【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ、特に、光通信、光信号処理、光インターコネクト等の光源として用いられる半導体レーザに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体レーザに対して低消費電力化及び高出力化への要望が強くなってきており、そのため半導体レーザの活性層の高利得化が求められている。
従来の半導体レーザとして、活性層に量子井戸構造又は歪量子井戸構造を用いたものが知られている（田中一弘他、「ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ 歪ＭＱＷレーザ発振特性の基礎検討」電子情報通信学会、研究会論文誌ＯＱＥ９１−９６等）。

【０００３】歪量子井戸構造の活性層を有する従来の半導体レーザのバンド構造を図７に示す。 ｎ−ＩｎＰからなるｎ型クラッド層１００とｐ−ＩｎＰからなるｐ型クラッド層１０２の間に、ＩｎＧａＡｓＰからなるＳＣＨ
（Ｓｅｐａｒａｔｅ−Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ Ｈｅｔ
ｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）層１０４に挟まれた活性層１０６が設けられている。 活性層１０６は、ＩｎＧａＡ
ｓＰからなるバリア層１０６ａとＩｎＧａＡｓからなる井戸層１０６ｂが交互に積層された歪多重量子井戸構造をしている。

【０００４】しかしながら、図７に示す従来の半導体レーザでは、レーザ発振時に、ｎ型クラッド層１００又はｐ型クラッド層１０２から活性層１０６に注入されたキャリヤの一部が、活性層１０６から反対側のＳＣＨ層１
０４やクラッド層１００、１０２に溢れ出てしまい、注入電流を増加させてもレーザ光強度が大きくならず、利得が飽和してしまうという問題がある。

【０００５】特に、ＩｎＰ基板上に形成するＩｎＧａＡ
ｓＰ系のバルク、量子井戸、量子細線又は量子箱等の活性層１０６を有する半導体レーザでは、ヘテロ接合における伝導帯でのバンド不連続エネルギΔＥｃが、価電子帯でのバンド不連続エネルギΔＥｖより小さいために、
移動度の大きい電子が活性層１０６からＳＣＨ層１０４
やｐ型クラッド層１０２に溢れでやすく、利得が飽和しやすいという問題がある。

【０００６】半導体レーザの活性層に注入されたキャリアがクラッド層やＳＣＨ層に溢れ出ることを防ぎ、利得が飽和しやすいという上記問題を解決するものとして、
クラッド層又はＳＣＨ層の障壁を実質的に高くするために、多重量子障壁（Ｍｕｌｔｉ−Ｑｕａｎｔｕｍ Ｂａ
ｒｒｉｅｒ）層を設けたものが知られている。 活性層から溢れでた電子を反射するようにクラッド層やＳＣＨ層内に複数の量子障壁を構成するＭＱＢ層を設けたものである。

【０００７】クラッド層内にＭＱＢ層を設けた半導体レーザのバンド構造を図８に示す。 ｐ型クラッド層１０２
内に多重量子井戸構造のＭＱＢ電子反射層１１２を設けている。 ＭＱＢ電子反射層１１２はバリア層１１２ａと井戸層１１２ｂが交互に形成されて複数の量子障壁を形成している。 図８に示すバンド構造の半導体レーザでは、電流注入時に活性層１０６から電子がヘテロ接合のバンド不連続によるポテンシャル差Ｕｅを越えてｐ型クラッド層１０２に溢れ出てしまっても、ド・ブローイ波長（室温で数百オングストローム）以下の量子井戸の繰り返しからなるＭＱＢ電子反射層１１２によって、溢れ出た電子が反射されて戻ってくる。 このため、実質的なヘテロ障壁はポテンシャルΔＵｅだけ大きくなったことになる。 したがって、活性層に注入されたキャリアがクラッド層やＳＣＨ層に溢れ出ることを防ぎ、活性層を高利得化することができる。

