专利汇可以提供提升隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的钝化性能的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种提升隧穿 氧 /多晶 硅 钝化 接触 结构的钝化性能的方法,包括以下步骤,将隧穿氧/ 多晶硅 钝化接触结构直接进行中低温 热处理 ,或者首先在隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的掺杂硅薄层表面沉积一层氧化物膜,然后进行中低温热处理;本发明方法既能够使钝化接触结构达到良好的钝化效果,又能使不同钝化 水 平的隧穿氧/多晶硅钝化接触结构钝化性能得到提升;处理方法多样化,重复性强,所需设备简单,其工艺完全适用于TOPCon 电池 的背钝化。,下面是提升隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的钝化性能的方法专利的具体信息内容。
1.一种提升隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的钝化性能的方法,其特征在于:包括以下步骤,将隧穿氧/多晶硅钝化接触结构直接进行中低温热处理,或者首先在隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的掺杂硅薄层表面沉积一层氧化物膜,然后进行中低温热处理。
2. 根据权利要求1所述的提升隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的钝化性能的方法,其特征在于:所述中低温热处理为以每分钟5-20℃的升温速率升温至200-700℃并保温5 min以上。
3. 根据权利要求2所述的提升隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的钝化性能的方法,其特征在于:所述中低温热处理为以每分钟5-20℃的升温速率升温至300-600℃并保温5 min以上。
4. 根据权利要求2所述的提升隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的钝化性能的方法,其特征在于:所述中低温热处理为以每分钟15-20℃的升温速率升温至300-600℃并保温20-30 min。
5.根据权利要求1所述的提升隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的钝化性能的方法,其特征在于:所述中低温热处理的氛围为氧化性气氛。
6.根据权利要求1所述的提升隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的钝化性能的方法,其特征在于:所述掺杂硅薄层表面沉积氧化物膜的沉积方法为物理沉积法或化学沉积法。
7.根据权利要求6所述的提升隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的钝化性能的方法,其特征在于:所述物理沉积法为PECVD、LPCVD、ALD、磁控溅射、热蒸镀、电子束蒸镀中的任一种或组合。
8.根据权利要求1所述的提升隧穿氧/多晶硅钝化接触结构的钝化性能的方法,其特征在于:所述氧化物膜为SiOx、Al2O3、TaOx、ZnOx中的一种或组合。
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