[0002] 本
发明要求于2016年12月19日提交的法国申请1662804的优先权，其内容(文本、
附图及
权利要求)通过引用并入本文。
技术领域
[0003] 本发明一般涉及电
力电子领域。更具体地，本发明涉及一种用于集成电子功率芯片且使汇流条互连的方法，该汇流条在诸如转换器和功率模
块的电力电子器件中形成
散热器。本发明还涉及通过实施上述方法获得的电力电子器件。
背景技术
[0004] 诸如功率转换器之类的电力电子器件在诸如运输、工业、照明、供暖等许多活动领域中显著存在。随着朝向可再生且产生较少CO2排放的
能源进行
能量过渡，电力电子技术将进一步普及，并且将不得不应对日益增长的经济和技术限制。
[0005] 当前的研究和开发集中于降低成本、增加功率
密度、增加可靠性、减少寄生元件和耗散能量的热传递。
[0006] 在
现有技术中，通常使用所谓的HDI(英语为“高密度互连”)技术，以提高集成
水平并减小功率
电路的尺寸。通常在英语中称为“印刷
电路板”的PCB印刷电路板上实施的HDI技术是建立在对构件的空间布置的优化之上，特别是通过使用称为“引线
框架”的带有
铜迹线电路的陶瓷带和陶瓷板以互连表面贴装部件，或者在更为先进的技术中，使用填充铜的称为“微孔”的微孔以互连嵌入部件。其使用激光钻孔以及各种
焊接技术，例如钎焊、称为TLP焊接的瞬时液相焊接或金属纳米颗粒粉末
烧结。
[0007] 然而，面对大规模生产所需的成本降低以及集成水平和紧凑性的提高，HDI技术遇到了局限性。可以实现的集成度受到通过带和微型过孔的互连所占用的空间的限制。这些通过带或
电缆的互连引入了寄生电感，这些寄生电感与较高的切波
频率或切换频率相互对立。然而，增加切换频率通常有利于紧凑性，尤其是在功率转换器中。减少寄生电感是必需的，以减少所产生的热、保护电路免遭潜在的破坏性过
电压并且改善对电磁
辐射的控制。
[0008] 需要高性能冷却以将有源元件和无源部件
温度保持在临界值以下，从而实现热平衡并保证功率电路的可靠性。具有越来越小的面积的
硅芯片以及诸如
碳化硅的新功率
半导体的可用性允许更高的
电流密度以及切波频率的增加，这允许功率电路的更高的紧凑性。但是为此，功率电路的架构和所使用的技术应该确保电路的更高的紧凑性。但是为此，功率电路的架构和所使用的技术必须确保尽可能接近元件的耗散能量的提取。有必要优化由部件构成的热源以及由散热装置构成的散热器之间的热路径。
[0009] 在已知技术中，在转移至空气中或
冷却液中之前，热量应该穿过不同的层，例如
焊料、
镀铜介电衬底、金属
底板、热界面材料以及散热器的
质量。
发明内容
[0010] 现在看来有必要提出一种新技术，以制造具有优异散热性能并允许针对所应用的各种约束进行更好优化的电力电子器件。
[0011] 根据第一方面，本发明涉及一种方法，用于集成电子功率芯片和形成散热器的汇流条，以实现电力
电子电路。根据本发明，该方法包括：
[0012] -制造集成至少一个电子芯片的
基板，该电子芯片介于绝缘
层压内层和/或导电层压内层之间；
[0013] -通过
树脂预浸料的介电部，将金属汇流条段机械紧固到基板的相对的上表面和下表面上的预定的间隔开的
位置；并且
[0014] -对于相对的上表面和下表面中的每一个，通过金属层
电沉积使紧固到所讨论的表面的金属汇流条段和电子芯片的
电极互连，从而形成包括汇流条的电力电子电路，该汇流条形成散热器。
[0015] 根据本发明方法的特定特征，对基板的制造包括层压两个层
压板的步骤，这两个层压板具有树脂预浸料的介电层，所述树脂预浸料的介电层包括在该介电层之间的电子芯片，并且层压板的外表面由金属箔形成。
