薄膜晶体管及其制备方法、显示装置
阅读：811发布：2020-05-08
专利汇可以提供薄膜晶体管及其制备方法、显示装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 提供一种 薄膜 晶体管及其制备方法、显示装置，所述 薄膜晶体管 包括 基板 、第一金属层、栅极绝缘层、 半导体 层、 刻蚀 阻挡层以及第二金属层，所述刻蚀阻挡层中至少包含 氧 化 钛 和第二金属层的金属，利用所述刻蚀阻挡层中的氧化钛隔绝刻蚀液，防止刻蚀液对半导体层中的半导体造成损伤，从而保证薄膜晶体管的正常功能；所述制备方法利用含有金属钛的材料形成刻蚀阻挡层，并利用金属钛易氧化形成氧化钛的特性，使刻蚀阻挡层具有很好的隔绝刻蚀液的能 力 ，保护半导体层免受损伤。，下面是薄膜晶体管及其制备方法、显示装置专利的具体信息内容。
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
基板；
第一金属层，形成于所述基板上；
栅极绝缘层，形成于所述基板上，并覆盖所述第一金属层；
半导体层，形成于所述栅极绝缘层上；
刻蚀阻挡层，形成于所述栅极绝缘层上，并覆盖所述半导体层；以及
第二金属层，形成于所述刻蚀阻挡层上，包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别对应设置于所述半导体层的相对两端；
其中，所述刻蚀阻挡层至少包含氧化钛和所述第二金属层的金属。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述刻蚀阻挡层还包括硅。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述刻蚀阻挡层包括电连接层以及半导体保护层，其中所述电连接层包含所述第二金属层中的金属，使得所述电连接层分别与所述第二金属层的源极和漏极形成欧姆接触。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层为金属氧化物半导体，所述半导体保护层覆盖所述金属氧化物半导体，其中，所述半导体保护层为氧化钛。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：
钝化层，形成于所述基板上，并覆盖所述第二金属层及所述刻蚀阻挡层，所述钝化层包括第一过孔；
平坦层，形成于所述钝化层上，所述平坦层包括第二过孔；
像素电极层，形成于所述平坦层上，并通过所述第一过孔及所述第二过孔与所述第二金属层电性连接。
6.一种薄膜晶体管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在一基板上形成图案化的第一金属层；
在所述基板上形成覆盖所述第一金属层的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成图案化的半导体层；
在所述栅极绝缘层上形成覆盖所述半导体层的含金属钛的过渡层；
氧化所述过渡层中的金属钛，使所述过渡层转变为刻蚀阻挡层；
在所述刻蚀阻挡层上形成图案化的第二金属层，所述第二金属层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别对应设置于所述半导体层的相对两端；
对所述第二金属层进行热处理，使所述第二金属层中的金属扩散进所述刻蚀阻挡层中，使所述刻蚀阻挡层中形成电连接层，所述电连接层与所述第二金属层形成欧姆接触。
7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述含金属钛的过渡层是由钛-硅合金形成。
8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制备方法还包括以下步骤：
形成覆盖所述第二金属层和所述刻蚀阻挡层的钝化层；
在所述钝化层上形成第一过孔，使所述第二金属层部分暴露；
在所述钝化层上形成覆盖所述钝化层的平坦层；
在所述平坦层上与所述第一过孔相对应的位置形成第二过孔，使部分所述第二金属层通过所述第一过孔和所述第二过孔暴露出来；
