异丁基酮等的酮等。考虑应溶解的主成分色素材料的溶 解性来适当选择上述溶剂，另外，也可以混合使用2种以上溶剂。
作为结合剂来说，可使用纤维素衍生物、天然高分子物质、烃系树脂、乙烯系树脂、 丙烯系树脂、聚乙烯醇、环氧树脂等有机高分子等。进而，在记录层22，为了提高其耐光 性，也可含有各种色素或色素以外的防褪色剂。作为防褪色剂来说，一般而言可使用一重 态氧淬灭剂。一重态淬灭剂等的防褪色剂的使用量，相对于上述记录层材料，通常为0.1 重量％～50重量％，优选1～30重量％，进一步优选5重量％～25重量％。
作为涂布方法来说，可例举喷洒法、旋涂法、浸渍法、辊涂布法等，尤其是盘片上记 录介质中，旋涂法确保膜厚的均匀性并且可减低缺陷密度，从而较为理想。
(界面层)
本实施方式中，尤其是通过在记录层22与外覆层24之间设置界面层，可有效利用记 录层22膨胀至外覆层24侧，dbmp＜0。外覆层24的厚度优选1nm～50nm。进一步优选上 限为30nm。而且，下限优选5nm或以上。界面层的反射最好尽可能小。这是因为，选择 性利用来自作为主反射面的反射层23其反射光的相位变化。本实施方式中不希望界面层 具有主反射面。因此，界面层与记录层22，或界面层与外覆层24两者折射率之差小较为 理想。其差值不论何种均为1或以下为好，0.7或以下更佳，0.5或以下最佳。
另外知道有以下效果：用界面层对如图4所示混合层25m的形成进行抑制，或以逆构 成防止在记录层22上粘贴外覆层24时粘接剂引起的腐蚀，或防止涂布外覆层24时溶剂 所造成的记录层22的溶出，本实施方式中，也可综合利用这些效果。用作界面层的材料， 优选相对于记录读取光波长透明、且化学、机械、热等方面稳定的材料。这里，透明是指 相对于记录读取光束27的透射率为80％或以上，但90％或以上更佳。透射率的上限为 100％。
界面层理想的是金属、半导体等氧化物、氮化物、碳化物、硫化物、镁(Mg)、钙(Ca) 等氟化物等的电介质化合物或其混合物。界面层的折射率，如前文所述，优选与记录层或 外覆层的折射率之差为1或以下材料，作为折射率数值则优选1～2.5范围。可以根据界面 层的硬度或厚度，对记录层22的变形、尤其是对外覆层24侧的膨胀变形(dbmp＜0)进行促 进或抑制。为了有效运用膨胀变形，优选硬度相对较低的电介质材料，尤其是优选ZnO、 In2O3、Ga2O3、ZnS、或稀土类金属的硫化物中混合了其它金属、半导体的氧化物、氮化物、 碳化物的材料。而且，也可以使用塑料的溅射膜、烃分子的等离子聚合膜。另外，即使设 置界面层，但如果其厚度或折射率在记录槽部及槽间部中均匀，不因记录而发生显著变化 的话，式(2)、式(3)的光程、式(7)～式(9)仍按原样成立。
(外覆层)
外覆层24选择相对于记录读取光束27透明且复折射率少的材料，通常用粘接剂粘贴 塑料板(称为薄片)，而涂布后用光、放射线、或热等予以硬化形成。外覆层24相对于记录 读取光束27的波长λ以透射率70％或以上为佳，以80％或以上更佳。
作为薄片材料使用的塑料，有聚碳酸酯，聚烯烃，丙烯酸，三乙酸纤维素，聚对酞酸 乙二酯等。可使用光、放射线硬化、热硬化树脂、或感压性的粘接剂用于粘接。而且，作 为感压性粘接剂，可使用丙烯酸系、甲基丙烯酸酯系、橡胶系、硅系、胺甲酸乙酯系的各 聚合物所形成的粘接剂。
例如，将构成粘接层的光硬化性树脂溶解于适当溶剂来调整涂布液后，将此涂布液涂 布于记录层22或界面层上来形成涂布膜，在涂布膜上使聚碳酸酯薄片重叠。其后，根据 需要在重叠状态下使介质旋转等将涂布液进一步延伸展开后，用UV灯照射紫外线使其硬 化。或预先将感压性粘接剂涂布于薄片，将薄片在记录层22或界面层上重叠后，以适度 压力按压来压接。
作为上述粘接剂来说，从透明性、耐久性的观点来说，优选丙烯酸系、甲基丙烯酸酯 系聚合物粘接剂。具体来说，是以2-乙基己基丙烯酸酯、正丁基丙烯酸酯、异辛基丙烯酸 酯等作为主成分的单体，使上述主成分单体与丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸酰胺衍生物、 顺丁烯二酸、羟基乙基丙烯酸酯、环氧丙基丙烯酸酯等极性单体予以共聚合。可根据主成 分单体的分子量调整、其短链成分的混合、丙烯酸所产生的交联点密度的调整，控制玻璃 态转变温度Tg、瞬间粘接性能(低压力接触时紧接着形成的粘接力)、剥离强度、剪断保 持力等物性(非专利文献11第9章)。作为丙烯酸系聚合物的溶剂来说，可使用乙酸乙酯、 乙酸丁酯、甲苯、甲基乙基酮、环己烷等。上述粘接剂进一步含有聚异氰酸酯系交联剂较 为理想。
而且，粘接剂使用的是如前文所述材料，与外覆层薄片材的记录层侧相接触的表面上 均匀涂布规定量，使溶剂干燥后，粘贴于记录层侧表面(有界面层的情况下为其表面)利用 辊子等施加压力予以硬化。当将涂布该粘接剂的外覆层薄片材与形成了记录层的记录介质 表面粘接时，较好是在真空中粘合以免空气混入而形成气泡。
而且，在脱模薄膜上涂布上述粘接剂使溶剂干燥后，将外覆层薄片粘贴，进而将脱模 薄膜剥离使外覆层薄片与粘接层一体化后，与记录介质粘贴亦可。
利用涂布法形成外覆层24的情况下，虽可使用旋涂法、浸渍法等，但尤其是对于盘 片介质大多使用旋涂法。作为涂布所形成的外覆层24的材料来说，同样使用胺基甲酸乙 酯、环氧基、丙烯酸系树脂等，涂布后照射紫外线、电子束、放射线，促进自由基聚合或 者阳离子聚合进行硬化。
这里，为了利用dbmp＜0的变形，理想的是外覆层24至少与记录层22或上述界面层 相接触侧的层(至少为与dGL同程度或更厚的范围)易于跟随其膨胀变形。而且，理想的是 dbmp在dG的1倍～3倍范围内。理想的是，反倒积极利用1.5倍或以上的大变形。外覆层 24最好具有适度的柔软性(硬度)，例如外覆层24由厚度50μm～100μm树脂的薄片材料 所形成，以感压性的粘接剂粘贴的情况下，粘接剂层的玻璃态转变温度低至-50℃～50℃， 相对比较柔软，所以dbmp＜0的变形相对较大。尤其理想的是，玻璃态转变温度为室温或 以下。由粘接剂形成的粘接层其厚度通常以1μm～50μm为佳，以5μm～30μm更佳。 理想的是设置变形促进层以控制粘接层材料的厚度、玻璃态转变温度、交联密度来积极控 制这种膨胀变形量。或者，涂布法所形成的外覆层24中，为了控制变形量dbmp，也希望1 μm～50μm、最好是5μm～30μm厚度的相对较低硬度的变形促进层，以及与其余厚度 层分开进行多层涂布。
这样，外覆层的记录层(界面层)侧形成由粘接剂、接着剂、保护涂层剂等所形成的变 形促进层的情况下，为赋予一定的柔软性，玻璃态转变温度Tg以25℃或以下为好，0℃或 以下较佳，-10C或以下更佳。这里所说的玻璃态转变温度Tg是粘接剂、接着剂、保护涂 层剂等硬化后所测定的值。Tg的简便测定方法为示差扫描热分析(DSC)。而且，利用动态 粘弹性率测定装置，也可测定贮藏弹性率的温度依存性(非专利文献11第5章)。
促进dbmp＜0变形，不仅可使LtoH的信号振幅变大，还有减小记录所需的记录功率的 优点。另一方面，变形过大的话，信号间交互干扰便变大，或使推挽信号变得过小，因而 变形促进层较为理想的是，即便是玻璃态转变温度或以上也保持适度的粘弹性。
外覆层24为了进一步在其入射光侧表面赋予耐擦伤性、耐指纹附着性这种功能，也 有时在表面上另行设置厚度0.1μm～50μm左右的层。外覆层24的厚度，取决于记录读 取光束27的波长λ或物方透镜28的NA(数值孔径)，但以0.01mm～0.3mm范围为佳，以 0.05mm～0.15mm范围更佳。含有接着层或硬涂覆层等厚度的全体厚度，较为理想的是形 成为在光学上可容许的厚度范围。例如所说的蓝光光盘，以控制在100μm±3μm左右或 以下为佳。
另外，如设置变形促进层情形那样，在外覆层的记录层侧设置折射率不同层的情况下， 作为本发明中的外覆层折射率nc来说，参照记录层侧的层的折射率数值。
(其它构成)
本实施方式中，除了上述记录层22和外覆层24两者的界面以外，为了防止相互层之 间的接触·扩散或为了调整相位差和反射率，可以在基板21、反射层23、记录层22的各自 界面插入界面层。
(其它实施方式)
(1)多层记录用半透明记录介质
