专利汇可以提供晶片舟皿冷却装置专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种晶片舟皿冷却装置,包括 底板 和可在多个分度 位置 之间旋转的可旋转台。可旋转台包括至少两个用于支承晶片舟皿的晶片舟皿位置。垂直延伸的壁结构安装在可旋转台上,并在每个晶片舟位置处形成具有气体供给区域和气体排出区域的晶片舟皿室。晶片舟皿冷却装置还包括在底板下方延伸的 增压 室。增压室容纳至少一个气体/液体 热交换器 。,下面是晶片舟皿冷却装置专利的具体信息内容。
1.一种晶片舟皿冷却装置(10),所述晶片舟皿冷却装置构造成定位在垂直间歇式炉的加工室下方,所述加工室用于对容纳在晶片舟皿中的晶片进行加工,其中,所述晶片舟皿冷却装置(10)包括:
底板(18);
可旋转台(20),所述可旋转台包括至少两个用于支承所述晶片舟皿的晶片舟皿位置,所述可旋转台(20)能够围绕中心垂直轴线(L)在所述底板(18)上方旋转;以及垂直延伸的壁结构(22),所述垂直延伸的壁结构安装在所述可旋转台(20)上,并且在每个所述晶片舟皿位置处形成垂直延伸的晶片舟皿室(24),
其中,所述垂直延伸的壁结构(22)包括:
气体供给区域,所述气体供给区域包括多个气体供给开口(30);以及
气体排出区域,所述气体排出区域包括多个气体排出开口(32),
其中,所述晶片舟皿冷却装置(10)还包括:
管道(40),所述管道延伸穿过所述底板(18)中的中心气体开口(34)并且与所述气体供给开口(30)或所述气体排出开口(32)流体连通,
其中,所述底板(18)具有多个底板开口(36),当所述可旋转台(20)处于多个分度位置中的一个时,所述多个底板开口与所述气体供给开口(30)或所述气体排出开口(32)流体连通,
其中,所述晶片舟皿冷却装置(10)还包括:
增压室壳体(42),所述增压室壳体具有形成增压室(44)的增压室壁,所述增压室在所述底板(18)下方延伸,至少部分地围绕管道(40),其中,所述底板(18)中的所述多个底板开口(36)与所述增压室(44)流体连通,并且其中,所述增压室(44)具有至少一个增压室开口(46);
再循环通道(48),所述再循环通道从所述至少一个增压室开口(46)延伸至所述管道(40),并且包括至少一个气体鼓风机(50);以及
至少一个气体/液体热交换器(52),所述至少一个气体/液体热交换器定位在所述增压室(44)中。
2.如权利要求1所述的晶片舟皿冷却装置,其特征在于,所述至少一个气体/液体热交换器(52)构造成用于对从所述晶片舟皿室(24)中的至少一个中排出的气体进行冷却。
3.如权利要求1或2所述的晶片舟皿冷却装置,其特征在于,所述增压室壳体(42)包括至少一个热交换器壳体(56),其中,所述至少一个气体/液体热交换器(52)容纳在所述至少一个热交换器壳体(56)中的相关联的一个中,并且其中,所述至少一个增压室开口(46)设置在所述至少一个热交换器壳体(56)中,使得当从所述晶片舟皿室(24)中的至少一个排出的气体流到所述再循环通道(48)或所述多个底板开口(36)时,所述气体沿着所述至少一个气体/液体热交换器(52)流动。
4.如权利要求3所述的晶片舟皿冷却装置,其特征在于,所述增压室壳体(42)包括两个热交换器壳体(56),其中,每个所述热交换器壳体(56)容纳所述气体/液体热交换器(52),并且其中,每个所述热交换器壳体(56)设置有所述至少一个增压室开口(46)中的一个。
5.如前述权利要求中任一项所述的晶片舟皿冷却装置,其特征在于,所述多个气体供给开口(30)在所述垂直延伸的壁结构(22)的基本上整个高度上至少沿着垂直方向分布在所述垂直延伸的壁结构(22)中。
6.如前述权利要求中任一项所述的晶片舟皿冷却装置,其特征在于,所述多个气体排出开口(32)在所述垂直延伸的壁结构(22)的基本上整个高度上至少沿着垂直方向分布在所述垂直延伸的壁结构(22)中。
7.如前述权利要求中任一项所述的晶片舟皿冷却装置,其特征在于,对于每个所述晶片舟皿室(24),所述气体供给区域与所述气体排出区域相对,使得当经由所述多个气体供给开口(30)供给至相应的所述晶片舟皿室(24)的气体流到相关联的所述晶片舟皿室(24)的所述多个气体排出开口(32)时,所述气体基本上水平地穿过所述晶片舟皿室(24)。
8.如前述权利要求中任一项所述的晶片舟皿冷却装置,其特征在于,还包括:
