具有用于无空隙金属前电介质层间隙填充的保形电介质膜的间隔件塑形器形成
专利汇可以提供具有用于无空隙金属前电介质层间隙填充的保形电介质膜的间隔件塑形器形成专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 申请 实施例 涉及具有用于无空隙金属前 电介质 层间隙填充的保形电介质膜的间隔件塑形器形成。可通过以下操作来形成集成 电路 (100)：从MOS晶体管栅极(114、132)的 侧壁 上的偏移间隔件移除源极/漏极间隔件；在所述MOS晶体管栅极的横向表面上形成触 点蚀 刻止挡层CESL间隔件层；回蚀所述CESL间隔件层以在所述MOS晶体管栅极的所述横向表面上形成具有为所述MOS晶体管栅极的1/4到3/4的高度的倾斜CESL间隔件(156)；在所述倾斜CESL间隔件、所述MOS晶体管栅极及介入衬底上方形成CESL(164)；及在所述CESL上方形成金属前电介质层(172)。，下面是具有用于无空隙金属前电介质层间隙填充的保形电介质膜的间隔件塑形器形成专利的具体信息内容。
1.一种集成电路，其包括：
半导体衬底；
多个p沟道金属氧化物半导体PMOS栅极结构，其接近于彼此安置于所述半导体衬底上，所述PMOS栅极结构中的每一者包括：
栅极电介质层，其安置于所述半导体衬底的顶部表面上；
栅极，其安置于所述栅极电介质层上；
金属硅化物，其安置于所述栅极上；及
栅极偏移间隔件，其安置于所述栅极的横向表面上；
多个n沟道金属氧化物半导体NMOS栅极结构，其接近于彼此安置于所述半导体衬底上，所述NMOS栅极结构中的每一者包括：
栅极电介质层，其安置于所述半导体衬底的顶部表面上；
栅极，其安置于所述栅极电介质层上；
金属硅化物，其安置于所述栅极上；及
栅极偏移间隔件，其安置于所述栅极的横向表面上；
倾斜触点蚀刻止挡层CESL间隔件，其安置于所述PMOS栅极结构的所述栅极偏移间隔件的横向表面上及所述NMOS栅极结构的所述栅极偏移间隔件的横向表面上，所述倾斜CESL间隔件具有为所述PMOS栅极结构及所述NMOS栅极结构的高度的1/4到3/4的高度；
CESL，其安置于所述PMOS栅极结构及所述PMOS栅极结构的所述栅极偏移间隔件的所述横向表面上的所述倾斜CESL间隔件上方，所述CESL包括氮化硅，所述CESL无在所述PMOS栅极结构之间的凹角表面轮廓；及
金属前电介质PMD层，其安置于所述CESL上方。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述倾斜CESL间隔件包括：二氧化硅第一子层，其邻接所述PMOS栅极结构的所述栅极偏移间隔件及所述NMOS栅极结构的所述栅极偏移间隔件；及氮化硅第二子层，其安置于所述第一子层上。
3.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述第一子层具有3纳米到7纳米的厚度；且所述第二子层具有12纳米到17纳米的厚度。
4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述倾斜CESL间隔件包括邻接所述PMOS栅极结构的所述栅极偏移间隔件及所述NMOS栅极结构的所述栅极偏移间隔件的二氧化硅同质层。
5.根据权利要求4所述的集成电路，其中所述二氧化硅同质层具有15纳米到25纳米的厚度。
6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述倾斜CESL间隔件在所述倾斜CESL间隔件的底部处具有5纳米到15纳米的宽度。
7.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述倾斜CESL间隔件在所述倾斜CESL间隔件的底部处具有5纳米到15纳米的宽度。
8.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述CESL也安置于所述NMOS栅极结构及所述NMOS栅极结构的所述栅极偏移间隔件的所述横向表面上的所述倾斜CESL间隔件上方，所述CESL无在所述NMOS栅极结构之间的凹角表面轮廓。
9.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述CESL为第一CESL，且所述第一CESL不安置于所述NMOS栅极结构上方，且所述集成电路进一步包括安置于所述NMOS栅极结构及所述NMOS栅极结构的所述栅极偏移间隔件的所述横向表面上的所述倾斜CESL间隔件上方的第二CESL，所述第二CESL无在所述NMOS栅极结构之间的凹角表面轮廓。
10.一种形成集成电路的方法，其包括：
提供半导体衬底；
形成接近于彼此安置的多个PMOS栅极结构；
形成接近于彼此安置的多个NMOS栅极结构；
在所述PMOS栅极结构的栅极偏移间隔件的横向表面上形成源极/漏极间隔件；
在所述NMOS栅极结构的栅极偏移间隔件的横向表面上形成源极/漏极间隔件；
从所述PMOS栅极结构移除所述源极/漏极间隔件且从所述NMOS栅极结构移除所述源极/漏极间隔件；
在所述集成电路的现有顶部表面上方包含在所述PMOS栅极结构及所述NMOS栅极结构上方形成CESL间隔件层；
执行各向异性反应性离子蚀刻RIE过程，其从所述PMOS栅极结构及所述NMOS栅极结构的顶部表面且从所述集成电路的所述现有顶部表面的在所述PMOS栅极结构与所述NMOS栅极结构之间的部分移除所述CESL间隔件层，从而在所述PMOS栅极结构及所述NMOS栅极结构的横向表面上留下所述CESL间隔件层以便形成倾斜CESL间隔件，所述倾斜CESL间隔件具有为所述PMOS栅极结构及所述NMOS栅极结构的高度的1/4到3/4的高度；
