本発明は、プレーナ型電磁アクチュエータおよびその製造方法に関するものである。

現在、光スキャナ等に用いられる偏光器として、シリコン基板等をＭＥＭＳ（Micro-Electro-Mechanical Systems）技術を用いて加工し製造されたプレーナ型アクチュエータが知られている。 これは、ミラー面を形成した可動板をそれと一体的に形成したトーションバーを軸として回動させるものであり、小型で低消費電力、更には大量生産により製造コストが抑えられる等の特徴を有している。

プレーナ型アクチュエータは、その駆動方式により電磁駆動型と静電駆動型に大別され、特に前者の電磁駆動型のプレーナ型アクチュエータは、可動板の周縁部に沿って形成された金属薄膜からなる駆動コイルに静電磁界を発生させ、可動板の周辺に配置された静磁界発生手段（例えば、永久磁石）との磁力的な相互作用により可動板を駆動するように構成されたものである。 （例えば特許文献１参照）

このようにして構成された電磁駆動型のプレーナ型アクチュエータ、即ちプレーナ型電磁アクチュエータの駆動コイルに電流を供給すると、前記静磁界発生手段により発生された静磁界が駆動コイルのトーションバーの軸方向と平行な部位を流れる電流に作用して駆動コイルにローレンツ力が発生し、可動板は前記トーションバーを中心に回動する。 この時、トーションバーと可動板の固有振動数にほぼ等しい周波数の電流が駆動コイルに供給されると、可動板はこの周波数で共振して効率よく回動する。

図８は従来のプレーナ型電磁アクチュエータを示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ'断面図である。 また、図９はその製造工程を示すＡ−Ａ'断面図である。 以下、図８、９を参照して従来のプレーナ型電磁アクチュエータ、及びその製造方法について説明する。 尚、図８（ａ）においては最上層の絶縁膜（保護膜）は図示省略としてある。 １は平板状の可動板であり、２本のトーションバー２、２を介して枠状のフレーム３に回動可能に軸支されている。 可動板１の表面側周縁部には薄膜コイル４（１層目コイル４ａ、２層目コイル４ｂ）が２層に渡って形成されており、裏面側中央部にはミラー部５が形成されている。 プレーナ型電磁アクチュエータを駆動する際には、前記薄膜コイル４に通電して静磁界を発生させ、フレーム３上もしくはその周辺部に設けられた磁石６、６との磁力的な相互作用により可動板１を回動させる。