可适用本实施方式的光记录介质20中，使反射层23的膜厚变薄，以便形成为记录读 取光的大约50％或以上可透射反射层23这种薄度的话，便可实现所谓的多层记录介质。 也就是说，在基板21上设置多个信息层的记录介质。
图10是设置2层信息层的光记录介质100的说明图。记录读取光束107入射侧的信 息层称为L1层，而处于背侧的信息层称为L0层。L1层最好透射率为50％或以上。L1层 的半透明反射层113，例如为Ag合金的话，Ag合金以膜厚1nm～50nm为佳，更佳为5nm～ 30nm，最佳为5nm～20nm。像这样透过性高的反射层称为半透明反射层113。L0层和L1 层两者之间，为了防止各自信号的交互干扰，可设置透明中间层114。另外，图10中I0 层的反射层103，可使用与上述反射层23(图2)同样的材料。但这种情况下，主反射面在 L1层中处于半透明反射层113和记录层112两者之间的界面，在L0层中则处于反射层103 和记录层102两者之间的界面，这一点在本实施方式中很重要。
例如记录读取光束107波长λ＝405nm、NA(数值孔径)＝0.85的光学系中，中间层114 的厚度约25μm，外覆层111的厚度约75μm左右。中间层114的厚度分布，同样以±2 μm或以下为佳。各个L0层、L1层，可以在本实施方式适用的光记录介质100的层构成 范围中使用不同层构成，也可使用相同的层构成。使用于各自信息层的色素为主成分的记 录层102、112的组成或材料，可以相同，也可以不同。
本实施方式中，尤其是，因为利用相位变化，可期待在记录前后透过L1层的光量几 乎无变化。这意味着L1层与记录·未记录无关，对L0层的透过光量、来自L0层的反射光 量几乎无变化，与L1层的状态无关稳定地进行L0层的记录读取，所以较为理想。
(2)部分(partial)ROM盘片
本实施方式适用的光记录介质20中，在记录层22的读取光的吸收相对较小。因此， 镜面部中来自反射膜本身的反射光强度，在记录层22中几乎无衰减。结果，可维持记录 层膜厚为零的情况的反射光强度的50％或以上值。另一方面，记录槽部为基板槽部，其深 度是“中间槽”，因而未记录状态的Rg可低至3％～30％。通常，ROM的凹坑深度，考虑 调制度和推挽信号强度，图6中，相位差Φ设定于π/2～π的范围，故本发明的中间槽的 深度与ROM的凹坑深度大致相同。具体来说，ROM凹坑周边部的反射光的相位减去该凹 坑部反射光的相位的值，Φp可与式(2)所定义的Φb大致相同。因此，配置得部分断续形 成记录槽的记录凹坑的话，如通常的ROM一样，利用相位所产生的反射光强变化，可预 先在基板上记录信息。此外，形成部分断绝记录槽的部分和连续槽部的话，可容易实现部 分ROM。这是图6的“浅槽”或“深槽”的话，难以取得ROM部的信号振幅，或难以进 行凹坑的转印。现有的CD-R、DVD-R为“深槽”，需要另行使凹坑深度加大形成为不同 的“中间槽”的范围，首先要在基板上形成部分ROM就非常困难。
但根据本发明，槽的断续或连续，母盘形成时的玻璃掩膜(glassmaster)上的感光胶 厚度也可为固定不变，曝光用激光的通·断可容易实现。通常感光胶的曝光部分为基板的槽 或者凹坑部。可以使用这样形成的母盘，形成在基板上的至少一部分设置与记录槽相同深 度的凹坑列所形成的只读数据区域的基板。此基板上，通过与ROM部、记录槽部一起形 成与图2相同的层构成，具体来说：至少具有光反射功能的层23；未记录状态中相对于记 录读取光波长含有具有光吸收功能的色素作为主成分的记录层22；相对于上述记录层让记 录读取光入射的外覆层24，由此可形成部分ROM介质。本发明的光记录介质中，色素主 成分记录层22的记录读取光的吸收小，可使透射率为70％或以上，因而ROM部中可获得 与无色素主成分记录层的ROM介质大致同等的反射率和调制度。而且，记录槽部形成记 录凹坑后，有一些低的记录后反射率RH可获得接近于ROM部的标记间(空档)反射率的反 射率，因而可进行仍保持相同伺服增益的伺服。记录槽部中，用于ROM介质的跟踪伺服 所使用的基于DPD(差分相位检测，Differential Phase Detection)法的跟踪，还有与ROM部 相同这种优点。DPD信号对(记录)凹坑(标记)部的相位差贡献大，因而具有以相位变化为 主的记录凹坑部的本发明记录介质，可确保与ROM部同等大小的DPD信号。
另外，如上所述的部分ROM的制造法中，ROM部凹坑深度和记录槽的深度dGLS相 同，但不需要严格相同。并非例如曝光用的激光通·断这种激光功率的2值调制，使凹坑部 和记录槽部的通或断时的功率不同的话，也可使凹坑深度和记录槽的深度有所不同。这样， 本发明中记录凹坑和记录槽的深度为相同，是指|Φp-Φb|不足π/2。但通常以π/3或以 下为佳，π/4或以下更佳。
而且，将用于记录层22的色素形成为按特定条件或者随时间变化而易于腐蚀的话， 便可实现一种初期可读取、而设定的期间后不可读取的ROM介质。例如，可用于在录像 带出租店的数字·录像带·盘片，在设定的租赁期间后，若无法读取，则因无法退而会减少 被不当利用的隐患。
另一方面，将用于记录层22的色素形成为初期不透明而在特定条件下或者随时间变 化而变得透明，便可实现一种在配送时不可读取而配送到用户手头后才可读取这种ROM 介质。
此外，对ROM凹坑部照射记录光束，以进行为本实施方式中所说明的记录方法的LtoH 记录的话，通过使凹坑部的反射率升高而无法对ROM信号进行读取这种用法也可行，可 用于记录介质上信息的加密保护。
(3)有关推挽信号的附加规定
图1所示的现有构成的光记录介质10，以涂布法形成记录层12，所以dG＞dL。因此， 形成于记录层12上的反射基准面的槽落差dGL，比基板11上的槽落差dGLS浅。即dGL＜dGLS。 所以，图1构成的光记录介质10中，即便使dGLS为图6中所说明的“深槽”的深度，反 射基准面也可形成为“浅槽”～“中间槽”左右的落差。而且，为了确保未记录的反射率 Rg的ROM兼容性，通常设计为高至50％～80％左右。因此，归一化推挽信号强度IPPnorm 在DVD中通常为0.2～0.4左右。光记录装置中配合这种归一化推挽信号强度值来设计， 即便是下一代的蓝色激光适应的记录装置，是基于在介质侧实现同样数值这种假定上进行 设计的。
另一方面，如图2所示的可适用本实施方式的光记录介质20，已提及反射基准面的槽 落差dGL与基板槽落差dGLS大致相等。根据本案发明人的讨论，dGLS用的是图6中所述的 “中间槽”的话，dGL也为同等值。而且，未记录状态的记录槽部反射率与现有ROM兼容 介质相比也较低，通常为3％～30％左右。因此，IPPnorm比现有构成的光记录介质10(图1) 大，按情况为超过1的较大值。而记录后，反射率升高，IPPnorm大多降低至记录前的50％ 左右。但至少IPPnorm为了使跟踪伺服稳定，希望确保在0.2或以上。尤其是为了使记录前 IPPnorm变小而接近于“浅槽”的话，便无法获得充分的信号振幅。因而，至少记录后，形 成为与现有DVD-R同程度的IPPnorm值，即0.2～0.5。而且，记录前为了维持此值，理想 的是使IPPnorm为0.5～0.8。因此，记录读取光波长λ为约405nm、NA(数值孔径)＝0.85的 光束，较为理想的是轨迹间距为0.32μm，为40nm或以上60nm或以下。槽宽 为0.14μm～0.18μm。而且，未记录状态的记录槽部反射率Rg优选为10％～25％。因此， 使记录层膜厚dG为20nm～40nm、折射率nd为1～2、衰减系数kd为0.2～0.5更佳。
(相位差所产生记录的验证)
主要是，由于图4所示记录凹坑部25p的相位变化ΔΦ，LtoH记录如何进行，可以按 如下方式验证。另外，就图3中记录凹坑部16p、图5中记录凹坑部26p的相位变化其贡 献来说也以同样方式验证。本实施方式中，记录层22记录前后的平面状态的反射率变化 所产生的反射光强变化并非记录的主要要素。因此，将反射层23、记录层22、外覆层24 等层构成设于平面上进行记录时，与引导槽深度为“中间槽”情形相比较，可按LtoH极 性获得毫无逊色的信号振幅的话，便可认为并非相位变化所产生的反射光强变化，而是以 平面状态的反射率变化所产生的反射光强为主。