[0016] 根据另一特定特征，对基板的制造包括通过
机械加工去除材料的步骤，以在基板中制成至少一个腔体并使电子芯片的至少一个
接触面露出。
[0017] 根据另一特定特征，对基板的制造包括
电解沉积金属共形层的步骤。
[0018] 根据另一特定特征，对基板的制造包括用于以金属填充的电解沉积的步骤。
[0019] 根据另一特定特征，对基板的制造包括通过
光刻和湿法蚀刻精确限定连接图案的步骤。
[0020] 根据另一方面，本发明涉及一种电力电子电路，其通过实施如上简述的方法而获得，用于该方法的不同制造步骤的金属是铜。
[0021] 根据另一方面，本发明涉及一种电力电子器件，其包括如上所述的至少两个电路，其中称为上部电路的第一电路堆叠在称为下部电路的第二电路上，上部电路和下部电路通过其相应的汇流条而机械且电气地连接，至少一个中央冷却液循环空间位于上部电路和下部电路之间，并且中央冷却液循环空间形成在汇流条的部段之间。
[0022] 根据特定特征，该器件还包括至少一个上部冷却液循环空间，其位于该装置的上部部分，并且上部冷却液循环空间形成在上部电路的上部汇流条的部段和上部介电层之间。
[0023] 根据另一特定特征，该装置还包括至少一个下部冷却液循环空间，其位于该装置的下部部分，并且该下部冷却液循环空间形成在下部电路的下部汇流条的部段和下部介电层之间。
附图说明
[0024] 通过参照附图阅读以下对本发明的多个特定
实施例的详细描述，将使本发明的其他优点和特征更清楚地显现，其中：
[0025] 图1至图13是简化剖视图，其示出了根据本发明的用于集成电子功率芯片以及形成散热器的汇流条的方法的步骤；并且
[0026] 图14和图15是示出了根据本发明的电力电子器件的第一实施例和第二实施例的简化剖视图，其中通过空气和冷却液进行散热。
具体实施方式
[0027] 现在将在实现晶体管
开关桥臂或半桥形式的电力电子器件或模块的范围内描述根据本发明的方法的特定实施例。传统上，桥支路包括上部晶体管和下部晶体管以及相关的
二极管，该上部晶体管和下部晶体管分别在英语中称为“低端”和“高端”。这些器件可以连接以形成完整的开关桥，或者并联连接以通过期望的电流。
[0028] 通常，在本发明中使用印刷电路的已知且熟练掌握的制造技术，以集成电子芯片。因此，可以在根据本发明的方法中使用不同制造技术的组合，包括层压、光刻、金属电沉积以及湿法蚀刻。金属电沉积将特别用于电子芯片和汇流条的互连。
[0029] 参照图1至图13，现在详细描述在根据本发明的集成电子功率芯片和汇流条互连的集成方法中所涉及的不同制造步骤。
[0030] 图1和图2示出了制造层压板LA1的初始制造步骤，该层压板LA1由涂有导电金属箔FC1的介电层CD1形成。
[0031] 介电层CD1是厚的预浸料板，其通常由涂有环
氧型树脂且部分聚合的编织玻璃
纤维电介质组成。导电金属箔FC1通常是层压在介电层CD1上的铜箔，如图2所示。
[0032] 在图3的步骤中，例如呈功率晶体管MT和二极管MD的形式的部件芯片在预
定位置处转移到层压板LA1的介电层CD1。这里使用未示出的指标装置来安装芯片。
[0033] 图4的步骤示出了带有芯片MT和MD的层压板LA1与另一层压板LA2的层压，该另一层压板LA2通过图1和图2的步骤获得。在这个阶段，介电层CD1和CD2仍然仅部分聚合。然后将芯片MT和MD夹设在层压板LA1和LA2之间，更精确地，夹设在层压板的介电层CD1和CD2之间。层压板LA1和LA2彼此之间的层压通常通过按压以及进