前記従来のプレーナ型電磁アクチュエータは、以下の工程により製造される。 尚、レジスト塗布・除去工程は図示省略としてある。
工程（ａ）：ＳＯＩ（Silicon‐On‐Insulator）基板７の表裏面を熱酸化してシリコン酸化膜８ａ、８ｂを形成する。 ＳＯＩ基板７とは、例えば１００μｍの厚みを有するシリコン活性層７ａと、１μｍの厚みを有する中間層７ｂと、４００μｍの厚みを有するシリコン支持基板７ｃとの積層体である。
工程（ｂ）：前工程（ａ）で形成されたシリコン酸化膜８ａ上面全体にアルミニウム（Ａｌ）からなる金属膜９をスパッタリング等により形成する。
工程（ｃ）：前工程（ｂ）で形成された金属膜９上面全体にポジ型の感光性レジストをスピンコートにより均一に塗布する。 その後、所望のコイルパターン（引出し線含む）形状の遮光領域を有するフォトマスクを被せて紫外線露光し、露光後、露光（感光）された領域の感光性レジストを現像液を用いて溶解除去する。 ポジ型の感光性レジストは紫外線により感光された部分のみが現像液に溶解するため、感光された感光性レジストを現像液により現像した際には、非感光領域、即ち前記フォトマスクの遮光領域の形状に沿った形状で感光性レジストがパターニングされる。 そして、以上の工程により形成されたレジストパターンをマスクとして金属膜９をドライエッチングし、１層目のコイルパターン（１層目コイル）４ａおよび当該コイルパターン４ａより引き出された引出し線１０ａ（図９では不図示）を形成する。 コイルパターン４ａ形成後、マスクとして用いた前記レジストパターンを薬液（アセトン等）もしくはＯ ₂アッシングにより除去する。
工程（ｄ）：前工程（ｃ）で形成された１層目コイル４ａ上にネガ型の感光性絶縁材料（例えば、ポリイミド）からなる絶縁膜１１ａを形成する。 絶縁１１ａを形成する際には、まずＳＯＩ基板７の上面全体にネガ型の感光性絶縁材料をスピンコートにより均一に塗布する。 塗布後、前記１層目コイル４ａの形状に相当する部分が開口したフォトマスクをＳＯＩ基板７上に被せ、フォトマスクの上方から紫外線を照射して感光性絶縁材料の露光を行う。 露光後、露光された領域以外の感光性絶縁材料を現像液により除去する。 ネガ型の感光性絶縁材料は、露光された部分のみが現像液に溶解しない性質を有しており、露光された部分、即ち１層目コイル４ａ部分のみが現像液に溶解されずに残り、絶縁膜１１ａとして形成される。
工程（ｅ）：前工程（ｄ）で形成された絶縁膜１１ａを被うようにＳＯＩ基板７の上面全体に工程（ｂ）で形成したものと同様のアルミニウム（Ａｌ）からなる金属膜９を形成する。
工程（ｆ）：前工程（ｅ）で形成された金属膜９をパターニングして２層目のコイルパターン（２層目コイル）４ｂおよび当該コイルパターン４ｂより引き出された引出し線１０ｂを形成する。 尚、金属膜９のパターニングは前記工程（ｃ）と同様の方法により行う。
工程（ｇ）：前工程（ｆ）で形成された２層目コイル４ｂ上および引出し線１０ｂ上、ならびに前記工程（ｃ）で形成された引出し線１０ａ上にネガ型の感光性材料からなる保護膜（絶縁膜）１１ｂを前記工程（ｄ）にならい形成する。
工程（ｈ）：表面に露出しているシリコン酸化膜８ａの、可動板形成部外周側のフレーム形成部に囲まれた部分、ならびに可動板形成部中央のコイルに囲まれた部分を、トーションバー形成部、ならびにフレーム形成部を除いた部分をドライエッチングにより除去する。
工程（ｉ）：前工程（ｈ）により露出されたシリコン活性層７ａの可動板形成部外周側のフレーム形成部に囲まれた部分のみを、感光性レジストを用いて異方性エッチングにより選択的に除去し、次いでそれにより露出された中間層７ｂをドライエッチングにより除去する。
工程（ｊ）：ＳＯＩ基板７下面側に形成されたシリコン酸化膜８ｂのフレーム形成部を除いた部分をドライエッチングにより除去する。
工程（ｋ）：前工程（ｊ）により露出されたシリコン支持基板７ｃを異方性エッチングにより除去する。
工程（ｌ）：前工程（ｋ）により露出された中間層７ｂ上にミラー膜（ミラー部）５をスパッタリング法、又は真空蒸着法により形成する。

特開平７−１７５００５号公報

図１０は、前述した従来のプレーナ型電磁アクチュエータを製造する上での問題点を説明するための要部拡大斜視図で可動板とトーションバーの付け根周辺を示しており、（ａ）は感光性絶縁材料を紫外線露光する工程を示す図、（ｂ）は露光した感光性絶縁材料を現像する工程を示す図、（ｃ）は２層目コイル上に絶縁膜を形成した後にシリコン活性層をエッチングする工程を示す図である。 尚、図１０ではＳＯＩ基板７のシリコン活性層７ａのみを示してあり、下層の中間層７ｂとシリコン支持基板７ｃは図示省略としてある。 以下、図１０を参照して従来技術における問題点について説明する。 従来の製造工程、図９（ｇ）において２層目コイル４ｂ上ならびに２本の引出し線１０ａ、１０ｂ上に絶縁膜を形成する際には、前述のように、まずシリコン活性層７ａの上面全体（厳密にはシリコン酸化膜８ａ上面であり以下同義とする）にネガ型の感光性絶縁材料（図１０の符号１１）を塗布する。 感光性絶縁材料を塗布した後は、図１０（ａ）に示すようにシリコン活性層７ａ上にフォトマスク１２を被せてフォトマスク１２の上方より紫外線１３を照射し、フォトマスク１２の開口部１２ａを通して露出領域の感光性絶縁材料１１を感光させる。

