标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
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制造半导体器件的方法 | 2023-01-13 | 482 |
一种表面高熵合金梯度冶金层的增材制备方法 | 2023-01-10 | 402 |
基于金诱导非晶硅结晶的低温键合方法 | 2023-01-08 | 447 |
用于涂布EUV平板印刷术基底的方法和具有光刻胶层的基底 | 2023-01-10 | 658 |
一种ZnO微米/纳米柱LED的制备方法 | 2023-01-11 | 301 |
一种膜传感器及其制备方法 | 2023-01-12 | 726 |
低功耗相变存储器用限制型电极结构及制备方法 | 2023-01-14 | 473 |
一种基于非N型InP衬底的雪崩光电二极管及其制备方法 | 2023-01-13 | 467 |
低功耗相变存储器用限制型电极结构及制备方法 | 2023-01-09 | 705 |
一种低温液相生产微纳米结构的制备方法 | 2023-01-12 | 591 |
一种柔性显示面板及制作方法 | 2023-01-09 | 261 |
栅极的形成方法 | 2023-01-09 | 552 |
一种含有多相AlCrN纳米插入层的高硬度CrAlN涂层及其制备方法 | 2023-01-15 | 968 |
具有石墨烯电极的GaN基半导体器件及其制备方法 | 2023-01-11 | 428 |
含硅膜的等离子体增强周期化学气相沉积 | 2023-01-10 | 912 |
一种二硒化铂晶体材料及其制备方法 | 2023-01-12 | 34 |
改进的包含硅烷化的二氧化硅的加工组合物及其形成方法 | 2023-01-11 | 604 |
一种氧化物巨磁电阻自旋阀及包含其的设备 | 2023-01-13 | 843 |
包含第一及第二区的层压件的半导体结构及形成半导体结构的方法 | 2023-01-14 | 265 |
Ⅲ族氮化物单晶体和含该Ⅲ族氮化物单晶体的半导体器件 | 2023-01-14 | 761 |
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原子层沉积方法和原子层沉积设备 | 2020-05-12 | 340 |
原子层沉积装置和原子层沉积方法 | 2020-05-13 | 61 |
原子层沉积设备 | 2020-05-11 | 30 |
原子层沉积装置 | 2020-05-12 | 694 |
原子层沉积设备 | 2020-05-12 | 696 |
原子层沉积法 | 2020-05-12 | 59 |
原子层沉积方法 | 2020-05-11 | 525 |
原子层沉积方法 | 2020-05-11 | 314 |
原子层沉积设备 | 2020-05-11 | 163 |
原子层沉积装置 | 2020-05-13 | 807 |
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