一种InGaN基黄色发光二极管结构
专利汇可以提供一种InGaN基黄色发光二极管结构专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种InGaN基黄色发光 二极管 结构，它包括衬底，在衬底上由下至上依次生长有 缓冲层 、n型层、准备层、黄光多 量子阱 层和p型层，其特征在于：准备层和黄光多量子阱层 位置 包含有一定数量和大小的倒六 角 锥结构，准备层是In组分较高的InxGa(1‑x)N厚 单层 结构，InxGa(1‑x)N层厚度为50‑200nm。In组分较高的InxGa(1‑x)N厚单层结构准备层可显著弛豫了黄光多量子阱层所受的张应 力 ，获得高 质量 的黄光多量子阱 发光层 ，同时位于准备层及黄光多量子阱层区域的倒六角锥结构可大幅提升p型载流子(空穴)的注入效率，从而提升黄色 发光二极管 的 发光效率 。，下面是一种InGaN基黄色发光二极管结构专利的具体信息内容。
1.一种InGaN基黄色发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有n型层、准备层、黄光多量子阱层和p型层，特征是：在准备层和黄光多量子阱层的中间设有向上开口的倒六角锥结构；所述准备层是InxGa(1-x)N单层结构，其中0.03≤x≤0.15，InxGa(1-x)N层的厚度为hx，50nm≤hx≤200nm；黄光多量子阱层为InzGa(1-z)N/InwGa(1-w)N周期结构，其中0.2≤z≤0.4，0≤w≤0.15；黄光多量子阱层的周期数为m，InzGa(1-z)N层的厚度为hz，InwGa(1-w)N层的厚度为hw，其中3≤m≤10，2nm≤hz≤3nm，7nm≤hw≤20nm。
2.根据权利要求1所述的InGaN基黄色发光二极管结构，其特征在于：位于准备层和黄光多量子阱层位置的倒六角锥结构在生长平面上分布密度为ρ，至黄光多量子阱层顶时倒六角锥结构与生长平面相交成正六边形，正六边形边长为L，其中1×108cm-2≤ρ≤1×
1010cm-2，50nm≤L≤200nm。
3.根据权利要求1或2所述的InGaN基黄色发光二极管结构，其特征在于：生长平面为GaN材料体系的(0001)面，倒六角锥结构的六个锥面为GaN材料体系{10–11}面族的六个面；
至黄光多量子阱层生长结束时，倒六角锥结构表现为倒六角锥形的空洞，在生长p型层的过程中上述空洞被填平。
4.根据权利要求1所述的InGaN基黄色发光二极管结构，其特征在于：所述衬底为硅衬底、蓝宝石衬底、碳化硅衬底或氮化镓衬底中的一种。
一种InGaN基黄色发光二极管结构
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
15nm；黄光多量子阱层501为10个周期的In0.3Ga0.7N/GaN周期结构，其中In0.3Ga0.7N阱厚
2.5nm，GaN垒厚15nm；p型层601为掺Mg浓度5×1019cm-3的GaN。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 一种高光效、高色纯度的LED彩灯 | 2020-07-13 | 0 |
| 一种GaN基发光二极管芯片的生长方法 | 2020-09-14 | 0 |
| 铟砷氮铋、使用该材料的激光器和探测器及制备方法 | 2020-05-15 | 2 |
| 半导体发光器件及其制造方法、以及晶片及其制造方法 | 2021-07-11 | 2 |
| 大功率980nm量子阱半导体激光器半无铝结构 | 2022-03-23 | 1 |
| INCORPORATING GATE CONTROL OVER A RESONANT TUNNELING STRUCTURE IN CMOS TO REDUCE OFF-STATE CURRENT LEAKAGE, SUPPLY VOLTAGE AND POWER CONSUMPTION | 2021-09-08 | 1 |
| Nitride semiconductor light-emitting element and its manufacturing method | 2022-01-03 | 1 |
| 发光二极管 | 2021-02-18 | 2 |
| 반도체 자외선 발광소자 | 2020-09-04 | 0 |
| 發光二極體及其製造方法 | 2020-10-17 | 0 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
