一种正装LED发光二极管
阅读：1033发布：2020-09-22
专利汇可以提供一种正装LED发光二极管专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种正装LED发光 二极管 ，涉及LED 发光二极管 的生产技术领域。在衬底的同一侧包括依次设置的N‑GaN层、 量子阱 层、P‑GaN层和透明导电层，在透明导电层上设置P 电极 ，在N‑GaN层上连接N电极，在N电极与N‑GaN层之间包裹式设置透明导电层、P‑GaN层和量子阱层。本实用新型保留了N电极下方的部分P‑GaN及量子阱层，能够减少N‑GaN层直接暴露于LED发光二极管表面的面积，进而减少ICP 刻蚀 完后的黑点现象的发生，并提高产品的良率，并且本实用新型有利于增加 电流 的横向扩展能 力 ，提高电流的分布均匀性。，下面是一种正装LED发光二极管专利的具体信息内容。
一种正装LED发光二极管
技术领域
背景技术
[0002] 目前的芯片大部分是正装结构，P电极通过透时导电层直接形成于P-GaN层上，为了将N电极与N-GaN层直接连接，刻蚀时仅保留P电极下方的P-GaN层、量子阱层，其余部分的P-GaN层和量子阱层全部刻蚀去除，直接完全露出N-GaN层。这种结构大量的N-GaN层直接暴露于LED发光二极管表面，在进行ICP刻蚀作N台阶时容易受到外延表面因素的影响，再蒸镀完电极之后，容易出现ICP黑点及LED发光二极管良率低的缺点。实用新型内容
[0003] 本实用新型目的是提出一种可有效减少出现ICP黑点，并提高LED发光二极管良率的LED发光二极管。
[0004] 本实用新型在衬底的同一侧包括依次设置的N-GaN层、量子阱层、P-GaN层和透明导电层，在透明导电层上设置P电极，在N-GaN层上连接N电极，其特征在于在N电极与N-GaN层之间包裹式设置透明导电层、P-GaN层和量子阱层。
[0005] 本实用新型保留了N电极下方的部分P-GaN及量子阱层，能够减少N-GaN层直接暴露于LED发光二极管表面的面积，进而减少ICP刻蚀完后的黑点现象的发生，并提高产品的良率，并且本实用新型有利于增加电流的横向扩展能力，提高电流的分布均匀性。附图说明
[0006] 图1至图2为本实用新型制作工艺过程图。
[0007] 图3为本实用新型的一种结构示意图。
具体实施方式
[0008] 一、正装芯片制作工艺如下：
[0009] 1、在常规衬底1的上方依次外延生长形成N-GaN层2、量子阱层3和P-GaN层4。
[0010] 2、在黄光光刻工艺中，利用感应偶和等离子（ICP）调节刻蚀气体BCl3 和Cl2的比例图形化地刻蚀去除各元胞的P-GaN层和量子阱层部分区域，直至暴露出N-GaN层，刻蚀深度约10000 Å～16000 Å。
[0011] 形在的半制品如图1所示。
[0013] 4、在相邻的两个元胞中的一个元胞的透明导电层上制作形成厚度大约10000 Å～12000 Å的P电极。
[0014] 在相邻的两个元胞中的另一个元胞的透明导电层、P-GaN层和量子阱层外包裹式制作形成厚度大约10000 Å～12000 Å的N电极，并使N电极的下端连接在N-GaN层上。
[0015] 二、制成的产品结构特点：
[0016] 如图3所示，在衬底1的同一侧包括依次设置的N-GaN层2、量子阱层3、P-GaN层4和透明导电层5，在透明导电层5上设置P电极，在N电极7与N-GaN层2之间包裹式设置透明导电层5、P-GaN层4和量子阱层3。
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