【０００８】また、ＭＱＢ電子反射層１１２の量子井戸を深くすれば半導体レーザの活性層を更に高利得化できることが知られている（高木 剛他、「多重量子障壁（ＭＱＢ）の設計と電子波反射効果の実験的検討」電子情報通信学会、論文誌Ｃ−Ｉ、Ｖｏｌ．Ｊ７４−Ｃ−Ｉ
Ｎｏ． １２ ｐｐ． ５ ２７−５３５等）。 図９は、
図８に示すＭＱＢ電子反射層の量子井戸を更に深くした半導体レーザのバンド構造を示す図である。 図９に示すように、ＭＱＢ電子反射層１１２の量子井戸を更に深くすることによって、電子の反射率が高くなってポテンシャルΔＵｅが大きくなり、実質的なヘテロ障壁Ｕｅ＋Δ
Ｕｅは更に大きくなる。 したがって、閉じ込め効果が大きくなり活性層が更に高効率化される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】このように、図８及び図９に示す従来の半導体レーザは、活性層の利得飽和を抑制して高利得を得るのに有効であるが、ＭＱＢ電子反射層が格子整合する材料系を用いた格子整合系であるため、設計に大きな制限があるという問題があった。

【００１０】例えば、格子整合系では、構成する結晶の種類や要求される発振波長によっては、得られるバンドギャップの範囲が制限されるため、深い量子井戸のＭＱ
Ｂを作製することができず、電子の反射率を上げられないという場合がある。 また、伝導帯の電子を反射するようにＭＱＢ電子反射層を構成すると、価電子帯にも大きな量子井戸が生じて、これが正孔の流れを阻害してしまう。 これにより、半導体レーザの高速応答性に悪影響を及ぼしてしまう。 特に、ＩｎＰ基板上のＩｎＧａＡｓＰ
系の材料では、伝導帯でのバンド不連続エネルギΔＥｃ
が、価電子帯でのバンド不連続エネルギΔＥｖより小さいために、その悪影響が大きかった。

【００１１】本発明の目的は、材料選択の自由度が高く、容易に低消費電力化及び高出力化を実現できる半導体レーザを提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的は、ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層の間に活性層が設けられた半導体レーザにおいて、バリア層と歪井戸層が積層された歪多重量子井戸構造のキャリア反射層を、前記活性層と前記ｐ型クラッド層又はｎ型クラッド層の間に設けたことを特徴とする半導体レーザによって達成される。

【００１３】

【作用】本発明によれば、バリア層と歪井戸層が積層された歪多重量子井戸構造のキャリア反射層を、活性層とｐ型クラッド層又はｎ型クラッド層の間に設けたので、
活性層に注入されたキャリヤがＳＣＨ層やクラッド層に溢れ出るのを防止することができ、しかも、キャリア反射層は歪多重量子井戸構造であるので、構成する結晶の種類や要求される発振波長に適応した材料を用いてキャリアの反射率を上げたり、伝導帯の電子は反射するが価電子帯の正孔の流れを阻害しないキャリア反射層を実現することができる。

【００１４】

【実施例】本発明の第１の実施例による半導体レーザを図１及び図２を用いて説明する。 図１は本実施例の半導体レーザの断面構造を示す図であり、図２は本実施例の半導体レーザのバンド構造を示す図である。 図１に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板１０上に、ｎ−ＩｎＰからなるｎ型クラッド層１２、Ｉｎ _0.75 Ｇａ _0.25 Ａｓ _0.54 Ｐ _0.46
（１．３μｍ組成）からなる約１００ｎｍ厚のＳＣＨ層１４、Ｉｎ _0.75 Ｇａ _0.25 Ａｓ _0.54 Ｐ _0.46 ／Ｉｎ _0.6 Ｇａ
_0.4 Ａｓの歪多重量子井戸構造の合計が約７０ｎｍ厚の活性層１６、Ｉｎ _0.75 Ｇａ _{0. 25} Ａｓ _0.54 Ｐ _0.46 （１．３
μｍ組成）からなる約３００ｎｍ厚のスペーサ層１８、
Ｉｎ _0.75 Ｇａ _0.25 Ａｓ _0.54 Ｐ _0.46 ／Ｉｎ _0.6 Ｇａ _0.4 Ａ
ｓの歪多重量子井戸構造の合計が約３０ｎｍ厚のＭＱＢ
電子反射層２０、Ｉｎ _0.75 Ｇａ _0.25 Ａｓ _0.54 Ｐ
_0.46 （１．３μｍ組成）からなる約１００ｎｍ厚のＳＣ
Ｈ層２２、ｐ−ＩｎＰからなるｐ型クラッド層２３が形成され、全体が約１．５μｍ幅のメサ形状に形成されている。 このメサ形状はｐ−ＩｎＰからなるｐ型埋込み層２４により埋め込まれている。