在所述平坦层上形成像素电极层，并使所述像素电极层通过所述第一过孔和所述第二过孔与第二金属层电性连接。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，在形成所述像素电极层之后，对所述像素电极层进行热处理；
在对所述像素电极层进行热处理的过程中，所述第二金属层中的金属向所述刻蚀阻挡层扩散。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：
权利要求1-4中任一权利要求所述的薄膜晶体管；或
由权利要求5-9中任一权利要求所述的薄膜晶体管的制备方法制得的薄膜晶体管。
薄膜晶体管及其制备方法、显示装置
技术领域
背景技术
[0003] 根据薄膜晶体管的沟道材料的不同，常见的薄膜晶体管可以分为非晶硅薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管及氧化铟镓锌薄膜晶体管，其中氧化铟镓锌薄膜晶体管因具有更高的电子迁移率和开态电流而更受面板厂商的青睐。目前在面板制造端，氧化铟镓锌薄膜晶体管常用的制作工艺是背沟道刻蚀(Back Channel Etching,BCE)法，制作形成的薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。但是在背沟道刻蚀工艺中，使用酸蚀刻液对薄膜晶体管的源漏极进行刻蚀时，刻蚀液会对氧化铟镓锌产生较大影响，造成沟道区域的厚度减小，从而削弱薄膜晶体管的功能或导致薄膜晶体管的功能丧失。
发明内容
[0004] 为了解决上述现有技术中的不足，本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、以及使用所述薄膜晶体管的显示装置，通过在所述薄膜晶体管的半导体层上设置含钛刻蚀阻挡层，可有效防止源漏极刻蚀液影响半导体材料，提高薄膜晶体管的可靠性。
[0005] 本发明提供了一种薄膜晶体管，包括：
[0006] 基板；
[0007] 第一金属层，形成于所述基板上；
[0008] 栅极绝缘层，形成于所述基板上，并覆盖所述第一金属层；
[0009] 半导体层，形成于所述栅极绝缘层上；
[0010] 刻蚀阻挡层，形成于所述栅极绝缘层上，并覆盖所述半导体层；以及[0011] 第二金属层，形成于所述刻蚀阻挡层上，包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别对应设置于所述半导体层的相对两端；
[0012] 其中，所述刻蚀阻挡层至少包含氧化钛和所述第二金属层的金属。
[0013] 根据本发明一实施例，所述刻蚀阻挡层还包括硅。
[0014] 根据本发明一实施例，所述刻蚀阻挡层包括电连接层以及半导体保护层，其中所述电连接层包含所述第二金属层中的金属，使得所述电连接层分别与所述第二金属层的源极和漏极形成欧姆接触。
[0015] 根据本发明一实施例，所述半导体层为金属氧化物半导体，所述半导体保护层覆盖所述金属氧化物半导体，其中，所述半导体保护层为氧化钛。
[0016] 根据本发明一实施例，所述薄膜晶体管还包括：
[0018] 平坦层，形成于所述钝化层上，所述平坦层包括第二过孔；
[0020] 本发明还提供了一种薄膜晶体管制备方法，包括以下步骤：
[0021] 在一基板上形成图案化的第一金属层；
[0022] 在所述基板上形成覆盖所述第一金属层的栅极绝缘层；
[0023] 在所述栅极绝缘层上形成图案化的半导体层；
[0024] 在所述栅极绝缘层上形成覆盖所述半导体层的含金属钛的过渡层；
[0025] 氧化所述过渡层中的金属钛，使所述过渡层转变为刻蚀阻挡层；
[0026] 在所述刻蚀阻挡层上形成图案化的第二金属层，所述第二金属层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别对应设置于所述半导体层的相对两端；
[0028] 根据本发明一实施例，所述含金属钛的过渡层是由钛-硅合金形成。
[0029] 根据本发明一实施例，所述薄膜晶体管的制备方法还包括以下步骤：
[0030] 形成覆盖所述第二金属层和所述刻蚀阻挡层的钝化层；
[0031] 在所述钝化层上形成第一过孔，使所述第二金属层部分暴露；
[0032] 在所述钝化层上形成覆盖所述钝化层的平坦层；
