Production of single crystal
专利汇可以提供Production of single crystal专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且PURPOSE: To obtain a high quality large size single crystal by partially melting a sintered raw material rod and crystallizing the melt in an atmosphere based on He or H
2 to substitute the He or H
2 for air in the pores of the rod, thereby preventing formation of bubbles in the melting zone.
CONSTITUTION: Halogen lamp 2 is set at one focus of spheroidal mirror 1, and sintered raw material rod 3 at the other focus. Rod 3 and seed crystal 5 are held with upper and lower rotary shafts 4, 6, respectively, and they are sealed in transparent quartz tube 7. He or H
2 is then introduced from gas inlet 9 and exhausted from exhaust port 10 to be substd. for air in the pores of rod 3. Infrared rays from lamp 2 are concentrated on the tip of rod 3 to form molten body 8, and by moving crystal 5 upward it is contacted to body 8. After an equilibrium state is attained, by moving shafts 4, 6 crystal 5 is grown to obtain a single crystal.
COPYRIGHT: (C)1980,JPO&Japio，下面是Production of single crystal专利的具体信息内容。
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