【００１５】活性層１６は、Ｉｎ _0.75 Ｇａ _0.25 Ａｓ _0.54
Ｐ _0.46からなる約１０ｎｍ厚のバリア層１６ａと、Ｉｎ
_0.6 Ｇａ _0.4 Ａｓからなる面内圧縮歪みの約４ｎｍ厚の歪井戸層１６ｂを交互に５層積層されて構成されており、活性層１６全体として約７０ｎｍ厚である。 ＭＱＢ
電子反射層２０は、Ｉｎ _0.75 Ｇａ _0.25 Ａｓ _0.54 Ｐ _0.46からなる約２ｎｍ厚のバリア層２０ａと、Ｉｎ _0.6 Ｇａ
_0.4 Ａｓからなる面内圧縮歪みの約１ｎｍ厚の歪井戸層２０ｂとを交互に１０層積層されて構成されており、Ｍ
ＱＢ電子反射層２０全体として約３０ｎｍ厚である。

【００１６】なお、活性層１６とＭＱＢ電子反射層２０
は同じ組成のバリア層と歪井戸層を用いたが、バリア層と歪井戸層の厚さを異ならせることにより、ＭＱＢ電子反射層２０の吸収端波長を活性層１６の吸収端波長より端波長側にして活性層１６からの光をＭＱＢ電子反射層２０で吸収しないようにしている。 ｐ型埋込み層２４上にはｎ−ＩｎＰからなる電流狭窄層２６が形成され、更に全面にｐ−ＩｎＰからなるｐ型クラッド層２８が形成されている。

【００１７】ｐ型クラッド層２８上にはｐ+ −ＩｎＧａ
ＡｓＰからなるコンタクト層３０が形成され、コンタクト層３０上にはストライプ状の開口部を有するＳｉＯ ₂
層３２が形成されている。 ＳｉＯ ₂層３２上にはＴｉ／
Ｐｔ／Ａｕからなるｐ側電極３４が形成され、ストライプ状の開口部によりコンタクト層３０にコンタクトしている。 ｎ−ＩｎＰ基板１０の裏面には、ＡｕＧｅ／Ａｕ
からなるｎ側電極３６が形成されている。

【００１８】本実施例の半導体レーザのバンド構造を図２に示す。 ｎ型クラッド層１２からＳＣＨ層１４、歪多重量子井戸構造の活性層１６、スペーサ層１８、歪多重量子井戸構造のＭＱＢ電子反射層２０、ＳＣＨ層２２、
ｐ型クラッド層２３にわたる領域のバンド構造は、図２
に示すようであり、ｎ型クラッド層１２から活性層１４
に注入され、溢れ出した電子はＭＱＢ電子反射層２０で反射され、再び活性層１４に注入される。

【００１９】このように本実施例によれば、活性層から溢れ出した電子をＭＱＢ電子反射層で反射して、再び活性層に注入するので、活性層の高効率化をはかることができる。 なお、本実施例では、活性層１６とＭＱＢ電子反射層２０を同じ組成にしたが、活性層１６からの光を吸収しない範囲でＭＱＢ電子反射層２０の組成を長波長化してもよい。

【００２０】また、ＭＱＢ電子反射層２０が有効に機能するための目安としては、ＭＱＢ電子反射層２０における歪井戸層２０ｂの量子準位と活性層１６やＳＣＨ層１
４、２２のバンドとが結合しないように、活性層１６、
ＳＣＨ層１４、２２等の光閉じ込め層から約１０ｎｍ以上の間隔を取った方がよい。 次に、本実施例の半導体レーザの製造方法について説明する。

【００２１】まず、ｎ−ＩｎＰ基板１０上に、ＭＯＶＰ
Ｅ法等により、ｎ型クラッド層１２、ＳＣＨ層１４、活性層１６、スペーサ層１８、ＭＱＢ電子反射層２０、Ｓ
ＣＨ層２２、ｐ型クラッド層２３を順次積層する。 次に、ｐ型クラッド層２３上に約１．５μｍ幅のＳｉＯ ₂
等からなるマスク層を形成し、このマスク層をマスクとして、ｎ型クラッド層１２、ＳＣＨ層１４、活性層１
６、スペーサ層１８、ＭＱＢ電子反射層２０、ＳＣＨ層２２、ｐ型クラッド層２３を選択的にエッチング除去して、約１．５μｍ幅のメサ形状を形成する。