２層目コイル４ｂ上ならびに２本の引出し線１０ａ、１０ｂ上に絶縁膜１１ｂを形成する際には、２層目コイル４ｂと引出し線１０ａ、１０ｂの形状に合わせて平面的にそれより一回り大きな形状で２層目コイル４ｂと引出し線１０ａ、１０ｂの表面を覆うように絶縁膜１１ｂを形成する。 従って、２層目コイル４ｂと引出し線１０ａ、１０ｂとの接続部１０ｃの角部周辺には、その部分の形状に即した形状で絶縁膜１１ｂが形成される。

そのため、図１０（ａ）に示すように感光性絶縁材料（ネガ型）を露光する際には、当然ながら前記接続部１０ｃの角部形状を有するフォトマスク１２を用いる。 しかしながらフォトマスク１２の角張った部分（例えば１２ｂ）では、上方より紫外線１３を照射した際に光の回り込みが生じ、照射された紫外線１３は図中矢印１３ａの方向に拡散される。

光は、その波動的な性質から被照射体（ここではフォトマスク）の端部で光路が変化して拡散する性質があり、光の回折と呼ばれる。 一般的に光の回折が起こると、光は被照射体の端部を中心として同心円状に被照射体側へ拡散される。 光の回り込みとは、このように光が照射された物体（被照射体）の端部で光の回折が生じることを言う。 光の回り込みは、被照射体の端部であれば個所を問わずに生じるため、対象物（被照射体）がフォトマスクであればその端部全周に渡って生じることとなる。 従って、上記の如くフォトマスク上方より紫外線を照射した場合には、感光性絶縁材料の表面に投射される紫外線のパターン外形はフォトマスクの開口部外形より一回り大きなぼやけた感じとなる。

そのため、本来は露光すべき個所ではない前記接続部１０ｃの角部周辺も露光されてしまい、図１０（ｂ）に示すように露光した感光性絶縁材料１１を現像した際には、光の回り込みにより感光された角部周辺の感光性絶縁材料１１が現像残り１１ｃとして残留してしまう。

このようにして角部周辺に残留した感光性絶縁材料１１の現像残り１１ｃは、次工程でシリコン活性層７ａをエッチングする際のエッチング境界線１４を越えてシリコン活性層７ａのエッチング予定領域１４ａにまではみ出す。 現像残り１１ｃがエッチング予定領域１４ａにはみ出していると、次工程でポジ型の感光性レジストからなるシリコン活性層エッチング用のマスキングパターンを前記エッチング境界線に沿って形成した後、そのマスキングパターンをマスクとしてエッチング予定領域１４ａのシリコン活性層７ａをエッチングする際に、前記接続部１０ｃの角部周辺では現像残り１１ｃがマスクの役割を果たして図１０（ｃ）に示すようにその直下のシリコン活性層７ａがエッチングされずに残り、可動板とトーションバーの付け根付近の形状が変化してしまう。

図１０（ｃ）では接続部１０ｃの角部周辺に残留した現像残り１１ｃの外形、ならびにその下層に残留したシリコン活性層７ａの外形を滑らかな曲線として描いてあるが、実際には形状が崩れた不定形である。 これは、その部分に照射される光の回り込みによる拡散光（紫外線）は光の強度が均一ではないため、露光した感光性絶縁材料１１を現像した際にはその部分の感光性絶縁材料表面（外形含む）が荒れた状態となるからである。 従って、その後にシリコン活性層７ａをエッチング加工した際には、当然ながら現像残り１１ｃの下層に位置するシリコン活性層７ａもその荒れた外形にて加工されることとなる。

このように可動板とトーションバーの付け根付近の形状が変化変形すると、可動板がトーションバーを軸として回動する際そのトーションバーの付け根部分に応力が集中してトーションバーが折れる危険性があった。 トーションバーが折れないにしても共振周波数の変化や駆動負荷の増大を招く原因となる。

