提升量子点发光二极管的正老化效应和稳定性的方法和结构
专利汇可以提供提升量子点发光二极管的正老化效应和稳定性的方法和结构专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种用于通过提供玻璃衬底合成 量子点 发光 二极管 的方法。在玻璃衬底上形成QD‑LED堆叠层。该QD‑LED堆叠层扩散有活性 试剂 。用可 固化 树脂 封装该QD‑LED堆叠层。用UV光使该可固化树脂固化。，下面是提升量子点发光二极管的正老化效应和稳定性的方法和结构专利的具体信息内容。
1.一种用于制造高效且稳定的QD-LED的方法，包括下列步骤：
提供玻璃衬底；
在所述玻璃衬底上形成QD-LED堆叠层；
将活性试剂掺入可固化树脂中；
将所述QD-LED堆叠层封装在所述可固化树脂中；以及
用UV光使所述可固化树脂固化以得到QD-LED；
其中，所述QD-LED显示出正老化效应。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述可固化树脂是通过将所述活性试剂混入可固化树脂而形成的。
3.如权利要求1所述的方法，其中，所述活性试剂包括丙烯酸、苯甲酸、甲基丙烯酸、3-丁烯酸、巴豆酸和其它不饱和羧酸衍生物中的至少一种。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述活性试剂包括乙酸、丙酸、丁酸、异丁酸和其它饱和羧酸衍生物中的至少一种。
5.如权利要求2所述的方法，其中，所述可固化树脂包含按重量计为1％至99％的活性试剂。
6.如权利要求1所述的方法，其中，利用覆盖玻璃将所述可固化树脂按压在所述QD-LED堆叠层上。
7.如权利要求1所述的方法，其中，将得到的QD-LED烘烤预定时间段。
8.如权利要求7所述的方法，其中，在至少50℃的温度烘烤所述QD-LED。
9.如权利要求7所述的方法，其中，在不超过90℃的温度烘烤所述QD-LED。
10.如权利要求7所述的方法，其中，所述预定时间段为至少4小时。
11.如权利要求7所述的方法，其中，所述预定时间段不超过48小时。
12.一种用于合成制造高效且稳定的QD-LED的方法，包括下列步骤：
提供玻璃衬底；
在所述玻璃衬底上形成QD-LED堆叠层；
将活性试剂掺入所述QD-LED堆叠层中；
将所述QD-LED堆叠层封装在可固化树脂中；以及
用UV光使所述可固化树脂固化以得到QD-LED；
其中，所述QD-LED显示出正老化效应。
13.如权利要求12所述的方法，其中，通过将所述QD-LED暴露于包含活性试剂的周围环境而将所述活性试剂掺入所述QD-LED堆叠层中。
14.如权利要求13所述的方法，其中，所述活性试剂包括丙烯酸、甲基丙烯酸、3-丁烯酸、巴豆酸和其它不饱和羧酸衍生物中的至少一种。
15.如权利要求13所述的方法，其中，所述活性试剂包括乙酸、丙酸、丁酸、异丁酸和其它饱和羧酸衍生物中的至少一种。
16.如权利要求13所述的方法，其中，所述周围环境包含其量构成1％至90％的饱和蒸气压的活性试剂。
17.如权利要求12所述的方法，其中，利用覆盖玻璃将所述可固化树脂按压在所述QD-LED堆叠层上。
18.如权利要求13所述的方法，其中，将得到的QD-LED烘烤预定时间段。
19.如权利要求18所述的方法，其中，在至少50℃的温度烘烤所述QD-LED。
20.如权利要求18所述的方法，其中，在不超过90℃的温度烘烤所述QD-LED。
21.如权利要求18所述的方法，其中，所述预定时间段为至少4小时。
22.如权利要求18所述的方法，其中，所述预定时间段不超过48小时。
23.如权利要求12所述的方法，其中，通过用包含所述活性试剂的溶液清洗所述QD-LED堆叠层而将所述活性试剂掺入所述QD-LED堆叠层中。
24.如权利要求23所述的方法，其中，所述溶液包含按重量计为0.1％至90％的活性试剂。
25.如权利要求12所述的方法，其中，通过暴露于UV辐射而使所述可固化树脂固化。
