一种改善发光角度的芯片及其制作方法
专利汇可以提供一种改善发光角度的芯片及其制作方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种改善发光 角 度的芯片及其制作方法，涉及垂直结构芯片的结构技术领域。以两种不同折射率材料循环重复沉积形成 透明导电膜 层，在循环形成的透明导电膜层内制作倒锥形的空槽后，再依次向空槽中填充Ag和Au，以此构成断面上呈三角形的锥形镜 面层 。本 发明 工艺简单，减少了 水 平 镜面反射 向 电极 底部的光线，减少了电极的吸收，增大了芯片的出光角度，使大部分光线避免多次穿透 外延 层后被吸光的状况，可有效提高芯片的出光效率。，下面是一种改善发光角度的芯片及其制作方法专利的具体信息内容。
1.一种改善发光角度的芯片，在衬底的一侧设置背电极，在衬底的另一侧依次设置金属键合层、金属镜面层和包括透明导电层、P-GaP电流扩展层、缓冲层、P-AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层、N-AlGaInP限制层、N-AlGaInP电流扩展层、N-AlGaInP粗化层、N-GaAs欧姆接触层的外延层，在N型层外表面设置正电极和焊线层，其特征在于：所述透明导电层为由循环重复设置2次～10次的两种不同折射率的透明导电层组成，所述金属镜面层设置在循环形成的透明导电层中，所述金属镜面层呈锥底朝向P-GaP电流扩展层的锥形，所述金属镜面层由Ag层和Au层组成，所述Ag层设置在朝向P-GaP电流扩展层的一侧。
2.如权利要求1所述改善发光角度的芯片制作方法，包括以下步骤：
1）在临时衬底上依次外延生长包括过渡层、N-GaInP截止层、N-GaAs欧姆接触层、N-AlGaInP粗化层、N-AlGaInP电流扩展层、N-AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层、P-AlGaInP限制层、缓冲层和P-GaP电流扩展层，取得外延片；在外延片的P-GaP电流扩展层上沉积透明导电膜层；
2）通过金属键合层和压力，将永久衬底键合在外延片上，取得键合制品；
3）对键合制品进行化学腐蚀，裸露出N-GaAs欧姆接触层；
4）蚀刻出图形化的N-GaAs欧姆接触层；
5）对图形化的N-GaAs欧姆接触层外周的N-AlGaInP粗化层进行粗化处理；
6）在图形化的N-GaAs欧姆接触层104外制作形成扩展电极， 在部分N-AlGaInP粗化层上制作Pt阻挡层，并在Pt阻挡层外表面制作焊线层；
7）通过退火，扩展电极与N-GaAs欧姆接触层形成良好的电学欧姆接触；
8）在永久衬底背面制作形成背电极；
其特征在于：
在步骤1）中，以两种不同折射率材料循环重复沉积2次～10次透明导电膜层；然后在最后一层裸露的透明导电膜层表面上旋涂正性光刻胶，经过曝光、显影做出掩膜图形，再利用ICP干法，自最后一层裸露的透明导电膜层至最接近P-GaP电流扩展层的透明导电膜层蚀刻，并通过抛光，形成倒锥形的空槽；在锥形的空槽内依次填充Ag和Au共同形成倒锥形镜面层；
在倒锥形镜面层表面和剩余的最后一层裸露的透明导电膜层表面制作金属键合层。
3.根据权利要求2所述的芯片制作方法，其特征在于：所述两种不同折射率材料的折射率分别为1.8和2.3。
4.根据权利要求2所述的芯片制作方法，其特征在于：所述循环重复沉积的次数为3次～4次。
一种改善发光角度的芯片及其制作方法
技术领域
背景技术
发明内容
2）通过金属键合层和压力，将永久衬底键合在外延片上，取得键合制品；
3）对键合制品进行化学腐蚀，裸露出N-GaAs欧姆接触层；
4）蚀刻出图形化的N-GaAs欧姆接触层；
5）对图形化的N-GaAs欧姆接触层外周的N-AlGaInP粗化层进行粗化处理；
6）在图形化的N-GaAs欧姆接触层104外制作形成扩展电极， 在部分N-AlGaInP粗化层上制作Pt阻挡层，并在Pt阻挡层外表面制作焊线层；
7）通过退火，扩展电极与N-GaAs欧姆接触层形成良好的电学欧姆接触；
8）在永久衬底背面制作形成背电极；
其特征在于：在步骤1）中，以两种不同折射率材料循环重复沉积2次～10次透明导电膜层；然后在最后一层裸露的透明导电膜层表面上旋涂正性光刻胶，经过曝光、显影做出掩膜图形，再利用ICP干法，自最后一层裸露的透明导电膜层至最接近P-GaP电流扩展层的透明导电膜层蚀刻，并通过抛光，形成倒锥形的空槽；在锥形的空槽内依次填充Ag和Au共同形成倒锥形镜面层。并在倒锥形镜面层表面和剩余的最后一层裸露的透明导电膜层表面制作金属键合层。
具体实施方式
111、缓冲层110、P-AlGaInP限制层109、MQW多量子阱有源层108、N-AlGaInP限制层107、N-AlGaInP电流扩展层106、N-AlGaInP粗化层105。
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