1.制品，包括：
具有至少40％空隙体积的层压材料，所述层压材料的界面密度为至少2.0界面/微米(μ
m)。
2.根据权利要求1所述的制品，其中所述层压材料具有晶格结构，所述晶格结构包括多
个相互连接的支柱，所述多个相互连接的支柱形成向三个维度延伸的一系列多面体。
3.制品，包括：
具有晶格结构的层压材料，所述晶格结构包括多个相互连接的支柱，所述多个相互连
接的支柱形成向三个维度延伸的一系列多面体，所述层压材料的界面密度为至少2.0界面/
微米(μm)。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的制品，还包括工件，其中所述层压材料在所述工件
的表面上。
5.根据权利要求4所述的制品，其中所述工件是开孔泡沫。
6.根据权利要求5所述的制品，其中所述开孔泡沫的孔尺寸在至少一个维度上变化。
7.根据权利要求4-6中任一项所述的制品，其中所述工件包括聚合物。
8.根据权利要求7所述的制品，其中所述聚合物包括丙烯酰胺、芳基酰胺、聚苯并咪唑
(PBI)、聚醚酰亚胺、聚醚酮酮(PEKK)、聚醚醚酮(PEEK)、聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚苯醚(PPO)、聚苯乙烯(PS)、聚苯醚(PPO)和聚苯乙烯(PS)、聚邻苯二甲酰胺(PPA)、聚乙烯醇(PVA)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)、聚碳酸酯(PC)、聚乳酸(PLA)、PC/ABS、纤维素纤维、聚苯砜(PPSU)、热固性塑料、PBI-PEEK、脲、环氧树脂、氰酸酯、聚氨酯或其任意组合。
9.根据权利要求4-6中任一项所述的制品，其中所述工件包括金属。
10.根据权利要求2-9中任一项所述的制品，其中所述多面体是不规则的。
11.根据权利要求2-9中任一项的制品，其中所述多面体是规则的。
12.根据权利要求2-11中任一项所述的制品，其中所述一系列多面体包括布置在两个
或更多平面中的大于100个多面体。
13.根据权利要求2-12中任一项所述的制品，其中所述一系列多面体布置在三个或更
多个平面中。
14.根据权利要求2-13中任一项所述的制品，其中所述多面体包括三角多面体。
15.根据权利要求14所述的物品，其中所述三角多面体包括四面体、八面体和二十面
体。
16.根据权利要求2-15中任一项所述的制品，其中所述多面体的尺寸在至少一个维度
上变化。
17.根据权利要求16所述的制品，其中所述多面体的尺寸随着晶格结构的深度而变化。
18.根据权利要求2-17中任一项所述的制品，其中所述多个相互连接的支柱是中空的。
19.根据权利要求2-18中任一项所述的制品，其中所述晶格结构包括由多个多面体包
围的空腔。
20.根据权利要求2-19中任一项所述的制品，其中所述多个相互连接的支柱的平均长
度为约0.5微米(μm)至约10毫米(mm)。
21.根据权利要求2-20中任一项所述的制品，其中所述多个相互连接的支柱的平均长
度为约1μm至约500μm。
22.根据权利要求2-21中任一项所述的制品，其中所述多个相互连接的支柱的厚度在
至少一个维度上变化。
23.根据权利要求22所述的制品，其中所述多个相互连接的支柱的厚度随着晶格结构
的深度而变化。
24.根据权利要求1-23中任一项所述的制品，其中所述层压材料的厚度在至少一个维
度上变化。
25.根据权利要求24所述的制品，其中所述层压材料的厚度随着所述晶格结构的深度
而变化。
26.根据权利要求1-25中任一项所述的制品，其中所述层压材料包括具有第一组成的
第一层和具有第二组成的第二层。
27.根据权利要求26所述的制品，其中所述层压材料包括交替的第一层和第二层。
28.根据权利要求26或27所述的制品，其中所述第一层和所述第二层在晶粒尺寸、缺陷
密度、晶粒取向、金属间组分的存在、无定形金属玻璃含量的存在或其组合中的至少一个方面不同。
29.根据权利要求1-28中任一项所述的制品，其中所述层压材料包括至少5层。
30.根据权利要求1-29中任一项所述的制品，其中所述层压材料包括至少100层。
31.根据权利要求1-30中任一项所述的制品，其中所述层压材料包括独立地具有约1nm
至约1,500nm厚度的层。
32.根据权利要求1-31中任一项所述的制品，其中所述层压材料包括独立地具有约1nm
