노광 마스크 패턴의 결함을 수리하는 방법
专利汇可以提供노광 마스크 패턴의 결함을 수리하는 방법专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且A method for repairing a defect of an exposure mask pattern is provided to solve difficulties at the time of remanufacturing expensive equipment and an exposure mask requiring a long manufacturing time by repairing a damaged pattern part by a simple method. A method for repairing a defect of an exposure mask pattern includes the steps of: applying photo soldering resist onto a top part of a predetermined light shielding film pattern(12) formed on a transparent substrate(11); removing the photo soldering resist so that a step of the photo soldering resist is the same as that of the light shielding film pattern; partially exposing and developing a pattern part where the defect occurs; and thermal-curing the developed photo soldering resist. The transparent substrate is manufactured by quartz. The light shielding pattern is made of chrome. The photo soldering resist includes an epoxy resin based binding material. The photo soldering resist is a negative photo soldering resist.，下面是노광 마스크 패턴의 결함을 수리하는 방법专利的具体信息内容。
노광 마스크 패턴의 결함을 수리하는 방법{Method for Repairing Defect of Patterns of Reticle}
도 1a 내지 도 1f는 본 발명의 노광 마스크 패턴의 결함을 수리하는 방법의 공정 과정을 보여주는 측면도이다.
도 2a 및 도 2b는 각각 노광 마스크 패턴의 결함을 수리하기 전과 수리한 후의 노광 마스크 형태를 보여주는 평면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>
10,20 ; 노광 마스크, 11,21 ; 투명 기판,
12,22 ; 차광막 패턴, 13 ; 광 접합 수지,
13' ; 단차를 제거한 광 접합 수지, 14 ; 현상된 광 접합 수지,
14',24' ; 경화된 광 접합 수지
본 발명은 노광 마스크 패턴의 결함을 수리하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 열에 의해 경화되는 물질을 결함부위에 채워 넣은 후 경화시킴으로써 노광 마스크 패턴 상에 형성된 결함 부위를 용이하게 수리할 수 있는 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 초기 개발시 가장 중요한 것은 포토 마스크 패턴이 가능해야 한다는 것이며, 이를 가능케 하는 것이 노광 마스크이다. 노광 마스크의 품질과 이송(delivery)은 빠르게 급변하는 반도체 소자의 개발에 있어서 가장 중요한 항목 중 하나이다. 현재 노광 마스크는 수정 등의 투명기판 위에 크롬을 입히고, E-빔(beam)을 이용하여 크롬에 패턴을 형성한 후, 식각 공정을 통해 크롬을 제거하여 투명기판 위에 원하는 모양의 패턴을 크롬으로 만들어 제작하고 있다. 하지만, E-빔을 이용한 패턴 형성은 점점 고집적화되는 소자의 패터닝을 위해 필수적이기는 하지만 많은 시간과 고가의 장비를 필요로 하는 단점이 있다. 또한, 노광 마스크의 제작 중 발생하게 되는 결함(defect)에 의해서 재제작을 하게 될 경우 재제작 비용 및 개발 지연에 따른 손실이 일어나게 된다. 패턴간의 브릿지(bridge)성 결함이나 홀(hole)의 크기가 작아지는 결함의 경우 집속 이온 빔(focused ion beam, FIB)이나 레이저를 이용하여 결함이 발생한 부분의 크롬을 제거함으로써 결함을 수리(repair)하는 것이 가능하나, 필요한 부분 이상의 크롬이 손실되었을 경우에는 더이상의 수리가 불가능하여 노광 마스크를 재제작 해야만 한다.
본 발명은 상기와 같은 종래 노광 마스크 결함 부위 수리 방법상의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 광 접합 수지(photo soldering resist)를 이용하여 노광 마스크 상의 크롬이 손실된 부분의 결함을 수리할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 투명기판 상에 형성된 소정의 차광막 패턴이 손실된 부위에 광 접합 수지를 도포한 후 열경화시킴으로써 노광 마스크 패턴의 결함을 수리하는 방법을 제공한다.