或者，对镜面部(处于平面状态的部分)进行记录的情况下，即使可观测到或多或少的 信号振幅，但其信号振幅为按规定的“中间槽”深度进行LtoH记录这种情形的信号振幅 的一半或以下的话，便可认为主要的信号振幅因素为相位的变化。
本实施方式中，如图6所示，通过设置引导槽，相对于平面未记录状态的反射率R0， 使记录槽部的未记录状态的反射光强降低，通过记录产生槽深度在光学上变浅这种相位变 化，并使记录后的反射光强接近于R0，以此为主要的记录原理。所以，如上所述，平面上 的记录中使反射光强比R0大幅增加是不可能的。按照图6，只要有ΔΦ＞0的相位变化， 便进一步造成反射光强降低、即HtoL记录的可能性很高。该情况下，推挽信号的极性反 转。
由R0使反射光强增加，由于记录层22的吸收率显著降低，记录层22的吸光量大幅 减少、与反射光强的增加相联系的可能性很高。用集束光对完全平面(镜面部)进行记录接 着读取的验证，因为无法跟随跟踪伺服而有可能很困难，该情况下，例如20nm～30nm左 右的极浅槽中，维持对引导槽跟踪的同时进行同样的试验，同样与“中间槽”情形相比较 LtoH的记录信号振幅大幅(大致一半或以下)降低的话，可判断相位变化起作用。这种浅槽 的情况，在可观察较大的LtoH记录信号振幅的情况下，仍然是以记录层22的衰减系数kd 的显著降低相对于平面状态下反射率降低的记录的贡献为主，但可认为与本实施方式中基 于相位差的记录方法并不相同。
或者，即使不完全进行平面状态下的记录，引导槽深度从接近于|Φb|＝π的深度变 浅时，大致变得比|Φb|＝π/2浅的情况下，LtoH的信号振幅降低的话，便同样可判断相 位变化起作用。
(薄膜状态下记录层折射率的测定)
本实施方式中记录层22的折射率，使用以下方法测定的值。光学常数(复数折射率 nd*＝nd-i·kd)是以椭圆偏振光分析测定法(偏振光分析)来测定。下面叙述其测定和运算方法。
椭圆偏振光分析测定法是以p偏振光、s偏振光对试样进行照射，根据光反射所产生 的不同偏振光状态，来测定光学常数或薄膜的膜厚等的方法。作为测定值来说，可获得下 式定义为p偏振光、s偏振光的振幅反射系数rp、振幅反射系数rs之比的相位差Δ及振幅 比ψ，根据此值通过基于数值计算(最小二乘法)的拟合等来算出光学常数或薄膜膜厚。
【数学式1】
$\rho \equiv \tan \mathrm{\Psi exp}\left(\mathrm{i\Delta }\right)\equiv \frac{r_p}{r_s}---\left(22\right)$
本测定中，首先，准备在聚碳酸酯所形成的基板上涂布了色素的样品，改变来自空气 中的波长λ＝405nm光的入射角的同时，使其入射样品，测定上述ψ和Δ的入射角依存性。
另一方面，一般来说可知道，自空气侧将波长λ光以入射角θ0入射于与介质(空气)/ 薄膜(色素)/基板(聚碳酸酯)所形成的样本时的ρ＝tanψ·exp(iΔ)是将介质、薄膜、基板的复 数折射率分别设定为N0、N1、N2＝nd*，而薄膜的膜厚为d时用下式(23)表示(非专利文献 10)。
【数学式2】
$\rho =\left[\frac{r_{01,p}+r_{12,p}\exp (-i2\beta )}{1+r_{01,p}{r}_{12,p}\exp (-i2\beta )}\right]/\left[\frac{r_{01,s}+r_{12,s}\exp (-i2\beta )}{1+r_{01,s}{r}_{12,s}\exp (-i2\beta )}\right]---\left(23\right)$
【数学式3】
β＝2πdN1cosθ1/λ                (24)
【数学式4】
$r_{\mathrm{jk},p}=\frac{N_k\cos {\theta }_j-N_j\cos {\theta }_k}{N_k\cos {\theta }_j+N_j\cos {\theta }_k}---\left(25\right)$
【数学式5】
$r_{\mathrm{jk},s}=\frac{N_j\cos {\theta }_j-N_k\cos {\theta }_k}{N_j\cos {\theta }_j+N_k\cos {\theta }_k}---\left(26\right)$
但(j，k＝0，1，2)
【数学式6】
N0sinθ0＝N1sinθ1＝N2sinθ2        (27)
以此式(23)，与上述测定的ψ和Δ的入射角依存性无矛盾的情况下可说明的色素薄膜 的复数折射率N2(＝nd*＝nd-i·kd)及膜厚d以最小二乘法来求得。
另外，在此空气的折射率N0和聚碳酸酯的折射率N1可根据文献值等采用N0＝1.0、 N1＝1.58。
但这里的最小二乘近似，仅可求得复数的nd、kd、d的组合而无法求得唯一值。但如 果能够求得nd，kd，d中的任一值，则其它的两个值就可确定。
因本测定的目的是求得nd，kd所以有必要用其它途径求得d。因此，本实施方式，利 用了nd，kd是依存于波长的量，而d为不依存于波长的量。即，在色素的吸收光谱的波长 依存性中，对于无吸收，即，将kd视为零的波长λ0，首先，求得nd、d，接着，使用此d 求得设定的波长λ(记录读取光波长)的nd、kd。
以下，以具体实施例阐述具有下述结构式的含Ni偶氮色素(色素A2)(在氯仿溶液中的 摩尔吸光系数为55000)的光学常数的求得过程。
首先，在直径120mm的圆盘状的无引导槽的平坦表面的聚碳酸酯基板上，在其中 心附近滴下0.8g含有0.75wt％色素A2的八氟戊醇(OFP)溶液，在20秒之内，使旋转数上 升至4200rpm，维持3秒旋转，将含有色素A2的OFP溶液展开。其后在100℃保持1小 时，将溶剂OFP挥发，形成色素A2的薄膜。
【化合物9】

使用日本分光公司制偏振光测定计「MEL-30S」，在40°～50°的范围测定波长405nm 处的ψ、Δ的入射角依存性。这里，图20是表示色素A2的偏振光分析测定法测定数据的 一例。相对于此测定值，使用上述式(23)最小二乘法来求得nd、kd、d。在此使用最小二乘 法的情形，给予作为初始条件的有贡献的d时，可求得多个nd，kd，d的组合候补。将nd， kd的d依存性以图表示出来就是如图21所示。在此，图21是，由色素A2的由偏振光测 定得到的ψ、Δ为基础，使膜厚d作为初始值来求得nd，kd、表示d依存性的图。即，根据 图21，在将d作为可变参数赋予数值时，由最小二乘法，式(23)中可求得说明rs，rp的入 射角依存性的最佳近似值的nd，kd。
接着，为求得膜厚d首先以日立公司制光谱计「U3300」来测定色素的吸收光谱。在 此，图22是表示色素A2的吸收光谱的一例图。根据图22，可知在(波长)＝700nm并无吸 收。在此(波长)＝700nm同样地在40°～50°的范围测定ψ，Δ的入射角依存性，在式(23) 附加kd＝0的条件，使用最小二乘法时，可唯一求得n及d＝28.5nm。此d值用于图21，可 求得波长405nm处折射率、衰减系数nd＝1.37，kd＝0.48。
以吸收带的各波长重复进行同样步骤，来求得色素A2的主吸收带的nd*的波长依存性。 这里，图23是有反常色散的主吸收带的复折射率nd*的波长依存性的实测例。根据图23， 由本测定法确认图19所示的相对于比较不陡的吸收带存在着克拉茂-克朗尼希 (Kramers-Kronig)型反常色散关系。
在后述实施例、比较例中，可以同样顺序求得各色素的nd*。
(关于与本发明涉及的记录方法及光记录装置)
此外，本发明提示的光记录方法，对于具有下述结构的光记录介质：其依次层积有在 形成引导槽的基板上至少具有光反射功能的层、在未记录时相对于记录读取光波长具有光 吸收功能的色素为主成分的记录层、以及外覆层24这种结构，将记录读取光束27入射于 该外覆层的入射面的远侧的引导槽部25作为记录槽部，从上述外覆层侧入射上述记录读 取光，使形成于该记录槽部的记录凹坑部的反射光强高于该记录槽部的未记录时的反射光 强。本记录方法，为相对于所谓膜面入射型记录介质的记录方法，尤其是可使波长350～ 450nm的蓝紫色激光二极管作为记录读取光源，而适于使用NA＝0.6～1的高NA的集聚光 束的高密度记录。