至约1,000nm厚度的层。
33.根据权利要求1-32中任一项所述的制品，其中所述层压材料包括独立地具有约2nm
至约100nm厚度的层。
34.根据权利要求1-33中任一项所述的制品，其中所述层压材料包括独立地具有约5nm
至约70nm厚度的层。
35.根据权利要求26-34中任一项所述的制品，其中基于显微照片中的粒度测量，所述
第一层独立地具有约1nm至1,000nm的平均粒度。
36.根据权利要求26-35中任一项所述的制品，其中基于显微照片中的粒度测量，所述
第二层独立地具有约1,000nm至5,000nm的平均粒度。
37.根据权利要求35或36所述的制品，其中所述第一层和所述第二层具有高度的孪晶，
并且所述层压材料相对于具有相同平均组成且晶粒尺寸至少为5000nm的电沉积金属或合
金具有增加的硬度、拉伸强度、耐腐蚀性或其组合。
38.根据权利要求26-37中任一项所述的制品，其中所述第一层独立地包括Ag、Al、Au、
B、Be、C、Co、Cr、Cu、Fe、Hg、In、Ir、Mg、Mn、Mo、Nb、Nd、Ni、P、Pd、Pt、Re、Rh、Sb、Si、Sn、Pb、Ta、Ti、W、V、Zn、Zr或其组合。
39.根据权利要求26-38中任一项所述的制品，其中所述第二层独立地包括Ag、Al、Au、
B、Be、C、Co、Cr、Cu、Fe、Hg、In、Ir、Mg、Mn、Mo、Nb、Nd、Ni、P、Pd、Pt、Re、Rh、Sb、Si、Sn、Pb、Ta、Ti、W、V、Zn、Zr或其组合。
40.根据权利要求26-39中任一项所述的制品，其中所述第一层和所述第二层包括
AlSi、CuNb、CuNi、NiFe、AIFe或NiAl。
41.根据权利要求1-40中任一项所述的制品，其中所述层压材料包括AlZn、AlSi、CuNb、
CuNi、NiFe、AIFe、NiAl、NiCr、NiCo、NiCrCo、NiCrAl、NiFeAl、NiCoAl、NiCrCoAl、NiMo、NiCrMo、NiFeMo、NiCoMo、NiCrCoMo、NiW、NiCrW、NiFeW、NiCoW、NiCrCoW、NiNb、NiCrNb、NiFeNb、NiCoNb、NiCrCoNb、NiTi、NiCrTi、NiFeTi、NiCoTi、NiCrCoTi、NiCrP、NiCrAl、NiCoP、NiFeP、NiCrSi、NiCrB、NiCoSi、NoCoB、NiFeSi、NiFeB、ZnCr、ZnFe、ZnCo、ZnNi、ZnCrP、ZnCrAl、ZnFeP、ZnFeAl、ZnCoP、ZnCoAl、ZnNiP、ZnNiAl、ZnCrSi、ZnCrB、ZnFeSi、ZnFeB、ZnCoSi、ZnCoB、ZnNiSi、ZnNiB、CoCr、CoFe、CoCrP、CoFeP、CoCrAl、CoFeAl、CoCrSi、CoFeSi、CoCrB、CoFeB、CoAl、CoW、CoCrW、CoFeW、CoTi、CoCrTi、CoFeTi、CoTa、CoCrTa、CoFeTa、CoC、CoCrC、CoFeC、FeCr、FeCrP、FeCrAl、FeCrSi或FeCrB。
42.根据权利要求1-41中任一项所述的制品，其中所述层压材料形成密度至少为60％
的表层。
43.根据权利要求42所述的制品，其中所述表层的密度至少为80％。
44.根据权利要求43所述的制品，其中所述表层的密度至少为95％。
45.根据权利要求44所述的制品，其中所述表层的密度至少为99％。
46.根据权利要求45所述的制品，其中所述表层是完全致密的。
47.根据权利要求1-46中任一项所述的制品，其中所述界面密度为至少约5界面/μm。
48.根据权利要求1-47中任一项所述的制品，其中所述界面密度为至少约10界面/μm。
49.根据权利要求1-48中任一项所述的制品，其中所述界面密度为至少约20界面/μm。
50.根据权利要求1-49中任一项所述的制品，其中所述界面密度为至少约500界面/μm。
51.根据权利要求3-50中任一项所述的制品，其中所述层压材料的空隙体积为至少
40％。
52.根据权利要求1、2或4-51中任一项所述的制品，其中所述空隙体积为至少60％。
53.根据权利要求52所述的制品，其中所述空隙体积为至少80％。
54.根据权利要求53所述的制品，其中所述空隙体积为至少90％。