【００２２】次に、メサ形状の両側を埋め込むようにＬ
ＰＥ法、ＭＯＶＰＥ法等によりｐ型埋込み層２４、電流狭窄層２６をエピタキシャル成長する。 続いて、マスク層を除去して、ｐ型クラッド層２３、コンタクト層３０
を順次エピタキシャル成長する。 次に、コンタクト層３
０上にＳｉＯ ₂層３２を形成し、中央にストライプ状の開口部を形成するようにパターニングする。 続いて、全面にスパッタ法又は蒸着法等によりＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを堆積し、ストライプ状の開口部でコンタクト層３０にコンタクトするｐ側電極３４を形成する。

【００２３】次に、ｎ−ＩｎＰ基板１０の裏側の全面にスパッタ法又は蒸着法等により、ＡｕＧｅ／Ａｕを堆積し、ｎ側電極３６を形成する。 これにより半導体レーザが完成する。 本発明の第２の実施例による半導体レーザを図３及び図４を用いて説明する。 図３は本実施例の半導体レーザの断面構造を示す図であり、図４は本実施例の半導体レーザのバンド構造を示す図である。 第１の実施例と同一の構成要素には同一の符号を付して説明を省略又は簡略にする。

【００２４】本実施例ではＳＣＨ層２２内ではなくｐ型クラッド層２３内にＭＱＢ電子反射層４０を設け、ｐ型クラッド層２３内に溢れ出した電子を反射して活性層１
６の高効率化を実現している点に特徴がある。 ＳＣＨ層２２が薄い場合や、ＳＣＨ層２２とｐ型クラッド層２３
間の伝導帯のバンド不連続量が小さく電子が溢れ出しやすい場合に有効である。

【００２５】本実施例の半導体レーザは、図３に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板１０上に、ｎ−ＩｎＰからなるｎ
型クラッド層１２、Ｉｎ _0.78 Ｇａ _0.22 Ａｓ _0.48 Ｐ
_0.52 （１．２μｍ組成）からなる約２００ｎｍ厚のＳＣ
Ｈ層１４、Ｉｎ _0.78 Ｇａ _0.22 Ａｓ _{0. 48} Ｐ _0.52 ／Ｉｎ _0.6
Ｇａ _0.4 Ａｓの歪多重量子井戸構造の合計が約７０ｎｍ
厚の活性層１６、Ｉｎ _0.78 Ｇａ _0.22 Ａｓ _0.48 Ｐ
_0.52 （１．２μｍ組成）からなる約２００ｎｍ厚のＳＣ
Ｈ層２２、ｐ−ＩｎＰからなるｐ型クラッド層２３が形成され、ｐ型クラッド層２３内に、ＩｎＰ／Ｉｎ _0.65 Ｇ
ａ _0.35 Ａｓの歪多重量子井戸構造の合計が約３０ｎｍ厚のＭＱＢ電子反射層４０が形成されている。 全体が約１．５μｍ幅のメサ形状に形成されている。

【００２６】活性層１６は、Ｉｎ _0.78 Ｇａ _0.22 Ａｓ _0.48
Ｐ _0.52からなる約１０ｎｍ厚のバリア層１６ａと、Ｉｎ
_0.6 Ｇａ _0.4 Ａｓからなる面内圧縮歪みの約４ｎｍ厚の歪井戸層１６ｂを交互に５層積層されて構成されており、活性層１６全体として約７０ｎｍ厚である。 ＭＱＢ
電子反射層４０は、ＩｎＰからなる約２ｎｍ厚のバリア層４０ａと、Ｉｎ _0.35 Ｇａ _0.65 Ａｓからなる面内圧縮歪みの約１ｎｍ厚の歪井戸層４０ｂとを交互に１０層積層されて構成されており、ＭＱＢ電子反射層４０全体として約３０ｎｍ厚である。

【００２７】本実施例の半導体レーザのバンド構造を図４に示す。 ｎ型クラッド層１２からＳＣＨ層１４、歪多重量子井戸構造の活性層１６、ＳＣＨ層２２、ｐ型クラッド層２３、ＭＱＢ電子反射層４０にわたる領域のバンド構造は、図４に示すようである。 本実施例では、ｐ型クラッド層２３内に設けたＭＱＢ電子反射層４０の歪井戸層４０ｂの深さを活性層１６の歪井戸層１６ｂより深くして、ＭＱＢ電子反射層４０による電子の反射率を高くしている。 ｎ型クラッド層１２から活性層１４に注入され、ｐ型クラッド層２３に溢れ出した電子はＭＱＢ電子反射層４０で反射され、再び活性層１４に注入される。

