专利汇可以提供一种硅片晶圆划片工艺专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种 硅 片 晶圆 划片工艺,包括如下步骤:准备工作,平面环划片,圆片清洗,圆片 烘烤 。本发明的一种 硅片 晶圆划片工艺,过程采用全自动化,工艺过程简单,便于操作,所划分的晶片合格率高,大大降低企业的生产成本。,下面是一种硅片晶圆划片工艺专利的具体信息内容。
1.一种硅片晶圆划片工艺,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、准备工作:根据产品名称及划片槽的大小确认划片刀型号,操作员在切割前应该检查载物台,若载物台上有杂质,操作员应该用气枪吹去这些杂质,点击“刀片状况资料”, 读取刀刃露出量,若划片刀露出量没有达到规定的使用下限但刀痕不符合规范时也需要更换划片刀;
步骤2、平面环划片:设备启动,调出设备中该品种数据,进行核对,如果正确,即可开始划片,将平面环按照卡子端放入划片机工作台,全自动划片,划片可全自动进行;
步骤3、圆片清洗:将平面环的四个平口端分别放置在清洗机卡扣处。关闭设备防护门后按下绿色START按钮开始清洗作业;
步骤4、圆片烘烤:对于圆片,在上机划片前必须放在烘箱中,升温5分钟,所述烘烤温度:60℃±15℃,恒温10分钟,增加蓝膜的粘性,减少圆片在划片过程中的飞晶现象。
2.根据权利1所述的一种硅片晶圆划片工艺,其特征在于,在步骤1中,若当此数据小于刀刃最小露出量时,需更换划片刀,刀刃最小露出量=圆片厚度+切入膜量+50um。
3.根据权利1所述的一种硅片晶圆划片工艺,其特征在于,在所述步骤2中,当第一片划完后,操作者应立即取出,在显微镜下检查或目视检查,划片槽是否偏斜,是否全划穿,蓝膜上是否有刀痕,有无芯片脱落,有效电路区中是否有缺角, 裂缝,钝化层受损,擦伤和沾污等的芯片,如果第一片有问题,应立即采取措施,然后再检查紧跟切割的一片,直到正常。
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
---|---|---|
一种防止连续退火炉碳套辊结瘤的方法 | 2020-05-08 | 173 |
一种不锈钢钝化液 | 2020-05-08 | 878 |
一种D-A体系电子传输层及其制备方法与应用 | 2020-05-08 | 847 |
薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法 | 2020-05-11 | 28 |
一种单晶硅SE-PERC太阳能电池制造方法 | 2020-05-08 | 367 |
单晶炉炉室防窜水塞焊工艺 | 2020-05-08 | 948 |
双沟道横向超结双扩散金属氧化物元素半导体场效应管及其制作方法 | 2020-05-11 | 569 |
绿色合成纳米铁络合凹凸棒石制备土壤重金属钝化材料的方法 | 2020-05-08 | 686 |
提升隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的钝化性能的方法 | 2020-05-11 | 730 |
一种钝化机的砂轮调节系统 | 2020-05-08 | 686 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台,是提供专利分析,专利查询,专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据,免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析,涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度,系统通过AI智能系统对图表进行解读,只需1分钟,一键生成行业专利分析报告。