このような課題に対しては、接続部１０ｃの角部周辺に感光性絶縁材料１１ｃが残留してもそれがエッチング境界線１４を越えないように設計の段階で可動板周縁部のスペースに余裕を持たせることも考えられるが、可動板のサイズやトーションバーの長さ等が変わるとそれに伴って共振周波数も変化するため、設計の都合上、必ずしもそうできるわけではない。

本発明は、以上説明した課題を解決しようとするものであり、可動板とトーションバーの付け根付近における形状不良を防止することを目的とする。

少なくとも平板状の可動板と、該可動板を回動可能に軸支する一対のトーションバーと、前記可動板の少なくとも一方の面に形成された駆動コイルと、前記可動板の外方部位に配置された一対の静磁界発生手段とを有するプレーナ型電磁アクチュエータであって、
前記可動板に形成された前記駆動コイルを被う絶縁膜と、当該駆動コイルより前記トーションバー上面に引き出された引出し線を被う絶縁膜との接続部角部は、平面的に丸みを帯びているプレーナ型電磁アクチュエータとする。

少なくとも平板状の可動板と、該可動板を回動可能に軸支する一対のトーションバーと、前記可動板の少なくとも一方の面に形成された駆動コイルと、前記可動板の外方部位に配置された一対の静磁界発生手段とを有するプレーナ型電磁アクチュエータであって、
前記可動板に形成された前記駆動コイルを被う絶縁膜と、当該駆動コイルより前記トーションバー上面に引き出された引出し線を被う絶縁膜との接続部は、前記駆動コイルに向かって平面的に逆テーパー形状であるプレーナ型電磁アクチュエータとする。

前記駆動コイルを被う絶縁膜と前記引出し線を被う絶縁膜との接続部における逆テーパー形状は、テーパー角が４５度であるプレーナ型電磁アクチュエータとする。

前記駆動コイルと前記引出し線との接続部角部は、平面的に丸みを帯びているプレーナ型電磁アクチュエータとする。

前記駆動コイルと前記引出し線との接続部は、前記駆動コイルに向かって平面的に逆テーパー形状であるプレーナ型電磁アクチュエータとする。

前記駆動コイルと前記引出し線との接続部における逆テーパー形状は、テーパー角が４５度であるプレーナ型電磁アクチュエータとする。

少なくとも平板状の可動板と、該可動板を回動可能に軸支する一対のトーションバーと、前記可動板の少なくとも一方の面に形成された駆動コイルと、前記可動板の外方部位に配置された一対の静磁界発生手段とを有し、前記駆動コイルと当該駆動コイルより前記トーションバー上面に引き出された引出し線とが絶縁膜により被われているプレーナ型電磁アクチュエータの製造方法であって、少なくとも、
前記駆動コイルおよび前記引出し線を被うように基板上面全体に感光性の絶縁材料を塗布する工程と、
前記駆動コイルおよび前記引出し線の略外形形状に開口され、当該開口部の前記駆動コイルと前記引出し線との接続部角部に対応する部位が平面的に丸みを帯びた形状のフォトマスクを前記感光性の絶縁材料が塗布された基板の上方に配置する工程と、
当該フォトマスクの上方より紫外線または電子線を照射して前記感光性の絶縁材料を露光する工程と、
当該紫外線または電子線により露光された前記感光性の絶縁材料を現像する工程と、を有するプレーナ型電磁アクチュエータの製造方法とする。

少なくとも平板状の可動板と、該可動板を回動可能に軸支する一対のトーションバーと、前記可動板の少なくとも一方の面に形成された駆動コイルと、前記可動板の外方部位に配置された一対の静磁界発生手段とを有し、前記駆動コイルと当該駆動コイルより前記トーションバー上面引き出された引出し線とが絶縁膜により被われているプレーナ型電磁アクチュエータの製造方法であって、少なくとも、
前記駆動コイルおよび前記引出し線を被うように基板上面全体に感光性の絶縁材料を塗布する工程と、
前記駆動コイルおよび前記引出し線の略外形形状に開口され、当該開口部の前記駆動コイルと前記引出し線との接続部角部に対応する部位が前記駆動コイルに向かって平面的に逆テーパー形状のフォトマスクを前記感光性の絶縁材料が塗布された基板の上方に配置する工程と、
当該フォトマスクの上方より紫外線または電子線を照射して前記感光性の絶縁材料を露光する工程と、
当該紫外線または電子線により露光された前記感光性の絶縁材料を現像する工程と、を有するプレーナ型電磁アクチュエータの製造方法とする。