真空层压炉处理来实现。
[0034] 在图5中，当从真空层压炉出来时获得了基板EB1，在基板EB1中，芯片MT和MD埋设在介电层CD中，该介电层CD完全聚合并来源于层CD1和CD2的层压。铜箔FC1和FC2构成基板EB1的相对的上表面和下表面。
[0035] 在图6的步骤中，通过例如借助激光进行加工而去除材料的操作在基板EB1的上表面和下表面上进行，并且腔体CA1至腔体CA5自基板的两侧制成，以使芯片MT和MD的接触面露出。
[0036] 在图7的步骤中，制成金属层CF，其符合基板EB1的已加工的上表面和下表面。层CF通常是通过电解沉积制成的铜层。
[0037] 在图8的步骤中，执行填充电解沉积，以通过铜完全填充腔体CA1至CA5以及基板EB1的相对的整个上表面和下表面。然后，基板EB1的上表面和下表面完全平坦并
覆盖有铜。
[0038] 图9和图10的步骤涉及芯片MT和MD的电连接图案的精确限定。
[0039] 在图9的步骤中，将
光刻胶树脂PS涂覆在基板EB1的上表面和下表面上，然后通过使用丝网印刷掩模并暴露于紫外线辐射而以传统方式限定且显露出在湿法蚀刻中待蚀刻的表面部分。图9示出了准备用于湿法蚀刻铜的基板EB1以及待去除的铜部分CP1至CP8。
[0040] 在图10的步骤中，已经通过湿法蚀刻去除铜部分CP1至CP8，从而精确地限定出连接图案。从腔体PD1至PD8去除铜部分CP1至CP8使得下面的介电层CD的部分显现。
[0041] 图11至图13示出了上部汇流条BBH和下部汇流条BBL在基板EB1的相对的上表面和下表面上的互连。除了它们的供电或其他常见功能之外，此处的上部汇流条BBH和下部汇流条BBL用于形成设置在基板EB1的相对的上表面和下表面上的散热器。汇流条BBH、BBL通常由铜制成。
[0042] 如图11所示，上部汇流条BBH和下部汇流条BBL各自由多个汇流条段BB1H、BB2H、BB3H以及BB1L、BB2L、BB3L形成，这些汇流条段例如通过机械加工预先切割，或者可能通过模制获得。
[0043] 预浸料的介电部分PP1H、PP2H、PP3H转移到汇流条段BB1H，BB2H，BB3H的对应面，对应面用于紧贴到基板EB1的上表面。预浸料的介电部分PP1L、PP2L、PP3L转移到汇流条段BB1L、BB2L、BB3L的对应面，该对应面用于紧贴到基板EB1的下表面。预浸料的介电部分PP1H、PP2H、PP3H以及PP1L、PP2L、PP3L设置成填充基板EB1的上部腔体和下部腔体并与下面的介电层CD的显现部分PD1至PD4以及显现部分PD5至PD8粘合。
[0044] 因此，基板EB1夹设在汇流条段BB1H、BB2H、BB3H以及汇流条段BB1L、BB2L、BB3L之间。汇流条段BB1H、BB2H、BB3H以及汇流条段BB1L、BB2L、BB3L通过预浸料的介电部分PP1H、PP2H、PP3H以及预浸料的介电部分PP1L、PP2L、PP3L而抵靠基板EB1的上表面和下表面。
[0045] 通过进真空层压炉处理实现对组装件的层压。图12示出了当基板EB1从真空层压炉中离开时，具有已组装的汇流条段的基板EB1的状态。在该阶段，通过介电部分的完全聚合而将汇流条段机械地紧固至电路。在此阶段完成用于使电路绝缘的介电图案。
[0046] 图13的步骤是
金属化和焊接步骤，其允许完成电路的导电元件和形成基板EB1的形成散热器的汇流条的互连。
[0047] 如图13所示，铜层MEH和MEL通过电解沉积在基板EB1的上部部分和下部部分上。