在所述PMOS栅极结构及所述PMOS栅极结构的所述栅极偏移间隔件的所述横向表面上的所述倾斜CESL间隔件上方形成CESL，所述CESL包括氮化硅，所述CESL无在所述PMOS栅极结构之间的凹角表面轮廓；及
在所述CESL上方形成PMD层。
11.根据权利要求10所述的方法，其中形成所述CESL间隔件层包括：形成邻接所述PMOS栅极结构的所述栅极偏移间隔件及所述NMOS栅极结构的所述栅极偏移间隔件的二氧化硅第一子层；及形成安置于所述第一子层上的氮化硅第二子层。
12.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述第一子层包含次大气压化学气相沉积SACVD过程。
13.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述第二子层包含使用硅烷及氨气的等离子增强化学气相沉积PECVD过程。
14.根据权利要求11所述的方法，其中所述形成所述第二子层的步骤包含多站循序沉积过程。
15.根据权利要求11所述的方法，其中执行所述形成所述第一子层的步骤使得所述第一子层具有3纳米到7纳米的厚度；且执行所述形成所述第二子层的步骤使得所述第二子层具有12纳米到17纳米的厚度。
16.根据权利要求10所述的方法，其中所述形成所述CESL间隔件层的步骤包括形成邻接所述PMOS栅极结构的所述栅极偏移间隔件及所述NMOS栅极结构的所述栅极偏移间隔件的二氧化硅同质层。
17.根据权利要求16所述的方法，其中执行所述形成所述同质层的步骤使得所述同质层具有15纳米到25纳米的厚度。
18.根据权利要求10所述的方法，其中执行所述执行所述各向异性RIE过程的步骤使得所述倾斜CESL间隔件在所述倾斜CESL间隔件的底部处具有5纳米到15纳米的宽度。
19.根据权利要求10所述的方法，其中所述CESL为第一CESL，且执行所述形成所述CESL的步骤使得在所述NMOS栅极结构及所述NMOS栅极结构的所述栅极偏移间隔件的所述横向表面上的所述倾斜CESL间隔件上方形成CESL，所述CESL无在所述NMOS栅极结构之间的凹角表面轮廓，且所述方法进一步包括以下步骤：
在所述多个PMOS栅极结构上方的所述第一CESL上方形成CESL蚀刻掩模以便暴露所述多个NMOS栅极结构上方的所述第一CESL；
移除所述多个NMOS栅极结构上方的所述第一CESL的至少大部分，同时所述CESL蚀刻掩模处于原位；
移除所述CESL蚀刻掩模；及
在所述形成所述PMD层的步骤之前，在所述NMOS栅极结构及所述NMOS栅极结构的所述栅极偏移间隔件的所述横向表面上的所述倾斜CESL间隔件上方形成第二CESL，所述第二CESL包括氮化硅，所述第二CESL无在所述NMOS栅极结构之间的凹角表面轮廓。
20.根据权利要求10所述的方法，其中用磷酸水溶液的湿蚀刻执行移除所述源极/漏极间隔件的步骤。
具有用于无空隙金属前电介质层间隙填充的保形电介质膜的
间隔件塑形器形成
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
在栅极偏移间隔件118的横向表面上形成氮化硅源极/漏极间隔件120。在衬底102中邻近于PMOS栅极结构110且部分重叠于PMOS栅极结构110下方而形成P型源极/漏极(PSD)区122。在衬底102的顶部表面处于PSD区122上方形成金属硅化物124。在衬底102的n型阱126中形成PMOS晶体管区104。
128且部分重叠于NMOS栅极结构128下方而形成N型源极/漏极(NSD)区140。在衬底102的顶部表面处于NSD区140上方形成金属硅化物142。在衬底102的p型阱144中形成NMOS晶体管区
106。
举例来说，第一子层148在PMOS晶体管区104的栅极偏移间隔件118及NMOS晶体管区106的栅极偏移间隔件136的横向表面上可为3纳米到7纳米厚。
4的高度158。倾斜CESL间隔件156在倾斜CESL间隔件156的底部处可具有5纳米到15纳米的宽度162。将CESL间隔件层150形成为包含二氧化硅第一子层148及氮化硅第二子层152可为倾斜CESL间隔件156提供所要形状。
168可包含一或多个氮化硅层且可能地可包含二氧化硅。在本实例的一个版本中，第二CESL
168可具有大于100兆帕的张应力，此可合意地增强NMOS晶体管区106的驱动电流。
将进一步认识到，第一CESL 164及第二CESL 168的相对形成次序可从参考图1E到图1H所描述的次序反转。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 氮磷共掺杂多孔碳的制备方法及其应用 | 2022-09-10 | 2 |
| 一种一步法制备氧化钼量子点的方法 | 2020-11-04 | 1 |
| 一种不充电锂电池 | 2020-09-19 | 0 |
| 一种甲酰胺吸收剂、发泡剂组合物及发泡材料 | 2020-12-10 | 0 |
| 一种秸秆复合板及其制作方法 | 2022-07-06 | 1 |
| 一种云牛膝多糖胶囊制剂、制备方法及应用 | 2022-07-07 | 1 |
| 一种低密度导热导电聚乳酸3D打印材料及其制备方法和应用 | 2023-10-12 | 1 |
| 一种高亮度发光二极管及其制造方法 | 2021-03-07 | 0 |
| 用于治疗癌症的组合物和方法 | 2022-08-09 | 2 |
| 一种环保笔杆的制作材料和制作方法 | 2023-08-30 | 1 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