【００２８】このように本実施例によれば、ｐ型クラッド層内に設けたＭＱＢ電子反射層により、活性層からｐ
型クラッド層に溢れ出した電子をＭＱＢ電子反射層で反射して、再び活性層に注入するので、活性層の高効率化をはかることができる。 本発明の第３の実施例による半導体レーザを図５及び図６を用いて説明する。 図５は歪多重量子井戸構造におけるバンド不連続の態様を示す図である。 図６は本実施例の半導体レーザのバンド構造を示す図である。 第１の実施例と同一の構成要素には同一の符号を付して説明を省略又は簡略にする。 なお、本実施例の半導体レーザの断面構造は第１の実施例と同じであるので図示を省略する。

【００２９】本実施例の半導体レーザのバンド構造を説明する前に、歪多重量子井戸構造におけるバンド不連続の主な態様について図５を用いて説明する。 バリア層の材料と歪井戸層の材料を選択することにより、伝導体のバンド不連続量ΔＥｃと価電子帯のバンド不連続量ΔＥ
ｖが図５に示すように変化させることができる。 図５
（ａ）に示す態様は、価電子帯のバンド不連続量ΔＥｖ
が伝導体のバンド不連続量ΔＥｃよりも大きい場合である。 このようなバンド構造の歪多重量子井戸構造を電子反射層に用いると、電子を反射できる一方で正孔も反射されて抵抗となり高速特性が劣化するおそれがある。

【００３０】図５（ｂ）に示す態様は、伝導体のバンド不連続量ΔＥｃが価電子帯のバンド不連続量ΔＥｖよりも大きい場合である。 このようなバンド構造の歪多重量子井戸構造を電子反射層に用いると、電子を高い反射率で反射できると共に正孔はあまり反射されず、電子反射層のバンド構造として望ましい。 図５（ｃ）に示す態様は、図５（ｂ）よりも価電子帯のバンド不連続量ΔＥｖ
が小さくなってほとんど零になった場合である。 このようなバンド構造の歪多重量子井戸構造を電子反射層に用いると、電子を高い反射率で反射するが、正孔は全く反射されないので、電子反射層のバンド構造として理想的である。

【００３１】本実施例の半導体レーザは、図５（ｂ）に示すバンド構造を実現したものである。 図６に示すように、ｎ−ＩｎＰからなるｎ型クラッド層１２、Ｉｎ _0.75
Ｇａ _{0. 25} Ａｓ _0.54 Ｐ _0.46 （１．３μｍ組成）からなる約１００ｎｍ厚のＳＣＨ層１４、Ｉｎ _0.75 Ｇａ _0.25 Ａｓ
_0.54 Ｐ _0.46 ／Ｉｎ _0.6 Ｇａ _0.4 Ａｓの歪多重量子井戸構造の合計が約７０ｎｍ厚の活性層１６、Ｉｎ _0.75 Ｇａ
_0.25 Ａｓ _0.54 Ｐ _0.46 （１．３μｍ組成）からなる約３０
０ｎｍ厚のスペーサ層１８、Ｉｎ _0.75 Ｇａ _0.25 Ａｓ _{0. 54}
Ｐ _0.46 ／Ｉｎ _0.6 Ｇａ _0.35 Ａｌ _0.05 Ａｓの歪多重量子井戸構造の合計が約３０ｎｍ厚のＭＱＢ電子反射層２０、
Ｉｎ _0.75 Ｇａ _0.25 Ａｓ _0.54 Ｐ _0.46 （１．３μｍ組成）からなる約１００ｎｍ厚のＳＣＨ層２２、ｐ−ＩｎＰからなるｐ型クラッド層２３が形成されている。