26.一种QD-LED，其通过下列步骤形成：
提供玻璃衬底；
在所述玻璃衬底上形成QD-LED堆叠层；
将活性试剂掺入到所述QD-LED堆叠层中；
将所述QD-LED堆叠层封装在可固化树脂中；以及
用UV光使所述可固化树脂固化以得到QD-LED；
其中，所述QD-LED显示出正老化效应。
27.如权利要求26所述的QD-LED，其通过用所述活性试剂掺杂所述可固化树脂而形成。
28.如权利要求27所述的QD-LED，其通过用丙烯酸、苯甲酸、甲基丙烯酸、3-丁烯酸、巴豆酸和其它不饱和羧酸衍生物中的至少一种掺杂所述可固化树脂而形成。
29.如权利要求26所述的QD-LED，其通过使用乙酸、丙酸、丁酸、异丁酸和其它饱和羧酸衍生物中的至少一种掺杂所述可固化树脂而形成。
30.如权利要求26所述的QD-LED，其中，利用覆盖玻璃将所述可固化树脂按压在所述QD-LED堆叠层上。
31.如权利要求28所述的QD-LED，其中，用按重量计为小于30％的丙烯酸掺杂所述可固化树脂。
32.如权利要求27所述的QD-LED，其中，将得到的QD-LED烘烤预定时间段。
33.如权利要求32所述的QD-LED，其中，在至少50℃的温度烘烤所述QD-LED。
34.如权利要求32所述的QD-LED，其中，在不超过90℃的温度烘烤所述QD-LED。
35.如权利要求32所述的QD-LED，其中，所述预定时间段为至少4小时。
36.如权利要求32所述的QD-LED，其中，所述预定时间段不超过48小时。
37.如权利要求26所述的QD-LED，其中，通过将所述QD-LED暴露于具有所述活性试剂的周围环境而将所述活性试剂掺入所述QD-LED堆叠层中。
38.如权利要求26所述的QD-LED，其中，通过用包含所述活性试剂的溶液清洗所述QD-LED堆叠层而将所述活性试剂掺入所述QD-LED堆叠层中。
39.一种QD-LED，包括：
玻璃衬底；
形成于所述玻璃衬底上的QD-LED堆叠层，所述QD-LED堆叠层扩散有活性试剂；
封装所述QD-LED堆叠层的封装层，所述封装层为可固化树脂；
其中，所述QD-LED显示出正老化效应。
40.如权利要求39所述的QD-LED，其中，所述活性试剂包括丙烯酸、苯甲酸、甲基丙烯酸、3-丁烯酸、巴豆酸和其它不饱和羧酸衍生物中的至少一种。
41.如权利要求39所述的QD-LED，其中，所述活性试剂包括乙酸、丙酸、丁酸、异丁酸和其它饱和羧酸衍生物中的至少一种。
42.如权利要求40所述的QD-LED，其中，所述酸为丙烯酸。
43.如权利要求42所述的QD-LED，其中，所述封装层具有按重量计为至少7.5％的丙烯酸。
44.如权利要求42所述的QD-LED，其中，所述封装层具有按重量计为少于30％的丙烯酸。
45.如权利要求39所述的QD-LED，所述封装层包含丙烯酸，所述QD-LED包括空穴注入层、布置在所述空穴注入层上的空穴传输层、布置在所述空穴传输层上的量子点发射层、布置在所述量子点发射层上的电子传输层、以及布置在所述电子传输层上的阴极，并且丙烯酸从所述封装层扩散到所述QD-LED堆叠层中。
提升量子点发光二极管的正老化效应和稳定性的方法和结构
背景技术
发明内容
具体实施方式
104。步骤1(b)和图1(c)是在手套式操作箱中执行的。在步骤1(d)中，如本领域中已知的，将QD-LED暴露于波长为大约365nm的紫外光，在手套式操作箱中暴露大约三分钟，或者在空气中暴露足以使封装QD-LED 110的可固化树脂固化的时间。
23％AA 22.1 45.9
23％AA0.5小时 22.7 46.6
33％AA1小时 25.9 45.4
23％AA2小时 26.6 45.6
23％AA4小时 30.5 50.6
对照 6.9 10.9
BA-CF3 3.9 10.3
BA-CN 4.3 7.5
BA-SH 2.9 6.7
BA 7.1 16.8
BA-CH3 6.0 7.0
BA-OCH3 5.5 7.8
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