55.根据权利要求1-54中任一项所述的制品，还包括与层压材料接触的导电冲击层。
56.根据权利要求55所述的制品，其中所述导电冲击层与所述工件接触。
57.根据权利要求2-56中任一项所述的制品，还包括与所述多个相互连接的支柱的至
少一部分接触的片材。
58.根据权利要求57所述的制品，其中所述片材是穿孔的。
59.根据权利要求57所述的制品，其中所述片材是固体。
60.根据权利要求57-59中任一项所述的制品，其中所述片材基本上是平面的。
61.根据权利要求57-60中任一项所述的制品，其中所述片材的第一侧和第二侧与所述
多个相互连接的支柱的一部分接触。
62.根据权利要求57-61中任一项所述的制品，其中所述片材与所述多个相互连接的支
柱的两个或多个顶点接触。
63.根据权利要求57-62中任一项所述的制品，其中所述片材沿着所述多个相互连接的
支柱中的两个或多个的长度与所述多个相互连接的支柱中的两个或多个接触。
64.根据权利要求57-63中任一项所述的制品，其中所述一系列多面体中的至少一个多
面体的面基本上平行于所述片材的第一侧或第二侧并与所述片材的第一侧或第二侧接触。
65.根据权利要求57-64中任一项所述的制品，还包括与所述多个相互连接的支柱的至
少一部分接触的多个片材。
66.根据权利要求57-65中任一项所述的制品，其中所述多个相互连接的支柱的一部分
相对于所述片材形成直角。
67.根据权利要求57-66中任一项所述的制品，其中所述多个相互连接的支柱的一部分
相对于所述片材形成锐角。
68.根据权利要求57-67中任一项所述的制品，其中所述片材具有均匀的厚度。
69.根据权利要求57-67中任一项所述的制品，其中所述片材具有不均匀的厚度。
70.根据权利要求57-69中任一项所述的制品，其中所述片材包括选自金属、金属合金、
层压金属、纳米层压金属、复合材料、玻璃纤维、陶瓷、天然纤维、陶瓷纤维布、天然纤维布、聚合布、金属布、橡胶、塑料及其组合的材料。
71.形成权利要求1-70中任一项所述制品的方法，包括：
在工件表面上沉积界面密度至少为2.0层/微米(μm)的层压材料。
72.根据权利要求71所述的方法，其中所述沉积包括气相沉积、喷涂、电沉积、无电沉积
或其组合。
73.根据权利要求72所述的方法，其中所述沉积包括电沉积。
74.根据权利要求73所述的方法，其中所述电沉积包括使用电位(恒电位)、电流(恒电
流)、脉冲电流、脉冲反向电流、调制电流、调制频率或连续过渡电流电镀。
75.根据权利要求71-74中任一项所述的方法，还包括通过无电沉积将导电冲击层施加
到所述工件表面，所述导电层足以使所述工件具有足够的导电性，以允许电沉积层压材料。
76.根据权利要求71-75中任一项所述的方法，还包括在施加所述层压材料之前制备所
述表面，以增加表面的表面能。
77.根据权利要求71-76中任一项所述的方法，还包括通过化学蚀刻、原位蚀刻、机械磨
损、材料去除或其组合来活化工件表面。
78.根据权利要求77所述的方法，其中所述活化表面包括等离子蚀刻、机械蚀刻、砂磨、
粗化或喷砂。
79.根据权利要求72-78中任一项所述的方法，其中所述电沉积包括：
将工件的至少一部分与包含可电沉积离子的电沉积浴接触；
向所述电沉积浴施加第一时间量的第一电流，从而使第一层电沉积到所述工件上，所
述第一层包括至少第一元素和第二元素；和
向所述电沉积浴施加第二时间量的第二电流，从而使第二层电沉积到所述第一层上，
所述第二层包括所述第一元素、所述第二元素或其组合。
80.根据权利要求71-79中任一项所述的方法，还包括制备所述工件。
81.根据权利要求80所述的方法，其中所述制备包括增材制造。
82.根据权利要求80或81所述的方法，其中所述制备包括铸造、注射成型、吹塑、挤压成
型、切割、机械加工、铣削、研磨、砂磨、抛光、喷砂、三维打印(3D打印)、选择性激光烧结(SLS)、烧结激光熔化(SLM)、熔融沉积成型(FDM)、立体平版打印(SLA)、连续液体界面打印(CLIP)、槽光聚合、粘合剂喷射、定向能量沉积、切割或形成机织物、无纺布或泡沫片材或其组合。
83.根据权利要求80-82中任一项所述的方法，其中所述制备包括光聚合。
84.根据权利要求71-83中任一项所述的方法，还包括移除所述工件。
85.根据权利要求84所述的方法，其中移除所述工件包括蚀刻所述工件。