本发明所用的记录装置的基本构造，可使用与现有光记录装置相同的构造。例如，其 聚焦伺服方式或，跟踪伺服方式，可适用现有公知方式。集聚光束的焦点位置的光斑照射 于外覆层槽间部，通过跟踪伺服，形成为跟随该外覆层槽间部即可。具体来说，优选使用 图7所说明的利用推挽信号这种方法，通常可利用推挽信号。
本发明，考虑如前文所述记录凹坑和其周边部的相位不同的反射光的2维干涉检测“相 位差所产生的(局部)反射光强变化”，可使集束的记录读取光束27的光斑的记录槽部横断 方向的直径通常比记录凹坑的宽度更大。本发明中记录凹坑的宽度，受到记录槽部的槽宽 所限制，故记录束斑径D(以高斯光束(Gaussianbeam)的l/e2的强度定义)，优选比记录槽 宽(外覆层槽间部的宽)Wg更广。但，如果太广，则与邻接记录槽部的信号间干涉会增大， 故通常，以Wg＜D≤2TP，(TP为记录槽的轨距)为佳，以D≤1.5TP更佳。
在外覆层槽间部进行记录的情形，集束的记录读取光束27，是使记录层主成分色素予 以升温·发热，使引起变性(膨胀、分解、升华、熔融等)。进行标记长度调制记录的情形， 记录读取光束的功率(记录功率)随着标记长度，而进行强弱调制。此外，标记长度调制方 式，并无特别限制，为通常使用的执行长度限制编码(Run-Length-Limited符号)，EFM调 制(CD)，EFM+调制(DVD)，1-7PP调制(蓝光)等都可适用。
但以HtoL极性信号为前提的记录读取系统中，在LtoH记录之际，可使标记与在空间 的记录信号极性成为相反的方式而有使记录数据信号的极性预先予以反转的情形。如此一 来，记录后的信号在效果上可与HtoL极性的信号同等。
通常，是在标记部使记录功率为高电平Pw，在标记间(空档)为低电平Ps。Ps/Pw通常 为0.5或以下。Ps是在仅一次的照射，在记录层使不产生上述变性的功率，是为了在Pw 前使记录层预热而使用的。周知的记录脉冲策略也适用于本发明记录方法及记录装置。例 如，对应于记录标记部的记录功率Pw照射时间进而，或者在短时间内断续照射，或者在 多个功率水平调制，在Pw照射后，比转变至Ps为止的一定时间Ps更低的功率水平照射 Pb等的记录策略。
实施例
下面结合实施例详细说明本实施方式。另外，本实施方式并不局限于下述实施例。
(试样的作成方法及评价方法)
在轨迹间距0.32μm处，按槽宽约0.18μm～0.2μm、槽深约25nm～65nm的条件形 成导槽的聚碳酸酯树脂(在波长405nm的折射率1.58。下面折射率同样为波长405nm的值。) 的槽深度台阶基板上，将Ag97.4Nd0.7Cu0.9Au1.0、Ag98.1Nd1.0Cu0.9，或Ag99.45Bi0.35Nd0.2合金 靶，组成均为原子％，予以溅射形成厚度约65nm的反射层。其复数折射率，实部的折射 率为0.09，虚部的衰减系数为2。记录特性因这两者的反射层而无大差别。此外，使主成 分色素用八氟戊醇(OFP)稀释后，以旋涂法成膜。
旋涂法的条件如下。即，使各色素，如无另外说明，以0.6重量％～0.8重量％的浓度 溶解于OFP溶液，在盘片中央附近环状涂布1.5g，使盘片在1200rpm的速度旋转7秒，使 色素展开，其后，在9200rpm进行3秒旋转色素的震荡分离以进行涂布。另外，在涂布后 将盘片在100℃环境下保持1小时下将溶剂OFP蒸发除去。
其后，采用溅射法，将ZnS:SiO2(折射率约2.3)的界面层，形成为约20～30nm厚度。 此外，贴合由厚度75μm的聚碳酸酯树脂(折射率1.58)的薄片与厚度25μm的感压粘接剂 层(折射率约1.5)组成的合计厚度100μm的透明外覆层。该外覆层的透射率为约90％。而 本构成中在使记录层膜厚成为零的情形的盘片平面部(镜面部)的反射率约60％。在测定时， 在参照光路插入无色素涂布的聚碳酸酯树脂基板，可减去在紫外区域基板吸收的影响。
而且，基板的槽深度及槽宽使用原子间作用力显微镜(AFM：Digital Instruments公司制 NanoScope IIIa)来测定。
在聚碳酸酯树脂基板上被涂布的，在单独记录层的涂膜状态的吸收光谱，使用分光光 度计(日立制作所制U3300)来测定。又，TG-DTA所致重量减少开始温度的测定，是将3mg～ 4mg的色素粉末用乳钵磨碎成为均一的方式，将粉末样本使用精工仪器公司制TG-DTA装 置(TG/TDA6200)，自300℃～600℃，以10℃/分钟(min)的升温速度进行。流动气体使 用氮气。透光密度(OD)值，摩尔吸光系数(ε)，是将色素在氯仿中溶解(色素浓度5mg/l)， 同样以上述分光光度计测定。是主吸收带中最强吸收波长(峰值)处的值。
盘片的记录读取评价，是使用具有记录读取光波长λ＝406nm，NA(数值孔径)＝0.85， 集束斑径约0.42μm(成为l/e2强度的点)的光学系统的脉冲科技公司制ODU1000试验机来 进行。记录读取，是相对于图2及图4中外覆层槽间部25(基板槽部，in-groove)来进行。
盘片，是使线速度5.3m/s(记录条件1)或4.9m/s(记录条件2)为1倍速，使其以1倍速 或2倍速旋转。记录条件2比记录条件1线密度更高。
使记录功率在5mW～9mW的范围内变化，读取则仅在1倍速进行。读取光功率则为 0.35mW。
在记录中使用(1，7)RLL-NRZI所调制的标记长度调制信号(17PP)。在1倍速的基准时 钟周期T，成为15.15nsec.(信道时钟(Channel clock)频率66MHz)，在2倍速则为7.58nsec.(信 道时钟频率132MHz)。
抖动(Jitter)测定，是使记录信号由限幅均衡器(Limit Equalizer)使波形均衡后进行二进 制变换，将经过二进制变换的信号的上升边缘及下降边缘，与信道时钟信号的上升边缘的 时间差的分布σ根据时间间隔分析器予以测定，使信道时钟周期为T，由o/T测定。(数据 对时钟的抖动)。这些测定条件大致是按照蓝光光盘中测定条件(非专利文献7，9)。
读取时的反射光强度，与读取检测器的电压输出成比例，用前述已知反射率Rref予以 归一化的反射率。调制度m，是测定前述的RH、RL，
根据m＝(RH-RL)/RH来计算。
在记录时使用图11所示的分隔记录脉冲。即，nT(n是2～8的自然数，T为信道 时钟周期)标记长度以n-1个记录脉冲(记录功率Pw)来记录。Pw是记录功率，Pb1、Pb2是 偏压功率。先头记录脉冲的延迟(dTtop，图11中箭头的方向为正值)，先头脉冲长(Ttop)， 中间脉冲长(Tmp)，最终偏压功率Pb1的照射时间的延迟时间(dTe，图11中箭头方向为负 值)成为时间长度的参数。Tmp以时钟周期T重复。另外，使用2T、3T标记长度与在4T～ 9T标记长度为相异的参数。又，在Pw为可变时使Pb2/Pw之比为固定来变更。
记录信号评价中，首先确认，可以进行主要是基于相位变化的LtoH记录，推挽信号 的极性不反转，因而确认0＜|Φa|＜|Φb|＜π后，自记录读取信号，来读取调制度 的大小、波形的变形状态，概略观察LtoH记录的信号品质的良否。大致采用40％或以上 的调制度，以全标记长度可获得LtoH极性的信号为最低条件。
抖动(Jitter)值，通常，是以记录条件1的1倍速记录、记录条件1的2倍速记录、记 录条件2的1倍速记录、记录条件2的2倍速记录的顺序，比后者更为严格的评价基准。 按上述记录条件的顺序，使抖动值变差。抖动值，大致比10％左右更低的话，便可以说为 在纠错后可读出的水平，所以除了上述最低条件，还至少将以记录条件1的1倍速记录、 抖动(Jitter)值降至10％左右的情形作为本实施方式的实施例。
进而，测定抖动(Jitter)值的记录功率依存性，将成为最小抖动(Jitter)值的记录功率Pwo 作为优化记录功率。Pwo，通常在记录条件1的2倍速记录时为最大，而且易于出现记录 层色素的特性差。这样，使LtoH记录中的较佳方式变得明确。
(实施例1)
图12是作为记录层材料使用的含金属偶氮系色素(色素A)单独涂膜状态的吸收光 谱。另外，含金属偶氮系色素(色素A)的化学式如下所示。
【化合物10】