前記感光性の絶縁材料を露光する際に用いるフォトマスクの逆テーパー形状は、テーパー角が４５度であるプレーナ型電磁アクチュエータの製造方法とする。

前記基板上面全体に導電膜を形成する工程と、
当該導電膜上面全体に感光性レジストを塗布する工程と、
前記駆動コイルおよび前記引出し線の略外形形状の遮光領域を有し、当該遮光領域の前記駆動コイルと前記引出し線との接続部角部に対応する部位が平面的に丸みを帯びた形状のフォトマスクを前記感光性レジストの上方に配置する工程と、
当該フォトマスクの上方より紫外線または電子線を照射して前記感光性レジストを露光する工程と、
当該紫外線により露光された前記感光性レジストを現像する工程と、を有するプレーナ型電磁アクチュエータの製造方法とする。

前記基板上面全体に導電膜を形成する工程と、
当該導電膜上面全体に感光性レジストを塗布する工程と、
前記駆動コイルおよび前記引出し線の略外形形状の遮光領域を有し、当該遮光領域の前記駆動コイルと前記引出し線との接続部角部に対応する部位が前記駆動コイルに向かって平面的に逆テーパー形状のフォトマスクを前記感光性レジストの上方に配置する工程と、
当該フォトマスクの上方より紫外線または電子線を照射する工程と、
当該紫外線または電子線により感光された前記感光性レジストを現像する工程と、を有するプレーナ型電磁アクチュエータの製造方法とする。

前記感光性レジストを露光する際に用いるフォトマスクの逆テーパー形状は、テーパー角が４５度であるプレーナ型電磁アクチュエータの製造方法とする。

本発明によれば、角部に面取り加工が施されたフォトマスクを用いることにより、紫外線または電子線を照射した際にフォトマスクの角部での光（紫外線または電子線）の回り込みを抑制できるため、絶縁膜を所望の形状にて正確に形成することが可能となる。 それに伴い可動板とトーションバーの付け根付近を正確な形状に加工することができるため、トーションバーの折れ等を防止することができる。

コイルと引出し線との接続部周辺を被う絶縁膜（感光性絶縁材料）の角部を平面的に丸みを帯びた形状とし、その形状に応じたフォトマスクを用いて感光性絶縁材料の露光・現像を行い、感光性絶縁材料をパターニングする。

図１は本発明によるプレーナ型電磁アクチュエータの一実施例を示す要部拡大図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は斜視図、（ｃ）は（ａ）のＡ−Ａ'断面図である。 尚、従来と同様の部分については同一の符号を用いている。 以下、本発明の一実施例を図１を参照して説明する。 本発明のプレーナ型電磁アクチュエータはその基本構造は従来技術と同様であり、特徴は可動板上に形成された駆動コイルとトーションバー上に形成された引出し線との接続部を被う絶縁膜（保護膜）の形状、並びにその絶縁膜の製造プロセスにある。 可動板１の周縁部には従来の如く金属薄膜からなる１層目コイル４ａ、ネガ型の感光性絶縁材料からなる絶縁膜１１ａ、金属薄膜からなる２層目コイル４ｂ、ネガ型の感光性絶縁材料からなる絶縁膜（保護膜）１１ｂが順次積層されており、トーションバー２の上面には可動板１の２層目コイル４ａより引き出された引出し線１０ｂが形成され絶縁膜（保護膜）１１ｂにより被われている。 尚、図１は２本あるトーションバー２、２のうち一方側の周辺部を示しており、トーションバーに形成されている引出し線は２層目コイル４ｂより引き出されたものであるが、トーションバーの他方側では１層目コイル４ａより引き出されているものである。

