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一种LED芯片 电极的制备方法

阅读：297发布：2020-05-08

专利汇可以提供一种LED芯片电极的制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种LED芯片电极的制备方法，在LED芯片外延层表面上先沉积一层正性光刻胶层，此正性光刻胶层处于负性光刻胶层和LED芯片外延层之间，且在制备过程中此部分正性光刻胶已经受到光照发生化学分解反应，此部分正性光刻胶更易去除，因负性光刻胶层覆盖在正性光刻胶层表面，负性光刻胶随着正性光刻胶一起去除，确保LED芯片不会留下胶膜，得到更洁净的LED芯片。，下面是一种LED芯片电极的制备方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种LED芯片电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
a)在LED芯片衬底（1）上方制备LED芯片外延层（2）；
b)在LED芯片外延层（2）上表面上涂一层正性光刻胶，形成正性光刻胶层（3）；
c)在正性光刻胶层（3）上通过光刻制备正性光刻胶图形；
d)在正性光刻胶图形表面涂一层负性光刻胶，形成负性光刻胶层（4）；
e)在负性光刻胶层（4）上通过光刻制备负性光刻胶图形；
f)在负性光刻胶图形上制备LED芯片电极（5），将LED芯片外延层（2）上端且位于LED芯片电极（5）之外的正性光刻胶层（3）及负性光刻胶层（4）去除。
2.根据权利要求1所述的LED芯片电极的制备方法，其特征在于：步骤b)中在LED芯片外延层（2）上表面上涂厚度为3-4μm的正性光刻胶，涂胶后放入温度为85-95℃的烘箱中烘烤
10-20分钟。
3.根据权利要求2所述的LED芯片电极的制备方法，其特征在于：在正性光刻胶烘烤后对正性光刻胶层（3）中需要制备LED芯片电极（5）的区域进行光照，光照后使用显影液将需要制备LED芯片电极（5）的区域中的正性光刻胶去除，制得正性光刻胶图形。
4.根据权利要求1所述的LED芯片电极的制备方法，其特征在于：步骤d)中在正性光刻胶图形上涂厚度为2-3μm的负性光刻胶，涂胶后放入温度为85-95℃的烘箱中烘烤10-15分钟。
5.根据权利要求4所述的LED芯片电极的制备方法，其特征在于：在负性光刻胶烘烤后对负性光刻胶层（4）中需要制备LED芯片电极（5）的区域之外进行光照，光照后放入温度为
95-105℃的烘箱中烘烤10-15分钟，烘烤后使用显影液将需要制备LED芯片电极（5）的区域中的负性光刻胶去除，制得负性光刻胶图形。
6.根据权利要求1所述的LED芯片电极的制备方法，其特征在于：在步骤f)中先将负性光刻胶层（4）上表面上镀一层厚度为1.6-2.8μm的Au膜，将需要制备LED芯片电极（5）的区域之外的Au膜剥离掉后将LED芯片外延层（2）上端且位于LED芯片电极（5）之外的正性光刻胶层（3）及负性光刻胶层（4）去除，制得LED芯片电极（5）。

说明书全文

一种LED芯片电极的制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及光电子技术领域，具体涉及一种LED芯片电极的制备方法。

背景技术

[0002] LED作为21世纪的照明新光源，同样亮度下，半导体灯耗电仅为普通白炽灯的l/10，而寿命却可以延长100倍。LED器件是冷光源，光效高，工作电压低，耗电量小，体积小，可平面封装，易于开发轻薄型产品，结构坚固且寿命很长，光源本身不含汞、铅等有害物质，无红外和紫外污染，不会在生产和使用中产生对外界的污染。因此，半导体灯具有节能、环保、寿命长等特点，如同晶体管替代电子管一样，半导体灯替代传统的白炽灯和荧光灯，也将是大势所趋。无论从节约电能、降低温室气体排放的角度，还是从减少环境污染的角度，LED作为新型照明光源都具有替代传统照明光源的极大潜力。

