一种硅片边缘抛光工艺
专利汇可以提供一种硅片边缘抛光工艺专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 硅 片 边缘 抛光 工艺，该工艺包括以下步骤：(1)使用清洗机对 硅片 进行清洗处理；(2)将清洗后的硅片进行机台对中处理；(3)对硅片的圆边边缘进行抛光处理；(4)将完成圆边边缘抛光的硅片进行参考面 定位 处理；(5)对完成参考面 位置 确定的硅片进行参考面边缘抛光处理。本发明通过增加边抛前清洗处理和改变边缘抛光流程顺序，有效的解决了边抛过程中造成的参考面边缘 腐蚀 损伤的问题，得到光滑无损伤的参考面边缘，提高了 外延 加工和器件加工成品率。，下面是一种硅片边缘抛光工艺专利的具体信息内容。
1.一种硅片边缘抛光工艺，其特征在于，包括以下步骤：
(1)使用清洗机对硅片进行清洗处理；
(2)将清洗后的硅片进行机台对中处理；
(3)对硅片的圆边边缘进行抛光处理；
(4)将完成圆边边缘抛光的硅片进行参考面定位处理；
(5)对完成参考面位置确定的硅片进行参考面边缘抛光处理。
2.根据权利要求1所述的硅片边缘抛光工艺，其特征在于，在所述步骤(1)中，使用SC-1清洗液对硅片进行1次清洗，时间为6-10分钟，清洗温度为50-80℃，之后在纯水槽中进行QDR冲洗3次，最终使硅片边缘表面呈亲水性。
3.根据权利要求2所述的硅片边缘抛光工艺，其特征在于，所述SC-1清洗液是由氨水、双氧水和纯水按(1-2)∶(1-2)∶(10-20)的质量比混合而成。
4.根据权利要求1所述的硅片边缘抛光工艺，其特征在于，在所述步骤(2)中，使用边缘抛光机对硅片进行对中，硅片圆心与机台圆心偏离范围在0.2mm以内。
5.根据权利要求1所述的硅片边缘抛光工艺，其特征在于，在所述步骤(3)中，所使用的抛光布硬度为60Aske-C，边缘抛光压力为80-120N，转速为500-900r/min，时间为50-90s。
6.根据权利要求1所述的硅片边缘抛光工艺，其特征在于，在所述步骤(4)中，硅片参考面与机台平行度在0.1mm以内。
7.根据权利要求1所述的硅片边缘抛光工艺，其特征在于，在所述步骤(5)中，所使用的抛光布硬度为60Aske-C，边缘抛光压力为10-30N，转速为1000-1300r/min，时间为50-90s。
一种硅片边缘抛光工艺
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
10.5-11范围内，边缘抛光压力为100N，转速为800r/min，时间为60s。
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