[0048] 铜层MEH沉积在基板EB1的上部部分上并使汇流条BBH的汇流条段BB1H，BB2H及BB3H和晶体管MT及二极管MD芯片的上表面互连，该晶体管MT及二极管MD芯片的上表面例如对应于漏极电极和
阴极电极。铜层MELL沉积在基板EB1的下部部分并使汇流条BBL的汇流条段BB1L、BB2L和BB3L以及晶体管芯片MT和二极管芯片MD的下表面互该晶体管芯片MT和二极管芯片MD的下表面对应于源极电极和
阳极电极。
[0049] 如上参照图1至图13所述的根据本发明的方法允许制造基本电路单元，其可以通过夹层架构组装以构成复杂性更高或更低的电力电子器件。通常在压力机中并进炉处理来实现对基本单元的组装。通过焊接来制成两个单元之间的机械连接和电连接。注意到，通过在多个生产线上生产基本电路单元，可以实现制造的并行化。
[0050] 根据本发明的基本电路单元的架构允许由汇流条形成的散热器和电子芯片的电极之间的直接铜接触。由位于电子芯片两侧并与电子芯片直接接触的铜质块构成的散热器允许有效地热提取。此外，连接导体的长度被最小化，这有助于寄生电感的减小并进一步提高紧凑性。
[0051] 图14示出了电力电子器件的第一实施例EM1，该电力电子器件通过堆叠两个基本电路单元BCHS和BCLS而构成。这里的装置EM1是由两个MOSFET晶体管以及两个
续流二极管组成的晶体管桥臂。
[0052] 通过组装汇流条在结合平面IP处实现两个堆叠的基本单元BCHS和BCLS的机械和电气连接。该组装可以例如通过称为TLP的瞬时液相焊接或其他焊接技术来实现。
[0053] 装置EM1在此是通
过冷却液并通过空气的混合冷却式实施例。
[0054] 如图14所示，在此处，基本单元BBHS和BBLS的组装在器件的中心部分形成中央冷却液循环空间CC1和CC2。位于最靠近电子芯片处的这些冷却液循环空间CC1和CC2用于使载热冷却液的加压循环。在器件EM1的上部部分和下部部分中，形成散热器的汇流条BBH和BBL的开槽轮廓增加了与环境空气的热交换面积并有助于装置的冷却。
[0055] 图15示出了电力电子器件的第二实施例EM2。器件EM2具有完整的液体冷却功能并适用于应用比装置EM1的功率更高的功率。
[0056] 装置EM2与装置EM1的不同之处在于，装置EM2配备有控制电路CTRLHS和CTRLLS，其分别集成在装置EM2的上部部分和下部部分。控制电路CTRLHS和CTRLLS分别通过介电层DLHS和DLLS机械紧固到基本单元BCHS和BCLS的上部部分和下部部分，并且与基本单元BCHS和BCLS的上部部分和下部部分电绝缘。电路CTRLHS和CTRLLS各自包括根据已知技术制造的多个层压板。如果需要，有源元件和无源元件可以埋设在电路CTRLHS和CTRLLS的内层之间，或者可以通过钎焊或导电胶以传统方式表面设置在电路上。
[0057] 如图15所示，在器件EM2的上部部分和下部部分处通过绝缘介电层DLHS和DLLS进行的对控制电路CTRLHS和CTRLLS的集成允许形成额外的上部冷却液循环空间CH1、CH2和下部冷却液循环空间CL1、CL2。位于中央空间CC1和CC2两侧的这些额外空间CH1、CH2和CL1、CL2允许增加对装置EM2的冷却。因此，通过载热液在靠近电子芯片的上表面和下表面的循环而更有效地冷却电子芯片。
[0058] 根据本发明的电力电子器件的其他实施例当然是可能的。因此，例如，器件的上部部分和/或下部部分可以仅用介电层封闭，而不必在该位置处设置控制电路。
[0059] 本发明不限于这里作为示例描述的特定实施例。根据本发明的应用，本领域技术人员可以进行属于所附权利要求范围内的各种
修改和变型。