由图12可知，含金属偶氮系色素(色素A)，在记录读取光波长λ＝405nm的长波长侧 具有主吸收带，其峰值在510nm附近。因此，记录读取是在上述吸收光谱的短波长侧λS 进行。
未记录的薄膜状态记录层的复数折射率为nd＝1.38、kd＝0.15。而且，使溶剂干燥蒸发 后的记录层，极微量的残留溶剂除外，色素A可视为100％。
除了使上述记录介质为盘片1、基板的槽深度为50nm、25nm以外，制成具有与盘片 1完全相同构成的盘片2、盘片3。上述盘片1～盘片3，除了在其面内有上述引导槽所形 成的记录区域以外，具有无引导槽的镜面区域。
相对于盘片1～盘片3从记录区域的记录读取光束入射面来观察，沿着较远引导槽部， 利用激光束的照射，记录各自长0.64μm的标记(记录凹坑部)和空档(标记间、未记录部) 所形成的单一信号。接着测定标记和空档各自的反射率。而且，将未记录的镜面区域的反 射光强度换算为反射率进行测定。各自的反射率如表2所示。另外，镜面区域反射率相当 于上述图6的R0。
[表2]
  槽深度(nm)   空档   (未记录部反射率％)   标记   (记录部反射率％)   镜面部反射率％  盘片1   65   9   35   53  盘片2   50   17   41   53  盘片3   25   40   42   52
表2中，任一情形均可确认，与未记录的空档部的反射率相比，标记部的反射率变高， 为LtoH记录。未记录镜面区域的反射率，在盘片1至盘片3中大致相等。另一方面记录 槽部空档部的反射率均比镜面区域低，槽越深则反射率越低。而记录槽部标记部的反射率 均比镜面区域低，但由比空档部更高的记录而可近于镜面的反射率。例如，槽深度的最深 的盘片1中未记录部的反射率最低，未记录部·记录部的反射率差大。相反，槽最浅的盘片 3中，未记录部的反射率接近于镜面区域的反射率，未记录部·记录部的反射率差也极微小。
其结果可提示下述情况。即，记录区域中由于来自槽部与槽间部的反射光的相位差使 得反射光强度降低，本实施例的范围槽越深则相位差越大。这里形成记录凹坑时，由于记 录层的变性而引起记录层的光学特性变化，来自槽部及槽间部的反射光相位差变小。这提 示式(9)中ΔΦ＞0。即，可认为反射光强接近于更浅的槽的状态。因此，这可认为是图6 的路径γ上变化的情形。
图13是用于实施例1的盘片2剖面的透射电子显微镜照相。图13(a)是未记录状态的 盘片2的剖面的透射电子显微镜(TEM)照相，图13(b)是记录状态的盘片2的剖面的透射电 子显微镜(TEM)照相。剖面试料可如下制成。在外覆层将粘接胶带粘贴拉伸时，取出部分 在界面层/外覆层的界面的剥离面。在剥离面上为了起保护作用蒸镀W(钨)。进而，从用W 被覆的剥离面上部，在真空中以高速离子照射溅射形成孔。将孔侧面形成剖面的情形用透 射电子显微镜观察。
图13(a)、图13(b)的剖面像中，因为记录层是有机物而使电子透射故可见到发白。很 清楚，在记录槽间部(外覆层槽部)，记录层膜厚dL大致为零，而在记录槽部，记录层膜厚 dG约为30nm。而且，反射基准面的落差所规定的槽深度dGL，与AFM在基板表面测定的 情形大致相同为约55nm。在记录凹坑部，根据界面层形状可知，使记录层朝向外覆层进 行膨胀变形(即图4中dbmp＜0)。进而与未记录的记录层比较，因发白而可认为可形成空洞 (即nd′＝1)。而且，记录凹坑并不从记录槽部突出而封闭于槽内。
另外，自反射基准面的记录后的空洞的高约80nm，dbmp＝50nm。而且，反射层/基板 的界面中没有发现变性、变形，故也可确认另外，使用上述值及nd＝1.38、 nc＝1.5、δnd＝1.38-1＝0.38(其中空洞内的折射率为1)，λ＝406nm， 对本实施方式中各相位的值进行估计的话，如下所示。
式(7)中Φb2为，

故|Φb2|＜π。
式(9)中ΔΦ为

ΔΦ是通常满足(π/2)或以下这种设定。
而式(8)中Φa2为

可确认也满足|Φb2|＞|Φa2|。
如上所述，在浅槽无法进行LtoH的记录，因而本记录介质的LtoH的信号振幅，可以 定结论为主要是基于记录凹坑部的相位变化(ΔΦ＞0)的情形。具体来说，很清楚上述相位 变化伴随记录凹坑部的空洞形成而依存于折射率降低(δnd＞0)，而且，在记录凹坑部伴随 记录层膨胀至外覆层侧的变形。而且，推挽信号的极性并无变化，因此可说成为基于0＜ |Φa|＜|Φb|＜π相位变化的LtoH记录。
另外，盘片2的详细记录特性是利用经过标记长度调制记录的随机信号的记录读取来 评价。
图14是表示盘片2的记录条件1中1倍速记录时的记录特性图。而且，图15是表示 盘片2的2倍速记录时的记录特性图。图14及图15中，(a)、(b)、(c)各自表示抖动(Jitter)， 记录部·未记录部的反射率和调制度的记录功率依存性。用于记录的分隔记录脉冲的参数， 1倍速是如表3所示，2倍速是如表4所示。表3所示的1倍速，Pb1＝0.3mW，Pb2/Pw＝0.35。
表4所示的2倍速Pb1＝0.3mW，Pb2/Pw＝0.45。另外，不论何种均为Pr(读取光功率)＝0.35mW。
[表3]
  dTtop   Ttop   Tmp   dTe   2T   5/16T   16/16T   -   -9/16T   3T   6/16T   16/16T   10/16T   -10/16T   4T～9T   7/16T   16/16T   10/16T   -10/16T
[表4]
  dTtop   Ttop   Tmp   dTe   2T   10/16T   22/16T   -   -14/16T   3T   11/16T   22/16T   12/16T   -16/16T   4T～9T   12/16T   22/16T   12/16T   -16/16T
由图14及图15可知，在1倍速记录及2倍速记录的各自的记录条件中，可获得良好 抖动(Jitter)及充分的未记录部·记录部的反射率差即调制度。尤其是给出，仅记录1轨迹的 单轨迹(SingleTrack)中的抖动(Jitter)和5轨迹连续记录并测定中央轨迹的多轨迹(MultiTrack) 中的抖动(Jitter)两者之间的差小，信号间交互干扰非常良好。
(实施例2)
实施例1的盘片2的构成中在以下方面有所变更。
具体来说，将记录层的材料与具有下述结构的羟基喹啉系色素(色素B)(其中Ph为苯 基。)和含金属偶氮系色素(色素C)以70∶30重量％比的方式混合。接着，将此混合物作为 主成分色素，与八氟戊醇按0.6wt％混合。接着，进行涂布。其它的条件是制成与盘片2相 同构成的盘片4。dG为约30nm，dL则大致为零。
使溶剂干燥蒸发后的记录层，除了极微量的残留溶剂以外，可视作羟基喹啉系色素 (色素B)与含金属偶氮系色素(色素C)总共100％。
【化合物11】

【化合物12】

图16是在羟基喹啉系色素(色素B)单独的涂膜状态的吸收光谱。记录层的复数折射率 为nd＝2.18，kd＝0.34。其主吸收带在350nm～400nm的波长区域，峰值在390nm附近。含 金属偶氮系色素C单独的涂膜状态的折射率为nd＝1.50，kd＝0.12，光吸收功能小。其主吸 收带的峰值在710nm附近。而且，单独使记录灵敏度变差，在8mW或以下则几乎无法记 录。作为记录层来说，主要是利用羟基喹啉基色素B的长波长侧的吸收，进行记录读取。 为记录凹坑部的反射率增加的LtoH记录。与实施例1同样，在使槽深度变浅的情形，信 号振幅降低。而且，推挽信号的极性并没有变化，因而成为0＜|Φa|＜|Φb|＜π、 ΔΦ＞0的相位变化的LtoH记录。
即使相对于盘片4，也与实施例1同样利用随机信号的记录读取进行记录特性评价的 场合，记录信号为LtoH，未发现记录前后推挽信号的反转。
图17示出的是盘片4的记录条件1中1倍速记录时的抖动(Jitter)(图17(a))，记录部·未 记录部的反射率(图17(b))，调制度的记录功率依存性(图17(c))。用于记录的分隔记录脉冲 的参数如表5所示。形成为Pb1＝0.3mW，Pb2/Pw＝0.48，Pr＝0.35mW。
[表5]