従来においてはコイル（例えば２層目コイル４ｂ）と引出し線（例えば１０ｂ）との接続部１０ｃを被う絶縁膜１１ｂの角部は角張った形状となっていたが、本実施例においては平面的に丸みを帯びた滑らかな曲線形状となっている。 本実施例では図１に示すように２層目コイル４ｂと引出し線１０ｂとの接続部１０ｃの角部にも丸みを付けてあるが、この部分は従来どおり角張った形状とし、そこを被う絶縁膜１１ｂの角部にのみ丸みを付けるようにしてもよい。

図２は上記した本発明によるプレーナ型電磁アクチュエータの製造方法を示す要部拡大斜視図で、（ａ）は２層目コイル上に絶縁膜（保護膜）を形成する際の紫外線露光工程を示す図、（ｂ）は紫外線露光後の現像工程を示す図、（ｃ）は２層目コイル上に絶縁膜を形成した後にシリコン活性層をエッチングする工程を示す図である。 また、図３は本発明によるプレーナ型電磁アクチュエータを製造する際に使用する紫外線露光用のフォトマスクを示す上面図であり、斜線は遮光領域を示している。 尚、図２ではＳＯＩ基板７のシリコン活性層７ａのみを示しており、下層の中間層７ｂとシリコン支持基板７ｃは図示省略としてある。 以下、図２、３を参照して本発明によるプレーナ型電磁アクチュエータの製造方法、特に絶縁膜（保護膜）の形成方法について説明する。 尚、説明は本発明において特徴的な部分についてのみ行い、従来と同様の部分に関しては説明を省略する。 まず、図２（ａ）に示すように従来の如くシリコン活性層７ａ上に１層目コイル４ａ（不図示）、絶縁膜１１ａ（不図示）、２層目コイル４ｂを順次積層した後、それら積層物の上面を含めシリコン活性層７ａの上面全体にネガ型の感光性絶縁材料１１をスピンコートにより均一に塗布する。 塗布後、シリコン活性層７ａ上に図３に示すようなフォトマスク２０を被せ、フォトマスク２０の上方より紫外線１３を照射して感光性絶縁材料１１の露光を行う。

この際、従来のフォトマスク１２では開口部１２ａの角部１２ｂが、形成しようとする２層目コイル４ｂと引出し線１０ｂとの接続部１０ｃ周辺（角部）の絶縁膜形状に合わせて角張った形状となっていたため、前述のようにその角部１２ｂにおいて光の回り込みが発生していたのに対し、図３に示すような本発明のフォトマスク２０では形成しようとする２層目コイル４ｂと引出し線１０ｂとの接続部１０ｃ角部周辺の絶縁膜形状が丸みを帯びているため、その形状に合わせて開口部２０ａの角部２０ｂに丸みが付けてあり、フォトマスク２０の上方より紫外線１３を照射した際にフォトマスク２０の角部２０ｂでの光の回り込みが抑制され、所望の絶縁膜パターン形状（開口部２０ａの形状）にて露光が行える。

従って、図２（ｂ）に示すように露光した感光性レジスト１１を現像した際には、従来のように感光性絶縁材料１１が現像残り１１ｃとして前記接続部１０ｃの角部周辺に残留することはなく、絶縁膜１１ｂがシリコン活性層７ａのエッチング予定領域１４ａにはみ出して形成されることがなくなる。

その後、シリコン活性層７ａの上面にポジ型の感光性レジストからなるシリコン活性層エッチング用のマスキングパターン（不図示）を形成してシリコン活性層７ａのエッチングを行うと、従来のように２層目コイル４ｂと引出し線１０ｂとの接続部１０ｃの角部周辺にはシリコン活性層７ａのエッチングを妨げる不要な絶縁膜（ネガ型の感光性絶縁材料の現像残り１１ｃ）が存在しないため、図２（ｃ）に示すように可動板１とトーションバー２の付け根付近を所望の形状にて正確に加工することができる。