[0033] 在所述平坦层上与所述第一过孔相对应的位置形成第二过孔，使部分所述第二金属层通过所述第一过孔和所述第二过孔暴露出来；
[0034] 在所述平坦层上形成像素电极层，并使所述像素电极层通过所述第一过孔和所述第二过孔与第二金属层电性连接。
[0035] 根据本发明一实施例，在形成所述像素电极层之后，对所述像素电极层进行热处理；
[0036] 在对所述像素电极层进行热处理的过程中，所述第二金属层中的金属向所述刻蚀阻挡层扩散。
[0037] 本发明又提供了一种显示装置，包括：
[0038] 如上所述的薄膜晶体管；或
[0039] 由如上所述的薄膜晶体管的制备方法制得的薄膜晶体管。
[0040] 本发明的有益效果是：本发明提供的薄膜晶体管及其制备方法、显示装置，通过在薄膜晶体管的半导体层上设置含钛刻蚀阻挡层，并利用金属钛易于氧化的特性，使刻蚀阻挡层中形成可以隔绝刻蚀液的氧化钛，在之后刻蚀处理操作时，可以防止刻蚀液对半导体层中的半导体造成损伤，从而保证薄膜晶体管的正常功能，提升产品良率和稳定性。附图说明
[0041] 为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0042] 图1是本发明一实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图；
[0043] 图2是本发明实施例提供的薄膜晶体管的制备方法流程图；
[0044] 图2a是本发明实施例提供的制备方法中完成步骤S1后形成的结构示意图；
[0045] 图2b是本发明实施例提供的制备方法中完成步骤S2后形成的结构示意图；
[0046] 图2c是本发明实施例提供的制备方法中完成步骤S3后形成的结构示意图；
[0047] 图2d是本发明实施例提供的制备方法中完成步骤S4后形成的结构示意图；
[0048] 图2e是本发明实施例提供的制备方法中完成步骤S5后形成的结构示意图；
[0049] 图2f是本发明实施例提供的制备方法中完成步骤S7后形成的结构示意图；
[0050] 图3是本发明实施例提供的制备方法制得的薄膜晶体管的结构示意图。
具体实施方式
[0051] 以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
[0052] 本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，通过在所述薄膜晶体管的半导体层上设置覆盖所述半导体层的含钛刻蚀阻挡层，在对第二金属层进行刻蚀处理时，可以防止刻蚀液对所述半导体层中的半导体造成损伤，从而保证所述薄膜晶体管的正常功能，提升产品良率和稳定性。
[0053] 如图1所示，是本发明实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图，应当理解的是所述薄膜晶体管可应用于如液晶显示装置、有机发光二极管显示装置等需要使用薄膜晶体管进行驱动控制的显示装置中，并且在显示装置中，所述薄膜晶体管可以集成设置于所述显示装置的层结构中，而无需单独设置所述薄膜晶体管的层结构。
[0054] 所述薄膜晶体管具有层状结构，包括基板10、第一金属层20、栅极绝缘层30、半导体层40、刻蚀阻挡层50以及第二金属层60。
[0055] 所述第一金属层20设置于所述基板10上。所述基板10可以是玻璃基板、石英基板、树脂基板等中的一种；所述第一金属层20的材料可以是钼、铜或铝等导电金属或金属合金。在所述第一金属层20的制备过程中，首先通过物理气相沉积工艺在所述基板10上沉积金属层，然后对金属层进行图案化处理形成所述第一金属层20，其中图案化处理包括对金属层进行曝光、显影以及刻蚀的工艺，可选地，制得的所述第一金属层20的厚度为2000埃米～
5500埃米。
5500埃米。
[0056] 所述栅极绝缘层30形成于所述基板10上，并覆盖所述第一金属层20。所述栅极绝缘层30可以是氧化硅层、氮化硅层或二者的复合层，所述栅极绝缘层30通过等离子增强化学气相沉积制得，最终形成的覆盖所述第一金属层20的所述栅极绝缘层30的厚度为1500埃米～4000埃米。
