一种反铁电薄膜的制备方法
专利汇可以提供一种反铁电薄膜的制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供了一种反 铁 电 薄膜 的制备方法。该方法采用由 硅 片 层、 中间层 和铂薄膜组成的 镀 铂 硅片 ；首先，将镀铂硅片放入 腐蚀 溶液中，使中间层与腐蚀溶液反应，铂薄膜从硅片上脱离；然后，将铂薄膜转移到去离子 水 中清洗；之后，将铂薄膜转移到与铂不反应的耐高温衬底上并干燥；最后，在铂薄膜上制备反铁电薄膜。与 现有技术 相比，本发明制得的反铁电薄膜脱离了衬底的束缚，实验证实有效提高了反铁电薄膜的 能量 存储 密度 ，同时也提高了其能量转换效率，作为储能元件具有广泛的应用前景。，下面是一种反铁电薄膜的制备方法专利的具体信息内容。
1.一种反铁电薄膜的制备方法，其特征是：包括如下步骤：
采用镀铂硅片，所述的镀铂硅片由硅片层、中间层和厚度为纳米级的铂薄膜层组成，所述的中间层是二氧化硅层，或是由二氧化硅层与钛层组成的复合层；首先，将镀铂硅片放入腐蚀溶液，使镀铂硅片的中间层与腐蚀溶液反应被刻蚀，铂薄膜从硅片上脱离而漂浮在溶液表面；然后，将铂薄膜转移到盛有去离子水的器皿中清洗；之后，将铂薄膜转移到与铂不反应的耐高温衬底上，干燥铂薄膜；最后，在铂薄膜上沉积反铁电薄膜。
2.根据权利要求1所述的反铁电薄膜的制备方法，其特征是：所述的反铁电材料包括锆酸铅，以及由钛、镧、锡、铌、锶、镁中的一种、两种或三种元素掺杂的锆酸铅。
3.根据权利要求1所述的反铁电薄膜的制备方法，其特征是：所述的腐蚀溶液为氢氟酸溶液或浓硫酸的双氧水溶液中的一种。
4.根据权利要求3所述的反铁电薄膜的制备方法，其特征是：所述的氢氟酸溶液的浓度为3%～40%。
5.根据权利要求3所述的反铁电薄膜的制备方法，其特征是：所述的浓硫酸和双氧水的体积比为19:1～1:2。
6.根据权利要求3所述的反铁电薄膜的制备方法，其特征是：所述的浓硫酸的双氧水溶液的温度为40～90℃。
7.根据权利要求1所述的反铁电薄膜的制备方法，其特征是：所述的中间层与腐蚀溶液的反应时间为4～12h。
8.根据权利要求1所述的反铁电薄膜的制备方法，其特征是：所述的耐高温衬底为镀铂硅片、硅片、石英玻璃或石墨烯纸。
9.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的反铁电薄膜的制备方法，其特征是：所述的铂薄膜是由转移基片转移到盛有去离子水的器皿中，所述的转移基片为镀铂硅片、硅片或石墨烯纸。
10.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的反铁电薄膜的制备方法，其特征是：采用脉冲激光沉积、溅射法、分子束外延、化学气相沉积方法在铂薄膜上沉积反铁电薄膜。
一种反铁电薄膜的制备方法
技术领域
背景技术
冲。理论研究和试验结果显示，采用爆炸冲击波作用方式，一个反铁电材料(1cm)在相变时的输出电功率可高达数百千瓦。
发明内容
具体实施方式
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