尚、本実施例では２層目コイル４ｂと引出し線１０ｂとの接続部１０ｃ角部にも絶縁膜１１ｂの形状に合わせて丸みを付けてあるが、従来のような角張った形状や、２層目コイル４ｂに向かって平面的に逆テーパーが付いた形状でも構わない。 テーパー角については適宜選択可能であるが、接続部１０ｃの角部がその上層に形成される絶縁膜に対して不要な応力を与えその部分で絶縁膜の劣化が起こらないようにすることを考えると、４５度として角部の平面的な突出を少なくするのが望ましい。

また、このように２層目コイル４ｂと引出し線１０ｂとの接続部１０ｃ角部に丸みを付けるには、従来の製造工程（ｆ）において金属薄膜をパターニングして２層目コイルと引出し線を形成するためのレジストパターンに丸みを付ける必要がある。 レジストパターンは前述したようにポジ型の感光性レジストからなり、上記の如く角部に丸みを付けた形状にレジストパターンを形成する際には、当然ながらポジ型の感光性レジストを露光する際に用いるフォトマスクにも角部に丸みを付けたものを用いることとなる。 接続部１０ｃの角部が逆テーパー形状となっている場合には、その形状に応じたフォトマスクを用いればよく、例えば接続部１０ｃのテーパー角が４５度であれば当然ながらフォトマスクのテーパー角も４５度となる。

図４は本発明によるプレーナ型電磁アクチュエータの別の実施例を示す要部拡大図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は斜視図である。 また、図５は本実施例２を実現するに当たりその製造工程で使用する紫外線露光用のフォトマスクを示す上面図である。 基本的な構成は実施例１と同様であるが、本実施例２では可動板上に形成された２層目コイル４ｂとトーションバー上に形成された引出し線１０ｂとの接続部１０ｃが１層目コイル４ａと導通を取るためのコンタクト部１０ｄとなっており、コイル幅よりも広く形成されている。 尚、このコンタクト部１０ｄの直下に位置する１層目コイルの部位も幅広のコンタクト部として形成されている。

このように２層目コイル４ｂと引出し線１０ｂとの接続部１０ｃが幅広のコンタクト部１０ｄとして形成されている場合に従来技術により絶縁膜１１ｂを形成した際には、このコンタクト部１０ｄがエッチング境界線１４（図４では不図示、図２もしくは図１０参照）側に平面的に突出している分、感光性絶縁材料１１の現像残り１１ｃによる影響がより顕著となる。

しかしながら、上記のように２層目コイルと引出し線１０ｂとの接続部１０ｃが幅広のコンタクト部１０ｄとして形成されている場合であっても、図５に示すような開口部２１ａの角部２１ｂに丸みを付けたフォトマスク２１を用いて感光性絶縁材料１１の露光を行うことにより、フォトマスク角部での光の回り込みが抑制され、図４に示すように２層目コイル４ｂ上に形成される絶縁膜１１ｂを所望の形状にて正確に形成することが可能となる。

尚、絶縁膜１１ｂの角部に丸みを付けた場合に２層目コイル４ｂのコンタクト部１０ｄ周辺の角部が角張っていると、その部分で絶縁膜１１ｂに対する応力が集中して絶縁膜１１ｂの劣化を招く恐れがあるため、図４に示すようにコンタクト部１０ｄ周辺の角部にも丸みをつけるのが望ましい。

図６は本発明によるプレーナ型電磁アクチュエータの別の実施例を示す要部拡大図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は斜視図である。 また、図７は本実施例３を実現するに当たりその製造工程で使用する紫外線露光用のフォトマスクを示す上面図であり、斜線部分は遮光領域を示している。 基本的な構成は実施例１と同様であるが、本実施例３では２層目コイル４ｂと引出し線１０ｂとの接続部１０ｃ周辺を被う絶縁膜１１ｂの形状が、２層目コイル４ｂに向かって平面的に逆テーパー状になっている。 このように絶縁膜１１ｂの形状を逆テーパー状とすることで、図７に示すようなその形状に即したフォトマスク２２を用いて紫外線露光を行った際には、フォトマスク２２の開口部２２ａの角部２２ｂが従来のそれと比べて平面的な突出が少ないため、その部分での光の回り込みが抑制される。 尚、テーパー角については光の回り込みが抑制される範囲内で適宜選択すればよいが、角部２２ａの平面的な突出を最小限に抑えることを考えると４５度とするのが望ましい。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の要旨はコイルと引出し線との接続部周辺に形成される絶縁膜の形状を平面的に滑らかな形状とし、その形状に即したフォトマスクを用いて紫外線露光を実施することである。 従って、本明細書の実施例に記載したコイルと引出し線との接続部形状とそこを被う絶縁膜形状とを適宜組み合わせて実施することも可能であり、フォトマスクの形状等についても本発明の趣旨を逸脱しない範囲では本明細書に記載した内容に限定されるものではない。