본 명세서에 있어서, "광 접합 수지"는 에폭시 수지 계통의 결합 물질(binder)을 사용하는 잉크류를 의미하는 것으로서, 빛이 조사되면 경화제와 반응하여 경화되는 특징을 갖고 있다. 상기 광 접합 수지는 염료, 필러(filler), 광개시제 및 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상의 첨가물을 포함할 수 있으며, PCB (printed circuit board)에서 회로를 보호하기 위해 주로 사용된다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명의 노광 마스크 패턴의 결함을 수리하는 방법은
(1) 투명기판 상에 형성된 소정의 차광막 패턴 상부에 광 접합 수지를 도포하는 단계;
(2) 상기 광 접합 수지의 단차가 차광막 패턴의 단차와 동일하게 되도록 상기 광 접합 수지를 제거하는 단계;
(3) 결함이 발생한 패턴 부위를 부분 노광한 후 현상하는 단계; 및
(4) 현상한 상기 광 접합 수지를 열경화시키는 단계를 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 투명기판(11) 상에 형성된 소정의 차광막 패 턴(12)으로 구성된 노광 마스크(10)에 있어서, 손상된 패턴(12')을 갖고 있는 노광 마스크에 광 접합 수지(13)를 도포한다. 상기에서, 투명기판(11)은 석영으로 제조되는 것이 바람직하며, 차광막 패턴(12)은 크롬으로 형성되는 것이 바람직하다.
도 1c를 참조하면, 상기 광 접합 수지(13)의 단차가 상기 차광막 패턴의 단차와 동일하게 되도록 광 접합 수지를 제거하여 평탄화시킨다. 상기에서, '동일하게'란 표현은 완전히 동일한 단차뿐만 아니라, 이후 공정에 지장을 미치지 않을 정도의 '실질적으로 동일한' 단차를 포함하는 의미이다.
도 1d 및 도 1e를 참조하면, 결함이 발생한 패턴(12') 부위만을 부분 노광한 후 현상하여 손상된 패턴 이외 영역에 존재하는 광 접합 수지를 모두 제거한다.
도 1f를 참조하면, 결함이 발생된 부위에 존재하는 상기 광 접합 수지(14)를 열경화시켜 손상된 패턴을 수리한다.
도 2a 및 도 2b에 각각 손상된 패턴의 수리전 및 수리후 노광 마스크 형태를 개략적으로 도시하였다.
상기와 같은 방법으로 노광 마스크를 수리함으로써 손상된 노광 마스크를 다시 제작하지 않아도 손상되기 전의 원하는 형태로 재생할 수 있다. 광 접합 수지는 네거티브(negative) 포토레지스트로 빛을 받은 부분에 가교결합이 일어나는 특징이 있으며, 이러한 네거티브 포토레지스트는 포지티브(positive) 포토레지스트에 비해 해상도가 떨어지므로 미세한 패턴에 사용하기에는 어려움이 있으나, i-라인(line)용 5X 노광 마스크를 수리하기 위한 정도의 해상도는 갖고 있다. 상기와 같은 방법에 의해 수리된 패턴 부분은 포토레지스트 자체에 필러 등의 첨가제가 다 수 포함되어 있어 빛을 통과시키지 못할 뿐만 아니라, 노광시 발생하는 열에도 충분히 견딜 수 있는 내열성을 갖고 있으므로, 노광 마스크로 사용하기에 전혀 무리가 없다.
상기에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 노광 마스크 패턴의 결함을 수리하는 방법은 손상된 패턴 부분을 간단한 방법으로 수리하여 줌으로써 고가의 장비와 장시간의 제작 기간이 요구되는 노광 마스크 재제작시의 어려움을 해소할 수 있으며, 크롬 등을 사용하여 형성된 패턴과 비교할 때 해상도나 내열성, 강도, 내식성 등에서 크게 다르지 않을 뿐만 아니라 재제작 시간 및 개발 시간의 지연을 줄이게 되는 이점이 있다.
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