半導體記憶裝置
阅读：554发布：2023-12-15
专利汇可以提供半導體記憶裝置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且根據一實施形態，本發明之半導體記憶裝置設置NAND串與感測 放大器 。NAND串包含保持3等級以上之值之記憶胞電晶體，且一端連接於位元線，於另一端被施加胞源極電壓。感測放大器讀出保持於記憶胞電晶體之值。半導體記憶裝置於識別保持於記憶胞電晶體中之值為閾值電壓分佈最低之值或其以外之值之情形時，將上述胞源極電壓設為第1電壓，於識別出保持於記憶胞電晶體中之值為閾值電壓分佈最高之值或其以外之值之情形時，將胞源極電壓設為低於第1電壓之第2電壓，於識別出所保持之值為最高之值以外之值之情形時，將位元線之電壓設為第2電壓。，下面是半導體記憶裝置专利的具体信息内容。
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