  dTtop   Ttop   Tmp   dTe   2T   10/16T   22/16T   -   -14/16T   3T   11/16T   22/16T   12/16T   -16/16T   4T～9T   12/16T   22/16T   12/16T   -16/16T
与实施例1同样可获得良好的记录特性。另外，即使色素B单独，但可与标记长度无 关同样进行LtoH记录，但得到抖动(Jitter)比混合膜差的结果。记录读取光波长λ＝405nm 的短波长侧具有主吸收带的色素B具有吸收功能，认为色素C具有可改善抖动(Jitter)的功 能。
(实施例3)
制作除了实施例1的来自盘片2的反射层的膜厚大约为15nm以外其它均保持与盘片 2相同构成的盘片5。由于反射层为15nm因而为半透明，可获得约50％前后的透射率。 Rg约7％。这种情形，主反射面处于反射层的某一个界面。此种半透明构成可适用于多层 记录介质。进行与实施例1同样的验证的情况下，信号振幅降低。而且，推挽信号的极性 并不变化，所以形成为基于0＜|Φa|＜|Φb|＜π，ΔΦ＞0的相位变化的LtoH记录。
相对于盘片5，与实施例1同样利用随机信号的记录读取来进行记录特性的评价。图 18示出的是盘片5的记录条件1中的1倍速记录时的抖动(Jitter)(图18(a))、记录部·未记录 部的反射率(图18(b))、调制度的记录功率依存性(图18(c))。用于记录的分隔记录脉冲的参 数如表6所示。为Pb1＝0.3mW，Pb2/Pw＝0.44，Pr＝0.7mW。
[表6]
  dTtop   Ttop   Tmp   dTe   2T   5/16T   16/16T   -   -9/16T   3T   6/16T   16/16T   10/16T   -10/16T   4T～9T1   7/16T   16/16T   10/16T   -10/16T
反射率比实施例1、2小，其它则与实施例1、2同样可获得良好特性。关于反射率虽 说比实施例1、2小，但对记录·读取来说为充分值。
(实施例4)
除了实施例1中作为记录层色素使用的含金属偶氮系色素(色素A)以外，从表7～表9 所示的色素当中，使用20种偶氮系色素(色素A2～色素A21)，按与实施例1同样的层构 成制作盘片。另外，表7～表9就上述偶氮系色素色素A及色素C与色素A2～色素A21 汇总了折射率、热特性等。而且，表7～表9表示各自的记录条件2中的记录特性。膜状 态的λmax是主吸收带的峰值波长。在任何情况下，由于λmax是在300nm～600nm范围， 因而按主吸收带的任何波长进行记录读取。
另外，氯仿液中的λmax与膜状态的λmax，通常在±10nm左右范围一致。
槽形状形成为槽宽约180nm(0.18μm)、槽深度约50nm、轨迹间距为0.32μm，色素 溶液的浓度为0.6重量％，在同样的涂布条件进行涂布时，任一情形均可获得dG为约30nm 的值。该涂布条件，dL实质上薄至足可视为0。
【化合物13】

【化合物14】

【化合物15】

【化合物16】

【化合物17】




在任何情形，盘片镜面部的未记录状态的反射率R0，均可获得使记录层膜厚为零情形 的镜面部反射率的70％或以上。而且，在使槽深度成为约25nm的浅槽的情形可确认，记 录前反射率(空档部反射率)增加，信号振幅及调制度降低，主要是基于相位变化ΔΦ贡献 的LtoH记录。
记录脉冲，是在各个色素及1倍速、2倍速情形，将图11的记录脉冲参数予以适当优 化使用以使抖动(Jitter)值良好。优化记录功率是多轨迹(MultiTrack)的抖动(Jitter)最小的功 率。记录线速度是记录条件2。单轨迹(SingleTrack)和多轨迹(MultiTrack)的抖动(Jitter)两者 之差，在任何情形均可得到为约0.5％或以下、信号间交互干扰非常少的良好记录。
而且，使槽深度约55nm、槽宽约0.15μm的话，在任何情况下，未记录状态的归一 化推挽信号强度为0.7～0.8，多轨迹(MultiTrack)记录中的优化记录功率的记录后的归一化 推挽信号强度为0.4～0.5。
由表7～表9的结果可知，尤其是2倍速中，kd及重量减少开始温度Td的影响明显。 具体来说，kd为0.2或以上且Td为280℃或以下时，用2倍速的优化记录功率来评价的记 录灵敏度，优选大约为8.5mW或以下。关于记录灵敏度，kd特别重要，kd若为0.25或以 上时，在本实施例内则与Td无关，记录灵敏度为8.5mW或以下。而且，kd为0.3或以上、 Td为300℃或以下的情形，2倍速的抖动值可为8.5％或以下，Td为280℃或以下时可为8％ 或以下。kd为0.3或以上的色素中，λmax在370～450nm。这些在2倍速可显示良好记录 特性者，进而可用光线速度记录。例如，相对于色素A17，适用所谓2T记录策略(称为n/2 策略，专利文献42)，在试行4倍速记录时获得抖动7.2％。
很显然，与这些不同，kd为0.1～0.3的范围、重量减少开始温度为200℃或以下的情 形，优选在2倍速可获得不足8％的抖动。
此外，色素A9，kd不足0.3，反倒nd小到不足1.3时对抖动有负面影响的可能性。即 δnd变小、Φn变小，故调制度与其它实施例比较相对低，会有在2倍速的抖动产生若干 劣化的可能性。从这一观点考虑，优选nd为1.3或以上。
这些2倍速记录特性即使为相对较差的色素记录层，在300℃或以下的低温分解形成 空洞，即，添加与dbmp＜0变形的形成有关的添加剂，或添加可使kd变大的添加剂等，则 可改善记录特性。为改善在色素单体的记录特性或保存安定性等，则将此种添加剂添加于 记录层者在本发明中也为适宜可行。而色素单体的kd可大至0.5或以上，因记录而大幅减 少的话，除了相位的变化，基于kd减少的反射光强辅助增加的效果也可合并使用，而有 可改善记录特性的情形。进而，使记录层膜厚具有若干厚，可减低优化记录功率。
此外，图25～图27中，表7～表9的色素中，示出600nm的长波长侧有主吸收带峰 值的例子是色素C的薄膜状态的吸光光谱，主吸收带峰值处于记录读取光波长的短波长侧 的例是色素A17的薄膜状态的吸光光谱，主吸收带峰值在近于记录读取光波长的情形的例 是色素A20的薄膜状态的吸光光谱。将主吸收带的峰值位置以″→″表示。很清楚，不论何 种情况明了的吸收带均在可见光范围内。
进而，图28～图31是表7～表9的色素中为代表例的色素A2、A8、A17、A20的TG-DTA 光谱(其中的重量减少光谱)。图中以″→″所示的温度，是重量减少开始温度。底层的线L-L′ 与最初的陡的大至500μg以上的重量减少部的切线K-K′的交点，则为重量减少开始温度。 这虽然是氮气环境中的光谱，但是在大气环境中的测定，关于重量减少开始温度，在±5℃ 左右的范围是一致。
实施例5
在实施例1中，将记录层色素置换成非偶氮系色素B1、D1～D6，以同样层构成来制 成盘片。而且，以这些色素为主成分，进而，也制成色素C添加30重量％成为记录层的 盘片。表10是就为非偶氮系色素的色素B与色素B1、D1～D6汇总折射率、热特性、记 录特性等。膜状态的λmax是主吸收带的峰值波长。在任何情形，λmax均在300～600nm的 范围，记录读取可在主吸收带的任一波长下进行。色素B与B1是羟基喹啉系色素，D1～ D6是吡喃酮系色素。
[表10]

槽形状是槽宽200nm(0.2μm)、槽深约50nm、轨迹间距0.32μm，色素溶液的浓度为 0.6重量％，在同样的涂布条件进行涂布时，在任一情形均可获得dG约30nm值。这里的 涂布条件，dL实质上薄至可视为零。
任一情形，在盘片镜面部的未记录状态的反射率R0，可获得使记录层膜厚为零情形的 镜面部反射率的70％或以上。而且可确认，使槽深度为约25nm浅槽的情况下，与槽深度 50nm的情形比较，记录前反射率(空档部反射率)增加，信号振幅及调制度降低，主要是基 于相位变化ΔΦ贡献的LtoH记录。
这些非偶氮系色素与偶氮系色素比较，在抖动方面有若干变差的为数较多，适用若干 记录条件平缓的记录条件1。
记录脉冲是在各个色素及1倍速、2倍速情形，将图11的记录脉冲策略的参数适当优 化使用以使抖动值良好。优化记录功率，为多轨迹(MultiTrack)的抖动最小的功率。色素 B(nd＝2.18)、色素B1(nd＝2.07)、色素D1(nd＝2.03)、色素D2(nd＝2.09)单独为记录层的情形， 无法获得明了的LtoH记录信号。大致nd为2或以上，所以认为nd′无法充分降低至nc以下。 nd＝1.93的色素D3，抖动在11％左右为相对较差，但可获得LtoH极性的信号。