[0057] 所述半导体层40设置于所述栅极绝缘层30上，其材质可以是氧化铟镓锌等金属氧化物半导体材料，优选为氧化铟镓锌，因为氧化铟镓锌相对于其它已知的金属氧化物半导体材料具有更高的电子迁移率和开态电流，可以使制得的薄膜晶体管具有更好的电学性能。在所述半导体层40的制备过程中，采用物理气相沉积工艺在所述栅极绝缘层30上形成一均匀覆盖的半导体膜层，然后对所述半导体膜层进行图案化处理，形成半导体材料规则分布的所述半导体层40，其中所述图案化处理包括对所述半导体膜层进行曝光、显影以及刻蚀的工艺，最终形成的所述半导体层40的厚度为300埃米～2000埃米。在所述半导体层40的制备过程中需要使用高温退火工艺对所述半导体层40中的半导体材料进行缺陷修复，以提高其性能。
[0058] 所述刻蚀阻挡层50形成于所述栅极绝缘层30上，并覆盖所述半导体层40。所述刻蚀阻挡层50包括电连接层501和半导体保护层502，其中所述电连接层501包含氧化钛和所述第二金属层60的金属，所述半导体保护层502包含氧化钛。可选地，所述刻蚀阻挡层50还可以包括硅，所述刻蚀阻挡层50的厚度为50埃米～500埃米。需要说明的是，制备所述刻蚀阻挡层50的原材料是含金属钛的材料，例如可以是钛-硅合金，其中金属钛占钛-硅合金质量分数的5％～35％，金属钛在空气中常温条件下或经过加热可以形成氧化钛，此即为所述刻蚀阻挡层50中的氧化钛的来源，在进行所述第二金属层60的刻蚀过程中，氧化钛可以很好的隔绝刻蚀液，从而使所述半导体层40免受刻蚀液的影响；此外，所述电连接层501中还包含所述第二金属层60的金属，这是通过后续的热处理制程形成的，所述第二金属层60中的金属受热向所述刻蚀阻挡层50中扩散，从而形成所述电连接层501，所述电连接层501分别与所述第二金属层60的源极和漏极形成欧姆接触。
[0059] 所述第二金属层60形成于所述刻蚀阻挡层50上，所述第二金属层60的材质可以是金属铜或铝。在所述第二金属层60的制备过程中，首先通过物理气相沉积或液滴溅射的方式形成金属膜层，然后对所述金属膜层进行图案化处理，形成分别对应设置于所述半导体层40相对两端的两部分，此即为所述薄膜晶体管的源极601和漏极602。需要说明的是，在显示装置中可以包括多个并排阵列设置的薄膜晶体管，在这些薄膜晶体管的第二金属层制作时，可以首先形成覆盖所有薄膜晶体管的金属膜层，然后通过图案化处理形成对应每一个薄膜晶体管的源极和漏极。所述图案化处理包括对所述金属膜层进行曝光、显影以及刻蚀的操作。在所述第二金属层60制备完成后，后续工艺中的热处理操作会使所述第二金属层60中的金属向所述刻蚀阻挡层50扩散，形成所述电连接层501。
[0060] 可选地，所述薄膜晶体管还包括设置于所述基板10上并覆盖所述第二金属层60及所述刻蚀阻挡层50的钝化层70。所述钝化层70可以是氧化硅层或氮化硅层或二者的复合层，其厚度可以是1500埃米～4000埃米。所述钝化层70包括第一过孔701，所述第二金属层60通过所述第一过孔701暴露。在所述钝化层70的制备过程中，首先通过等离子增强化学气相沉积工艺形成覆盖所述第二金属层60及所述刻蚀阻挡层50的膜层，然后通过黄光刻蚀工艺在与所述第二金属层60相对应的位置形成所述第一过孔701，使所述第二金属层60暴露出来。
[0061] 可选地，所述薄膜晶体管还包括设置于所述钝化层70上的平坦层80，所述平坦层80上设置有第二过孔801，所述第一过孔701的位置和所述第二过孔801的位置相对应，二者处于同一竖直轴上。所述平坦层80的材质可以是有机材料或无机材料，所述平坦层80用于使所述薄膜晶体管形成较为平坦的上表面，以便于在其上层设置其它组件。所述第二过孔
801可以通过黄光刻蚀工艺制成。
801可以通过黄光刻蚀工艺制成。
[0062] 可选地，所述薄膜晶体管还包括设置于所述平坦层80上的像素电极层90，所述像素电极层90通过所述第一过孔701和所述第二过孔801与所述第二金属层60电性连接。所述像素电极层90可以由氧化铟锡等透明导体材料制成，其制备过程包括物理气相沉积工艺和图案化工艺，所述像素电极层90的厚度为300埃米～1000埃米。在所述像素电极层90制备完成后需要对其进行高温退火处理，以促进其中的透明导电材料的结晶，并且在高温退火处理时，所述第二金属层60的金属会进一步向所述刻蚀阻挡层50中扩散，进一步促使所述电连接层501的形成。
