一种短波长AlGaInP红光半导体激光器
专利汇可以提供一种短波长AlGaInP红光半导体激光器专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种短 波长 AlGaInP红光 半导体 激光器 ，其结构从下至上依次为衬底、下 缓冲层 、下限制层、下 波导 层、 量子阱 层、上波导层、上限制层、上缓冲层和欧姆 接触 层；下缓冲层为AlxIn1-xP组分渐变层，x由0.5线性渐变至0.6；上缓冲层为AlyIn1-yP组分渐变层，y由0.6线性渐变至0.5；下波导层及上波导层均为(AlzGa1-z)0.6In0.4P；下限制层及上限制层均为Al0.6In0.4P。本 发明 通过AlInP组分渐变缓冲层，使得限制层及波导层的In组分降到0.4，限制层材料折射率减小，波导层材料带隙增加，可以更好地限制 光子 和载流子，同时，量子阱层在低应变条件下即可获得590-620nm的短波长的光。，下面是一种短波长AlGaInP红光半导体激光器专利的具体信息内容。
1.一种短波长AlGaInP红光半导体激光器，其结构从下至上依次为衬底、下缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层、上缓冲层和欧姆接触层；其特征是：下缓冲层为AlxIn1-xP组分渐变层，x由0.5线性渐变至0.6；上缓冲层为AlyIn1-yP组分渐变层，y由0.6线性渐变至0.5；下波导层及上波导层均为(AlzGa1-z)0.6In0.4P；下限制层及上限制层均为Al0.6In0.4P。
2.如权利要求1所述的短波长AlGaInP红光半导体激光器，其特征是：所述下缓冲层的厚度为1-2μm。
3.如权利要求1所述的短波长AlGaInP红光半导体激光器，其特征是：所述上缓冲层AlyIn1-yP的厚度为0.2-0.5μm。
4.如权利要求1所述的短波长AlGaInP红光半导体激光器，其特征是：所述下波导层及上波导层(AlzGa1-z)0.6In0.4P中z的取值为0.5-0.7。
5.如权利要求1所述的短波长AlGaInP红光半导体激光器，其特征是：所述下限制层及上限制层Al0.6In0.4P的厚度为2-3μm。
6.如权利要求1所述的短波长AlGaInP红光半导体激光器，其特征是：所述量子阱层为GauIn1-uP，u取值为0.6-0.7，厚度5-15nm，发光波长为590-620nm。
一种短波长AlGaInP红光半导体激光器
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
0-0.7％范围内，但是激射波长可短至630nm以下。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 发光二极管 | 2020-08-03 | 2 |
| 大功率980nm量子阱半导体激光器半无铝结构 | 2022-03-23 | 1 |
| 一种四元覆晶式LED结构及制作方法 | 2020-06-16 | 1 |
| 生物传感器 | 2021-05-25 | 0 |
| 一种发光二极管的外延片及其制造方法 | 2020-05-28 | 0 |
| Mg掺杂电子阻挡层的外延片，生长方法及LED结构 | 2020-12-23 | 2 |
| INCORPORATING GATE CONTROL OVER A RESONANT TUNNELING STRUCTURE IN CMOS TO REDUCE OFF-STATE CURRENT LEAKAGE, SUPPLY VOLTAGE AND POWER CONSUMPTION | 2021-09-08 | 1 |
| Semiconductor light-emitting element and semiconductor light-emitting apparatus using the same | 2021-10-19 | 1 |
| 반도체 자외선 발광소자 | 2020-09-04 | 0 |
| 一种钙钛矿光电器件、制备方法及一种钙钛矿材料 | 2020-08-19 | 2 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