但任一情形，当混合色素C(nd＝1.50)时，单轨迹(SingleTrack)和多轨迹(MultiTrack)的抖 动差，为约0.5％或以下，可达到信号间交互干扰非常少的良好记录。
色素D4单独使用也可获得良好记录特性，故也进行记录条件2的评价。在任一情形， 即使单独使用在1倍速也可获得9％或以下的抖动，但在记录条件2的2倍速抖动成为10％ 或以上。这被认为是与重量减少开始温度比250℃更高有关。
此外，在实施例5中，即使单独也可获得良好抖动值的色素D4的吸收光谱如图32所 示。如色素D4，在双峰性的情形，各峰值接近可形成一条连续的吸收带。这种情形是使吸 光度大者的峰值成为主吸收带的峰值。进而，色素D4的重量减少光谱如图33所示。
另外，关于色素D5与色素D6，因单独可观察到易于结晶化的倾向，故并不进行以单 独成为记录层情形的记录特性的评价，而进行将色素C混合成为记录层来记录特性的评价。
实施例6
与实施例1～4相同(1，7)RLL-NRZI标记长度调制数据是准备含有作为凹形凹坑列记录 的ROM信号的基板。凹坑及基板槽部深度约50nm。基板槽部形状与实施例4同等。在该 基板上形成与实施例4、色素A17的介质相同层构成的记录介质。在记录凹坑列存在的区 域称为ROM部，记录槽部存在的区域称为追记区域。
图34示出的是部分ROM的ROM区域与记录完成的追记区域的读取信号波形图。图 34(a)、图34(b)表示各自ROM区域及记录完成的追记区域的读取信号波形(Isum信号， 所谓的Eye-pattern)。对追记区域的记录，则与实施例4同样进行。
图34(a)中ROM区域的RH为约40％，调制度约65％，抖动为7.2％。抖动值稍微提高， 也可见到不对称的稍微偏差，这是原来母盘制造上的问题，并非由于设置记录层。可以通 过母盘制造步骤的改善使其不到7％。而图34(b)中，追记区域的RH约35％，调制度约69％， 抖动值约5.5％。2个区域的信号极为类似，为无区别的可读取的电平。进而，将母盘制造 时的凹坑形成条件等予以优化时，可获得更为均匀的读取信号。
图35是在ROM区域以本发明记录方法进行重写情形的读取信号波形图。即，图35 是在图34(a)的ROM部的记录层记录与实施例4同样记录信号的情形的信号波形。因色素 记录层记录部的反射率上升，故尤其在ROM信号的凹坑部的信号紊乱，使得ROM信号 无法读取。这样，若可使用本发明记录介质，则就ROM部数据的防复制和加密方面的观 点来考虑，可将一部份的ROM数据有意且可选择性成为不可读取的使用方法。
这种情况下，所记录的凹坑(标记)位置，在与作为基板上的凹部所形成的凹坑列并不 同步，故完全为随机重写。凹部凹坑的空档部即基板表面，这里重写的情形，对相位差没 有贡献，因而反射率变化小。当然，凹坑部空间部若无重写则不会产生反射率变化。在凹 部若不被重写则反射率照样保持低的状态。另一方面，凹坑凹部底面与基板槽部大致同样 深度，这里，重写的话，则与对通常的槽部的记录同样，由于相位差ΔΦ＞0的贡献，反 射率增加。主要考虑，通过对此凹坑部的重写来使记录读取波形大为紊乱，而成为如图35 所示波形。
参考例1
下面，本发明中为证明在外覆层槽间部(in-groove)进行以相位化为主的LtoH记录比在 外覆层槽部(on-groove)进行记录者更有优势，故进行以下实验。
实施例4的色素A2的盘片中仅使记录层膜厚变化，在外覆层槽间部与外覆层槽部进 行各自记录。很清楚，记录层膜厚在用于本实验的范围与用于涂布的溶液中的色素浓度成 比例，所以准备溶液浓度0.6重量％1.2重量％的各盘片。
图36示出的是在与其它实施例相同的评价机，在记录线速度5.3m/s(记录条件1)中， 使8T标记长度与空档长交互发生进行记录的情况下的记录信号的CN比(载波信号噪声 比)、信号间交互干扰、记录信号的上端反射率(R8H)、下端反射率(R8L)的记录功率依存 性。
CN和信号间交互干扰的测定，作为记录策略来说，在图11中，dTtop＝(10/16)T、 Ttop＝16/16T、Tmp＝10/16T、dTe＝0T、Pb1＝Pb2＝0.3mW、Pr＝0.35mW，记录8T标记和空 档的重复信号，而用ADVANTEST公司制的光谱分析器TR4171分辨率带宽(resolution band width)＝30kHz、视频带宽(video band width)＝100Hz来测定读取信号(Isum信号)。
这里信号间交互干扰，是在外覆层槽间部记录的情形，在未记录的邻接外覆层槽部中， 测定来自所记录的外覆层槽间部的漏出信号强度(在两相邻处测定的载波电平值的平均 值)，减去外覆层槽间部的记录信号的载波电平的情形。另一方面，在外覆层槽部记录的情 形，是在未记录的邻接外覆层槽间部中，测定来自所记录的外覆层槽部的漏出信号强度(在 两相邻处测定的载波电平值的平均值)，减去外覆层槽部的记录信号的载波电平值的情形。 信号间交互干扰，通常为负值，而绝对值大的情形，信号间交互干扰小。
首先，关注色素浓度0.6重量％的情形。在记录于相当于本发明方式的外 覆层槽间部的情形(图36(a))，R8L为与未记录的反射率相同在13％左右为一定，而由5mW 左右起记录LtoH极性的信号，R8H水平与记录功率一起增大，CN比在约7mW取最大值 为60dB。信号间交互干扰通常在-40dB或以下。
另一方面，在外覆层槽部试行记录的情形(图36(b))，最初，不足10mW，则完 全观测不到记录信号。10mW以上可观测到非常小的失真记录信号(约45dB或以下)，这是 考虑，因为非常高的记录功率，所以除了在外覆层槽部反射层的任一种界面中有微小变形 产生这种可能性以外，热传导至相邻的外覆层槽间部，外覆层槽间部中虽然很小，但产生 记录层的变性。具体来说，实质上难以对外覆层槽部记录。信号间交互干涉值为-20dB这 么大的值。与其说是外覆层槽部的记录信号的漏出信号，倒不如认为可观测到外覆层槽间 部的一部份(外覆层槽部的槽壁等)所记录的弱信号。
接着，关注色素浓度1.2重量％的情形。dL由剖面观察可知为30nm或以 下的较薄值。外覆层槽间部记录的情形(图36(c))，R8L与未记录的反射率相同在约9％左 右为一定，比图36(a)的情形低。从3mW左右起记录LtoH极性的信号，R8H电平与记录 功率一起增大，达到约24％。全体反射率低是由于记录层的厚膜化，记录层会吸收光，反 之，记录灵敏度变得良好。CN比约在6mW处最大值取约60dB。信号间交互干扰在6mW 或以下为-40dB或以下。6mW左右的更高功率，可见到信号间交互干扰变大的倾向。但6mW 以上，推挽信号变得非常小，归一化推挽信号不足0.1，故记录中或记录后无法维持跟踪 伺服，无法进行测定。这样，dG超过dGL时，记录功率高的情形(大致记录凹坑的 变形dbmp＜0较大的情形)，会有跟踪伺服不稳定的情况。
另一方面，在外覆层槽部试行记录的情形(图36(d))，在7mW以下，可观测到非常微 小的失真信号，但这可认为是对邻接的外覆层槽间部的一部份的记录所致。在7mW以上(图 中以圆圈围绕的区域)，R8L降低，但这是由于在外覆层槽部记录有HtoL极性信号。即图 36(d)中，未记录状态反射率约9％为固定不变，但在7mW或以下则对应于R8L，在7mW 或以上对应于R8H。7mW以上，可认为在外覆层槽部中形成有空洞而发生记录层膨胀至 外覆层侧的变形，这相当于式(12)产生ΔΦ＞0相位变化的情形。在7mW以上的HtoL记 录中CN比达不到60dB，信号间交互干扰值有HtoL信号漏出至邻接外覆层槽间部增加至 -5dB。
进而以0.6重量％和1.2重量％的盘片评价对外覆层槽间部进行记录条件2的2倍速记 录时抖动值的记录功率依存性。记录策略是分别优化使用图11的记录策略。为1.2重量％ 的情形，为抖动值最小的记录功率约5.5mW，0.6重量％情形的约8mW比较虽有降低，但 最小抖动值相对于1.2重量％情形的约9％，0.6重量％的盘片的情形低至约6.6％。记录层 厚的情况下可认为，记录灵敏度良好，大致在沿着记录槽部的方向的邻接记录凹坑间的热 干扰增大，有难以获得低抖动值的倾向，故很清楚，记录层膜厚以比槽深度薄者为佳。