【００３２】活性層１６は、Ｉｎ _0.75 Ｇａ _0.25 Ａｓ _0.54
Ｐ _0.46からなる約１０ｎｍ厚のバリア層１６ａと、Ｉｎ
_0.6 Ｇａ _0.35 Ａｌ _0.05 Ａｓからなる面内圧縮歪みの約４
ｎｍ厚の歪井戸層１６ｂを交互に５層積層されて構成されており、活性層１６全体として約７０ｎｍ厚である。
ＭＱＢ電子反射層２０は、Ｉｎ _0.75 Ｇａ _0.25 Ａｓ _0.54 Ｐ
_0.46からなる約２ｎｍ厚のバリア層２０ａと、Ｉｎ _0.8
Ｇａ _0.15 Ａｌ _0.05 Ａｓ _0.54 Ｐ _0.46からなる面内圧縮歪みの約１ｎｍ厚の歪井戸層２０ｂとを交互に１０層積層されて構成されており、ＭＱＢ電子反射層２０全体として約３０ｎｍ厚である。

【００３３】本実施例の半導体レーザのバンド構造は、
図６に示すように、ＭＱＢ電子反射層２０における伝導体のバンド不連続量ΔＥｃが価電子帯のバンド不連続量ΔＥｖよりも大きい。 このため、活性層１６から溢れ出した電子を高い反射率で反射できるが、正孔はほとんど反射されない。 したがって、半導体レーザの高速特性を劣化させることなく活性層を高校率化することができる。

【００３４】本発明は上記実施例に限らず種々の変形が可能である。 例えば、上記実施例では電子を反射するためにＭＱＢ電子反射層を設けたが、溢れ出した正孔を反射するためにｎ型クラッド層又はＳＣＨ層内にＭＱＢ正孔反射層を設けてもよい。 また、ＭＱＢ層のバリア層及び歪井戸層の材料は、上記実施例における材料に限定されない。 さらに、ＭＱＢ層の歪井戸層の幅や間隔、深さは、上記実施例の場合に限定されず、しかも、ＭＱＢ層内で一定でも変化させていてもよい。

【００３５】さらに、上記実施例では本発明を半導体レーザに適用した場合について説明したが、電流注入型の光スイッチ、波長フィルタ、半導体光アンプ等の半導体レーザと類似の断面構造を有する光半導体素子にも本発明を適用することができる。

【００３６】

【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、バリア層と歪井戸層が積層された歪多重量子井戸構造のキャリア反射層を、活性層とｐ型クラッド層又はｎ型クラッド層の間に設けたので、活性層に注入されたキャリヤがＳＣ
Ｈ層やクラッド層に溢れ出るのを防止することができ、
しかも、キャリア反射層は歪多重量子井戸構造であるので、構成する結晶の種類や要求される発振波長に適応した材料を用いてキャリアの反射率を上げたり、伝導帯の電子は反射するが価電子帯の正孔の流れを阻害しないキャリア反射層を実現することができる。 したがって、材料選択の自由度が高くて、低消費電力かつ高出力の半導体レーザを容易に実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例による半導体レーザを示す断面図である。

【図２】本発明の第１の実施例による半導体レーザのバンド構造を示す図である。

【図３】本発明の第２の実施例による半導体レーザを示す断面図である。

【図４】本発明の第２の実施例による半導体レーザのバンド構造を示す図である。

【図５】歪多重量子井戸構造におけるバンド不連続の態様を示す図である。

【図６】本発明の第３の実施例による半導体レーザのバンド構造を示す図である。

【図７】従来の半導体レーザのバンド構造を示す図である。

【図８】従来の半導体レーザのバンド構造を示す図である。

【図９】従来の半導体レーザのバンド構造を示す図である。

【符号の説明】

１０…ｎ−ＩｎＰ基板 １２…ｎ型クラッド層 １４…ＳＣＨ層 １６…活性層 １６ａ…バリア層 １６ｂ…歪井戸層 １８…スペーサ層 ２０…ＭＱＢ電子反射層 ２０ａ…バリア層 ２０ｂ…歪井戸層 ２２…ＳＣＨ層 ２３…ｐ型クラッド層 ２４…ｐ型埋込み層 ２６…電流狭窄層 ２８…ｐ型クラッド層 ３０…コンタクト層 ３２…ＳｉＯ ₂層 ３４…ｐ側電極 ３６…ｎ側電極 ４０…ＭＱＢ電子反射層 ４０ａ…バリア層 ４０ｂ…歪井戸層 １００…ｎ型クラッド層 １０２…ｐ型クラッド層 １０４…ＳＣＨ層 １０６…活性層 １０６ａ…バリア層 １０６ｂ…井戸層 １１２…ＭＱＢ電子反射層 １１２ａ…バリア層 １１２ｂ…井戸層