[0063] 综上所述，本发明实施例提供的薄膜晶体管通过在半导体层上设置刻蚀阻挡层，并且所述刻蚀阻挡层中包含可以隔绝刻蚀液的氧化钛，在对第二金属层进行刻蚀处理时，可以防止刻蚀液对所述半导体层中的半导体造成损伤，从而保证所述薄膜晶体管的正常功能，提升产品良率和稳定性。
[0064] 本发明另一实施例提供的一种薄膜晶体管的制备方法，如图2所示，所述薄膜晶体管的制备方法包括以下步骤：
[0065] 步骤S1.参考图2a所示，在一基板10上形成图案化的第一金属层20。
[0066] 具体地，所述基板10可以是玻璃基板、石英基板、树脂基板等中的一种。在所述基板10上制备所述第一金属层20的方法是：
[0067] 首先，通过物理气相沉积工艺或金属液滴溅射工艺在所述基板10上沉积第一金属膜层，所述第一金属膜层的材质可以是钼、铜或铝等导电金属或金属合金。
[0068] 然后，在所述第一金属膜层上涂布光阻层，采用掩膜板通过曝光、显影及刻蚀的构图工艺处理形成所述第一金属层20。应当理解的是，在所述薄膜晶体管的整体结构中，所述第一金属层20作为所述薄膜晶体管的栅极。最终形成的所述第一金属层20的厚度为2000埃米～5500埃米。
[0069] 步骤S2.参考图2b所示，在所述基板10上形成覆盖所述第一金属层20的栅极绝缘层30。
[0070] 具体地，所述栅极绝缘层30可以是氧化硅层、氮化硅层或二者的复合层，所述栅极绝缘层30通过等离子增强化学气相沉积制得，最终形成的覆盖所述第一金属层20的所述栅极绝缘层30的厚度为1500埃米～4000埃米。
[0071] 步骤S3.参考图2c所示，在所述栅极绝缘层30上形成图案化的半导体层40。
[0072] 具体地，所述半导体层40由氧化铟镓锌等金属氧化物半导体材料制成，优选为氧化铟镓锌，因为氧化铟镓锌相对于其它已知的金属氧化物半导体材料具有更高的电子迁移率和开态电流，可以使制得的薄膜晶体管具有更好的电学性能。所述半导体层40的制备过程具体包括以下步骤：
[0073] 首先，采用物理气相沉积工艺在所述栅极绝缘层30上形成一均匀覆盖的半导体膜层。
[0074] 然后，对所述半导体膜层进行高温退火处理，以修复所述半导体膜层中的缺陷，进行退火处理的温度为200℃～400℃，退火时间为0.5～4小时。
[0075] 最后，在所述半导体膜层上涂布光阻层，采用掩膜板通过曝光、显影及刻蚀的构图工艺处理形成所述半导体层40，制得的所述半导体层40的厚度为300埃米～2000埃米。
[0076] 步骤S4.参考图2d所示，在所述栅极绝缘层30上形成覆盖所述半导体层40的含金属钛的过渡层50a。
[0077] 具体地，所述过渡层50a为钛-硅合金层，其中金属钛的质量分数为5％～35％。所述过渡层50a的制备工艺为气相沉积工艺，形成的所述过渡层50a的厚度为50埃米～500埃米。
[0078] 步骤S5.参考图2d和2e所示，氧化所述过渡层50a中金属钛，使所述过渡层50a转变为刻蚀阻挡层50。
[0079] 具体地，由于金属钛为活泼金属，在空气中常温即可氧化为氧化钛，因此，步骤S5中氧化金属钛方法可以是空气中自然氧化或空气中加热氧化。在所述过渡层50a转变为所述刻蚀阻挡层50的过程中，所述过渡层50a中的金属钛完全转变为氧化钛。所述氧化钛可以对所述半导体层40起到很好的保护作用，在后续的刻蚀工艺中，所述刻蚀阻挡层50中的氧化钛可以阻止刻蚀液接触所述半导体层40，从而保护所述半导体层40免受刻蚀液的影响。
[0080] 步骤S6.参考图2f所示，在所述刻蚀阻挡层50上形成图案化的第二金属层60，所述第二金属层60包括彼此分离的两部分，分别对应设置于所述半导体层40的相对两端。
[0081] 具体地，所述第二金属层60的材质可以是金属铜或铝。制备所述第二金属层60的方法具体包括以下步骤：
[0082] 首先，通过物理气相沉积或液滴溅射的方式在所述刻蚀阻挡层50上形成第二金属膜层。
[0083] 然后，在所述第二金属膜层上涂布光阻层，采用掩膜板通过曝光、显影及刻蚀的构图工艺处理形成所述第二金属层60。所述第二金属层60包括两部分，分别对应所述半导体层40的相对两端，此即为所述薄膜晶体管的源极601和漏极602。需要说明的是，在显示装置中可以包括多个并排阵列设置的薄膜晶体管，在这些薄膜晶体管的第二金属层制作时，可以首先形成覆盖所有薄膜晶体管的第二金属膜层，然后通过图案化处理形成对应每一个薄膜晶体管的源极和漏极。