また、本明細書の説明では感光性レジストならびに感光性絶縁材料の露光には紫外線を用いるとしたが電子線等を用いても良い。 更に感光性レジストはポジ型、ネガ型を互いに置き換えて用いることも可能であり、積層物（コイル、シリコン基板等）をパターニングする際にはどちらを用いても良い。

絶縁膜には感光性の絶縁材料であれば本発明の趣旨を逸脱しない範囲では何を用いても構わない。 また、絶縁膜は、非感光性の絶縁材料を感光性レジストを使ってパターニングして形成しても良い。

本発明の実施形態は、プレーナ型アクチュエータについて説明したが、例えばプレーナ型静電アクチュエータの駆動電極と引出線との関係など、本発明の趣旨を逸脱しない範囲では本明細書に記載した内容に限定されるものではない。

本発明によるプレーナ型電磁アクチュエータの一実施例を示す要部拡大図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ'断面図、（ｃ）は斜視図（実施例１）

本発明によるプレーナ型電磁アクチュエータの製造方法を示す要部拡大斜視図で、（ａ）は２層目コイル上に絶縁膜（保護膜）を形成する際の紫外線露光工程を示す図、（ｂ）は紫外線露光後の現像工程を示す図、（ｃ）は２層目コイル上に絶縁膜を形成した後にシリコン活性層をエッチングする工程を示す図（実施例１）

紫外線露光用のフォトマスクを示す上面図（実施例１）

本発明によるプレーナ型電磁アクチュエータの一実施例を示す要部拡大図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は斜視図（実施例２）

紫外線露光用のフォトマスクを示す上面図（実施例２）

本発明によるプレーナ型電磁アクチュエータの一実施例を示す要部拡大図で、（ａ）は上面図、（ｂ）は斜視図（実施例３）

紫外線露光用のフォトマスクを示す上面図（実施例３）

従来のプレーナ型電磁アクチュエータを示す図で、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ'断面図

従来のプレーナ型電磁アクチュエータの製造工程を示すＡ−Ａ'断面図

従来のプレーナ型電磁アクチュエータを製造する上での問題点を説明するための要部拡大斜視図で、（ａ）は感光性絶縁材料を紫外線露光する工程を示す図、（ｂ）は露光した感光性絶縁材料を現像する工程を示す図、（ｃ）は２層目コイル上に絶縁膜を形成した後にシリコン活性層をエッチングする工程を示す図

符号の説明

１ 可動板 ２ トーションバー ３ フレーム ４ 駆動コイル ４ａ １層目コイル ４ｂ ２層目コイル ５ ミラー部 ６ 磁石 ７ ＳＯＩ基板 ７ａ シリコン活性層 ７ｂ 中間層 ７ｃ シリコン支持基板 ８ａ シリコン酸化膜 ８ｂ シリコン酸化膜 ９ 金属薄膜 １０ａ 引出し線 １０ｂ 引出し線 １０ｃ 接続部 １０ｄ コンタクト部 １１ 感光性の絶縁材料（ネガ型）
１１ａ 絶縁膜 １１ｂ 絶縁膜 １１ｃ 現像残り １２ フォトマスク １２ａ 開口部 １２ｂ 角部 １３ 紫外線 １３ａ 光の回り込み １４ エッチング境界線 １４ａ エッチング予定領域 ２０ フォトマスク ２０ａ 開口部 ２０ｂ 角部 ２１ フォトマスク ２１ａ 開口部 ２１ｂ 角部 ２２ フォトマスク ２２ａ 開口部 ２２ｂ 角部