接着，按1倍速重复读取记录条件2的1倍速情形以优化记录功率记录的区域，来调 查其读取光耐久性。以读取光功率0.35mW(高频波重叠)重复读取相同部分的情况下，0.6 重量％的盘片，其初期抖动值为5.2％至少100万次为止完全观察不到抖动值增加。1.2重 量％的盘片，其初期抖动值为6.4％，数万次便发现抖动显著增加。
参考例2
用槽深度约20nm的非常浅的基板来进行与参考例2同样的探讨。8T标记/空档间信号 以5.3m/s(记录条件1)记录情形的记录信号的CN比(载波信号对噪声比)，信号间交互干扰， 记录信号的上端反射率(R8H)，下端的反射率(R8L)的记录功率依存性如图37所示。
在色素浓度0.6重量％的情形，在外覆层槽间部记录的情形(图37(a))，R8L 与未记录的反射率相同在32％左右为固定不变。从5mW左右起记录LtoH极性的信号，但 由于R8L高所以相位变化ΔΦ小，信号振幅非常小。在6.5mW以上，跟踪伺服不稳定无 法测定。大致上考虑，超过记录凹坑的变形dbmp＜0浅的dGL而变得非常大，归一化推挽 信号是否为非常小，是否因而造成其极性反转。
另一方面，在外覆层槽部试行记录的情形(图37(b))，因为浅槽在外覆层槽部也可形成 20nm弱的色素层，但不足8mW，则几乎无记录。8mW以上，仍然会造成跟踪伺服不稳定。
接着，关注色素浓度1.2重量％()的情形。色素记录层，可观察 到就槽横断方向不中断而相连的方式。具体来说，外覆层槽部(基板槽间部)也可形成色素 层。
在记录于外覆层槽间部的情形(图37(c))，R8L其未记录的反射率在约21％左右固定不 变，比图37(a)的情形更低。从3mW左右起记录LtoH极性的信号，R8H水平与记录功率 一起增大而达到约28％，但在5mW以上，推挽信号变得非常小，在记录中或记录后无法 维持跟踪伺服而无法进行测定。而在外覆层槽部试行记录的情形(图37(d))，在不足6mW 的情况下可观察可认为在邻接外覆层槽间部的一部份产生变性这种非常小的LtoH信号。 在约6mW或以上，虽可预想成为HtoL记录，但在记录中或记录后不久仍无法维持跟踪伺 服而无法进行测定。
参考例2的浅槽的情形，虽然在外覆层槽间部中LtoH记录本身可行，但是从信号振 幅、跟踪伺服的观点而言，很显然不一定获得良好特性。这种情形，如参考例1，若使槽 深度为本发明中优选的“中间槽”深度，便可改善特性。
参考例3
在使用实施例4的色素A2的情形中，则对外覆层的材料进行各种变更来进行探讨。 即，将外覆层的厚度100μm当中与界面层接触的10μm形成为表11所示的各种紫外线 硬化型树脂，而将其余的90μm形成为紫外线硬化型树脂F1。
[表11]
 记录层侧外覆层材料   玻璃态转变温   度(℃)   外覆层构造A   实施例   4-A2  粘接剂F0   -21   黏接剂(25μm)/聚碳酸酯   薄片(75μm)   参考例   F1  树脂F1  (胺甲酸乙酯丙烯酸系紫外线硬化型树  脂，三菱丽阳制)     56     树脂F1 100μm   参考例   F2  树脂F2  (丙烯酸系紫外线硬化型树脂，商品名  SD318大日本油墨制)     139   树脂F2 10μm   树脂F1 90μm   参考例   F3  树脂F3  (丙烯酸系紫外线硬化型树脂，商品名  MD450日本化药制)     131   树脂F3 10μm   树脂F1 90μm   参考例   F4  树脂F4  (丙烯酸系紫外线硬化型树脂，日本化药  制)     -5   树脂F4 10μm   树脂F1 90m   参考例   F5  树脂F5  (丙烯酸系紫外线硬化型树脂，日本化药  制)     -18   树脂F5 10μm   树脂F1 90μm   参考例   F6  树脂F6  (丙烯酸系紫外线硬化型树脂，日本化药  制)     -31   树脂F6 10μm   树脂F1 90μm
参考例F1中，以树脂F1形成全部100μm。这些树脂均以旋转涂布法涂布形成后， 在旋转涂布的过程或旋转涂布完成后照射紫外线(Harison东芝制超高压汞灯， TOSCURE751)来完全硬化。树脂F1的硬化是照射约800mJ/c m2的紫外光。而且，树脂F2～ F6的硬化照射约1500～2000mJ/c m2的紫外光。树脂F4～F6在硬化后也有粘性，玻璃态转 变温度为室温以下。树脂F1完全硬化后的盘片上以JIS K5600-5-4为基准(Heidon公司制， 刮擦强度测试仪(Scratching intensity tester)，HEIDON-18，加重750g，扫描速度120mm/min.， 扫描距离7mm，而且使用三菱铅笔)的铅笔硬度的测定值为2B。树脂F2、F3是比树脂F1 更高硬度的材料。
图38示出的是与其它实施例相同的评价机按记录线速度5.3m/s使8T标记长与空档长 交替发生来进行记录的情形下的记录信号CN比(载波信号对噪声比)的记录功率依存性。 为比较起见，实施例4的色素A2的盘片也进行同样的评价(这按实施例4-A2表示)。具体 来说，是玻璃态转变温度-21℃的粘接剂F025μm和聚碳酸酯树脂75μm薄片所形成的外 覆层。本薄片外覆层的粘合本身并无必要进行紫外线照射，为慎重起见，即使外覆层F1 形成同样照射紫外光，也确认特性无变化。这在本发明中给出采用为如图19所示的平整 吸收特性且在紫外区域几乎不具吸收的色素其在工艺方面的优点，具体来说，即使不进行 专门的保护处理，也可使紫外线硬化树脂作为外覆层使用。
由图38可知，使用实施例4的色素A2及树脂F4～F6的变形促进层的介质，可获得 高CN比，而且低记录功率的CN比超过40dB，在记录灵敏度这一方面可获得良好特性。
参考例F1～F3中，虽可见到若干波形失真，但就至少CN比超过50dB这一方面而言， 在标记长全体范围成为LtoH记录。对于色素A2可考虑，空洞形成、从dbmp＜0记录层侧 向外覆层的膨胀变形有助于信号振幅，在高硬度的外覆层(至少记录层侧)中，变形受到抑 制而使记录灵敏度变差。
以记录条件1或2的1倍速进行标记长度调制记录来得到抖动在10％或以下的情况， 是实施例A2与树脂F4～F6的情形。F4、F5、F6与Tg低者可获得低的抖动，F6即使以 记录条件2也可获得5.4％的低抖动。上述抖动的测定结果，主要被认为是由于2T标记的 形成良好而产生差异，本发明中积极利用膨胀变形dbmp＜0的情形，玻璃态转变温度为室 温(25℃)或以下的与粘接剂同等的柔软变形促进层，理想的是至少在记录层侧形成。
本发明中，通过使色素记录层按记录层膜厚dG≤dGL封闭于记录槽部，这样即使积极 使用dbmp＜0的变形，也能够进行信号间交互干扰非常小的记录。
此外，色素A2尤其是nd为1.38的话，本发明实施例中便是小范畴，δnd也被认为是 相对较小的范畴。因此，可认为有积极运用dbmp＜0变形的必要性。这里，将色素记录层 变更为δnd更大，使例如nd为1.8～1.9等，即使变形量|dbmp|小，也能够改善记录信号 特性。而且，玻璃态转变温度Tg即使高于0℃左右，也可使用Tg以上的贮藏弹性率小的 材料来改善。
另外，本申请是以2004年7月16日申请的日本申请(特愿2004-210817号)及2005年 6月15日申请的日本申请(特愿2005-175803号)为基础，这里通过引用合并考虑其全部内 容。
【主要组件符号说明】
10，20，100...光记录介质
11，21，101...基板
12，22，102，112...记录层
13，23，103...反射层
14...保护涂膜层
15...基板槽间部
16...基板槽部
16m，25m，26m...混合层
16p，25p，26p...记录凹坑部
17，27，107...记录读取光束
18，28，108...物镜
24，111...外覆层
25...外覆层槽间部
26...外覆层槽部
19，29...记录读取光束的入射面
104...中间层
113...半透明反射层
114...中间层