[0003] 上世纪50年代，在IBM Thomas J. Watson Research Center为代表的诸多知名研究机构的努力下，以GaAs为代表的III–V族半导体在半导体发光领域迅速崛起。之后随着金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术的出现，使得高质量的III–V族半导体的生长突破了技术壁垒，各种波长的半导体发光二极管器件相继涌入市场。由于半导体发光二极管相对于目前的发光器件具有效率高、寿命长、抗强力学冲击等特质，在世界范围内被看作新一代照明器件。

[0004] 现阶段LED芯片电极制备大部分都采用负胶剥离的方法，正性光刻胶的特点是受到紫外光或其它强光照射后，受到光照区域的光刻胶发生化学分解反应，更容易被显影液溶解。负性光刻胶的特点是受到紫外光或其它强光照射后，受到光照区域的光刻胶发生光固化反应，较难被显影液溶解，而未受到光照区域较容易被显影液溶解。因负性光刻胶的特性经过曝光的部分会较难去除，导致负胶容易在LED芯片留下胶膜，后续需要通过大量的去胶作业确保LED芯片表面的洁净度。而正性光刻胶作业的特性经过曝光的部分会较容易去除，但正性光刻胶无法用于电极剥离。负胶剥离容易留下胶膜，胶膜对芯片外观、芯片的可焊性都会造成比较大的影响，会造成较严重的芯片损失及客户端损失。

发明内容

[0005] 本发明为了克服以上技术的不足，提供了一种能得到更洁净的芯片表面且确保表面不会残留胶膜的LED芯片电极的制备方法。

[0006] 本发明克服其技术问题所采用的技术方案是：一种LED芯片电极的制备方法，包括如下步骤：
a)在LED芯片衬底上方制备LED芯片外延层；
b)在LED芯片外延层上表面上涂一层正性光刻胶，形成正性光刻胶层；
c)在正性光刻胶层上通过光刻制备正性光刻胶图形；
d)在正性光刻胶图形表面涂一层负性光刻胶，形成负性光刻胶层；
e)在负性光刻胶层上通过光刻制备负性光刻胶图形；
f)在负性光刻胶图形上制备LED芯片电极，将LED芯片外延层上端且位于LED芯片电极之外的正性光刻胶层及负性光刻胶层去除。

[0007] 优选的，步骤b)中在LED芯片外延层上表面上涂厚度为3-4μm的正性光刻胶，涂胶后放入温度为85-95℃的烘箱中烘烤10-20分钟。

[0008] 优选的，在正性光刻胶烘烤后对正性光刻胶层中需要制备LED芯片电极的区域进行光照，光照后使用显影液将需要制备LED芯片电极的区域中的正性光刻胶去除，制得正性光刻胶图形。

[0009] 优选的，步骤d)中在正性光刻胶图形上涂厚度为2-3μm的负性光刻胶，涂胶后放入温度为85-95℃的烘箱中烘烤10-15分钟。

[0010] 优选的，在负性光刻胶烘烤后对负性光刻胶层中需要制备LED芯片电极的区域之外进行光照，光照后放入温度为95-105℃的烘箱中烘烤10-15分钟，烘烤后使用显影液将需要制备LED芯片电极的区域中的负性光刻胶去除，制得负性光刻胶图形。

[0011] 优选的，在步骤f)中先将负性光刻胶层上表面上镀一层厚度为1.6-2.8μm的Au膜，将需要制备LED芯片电极的区域之外的Au膜剥离掉后将LED芯片外延层上端且位于LED芯片电极之外的正性光刻胶层及负性光刻胶层去除，制得LED芯片电极。

