专利汇可以提供一种可加电场的脉冲激光沉积制膜系统专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种可加 电场 的 脉冲激光沉积 制膜系统,该系统为在传统PLD设备的基片加热器后方加一套强电场装置,该强电场装置有两个金属板 电极 ,分别放置于两“凹”形陶瓷 块 的凹槽中,两陶瓷块垂直放置于一陶瓷固定片,并且互相平行固定在陶瓷固定片上;陶瓷块的凹槽一侧打一 导线 通孔,套有陶瓷管的导线从金属板电极上穿出导线通孔,与一个 电阻 和 变压器 电源相连,组成整个 电路 系统。该装置结构简单。利用本发明装置生长出的 薄膜 能显著改变微结构,进一步改变薄膜的性能。为制备研究新型特殊结构的薄膜样品提供了有效的实验装置。,下面是一种可加电场的脉冲激光沉积制膜系统专利的具体信息内容。
1.一种可加电场的脉冲激光沉积制膜系统,包括真空室(14),由机械泵、 分子泵和管路组成的真空机组(5);放置在真空室(14)外的高压气瓶(9), 通过真空室壁上的针阀与真空室(14)连通组成充气系统;真空室(14)中安装 基片加热器(10)和靶组件(13);由控制电源与基片加热器(10)连接组成加 热控温部分;其特征在于:所述的基片加热器(10)后方设置一外加强电场装置 (11),该外加强电场装置(11)由两块“凹”形且四个下角均设有螺孔的陶瓷 块(15)、两个金属板电极(17)、一个陶瓷固定片(16)和一根金属杆(20) 组成;其中所述的两个金属板电极(17),分别放置于所述的两块“凹”形的陶 瓷块(15)的各自凹槽中,所述的两块陶瓷块(15)垂直于陶瓷固定片(16), 并且互相平行固定在陶瓷固定片(16)上;所述的陶瓷块(15)的凹槽一侧打一 导线通孔,套有陶瓷管的导线(19)从金属板电极(17)上穿出导线通孔,与一 个电阻和变压器电源相连;该整套外加强电场装置(11)通过由陶瓷固定片(16) 中间的小孔连接的所述的金属杆(20)固定在真空室(14)内底部,放置在基片 加热器(10)的后方,并使基片加热器(10)处于所述的两块陶瓷块(15)之间; 准分子脉冲激光器(1)放置在真空室(14)外,其产生的脉冲激光经过聚焦透 镜聚焦后,经光束扫描镜(3)反射,通过真空室(14)的石英玻璃窗口(4)照 射到靶材上。
2.按权利要求1所述的可加电场的脉冲激光沉积制膜系统,其特征在于: 还包括固定夹(18),所述的固定夹(18)呈直角形金属件,在直角形金属件的 两叉上开有螺孔;所述的陶瓷固定片(16)上开有卡槽,该卡槽沿陶瓷固定片(16) 的长边设置,通过固定夹(18)将两块所述的陶瓷块(15)固定在所述的陶瓷固 定片(16)的所述的卡槽中。
3.按权利要求1所述的可加电场的脉冲激光沉积制膜系统,其特征在于: 所述的金属板电极(17)为紫铜或不锈钢板,其形状为中间方形,四角边缘呈圆 弧的形状。
4.按权利要求1所述的可加电场的脉冲激光沉积制膜系统,其特征在于: 所述的陶瓷块(15)为耐1000℃以上的高温的微晶云母陶瓷或液腊石材料。
5.按权利要求2所述的可加电场的脉冲激光沉积制膜系统,其特征在于: 所述的陶瓷固定片(16)与所述的陶瓷块(15)的材料性能要求相同,厚度为1~ 3mm;该陶瓷固定片(16)上面平行刻两个所述的卡槽,该卡槽宽度为2~3mm, 两个所述的卡槽的间距与所述的陶瓷块(15)的尺寸相匹配。
6.按权利要求1所述的可加电场的脉冲激光沉积制膜系统,其特征在于: 所述的电阻(8)的阻值在104~108Ω可调。
7.按权利要求1所述的可加电场的脉冲激光沉积制膜系统,其特征在于: 所述的变压器电源(6)的电压在0~50000伏可调。
本发明涉及一种用脉冲激光沉积法制备薄膜的装置,特别涉及一种外加强 电场作用下的脉冲激光沉积制备薄膜系统。
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