气体供给管道(26),所述气体供给管道将所述管道(40)或所述底板开口(36)与所述多个气体供给开口(30)流体连接,所述多个气体供给开口(30)将相关联的所述气体供给管道(26)与相应的所述晶片舟皿室(24)流体连接;以及
气体排出管道(28),所述气体排出管道将所述管道(40)和所述底板开口(36)的另一个与所述多个气体排出开口流体连接,所述多个气体排出开口(32)将相关联的所述气体排出管道(28)与相应的所述晶片舟皿室(24)流体连接。
9.如权利要求8所述的晶片舟皿冷却装置,其特征在于,所述垂直延伸的壁结构(22)附加地界定至少一个垂直延伸的供气通道,由此形成所述气体供给管道(26),并且其中,所述垂直延伸的壁结构(22)界定至少一个垂直延伸的气体排出通道,由此形成所述气体排出管道(28)。
10.如前述权利要求中任一项所述的晶片舟皿冷却装置,其特征在于,所述晶片舟皿室(24)中的一个与具有可垂直运动的升降支承构件的晶片舟皿升降机相关联,其中,所述可旋转台(20)在每个所述晶片舟皿位置处具有升降支承件开口(58),所述升降支承构件能够通过所述升降支承件开口(58)经过可旋转台(20),以将所述升降支承构件容纳在所述可旋转台(20)的下侧与所述底板(18)的上侧之间的空间(60)中。
11.如前述权利要求中任一项所述的晶片舟皿冷却装置,其特征在于,还包括:
·静止支承框架(62);以及
·可转动台轴承(64),所述可转动台轴承具有固定地连接于所述管道(40)的内座圈,并具有固定地连接于所述静止支承框架(62)的外座圈,
其中,所述管道(40)固定地连接于所述可旋转台(20)并形成为用于所述可旋转台(20)的支承件。
12.如前述权利要求中任一项所述的晶片舟皿冷却装置,其特征在于,还包括主壳体(12),所述主壳体具有周向壁(14)和顶壁(16),其中,所述底板(18)形成为所述主壳体(12)的底壁。
13.如权利要求12所述的晶片舟皿冷却装置,其特征在于,所述主壳体(12)还包括至少一个转移开口(66),以将晶片转移至所述晶片舟皿室(24)中的一个内的晶片舟皿,以及从所述晶片舟皿室(24)中的一个内的晶片舟皿转移晶片。
14.如前述权利要求中任一项所述的晶片舟皿冷却装置,其特征在于,所述管道(40)固定地连接于所述可旋转台(20),其中,第一气体密封件(68)设置在所述可旋转管道(40)和所述底板(18)之间,并且其中,第二气体密封件(70)设置在所述可旋转的入口管道(40)和所述再循环通道(48)之间。
15.如权利要求14所述的晶片舟皿冷却装置,其特征在于,所述第一气体密封件(68)和所述第二气体密封件(70)是所述晶片舟皿冷却装置(10)中存在的仅有的两个气体密封件,所述两个气体密封件用于在所述晶片舟皿冷却装置(10)的旋转部分与所述晶片舟皿冷却装置(10)的静止部分之间形成气密连接部。
16.如前述权利要求中任一项所述的晶片舟皿冷却装置,其特征在于,每个所述晶片舟皿室(24)的所述气体供给区域设置有过滤器组件(72),使得经由所述多个气体供给开口(30)供给至相应的所述晶片舟皿室(24)的气体必须经过所述过滤器组件(72)。
17.如前述权利要求中任一项所述的晶片舟皿冷却装置,其特征在于,所述可旋转台(20)具有三个晶片舟皿位置,所述三个晶片舟皿位置具有对应的所述晶片舟皿室(24),其中,所述可旋转台(20)能够在120°的角度上转位,
其中,所述晶片舟皿冷却装置(10)的第一分度位置是装载/接纳位置,用于将所述晶片舟皿从处于所述第一分度位置的所述晶片舟皿室(24)垂直地装载到所述加工室中,和/或用于从处于所述第一分度位置的所述晶片舟皿室(24)中的所述加工室中接纳所述晶片舟皿。
其中,所述晶片舟皿冷却装置(10)的第二分度位置是冷却位置,
其中,所述晶片舟皿冷却装置(10)的第三分度位置是转移位置,用于将晶片转移至所述晶片舟皿和从所述晶片舟皿转移晶片,所述晶片舟皿容纳在处于所述第三分度位置的所述晶片舟皿室(24)中。
18.一种垂直间歇式炉组件,所述垂直间歇式炉组件包括:
加工室,所述加工室用于对容纳在晶片舟皿中的晶片进行加工;
根据前述权利要求中任一项所述的晶片舟皿冷却装置(10),其中,所述晶片舟皿冷却装置(10)定位在所述加工室下方;以及
竖直晶片舟皿升降组件,所述竖直晶片舟皿升降组件构造成将晶片舟皿从所述晶片舟皿冷却装置(10)转移至加工室,反之亦然。
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