[0012] 本发明的有益效果是：在LED芯片外延层表面上先沉积一层正性光刻胶层，此正性光刻胶层处于负性光刻胶层和LED芯片外延层之间，且在制备过程中此部分正性光刻胶已经受到光照发生化学分解反应，此部分正性光刻胶更易去除，因负性光刻胶层覆盖在正性光刻胶层表面，负性光刻胶随着正性光刻胶一起去除，确保LED芯片不会留下胶膜，得到更洁净的LED芯片。附图说明

[0013] 图1为本发明中在外延层表面涂正性光刻胶后的LED芯片剖视图；图2为本发明中在正性光刻胶表面涂负性光刻胶后的LED芯片剖视图；
图3为本发明中在负性光刻胶上制备电极后的LED芯片剖视图；；
图中，1.LED芯片衬底 2.LED芯片外延层 3.正性光刻胶层 4.负性光刻胶层 5.LED芯片电极。

具体实施方式

[0014] 下面结合附图1、附图2、附图3对本发明做进一步说明。

[0015] 一种LED芯片电极的制备方法，包括如下步骤：a)在LED芯片衬底1上方制备LED芯片外延层2；
b)在LED芯片外延层2上表面上涂一层正性光刻胶，形成正性光刻胶层3；
c)在正性光刻胶层3上通过光刻制备正性光刻胶图形；
d)在正性光刻胶图形表面涂一层负性光刻胶，形成负性光刻胶层4；
e)在负性光刻胶层4上通过光刻制备负性光刻胶图形；
f)在负性光刻胶图形上制备LED芯片电极5，将LED芯片外延层2上端且位于LED芯片电极5之外的正性光刻胶层3及负性光刻胶层4去除。

[0016] 现有技术中，LED芯片电极制备大部分都采用负胶剥离的方法，都需要在LED芯片的外延层表面直接涂上负性光刻胶，因负性光刻胶的特性，电极剥离后要去除的负性光刻胶是通过光照产生光固化反应的，此部分负性光刻胶去除难度较大且容易留下胶膜。

[0017] 本发明中在LED芯片外延层2表面上先沉积一层正性光刻胶层3，此正性光刻胶层3处于负性光刻胶层4和LED芯片外延层2之间，且在制备过程中此部分正性光刻胶已经受到光照发生化学分解反应，此部分正性光刻胶更易去除，因负性光刻胶层4覆盖在正性光刻胶层3表面，负性光刻胶随着正性光刻胶一起去除，确保LED芯片不会留下胶膜，得到更洁净的LED芯片。

[0018] 实施例1：优选的，步骤b)中在LED芯片外延层2上表面上涂厚度为3-4μm的正性光刻胶，涂胶后放入温度为85-95℃的烘箱中烘烤10-20分钟。涂正性光刻胶后进行烘烤可以使正性光刻胶层
3更加坚固。

[0019] 实施例2：优选的，在正性光刻胶烘烤后对正性光刻胶层3中需要制备LED芯片电极5的区域进行光照，光照后使用显影液将需要制备LED芯片电极5的区域中的正性光刻胶去除，制得正性光刻胶图形。

[0020] 实施例3：优选的，步骤d)中在正性光刻胶图形上涂厚度为2-3μm的负性光刻胶，涂胶后放入温度为85-95℃的烘箱中烘烤10-15分钟。涂负性光刻胶后进行烘烤可以使负性光刻胶层4更加坚固。

[0021] 实施例4：优选的，在负性光刻胶烘烤后对负性光刻胶层4中需要制备LED芯片电极5的区域之外进行光照，光照后放入温度为95-105℃的烘箱中烘烤10-15分钟，烘烤后使用显影液将需要制备LED芯片电极5的区域中的负性光刻胶去除，制得负性光刻胶图形。

[0022] 实施例5：优选的，在步骤f)中先将负性光刻胶层4上表面上镀一层厚度为1.6-2.8μm的Au膜，将需要制备LED芯片电极5的区域之外的Au膜剥离掉后将LED芯片外延层2上端且位于LED芯片电极5之外的正性光刻胶层3及负性光刻胶层4去除，制得LED芯片电极5。

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