[0084] 步骤S7.参考图2f所示，对所述第二金属层60进行热处理，使所述第二金属层60中的金属扩散进所述刻蚀阻挡层50中，形成电连接层501。
[0085] 具体地，对所述第二金属层60进行热处理的温度为200℃～400℃，热处理的过程是在高温退火炉中进行。在热处理过程中所述第二金属层60中的金属向所述刻蚀阻挡层50中扩散，从而使所述刻蚀阻挡层50中的部分区域具有导电性，形成所述电连接层501，所述电连接层501分别与所述第二金属层60的源极601和漏极602形成欧姆接触。
[0086] 可选地，如图3所示，在完成步骤S7之后，所述薄膜晶体管的制备方法还可以包括以下步骤：
[0087] 步骤S301.形成覆盖所述第二金属层60和所述刻蚀阻挡层50的钝化层70。所述钝化层70可以是氧化硅层或氮化硅层或二者的复合层，其最薄区域的厚度可以是1500埃米～4000埃米。形成所述钝化层70的方法为等离子增强化学气相沉积法。
[0088] 步骤S302.在所述钝化层70上形成第一过孔701，使所述第二金属层60部分暴露。形成所述第一过孔701的方法为黄光刻蚀工艺，具体为，在所述钝化层70上涂布光阻层，采用掩膜板通过曝光、显影及刻蚀的构图工艺处理形成所述第一过孔701。
[0089] 步骤S303.在所述钝化层70上形成覆盖所述钝化层70的平坦层80。形成所述平坦层80的方法可以是化学气相沉积工艺或物理气相沉积工艺。所述平坦层80的材质可以是有机材料或无机材料，所述平坦层80用于使所述薄膜晶体管形成较为平坦的上表面，以便于在其上层设置其它组件。
[0090] 步骤S304.在所述平坦层80上与所述第一过孔701相对应的位置形成第二过孔801，使部分所述第二金属层60通过所述第一过孔701和所述第二过孔801暴露出来。所述第二过孔801可以通过黄光刻蚀工艺制成，具体为，在所述平坦层80上涂布光阻层，采用掩膜板通过曝光、显影及刻蚀的构图工艺处理形成所述第二过孔801。
[0091] 步骤S305.在所述平坦层80上形成像素电极层90，并使所述像素电极层90通过所述第一过孔701和所述第二过孔801与第二金属层60电性连接。所述像素电极层90可以由氧化铟锡等透明导体材料制成，其制备过程包括物理气相沉积工艺和图案化工艺，具体为，首先通过物理气相沉积法在所述平坦层80上沉积像素电极膜层，然后在所述像素电极膜层上涂布光阻层，采用掩膜板通过曝光、显影及刻蚀的构图工艺处理形成所述像素电极层90。所述像素电极层90的厚度为300埃米～1000埃米。
[0092] 另外，在所述像素电极层90制备完成后需要对其进行高温退火处理，以促进其中的透明导电材料的结晶，并且在高温退火处理时，所述第二金属层60的金属会进一步向所述刻蚀阻挡层50中扩散，促使所述电连接层501的进一步形成和完善。
[0093] 综上所述，本发明实施例提供的薄膜晶体管制备方法，包括在半导体层上形成含钛刻蚀阻挡层的步骤，并利用金属钛易于氧化的特性，使刻蚀阻挡层中形成可以隔绝刻蚀液的氧化钛，在之后刻蚀处理操作时，可以防止刻蚀液对半导体层中的半导体造成损伤，从而保证制得的薄膜晶体管具有正常功能，提升薄膜晶体管的制备良率。
[0094] 本发明另外一实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置可以是液晶显示装置，也可以是有机发光二极管显示装置，所述显示装置中包含了本发明实施例提供的薄膜晶体管，或包含了本发明实施例提供的薄膜晶体管的制备方法制得的薄膜晶体管，因此，在所述显示装置的制备过程中，形成于半导体层上的刻蚀阻挡层可以防止刻蚀液对半导体层造成损伤，提升所述显示装置中的薄膜晶体管的可靠性，进而提高所述显示装置的良率和可靠性。
[0095] 需要说明的是，虽然本发明以具体实施例揭露如上，但上述实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
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