一种发光二极管及其制作方法
专利汇可以提供一种发光二极管及其制作方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种发光 二极管 及其制作方法。所述 发光二极管 的制作方法，先在衬底一表面制备发光结构层，所述发光结构层至少包括N型 半导体 层、 量子阱 层、P型半导体层；然后在N型半导体层上制备N 电极 ，在P型半导体层上依次制备透明导电层和P电极，接着在所述透明导电层上制备第一反射镜层，在衬底另一表面制备第二反射镜层。 本发明采用的双向反射镜技术，使发光结构层发出的光有效地激发位于第一反射镜层表面的 荧光 粉，继而通过第一反射镜层对荧光粉受激发后所产生的光高效反射，提高发光结构层发出的光和荧光粉受激发后所产生的光的复合几率，从而提高整个芯片的 亮度 。，下面是一种发光二极管及其制作方法专利的具体信息内容。
1.一种发光二极管，依次包括衬底、及设置在所述衬底一表面的发光结构层，所述发光结构层至少包括N型半导体层、位于N型半导体层上的量子阱层、及位于量子阱层上的P型半导体层，在所述N型半导体层上设有N电极，在P型半导体层上依次设有透明导电层和P电极，其特征在于：所述发光二极管至少还包括：
设置在所述透明导电层表面的第一反射镜层，该第一反射镜层对所述发光结构层所发出的光具有高透过率、对荧光粉受激发后所产生的光具有高反射率，其中，所述荧光粉由发光结构层所发出来的光来激发；
设置在所述衬底另一表面上的第二反射镜层，该第二反射镜层对所述发光结构层所发出的光具有高反射率。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一反射镜层对所述发光结构层所发出的光的透过率大于90%、对所述荧光粉受激发后所产生的光的反射率大于90%。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光结构层所发出的光包括波长范围为420~480nm的可见光，所述荧光粉受激发后所产生的发出的光包括波长范围为
500~800nm的可见光。
4.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于：所述第一反射镜层包括分布布拉格反射镜。
5.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于：所述第二反射镜层对所述发光结构层所发出的光的反射率大于98%。
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：所述第二反射镜层包括分布布拉格反射镜或全方位反射镜。
7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：分布布拉格反射镜或全方位反射镜的厚度为0.3~3μm。
8.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：分布布拉格反射镜的厚度为
0.3~3μm。
9.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括步骤：
a)提供一衬底，在所述衬底一表面上制备形成发光结构层，所述发光结构层至少包括N型半导体层、位于N型半导体层上的量子阱层、及位于量子阱层上的P型半导体层；
b)通过刻蚀技术在N型半导体层上制备N电极，在P型半导体层上制备透明导电层和P电极；
c)在所述透明导电层上制备第一反射镜层，所述第一反射镜层对所述发光结构层所发出的光具有高透过率、对荧光粉受激发所发出的光具有高反射率，其中，所述荧光粉由发光结构层所发出来的光来激发；
d)研磨抛光所述衬底的另一表面，然后在所述衬底的另一表面上制备第二反射镜层，所述第二反射镜层对发光结构层所发出的光具有高反射率。
10.根据权利要求9所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述第一反射镜层对所述发光结构层所发出的光的透过率大于90%、对所述荧光粉层激发后所产生的的光的反射率大于90%。
11.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述发光结构层所发出的光包括波长范围为420~480nm的可见光，所述荧光粉受激发后所产生的光包括波长范围为
500~800nm的可见光。
12.根据权利要求9至11任一项所述的发光二极管，其特征在于：所述第一反射镜层包括分布布拉格反射镜。
13.根据权利要求9至11任一项所述的发光二极管，其特征在于：所述第二反射镜层对所述发光结构层所发出的光的反射率大于98%。
14.根据权利要求13所述的发光二极管，其特征在于：所述第二反射镜层包括分布布拉格反射镜或全方位反射镜。
15.根据权利要求14所述的发光二极管，其特征在于：分布布拉格反射镜或全方位反射镜的厚度为0.3~3μm。
16.根据权利要求12所述的发光二极管，其特征在于：分布布拉格反射镜的厚度为
0.3~3μm。
17.根据权利要求14所述的发光二极管的制作方法，其特征在于：采用电子束蒸镀、溅射或离子辅助镀膜来制备分布布拉格反射镜或全方位反射镜。
一种发光二极管及其制作方法
技术领域
背景技术
4A制作在透明导电层3A上；暴露的N型半导体层21A上设有N电极5A。最终的芯片经过封装等工艺后可以是正装结构、倒装结构、垂直结构等。传统的发光二极管发光效率低下，为了提高发光二极管的亮度，现有技术中已经提出了几种提高LED发光效率的方法，包括：
1) 采用诸如倒金字塔等的结构改变芯片的几何外形，减少光在芯片内部的传播路程，降低光的吸收损耗；2)采用诸如谐振腔或光子晶体等结构控制和改变自发辐射；3) 采用表面粗化方法，使光在粗化的半导体和空气界面发生漫反射，增加其投射的机会；4) 利用倒转焊技术等技术手段。其中，现有粗化技术大多是仅针对N 型半导体或P 型半导体表面或边侧，以及通过背面蒸镀金属或者复合结构反射镜层来提高芯片的发光效率，但是单纯利用单向反射镜来提高发光效率仍然有限。
发明内容
420~480nm波长范围内的蓝光反射率高达98%以上。这样，芯片发出的蓝光在背面反射镜的反射下有效地到达芯片表面对荧光粉进行激发，产生黄光。然后通过表面反射镜对黄光的高效反射，减少了黄光入射芯片后的损失，更多的在芯片中与芯片发出的蓝光进行复合产生白光。因此，本发明提供的技术方案，通过双向反射镜来提高荧光粉的激发效率，提高了芯片整体的亮度。
附图说明
具体实施方式
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