栅极电介质
专利汇是一家知识产权数据服务商，提供栅极电介质专利，栅极电介质专利的相关文章和专利信息，以及相关的新闻资讯，为你解答栅极电介质专利的相关疑问，是您身边的专利检索分析管家。具体相关文章，请看下面专利汇精心整理的专利条目。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 新颖的低功率非易失性存储器和栅极堆叠 | 2021-08-23 | 0 |
| 用于形成用于应变硅MOS晶体管的第二隔片的方法和结构 | 2023-12-28 | 0 |
| 电子器件 | 2021-03-13 | 1 |
| FORMING A VTFT USING PRINTING | 2020-10-05 | 2 |
| STRUCTURE AND METHOD FOR A TRIPLE-GATE TRANSISTOR WITH REVERSE STI | 2022-09-19 | 1 |
| FIN-FET device structure formed employing bulk semiconductor substrate | 2022-04-14 | 1 |
| LATERAL OXIDATION WITH HIGH-K DIELECTRIC LINER | 2022-05-20 | 1 |
| METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND DEVICE MANUFACTURED USING THE SAME | 2020-10-08 | 2 |
| 식각 정지 절연막을 이용한 반도체 장치의 제조 방법 | 2020-07-16 | 2 |
| 소스/드레인 컨택을 형성하는 방법, 소스/드레인 컨택을 포함하는 반도체 디바이스 및 그 제조방법 | 2020-08-07 | 1 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
分析报告
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
栅极电介质热门专利
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