一种Micro-LED芯片、显示屏及制备方法
专利汇可以提供一种Micro-LED芯片、显示屏及制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种Micro-LED显示屏的制备方法，包括以下步骤：在蓝 宝石 衬底上依次生长N型GaN层、 量子阱 发光层 和P型GaN层；由上至下依次 刻蚀 P型GaN层、量子阱发光层以及N型GaN层，形成第一沟槽；在P型GaN层上表面生长ITO层，并对其进行刻蚀，生成第二沟槽；在所述第一沟槽中生成N型 接触 电极 ；在N型接触电极上表面以及所述第二沟槽中生成上宽下窄的形状的反射电极；在Micro-LED芯片表面沉积绝缘层并对所述绝缘层进行蚀刻，露出所述反射电极；将驱动 电路 基板 与所述反射电极进行 焊接 。本 发明 还提供一种Micro-LED芯片及显示屏，增加了Micro-LED芯片焊接的结合 力 ，提高了Micro-LED显示屏的成品率，降低了生产成本。，下面是一种Micro-LED芯片、显示屏及制备方法专利的具体信息内容。
1.一种Micro-LED芯片，包括，蓝宝石衬底、N型GaN层、量子阱发光层、P型GaN层、ITO层、N型接触电极、反射电极，以及绝缘层，其特征在于，
所述反射电极为上宽下窄的形状，且其上表面高于所述ITO层的上表面。
2.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述N型接触电极位于所述N型GaN层的上表面，所述N型接触电极的上表面与所述P型GaN层上表面处于同一高度。
3.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述绝缘层位于所述Micro-LED芯片的上表面，其高度比所述反射电极的高度高。
4.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，所述反射电极为倒梯形。
5.一种Micro-LED显示屏，包括Micro-LED芯片、驱动电路基板，其特征在于，所述Micro-LED芯片采用权利要求1-4任一项所述的Micro-LED芯片。
6.一种Micro-LED显示屏的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在蓝宝石衬底上依次生长N型GaN层、量子阱发光层和P型GaN层；
由上至下依次刻蚀所述P型GaN层、所述量子阱发光层以及所述N型GaN层，形成第一沟槽；
在所述P型GaN层上表面生长ITO层，并对所述ITO层进行刻蚀，生成第二沟槽；
在所述第一沟槽中生成N型接触电极；
在所述N型接触电极上表面以及所述第二沟槽中生成上宽下窄的形状的反射电极；
在Micro-LED芯片表面沉积绝缘层并对所述绝缘层进行蚀刻，露出所述反射电极；
将驱动电路基板与所述反射电极进行焊接。
7.根据权利要求6所述的Micro-LED显示屏的制备方法，其特征在于，所述在所述第一沟槽中生成N型接触电极的步骤，是在所述第一沟槽的底部生成N型接触电极，所述N型接触电极的上表面与所述P型GaN层上表面处于同一高度。
8.根据权利要求6所述的Micro-LED显示屏的制备方法，其特征在于，所述在Micro-LED芯片表面沉积绝缘层的步骤，是在所述Micro-LED芯片表面沉积绝缘层，使所述绝缘层的上表面高于所述反射电极上表面。
9.根据权利要求6所述的Micro-LED显示屏的制备方法，其特征在于，所述上宽下窄的形状的反射电极为倒梯形的反射电极。
一种Micro-LED芯片、显示屏及制备方法
技术领域
背景技术
发明内容
4、量子阱发光层3直到N型GaN层2。
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